JP5838744B2 - 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途 - Google Patents

炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途 Download PDF

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Description

本発明は炭素含有酸化ケイ素膜、それからなる封止膜及びその用途に関するものである。殊にＳｉＯＣＨ組成で特定の構造を有するケイ素化合物を原料として化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により成膜して得られた炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜に関するものである。
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイ（以下、ＦＰＤ）では、その表示パネルの基材としてガラス基板が用いられるが、薄膜化、軽量化、耐衝撃性向上、フレキシブル化、更には、ロールツーロールプロセスへの適応の観点から、透明プラスチック基板への代替要求が高まっている。また、プラスチック基板に有機半導体を用いて有機トランジスタを形成したり、ＬＳＩ、Ｓｉ薄膜太陽電池、有機色素増感太陽電池、有機半導体太陽電池を形成する試みがなされている。
通常市販されているプラスチック基板に上記素子を形成した場合、液晶素子、有機ＥＬ素子、ＴＦＴ素子、半導体素子、太陽電池等、形成された素子、デバイスが水、酸素に弱い為、ディスプレイの表示にダークスポットやドット抜けが発生したり、半導体素子、太陽電池が機能しなくなり、実用に耐えない。従って、プラスチック基板に水蒸気、酸素ガスに対するガスバリア性能を付与したガスバリアプラスチック基板が必要となる。一方、ガスバリア性能を付与した透明プラスチックフィルムは、食料品、医薬品、電子材料、電子部品の包装材料用途として、今後、不透明なアルミ箔ラミネートフィルムに変わって益々使用が拡大する方向にある。
透明プラスチック基板や透明プラスチックフィルムに透明ガスバリア性能を付与する方法としては、物理的成膜法とＣＶＤ法がある。
ＣＶＤ法の例としては、シランガス（ＳｉＨ４）を用い、プラズマ励起化学気相成長法（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下、ＰＥＣＶＤ法と記載）により酸化ケイ素膜を成膜する提案として特許文献１がある。また、メチル基、もしくはフェニル基が置換したシラン類、シロキサン類を用い、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスと酸素共存下、ＰＥＣＶＤ法で酸化ケイ素を成膜する提案として特許文献２がある。しかしながら、これらの原料を用いた成膜方法は、原料が危険であったり、できた膜の組成が一定しない、成膜速度が遅いといった課題を抱えている。更には、封止材、ガスバリア材として使用するには、膜が十分に緻密でない為に水蒸気や酸素に対するガスバリア性能が不十分であったり、絶縁膜用途で使用する為には、絶縁特性が不十分である等の課題を抱えている。
特許第２７３４５４８号 特許第４１３９４４６号
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有するケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含んでなるガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスを提供することにある。
本発明者らは、特定の構造を有するケイ素化合物を原料として用い、ＣＶＤにより得られた膜が封止膜として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、以下のとおりである。
（１）少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物を原料として用い、化学気相成長法により成膜して得られることを特徴とする、炭素含有酸化ケイ素膜。
（２）少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式（１）
Figure 0005838744
 （式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１，Ｒ２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ４は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。ａは０乃至２の整数、ｌは１以上の整数、ｘは１乃至４の整数、ｙは０乃至３の整数、ｚは０乃至３の整数を表し、ｘ＋ｙ＋ｚは１乃至４の整数を表す。）
である、（１）に記載の膜。
（３）少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が下記一般式（２）
Figure 0005838744
 （式中、Ｒ５，Ｒ６は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ５とＲ６は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表わし、ｂは０乃至２の整数、ｍは１以上の整数、ｆは１乃至２の整数、ｐは１乃至１０の整数を表わす。）
である、（１）に記載の膜。
（４）化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、（１）〜（３）いずれかに記載の膜。
（５）化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、（１）〜（３）いずれかに記載の膜。
（６）上述の（１）乃至（５）のいずれかに記載の膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする膜。
（７）上述の（１）乃至（６）のいずれかに記載の膜からなる封止膜。
（８）下記一般式（３）
Figure 0005838744
 （式中、Ｒ１０，Ｒ１１は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１０とＲ１１は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ１２は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表わし、ｃは０乃至２の整数、ｎは１以上の整数、ｇは１乃至２の整数、ｑは２乃至１０の整数をわす。）で示されるアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機環状シロキサン化合物を原料として用い、化学気相成長法により得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成ることを特徴とする封止膜。
（９）化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、（８）に記載の封止膜。
（１０）化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、（８）に記載の封止膜。
（１１）上述の（８）乃至（１０）のいずれかに記載の封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする封止膜。
（１２）上述の（７）乃至（１１）のいずれかに記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。
（１３）上述の（７）乃至（１１）のいずれかに記載の封止膜、または（１２）に記載のガスバリア部材を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。
（１４）上述の（７）乃至（１１）のいずれかに記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。
（１５）トリス（メトキシメチル）エチルシラン、トリス（エトキシメチル）エチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−プロピルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−プロピルシラン、トリス（メトキシメチル）イソプロピルシラン、トリス（エトキシメチル）イソプロピルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−ブチルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−ブチルシラン、トリス（メトキシメチル）イソブチルシラン、トリス（エトキシメチル）イソブチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｓｅｃ−ブチルシラン、トリス（エトキシメチル）ｓｅｃ−ブチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−ペンチルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−ペンチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｓｅｃ−アミルシラン、トリス（エトキシメチル）ｓｅｃ−アミルシラン、トリス（メトキシメチル）シクロペンチルシラン、トリス（エトキシメチル）シクロペンチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−ヘキシルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−ヘキシルシラン、トリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシラン、トリス（エトキシメチル）シクロヘキシルシラン、
トリス（メトキシメチル）ビニルシラン、トリス（エトキシメチル）ビニルシラン、トリス（メトキシメチル）アリルシラン、トリス（エトキシメチル）アリルシラン、トリス（メトキシメチル）フェニルシラン、トリス（エトキシメチル）フェニルシラン、
ビス（メトキシメチル）ジメチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジメチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジエチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジエチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−プロピルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−プロピルシラン、ビス（メトキシメチル）ジイソプロピルシラン、ビス（エトキシメチル）ジイソプロピルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−ブチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−ブチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジイソブチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジイソブチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｓｅｃ−ブチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｓｅｃ−ブチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−ペンチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−ペンチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｓｅｃ−アミルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｓｅｃ−アミルシラン、ビス（メトキシメチル）ジシクロペンチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジシクロペンチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−ヘキシルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−ヘキシルシラン、ビス（メトキシメチル）ジシクロヘキシルシラン、ビス（エトキシメチル）ジシクロヘキシルシラン、
ビス（メトキシメチル）ジビニルシラン、ビス（エトキシメチル）ジビニルシラン、ビス（メトキシメチル）ジアリルシラン、ビス（エトキシメチル）ジアリルシラン、ビス（メトキシメチル）ジフェニルシラン、ビス（エトキシメチル）ジフェニルシラン、
トリメチル（メトキシメチルシラン）、トリメチル（エトキシメチルシラン）、トリエチル（メトキシメチル）シラン、トリエチル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−プロピル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−プロピル（エトキシメチル）シラン、トリイソプロピル（メトキシメチル）シラン、トリイソプロピル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−ブチル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−ブチル（エトキシメチル）シラン、トリイソブチル（メトキシメチル）シラン、トリイソブチル（エトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−ブチル（メトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−ブチル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−ペンチル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−ペンチル（エトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−アミル（メトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−アミル（エトキシメチル）シラン、トリシクロペンチル（メトキシメチル）シラン、トリシクロペンチル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−ヘキシル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−ヘキシル（エトキシメチル）シラン、トリシクロヘキシル（メトキシメチル）シラン、トリシクロヘキシル（エトキシメチル）シラン、
トリビニル（メトキシメチル）シラン、トリビニル（エトキシメチル）シラン、トリアリル（メトキシメチル）シラン、トリアリル（エトキシメチル）シラン、トリフェニル（メトキシメチル）シラン、トリフェニル（エトキシメチル）シラン、
イソプロピルメチルビス（メトキシメチル）シラン、イソプロピルメチルビス（エトキシメチル）シラン、イソプロピルエチルビス（メトキシメチル）シラン、イソプロピルエチルビス（エトキシメチル）シラン、イソプロピルビニルビス（メトキシメチル）シラン、イソプロピルビニルビス（エトキシメチル）シラン、
１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタン、ビス［トリス（エトキシメチル）シリル］エタン、
１，３−ビス（メトキシメチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（エトキシメチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（メトキシエチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（エトキシエチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、
１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、
１，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン。
（１６）一般式（１）で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。
（１７）一般式（２）で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。
（１８）下記一般式（４）
Figure 0005838744
 （式中、Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１７とＲ１８は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ｄとｅは、
０乃至２の整数、ｗとｚは１以上の整数である。ｈとｊは、０乃至３の整数であり、ｈとｊの少なくとも一方は、１以上の整数である。ｉとｋは、０乃至３の整数であり、少なくとも一方は、２以下の整数である。ｈ＋ｉとｊ＋ｋは、０乃至３の整数である。）
で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。
（１９）少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物が一般式（４）である、（１）に記載の膜。
（２０）化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法である、（１９）に記載の膜。
（２１）化学気相成長法が、触媒化学気相成長法である、（１９）に記載の膜。
（２２）上述の（１９）乃至（２１）のいずれかに記載の膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理または電子線処理して得られることを特徴とする膜。
（２３）上述の（１９）乃至（２２）のいずれかに記載の膜からなる封止膜。
（２４）上述の（２３）に記載の封止膜をガスバリア層として用いることを特徴とするガスバリア部材。
（２５）上述の（２３）に記載の封止膜、または（２４）に記載のガスバリア部材を含んでなることを特徴とするフラットパネルディスプレイデバイス。
（２６）上述の（２３）に記載の封止膜を含んでなることを特徴とする半導体デバイス。
（２７）ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する（１）、（２）、（３）、または（１９）記載の炭素含有酸化ケイ素膜。
（２８）ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する（２８）に記載の封止膜。
（２９）水透過性が５×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることを特徴とする（２４）記載のガスバリア部材。
以下、本発明の詳細について説明する。本発明において、ＣＶＤの原料として使用できる少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物は特に限定されるものではないが、前述の一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、および一般式（４）で示される有機ケイ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも一つであることが好ましい。
上記一般式（１）〜（４）おいて、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８は炭素数１〜２０の飽和または不飽和炭化水素基であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してもよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等の原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。ＣＶＤ装置での安定的な使用を考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、炭素数１〜１０の炭化水素基が特に好ましい。
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８が示す炭素数１〜２０の炭化水素基としては特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルケニルアリール基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アルキニルアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基およびアリール基を挙げることができる。
具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、シクロブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル等のアルキル基、フェニル、ジフェニル、ナフチル等のアリール基、ベンジル、メチルベンジル等のアリールアルキル基、ｏ−トルイル、ｍ−トルイル、ｐ−トルイル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、ｏ−エチルフェニル、ｍ−エチルフェニル、ｐ−エチルフェニル等のアルキルアリール基などが挙げられる。
またビニル、アリル、１−プロペニル、１−ブテニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、１−シクロペンテニル、２−シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、１−ヘキセニル、１−シクロヘキセニル、２，４−シクロヘキサジエニル、２，５−シクロヘキサジエニル、２，４，６−シクロヘプタトリエニル、５−ノルボルネン−２−イル等のアルケニル基、２−フェニル−１−エテニル等のアリールアルケニル基、ｏ−スチリル，ｍ−スチリル，ｐ−スチリル等のアルケニルアリール基、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル，２−ブチニル，３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、１−ヘキシニル、３−ヘキシニル、５−ヘキシニル等のアルキニル基、２−フェニル−１−エチニル等のアリールアルキニル基、２−エチニル−２フェニル等のアルキニルアリール基等を挙げることができる。
上記一般式（１）〜（３）において、Ｒ４，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１２は炭素数１〜２０の飽和または不飽和炭化水素基または水素原子である。炭素数１〜２０の飽和または不飽和炭化水素基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれの構造を有してもよい。また、それらが互いに結合したものも本発明の範囲に含まれる。炭素数が２０を超える場合は、対応する有機ハライド等原料の調達が困難となったり、調達できたとしても純度が低い場合がある。ＣＶＤ装置での安定的使用考慮した場合、有機シラン化合物の蒸気圧が低くなりすぎないとの点で、炭素数１〜１０の炭化水素基が特に好ましい。
Ｒ４，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１２が示す炭素数１〜２０の炭化水素基としては特に限定されるものではないが、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基、アルケニル基、アリールアルケニル基、アルケニルアリール基、アルキニル基、アリールアルキニル基、アルキニルアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基およびアリール基を挙げることができる。
具体的な例としては、上記のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ１０，Ｒ１１の具体的な例と同様の置換基を挙げることができる。
一般式（１）において、好ましくは、ａは０〜２の整数であり、ｌは１〜６の整数であり、ｘは１〜４の整数であり、ｙは０〜３の整数であり、ｚは０〜３の整数である。
上記一般式（１）で表される有機ケイ素化合物の具体例としては、
（１−メトキシメチル）シラン、ビス（１−メトキシメチル）シラン、トリス（１−メトキシメチル）シラン、テトラキス（１−メトキシメチル）シラン、
（１−エトキシメチル）シラン、ビス（１−エトキシメチル）シラン、トリス（１−エトキシメチル）シラン、テトラキス（１−エトキシメチル）シラン、 （２−メトキシエチル）シラン、ビス（２−メトキシエチル）シラン、トリス（２−メトキシエチル）シラン、テトラキス（２−メトキシエチル）シラン、 （２−エトキシエチル）シラン、ビス（２−エトキシエチル）シラン、トリス（２−エトキシエチル）シラン、テトラキス（２−エトキシエチル）シラン、
（１−メトキシメチル）メチルシラン、ビス（１−メトキシメチル）メチルシラン、トリス（１−メトキシメチル）メチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジメチルシラン、トリメチル（メトキシメチル）シラン、
（１−エトキシメチル）メチルシラン、ビス（１−エトキシメチル）メチルシラン、トリス（１−エトキシメチル）メチルシラン、 （２−メトキシエチル）メチルシラン、ビス（２−メトキシエチル）メチルシラン、トリス（２−メトキシエチル）メチルシラン、 （２−エトキシエチル）メチルシラン、ビス（２−エトキシエチル）メチルシラン、トリス（２−エトキシエチル）メチルシラン、 （１−メトキシメチル）エチルシラン、ビス（１−メトキシメチル）エチルシラン、トリス（１−メトキシメチル）エチルシラン、 （１−エトキシメチル）エチルシラン、ビス（１−エトキシメチル）エチルシラン、トリス（１−エトキシメチル）エチルシラン、 （２−メトキシエチル）エチルシラン、ビス（２−メトキシエチル）エチルシラン、トリス（２−メトキシエチル）エチルシラン、 （２−エトキシエチル）エチルシラン、ビス（２−エトキシエチル）エチルシラン、トリス（２−エトキシエチル）エチルシランなどが挙げられる。
また（１−メトキシメチル）ジメチルシラン、（１−メトキシメチル）トリメチルシラン、ビス（１−メトキシメチル）ジメチルシラン、 （１−エトキシメチル）ジメチルシラン、（１−エトキシメチル）トリメチルシラン、ビス（１−エトキシメチル）ジメチルシラン、 （２−メトキシエチル）ジメチルシラン、（２−メトキシエチル）トリメチルシラン、ビス（２−メトキシエチル）ジメチルシラン、 （２−エトキシエチル）ジメチルシラン、（２−エトキシエチル）トリメチルシラン、ビス（２−エトキシエチル）ジメチルシラン、 （１−メトキシメチル）ジエチルシラン、（１−メトキシメチル）トリエチルシラン、ビス（１−メトキシメチル）ジエチルシラン、 （１−エトキシメチル）ジエチルシラン、（１−エトキシメチル）トリエチルシラン、ビス（１−エトキシメチル）ジエチルシラン、 （２−メトキシエチル）ジエチルシラン、（２−メトキシエチル）トリエチルシラン、ビス（２−メトキシエチル）ジエチルシラン、 （２−エトキシエチル）ジエチルシラン、（２−エトキシエチル）トリエチルシラン、ビス（２−エトキシエチル）ジエチルシランなどが挙げられる。
また（１−メトキシメチル）メチルメトキシシラン、ビス（１−メトキシメチル）メチルメトキシシラン、トリス（１−メトキシメチル）メチルシラン、 （１−エトキシメチル）メチルメトキシシラン、ビス（１−エトキシメチル）メチルメトキシシラン、トリス（１−エトキシメチル）メチルシラン、 （２−メトキシエチル）メチルメトキシシラン、ビス（２−メトキシエチル）メチルメトキシシラン、トリス（２−メトキシエチル）メチルシラン、 （２−エトキシエチル）メチルメトキシシラン、ビス（２−エトキシエチル）メチルメトキシシラン、トリス（２−エトキシエチル）メチルシラン、 （１−メトキシメチル）エチルメトキシシラン、ビス（１−メトキシメチル）エチルメトキシシラン、トリス（１−メトキシメチル）エチルシラン、 （１−エトキシメチル）エチルメトキシシラン、ビス（１−エトキシメチル）エチルメトキシシラン、トリス（１−エトキシメチル）エチルシラン、 （２−メトキシエチル）エチルメトキシシラン、ビス（２−メトキシエチル）エチルメトキシシラン、トリス（２−メトキシエチル）エチルシラン、 （２−エトキシエチル）エチルメトキシシラン、ビス（２−エトキシエチル）エチルメトキシシラン、トリス（２−エトキシエチル）エチルシランなどが挙げられる。
また（１−メトキシメチル）メチルエトキシシラン、ビス（１−メトキシメチル）メチルエトキシシラン、 （１−エトキシメチル）メチルエトキシシラン、ビス（１−エトキシメチル）メチルエトキシシラン、 （２−メトキシエチル）メチルエトキシシラン、ビス（２−メトキシエチル）メチルエトキシシラン、 （２−エトキシエチル）メチルエトキシシラン、ビス（２−エトキシエチル）メチルエトキシシラン、 （１−メトキシメチル）エチルエトキシシラン、ビス（１−メトキシメチル）エチルエトキシシラン、 （１−エトキシメチル）エチルエトキシシラン、ビス（１−エトキシメチル）エチルエトキシシラン、 （２−メトキシエチル）エチルエトキシシラン、ビス（２−メトキシエチル）エチルエトキシシラン、 （２−エトキシエチル）エチルエトキシシラン、ビス（２−エトキシエチル）エチルエトキシシランなどが挙げられる。
また（１−メトキシメチル）メチルジメトキシシラン、（１−エトキシメチル）メチルジメトキシシラン、（２−メトキシエチル）メチルジメトキシシラン、（２−エトキシエチル）メチルジメトキシシラン、 （１−メトキシメチル）エチルジメトキシシラン、（１−エトキシメチル）エチルジメトキシシラン、（２−メトキシエチル）エチルジメトキシシラン、（２−エトキシエチル）エチルジメトキシシラン、 （１−メトキシメチル）メチルジエトキシシラン、（１−エトキシメチル）メチルジエトキシシラン、（２−メトキシエチル）メチルジエトキシシラン、（２−エトキシエチル）メチルジエトキシシラン、 （１−メトキシメチル）エチルジエトキシシラン、（１−エトキシメチル）エチルジエトキシシラン、（２−メトキシエチル）エチルジエトキシシラン、（２−エトキシエチル）エチルジエトキシシランなどが挙げられる。
また（１−メトキシメチル）トリメトキシシラン、（１−エトキシメチル）トリメトキシシラン、（２−メトキシエチル）トリメトキシシラン、（２−エトキシエチル）トリメトキシシラン、 （１−メトキシメチル）トリメトキシシラン、（１−エトキシメチル）トリメトキシシラン、（２−メトキシエチル）トリメトキシシラン、（２−エトキシエチル）トリメトキシシラン、 （１−メトキシメチル）トリエトキシシラン、（１−エトキシメチル）トリエトキシシラン、（２−メトキシエチル）トリエトキシシラン、（２−エトキシエチル）トリエトキシシラン、 （１−メトキシメチル）トリエトキシシラン、（１−エトキシメチル）トリエトキシシラン、（２−メトキシエチル）トリエトキシシラン、（２−エトキシエチル）トリエトキシシラン（１−メトキシメチル）イソプロピルシラン、ビス（１−メトキシメチル）イソプロピルシラン、トリス（１−メトキシメチル）イソプロピルシラン、 （１−エトキシメチル）イソプロピルシラン、ビス（１−エトキシメチル）イソプロピルシラン、トリス（１−エトキシメチル）イソプロピルシラン、 （２−メトキシエチル）イソプロピルシラン、ビス（２−メトキシエチル）イソプロピルシラン、トリス（２−メトキシエチル）イソプロピルシランなどが挙げられる。
また（２−エトキシエチル）イソブチルシラン、ビス（２−エトキシエチル）イソブチルシラン、トリス（２−エトキシエチル）イソブチルシラン、 （１−メトキシメチル）イソブチルシラン、ビス（１−メトキシメチル）イソブチルシラン、トリス（１−メトキシメチル）イソブチルシラン、 （１−エトキシメチル）イソブチルシラン、ビス（１−エトキシメチル）イソブチルシラン、トリス（１−エトキシメチル）イソブチルシラン、 （２−メトキシエチル）イソブチルシラン、ビス（２−メトキシエチル）イソブチルシラン、トリス（２−メトキシエチル）イソブチルシラン、 （２−エトキシエチル）イソブチルシラン、ビス（２−エトキシエチル）イソブチルシラン、トリス（２−エトキシエチル）イソブチルシラン等があげられる。
またトリス（メトキシメチル）エチルシラン、トリス（エトキシメチル）エチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−プロピルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−プロピルシラン、トリス（メトキシメチル）イソプロピルシラン、トリス（エトキシメチル）イソプロピルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−ブチルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−ブチルシラン、トリス（メトキシメチル）イソブチルシラン、トリス（エトキシメチル）イソブチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｓｅｃ−ブチルシラン、トリス（エトキシメチル）ｓｅｃ−ブチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−ペンチルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−ペンチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｓｅｃ−アミルシラン、トリス（エトキシメチル）ｓｅｃ−アミルシラン、トリス（メトキシメチル）シクロペンチルシラン、トリス（エトキシメチル）シクロペンチルシラン、トリス（メトキシメチル）ｎ−ヘキシルシラン、トリス（エトキシメチル）ｎ−ヘキシルシラン、トリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシラン、トリス（エトキシメチル）シクロヘキシルシラン等があげられる。
またトリス（メトキシメチル）ビニルシラン、トリス（エトキシメチル）ビニルシラン、トリス（メトキシメチル）アリルシラン、トリス（エトキシメチル）アリルシラン、トリス（メトキシメチル）フェニルシラン、トリス（エトキシメチル）フェニルシラン、
ビス（メトキシメチル）ジメチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジメチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジエチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジエチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−プロピルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−プロピルシラン、ビス（メトキシメチル）ジイソプロピルシラン、ビス（エトキシメチル）ジイソプロピルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−ブチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−ブチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジイソブチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジイソブチルシラン、ジス（メトキシメチル）ジｓｅｃ−ブチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｓｅｃ−ブチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−ペンチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−ペンチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｓｅｃ−アミルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｓｅｃ−アミルシラン、ビス（メトキシメチル）ジシクロペンチルシラン、ビス（エトキシメチル）ジシクロペンチルシラン、ビス（メトキシメチル）ジｎ−ヘキシルシラン、ビス（エトキシメチル）ジｎ−ヘキシルシラン、ビス（メトキシメチル）ジシクロヘキシルシラン、ビス（エトキシメチル）ジシクロヘキシルシラン等があげられる。
またビス（メトキシメチル）ジビニルシラン、ビス（エトキシメチル）ジビニルシラン、ビス（メトキシメチル）ジアリルシラン、ビス（エトキシメチル）ジアリルシラン、ビス（メトキシメチル）ジフェニルシラン、ビス（エトキシメチル）ジフェニルシラン、
トリエチル（メトキシメチル）シラン、トリエチル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−プロピル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−プロピル（エトキシメチル）シラン、トリイソプロピル（メトキシメチル）シラン、トリイソプロピル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−ブチル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−ブチル（エトキシメチル）シラン、トリイソブチル（メトキシメチル）シラン、トリイソブチル（エトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−ブチル（メトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−ブチル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−ペンチル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−ペンチル（エトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−アミル（メトキシメチル）シラン、トリｓｅｃ−アミルル（エトキシメチル）シラン、トリシクロペンチル（メトキシメチル）シラン、トリシクロペンチル（エトキシメチル）シラン、トリｎ−ヘキシル（メトキシメチル）シラン、トリｎ−ヘキシル（エトキシメチル）シラン、トリシクロヘキシル（メトキシメチル）シラン、トリシクロヘキシル（エトキシメチル）シラン等があげられる。
またトリビニル（メトキシメチル）シラン、トリビニル（エトキシメチル）シラン、トリアリル（メトキシメチル）シラン、トリアリル（エトキシメチル）シラン、トリフェニル（メトキシメチル）シラン、トリフェニル（エトキシメチル）シラン、
イソプロピルメチルビス（メトキシメチル）シラン、イソプロピルメチルビス（エトキシメチル）シラン、イソプロピルエチルビス（メトキシメチル）シラン、イソプロピルエチルビス（エトキシメチル）シラン、イソプロピルビニルビス（メトキシメチル）シラン、イソプロピルビニルビス（エトキシメチル）シラン等が例示できる。
上記一般式（１）の構造を有する有機ケイ素化合物を製造する方法としては、例えば対応するアルコキシアルキル基を有するグリニャール試薬や有機リチウム化合物、有機ナトリウム化合物とハロゲン化有機シラン化合物を反応させて得ることができる。
対応するアルコキシアルキルアルケン化合物ををＰｔ触媒下に水素原子を有する有機シラン化合物に反応させ、製造する方法も用いることができる。
一般式（２）において、好ましくは、ｂは０〜２の整数であり、ｍは１〜６の整数であり、ｆは１〜２の整数であり、ｐは１〜１０の整数である。
一般式（２）で表される有機シランケイ素化合物の具体例としては、
１，３−ビス（メトキシメチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（エトキシメチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（メトキシメチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，３−ビス（エトキシメチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、
１，３−ビス（メトキシエチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（エトキシエチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（メトキシエチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，３−ビス（エトキシエチル）−１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、
１，３−ビス（メトキシメチル）−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジメトキシジシロキサン、１，３−ビス（メトキシエチル）−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジメトキシジシロキサン、 １，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン １，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン １，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン １，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｒｅｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン １，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリエチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン １，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジメトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５−トリス（メトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（エトキシエチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（イソプロポキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピル−１，５−ジエトキシトリシロキサン、１，３，５−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５−トリイソプロピルメチル−１，５−ジエトキシトリシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５，７−テトラキス（メトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５，７−テトラキス（メトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５，７−テトラキス（メトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトラエチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン等が挙げられる。
また１，３，５，７−テトラキス（メトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（エトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（イソプロポキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−１，３，５，７−テトライソプロピル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン １，３，５，７−テトラキス（メトキシプロピル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジメトキシテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラキス（メトキシプロピル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジエトキシテトラシロキサン、 １，３，５，７−テトラキス（メトキシプロピル）−１，３，５，７−テトラメチル−１，７−ジイソプロポキシテトラシロキサン １，３，５，７，９−ペンタキス（メトキシメチル）−１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，９−ジメトキシペンタシロキサン、 １，３，５，７，９−ペンタキス（ブトキシブチル）−１，３，５，７，９−ペンタブチル−１，９−ジブトキシペンタシロキサン等が挙げられる。
上記一般式（２）の有機ケイ素化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば上記一般式（１）の有機ケイ素化合物を酸、アルカリ触媒存在下に加水分解することで製造することができる。
一般式（３）において、好ましくは、ｃは０〜２の整数であり、ｎは１〜６の整数であり、ｇは１〜２の整数であり、ｑは２〜１０の整数である。
上記一般式（３）で示される有機環状シロキサン化合物の具体例としては、
２，４，６−トリス（２−メトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（２−ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（２−メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（２−ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（２−メトキシエチル）−２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（２−ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロテトラシロキサン
２，４，６−トリス（４−メトキシフェニル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（４−ｔｅｒｔ．−ブトキシフェニル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（４−メトキシフェニル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（４−ｔｅｒｔ．−ブトキシフェニル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（４−メトキシフェニル）−２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（４−ｔｅｒｔ．−ブトキシフェニル）−２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン
２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン
２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン
２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン
２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン
２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリｎ−プロピルシクロトリシロキサン
２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリｔｅｒｔ．−ブチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリシクロペンチルシクロトリシロキサン、
２，４，６−トリス（メトキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（エトキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（イソプロポキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｉｓｏ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６−トリシクロヘキシルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６−トリス（メトキシプロピル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（メトキシプロピル）−２，４，６−トリエチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（メトキシプロピル）−２，４，６−トリイソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（メトキシブチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（メトキシペンチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、２，４，６−トリス（メトキシヘキシル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また、２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また、２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また、２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシメチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン
２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また、２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｎ−プロピルシクロテトラシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラｔｅｒｔ．−ブチルシクロテトラシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロペンチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
また２，４，６，８−テトラキス（メトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（エトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−プロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソプロポキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｎ−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（イソブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（ｔｅｒｔ．−ブトキシエチル）−２，４，６，８−テトラシクロヘキシルシクロテトラシロキサン、
２，４，６，８−テトラキス（メトキシプロピル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（メトキシプロピル）−２，４，６，８−テトラエチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（メトキシプロピル）−２，４，６，８−テトライソプロピルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（メトキシブチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキス（メトキシペンチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロトリシロキサン、２，４，６，８−テトラキスメトキシヘキシル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロトリシロキサン等が挙げられる。
また、２，４，６，８，１０−ペンタキス（メトキシメチル）−２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（メトキシメチル）−２，４，６，８，１０−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（メトキシメチル）−２，４，６，８，１０−ペンタイソプロピルシクロペンタシロキサン、
２，４，６，８，１０−ペンタキス（メトキシエチル）−２，４，６，８，１０−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（メトキシエチル）−２，４，６，８，１０−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、２，４，６，８，１０−ペンタキス（メトキシエチル）−２，４，６，８，１０−ペンタイソプロピルシクロペンタシロキサン等を挙げることができる。
上記一般式（３）の有機環状シロキサン化合物の製造法は、特に限定されるものではないが、例えば特開２００６−２３７５６２号公報に記載の方法またはそれに準じて製造することができる。
一般式（４）において、好ましくは、ｄは０〜２の整数であり、ｅは０〜２の整数であり、ｗは１〜６の整数であり、ｚは１〜６の整数であり、ｈは１〜３の整数であり、ｊは１〜３の整数であり、ｉは０〜３の整数であり、ｋは０〜３の整数である。
上記一般式（４）で表される有機ケイ素化合物の具体例としては、
１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタン、ビス［トリス（エトキシメチル）シリル］エタン、１，２−ビス［ビス（メトキシメチル）メチルシリル］エタン、１，２−ビス［ビス（エトキシメチル）メチルシリル］エタン、１，２−ビス［ジメチル（メトキシメチル）シリル］エタン、１，２−ビス［ジメチル（エトキシメチル）シリル］エタン
１−トリメチルシリル−２−トリス（メトキシメチル）シリルエタン、１−トリメチルシリル−２−トリス（エトキシメチル）シリルエタン、１−（ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシリル）−２−トリス（メトキシメチル）シリルエタン、１−（ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシリル）−２−トリス（エトキシメチル）シリルエタン等を挙げることができる。
上記一般式（４）で表される有機ケイ素化合物を製造する方法としては、例えば対応するアルキルアルコキシ基を有するグリニャール試薬や有機リチウム化合物、有機ナトリウム化合物とビス（ポリアルコキシシリル）エタンハロゲン化物を反応させて得ることができる。
対応するアルコキシアルキルを有するビニルシラン化合物とアルコキシアルキルを有する水素化シラン化合物とをＰｔ触媒下に反応させ、製造する方法も用いることができる。
本発明の少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物は、ＣＶＤにより成膜され、炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成することができ、それは封止膜として使用することができる。
本発明によれば、ケイ素原子間がアルキレンオキシ鎖で結合された構造を有する炭素含有酸化ケイ素膜または封止膜を得ることができる。また本発明によれば、水透過性が５×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下のガスバリア部材を得ることができる。
ＣＶＤとしては、例えばＰＥＣＶＤまたは触媒化学気相成長法があげられる。ＰＥＣＶＤの種類及び用いる装置は特に限定されるものではないが、このＰＥＣＶＤは半導体製造分野、液晶ディスプレイ製造分野、ロールツーロール方式高分子フィルムの表面処理分野等の当該技術分野で一般的に用いられるものが使用される。
ＰＥＣＶＤ装置において、本発明の有機ケイ素化合物を気化器により気化させて成膜チャンバー内に導入し、高周波電源により成膜チャンバー内の電極に印加しプラズマを発生させ、成膜チャンバー内のシリコン基板等にＰＥＣＶＤ薄膜を形成させることができる。この際、プラズマを発生させる目的でヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオン、キセノン等の不活性ガスを有機ケイ素化合物と共に導入することも本発明の範囲に入る。
また、水素、酸素、窒素、アンモニアガス等を原料ガス、不活性ガスとともに導入することも本発明の範囲に入る。
ＰＥＣＶＤ装置のプラズマ発生方法については特に限定されず、当該技術で使用されている誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができる。またプラズマを発生源としては平行平板型、アンテナ型等の種々のものが使用でき、大気圧ＰＥＣＶＤ、減圧ＰＥＣＶＤ、加圧ＰＥＣＶＤ等いずれの圧力条件下のＰＥＣＶＤでも用いることができる。
この際のＰＥＣＶＤ条件としては特に限定はないが、１．０Ｗ〜１００００Ｗが好ましく、１．０Ｗ〜４０００Ｗの範囲で行うことが更に好ましい。
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図１の１に平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示す。図１に示す平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー内にシャワーヘッド上部電極と基板の温度制御が可能な下部電極、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
ＰＥＣＶＤ装置１は、ＰＥＣＶＤチャンバー２、原料化合物をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッドを有する上部電極３、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板５を設置する為の温度制御装置８を有する下部電極４、原料化合物を気化させるための気化装置９〜１５、プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置１６から成る。１７，１８は、アースである。
プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７は上部電極３に接続され、放電によりプラズマを発生させる。ＲＦ電源７の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物１３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管１５を備えている容器１２、液体である原料化合物１３の流量を制御する液体流量制御装置１０、液体である原料化合物１３を気化させる気化器９、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管１４とその流量を制御する気体流量制御装置１１からなる。本気化装置は、気化器９からシャワーヘッドを備えた上部電極３に配管接続されている。
気化した原料化合物、不活性ガス、水素、酸素、窒素、アンモニアガスのチャンバー内への供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図２の１９に誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示す。図２に示す誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置は、ＰＥＣＶＤ装置チャンバー上部の石英の周りにコイル状に巻かれたプラズマ発生部、温度制御が可能な基板設置部、原料化合物をチャンバーに気化供給する気化器装置と高周波電源とマッチング回路から成るプラズマ発生装置、真空ポンプから成る排気系から成る。
ＰＥＣＶＤ装置１９は、ＰＥＣＶＤチャンバー２０、プラズマ発生部であるコイル２１と石英管２２、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板２４を設置する為のヒーター部２３と温度制御装置２７、原料化合物を気化させるための気化装置２８〜３５、プラズマ発生源であるマッチング回路２５とＲＦ電源２６、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置３６から成る。３７はアースである。
プラズマ発生部である石英周りのコイルはマッチング回路２５に接続され、石英管中にＲＦ電流によるアンテナ電流磁界で放電させ、プラズマを発生させる。ＲＦ電源２６の規格については特に限定されないが、当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ、好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ、周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ、好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物３３を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管３５を備えている容器３２、液体である原料化合物３３の流量を制御する液体流量制御装置２９、液体である原料化合物３３を気化させる気化器２８、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管３４とその流量を制御する気体流量制御装置３０と不活性ガスとガス化した原料化合物３３をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド３１から成る。
気化した原料化合物、不活性ガス、水素、酸素、窒素、アンモニアガスのチャンバー内への供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
原料化合物は、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、ＲＦ電源による放電によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
具体的にＰＥＣＶＤ装置として、図３の３８にマイクロ波ＰＥＣＶＤ装置を示す。石英製チャンバー３９、Ｓｉ基板等の薄膜形成用基板４０を設置する為のヒーター部４１と温度制御装置４２、原料化合物を気化させるための気化装置４３〜５０、マイクロ波発生源であるマッチング回路５１とマイクロ波発信器５２、及びマイクロ波反射板５３、チャンバー内の未反応物及び副生物を排気する為の排気装置５４から成る。
マイクロ波発生源であるマッチング回路５１とマイクロ波発信器５２は、石英チャンバーに接続され、マイクロ波を石英チャンバー内に照射することでプラズマを発生させる。マイクロ波の周波数については特に限定されないが、当該技術分野で使用される周波数１ＭＨｚ〜５０ＧＨｚ、好ましくは０．５ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ、特に好ましくは１ＧＨｚ〜５ＭＨｚのマイクロ波を用いることができる。また、そのマイクロ波出力については、０．１Ｗ〜２００００Ｗ、好ましくは１Ｗ〜１００００Ｗを用いることができる。
基板温度の制御は特に限定されるものでは無いが、−９０〜１０００℃、好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
気化装置は、常温常圧で液体である原料化合物４８を充填し、ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管５０を備えている容器４７、液体である原料化合物４８の流量を制御する液体流量制御装置４４、液体である原料化合物４８を気化させる気化器４３、上記不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管４９とその流量を制御する気体流量制御装置４５と不活性ガスとガス化した原料化合物４８をチャンバー内に均一に供給する為のシャワーヘッド４６から成る。
気化した原料化合物、不活性ガス、水素、酸素、窒素、アンモニアガスのチャンバー内への供給量は特に限定されないが、０．１ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、好ましくは１０ｓｃｃｍから５０００ｓｃｃｍである。
原料化合物は、上記で例示したＰＥＣＶＤ装置を用いて、不活性ガスとガス化した原料化合物、またはガス化した原料化合物をチャンバー内に供給し、マイクロ波の照射によりプラズマを発生させ、温度制御された基板上に成膜される。この際のチャンバー内の圧力は特に限定されるものではないが、０．１Ｐａ〜１００００Ｐａ、好ましくは１Ｐａ〜５０００Ｐａである。
また本発明では、ＣＶＤにより得られた炭素含有酸化ケイ素膜、またはそれからなる封止膜を、さらに熱処理、紫外線照射処理、または電子線処理することすることにより、緻密化もしくは機械的強度が向上した膜を得ることができる場合がある。本処理で得られた膜は封止膜やガスバリア膜として好適なものとなる場合がある。
前述の一般式（２）で表される有機ケイ素化合物のうち、前述の（１５）に示したものは新規化合物である。これらに化合物は、例えば上記一般式（１）の有機ケイ素化合物を酸、アルカリ触媒存在下に加水分解することで製造することができる。
また前述の一般式（３）で表される有機環状シロキサン化合物のうち、前述の（１５）に示したものは新規化合物である。これらの化合物は、例えば特開２００６−２３７５６２号公報に記載の方法に準じて製造することができる。
さらに前述の一般式（４）で表される有機ケイ素化合物のうち、前述の（１５）に示したものは新規化合物である。これらの化合物は、例えば前述の方法で製造することができる。
本発明によれば、少なくとも一つのアルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば上記一般式（１）〜（４）に示す化合物を原料として用いてＣＶＤにより成膜して得られた炭素含有酸化ケイ素膜は、封止膜として用いることができ、その封止膜を用いて、緻密かつ高機械的強度のガスバリア層が形成可能であり、ガスバリア性能の高いガスバリア部材、それを用いたＦＰＤデバイス及び半導体を提供できる。
平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示した図である。 誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置を示した図である。 マイクロ波ＰＥＣＶＤ装置を示した図である。
以下に実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
膜厚測定は、株式会社アルバック製の触針式表面形状測定器デックタック（Ｄｅｋｔａｋ）６Ｍを用いた。また、生成膜の組成をＰｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ製ＥＳＣＡ５４００ＭＣを用いて測定した。酸素透過性は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１法により、水透過性は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９Ａ法でにより測定した。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７３６１−１法により測定した。線膨張係数は、オーブン中で無荷重状態のフィルムサンプルを室温から２４０℃まで５ｄｅｇ．／ｍｉｎ．で昇温し、この間のフィルム長さの変化をＣＣＤカメラにより測定することで算出した。表面粗さは、Ｖｅｅｃｏｏ社製走査型プローブ顕微鏡 Ｎａｎｏ Ｓｃｏｐｅ ＩＩＩａを用い、タッピングモードＡＦＭにて測定した。
実施例１（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による（１−メトキシメチル）メチルジメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた（１−メトキシメチル）メチルジメトキシシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚９０１ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝２８ａｔｏｍ％、Ｃ＝２２ａｔｏｍ％、Ｏ＝５０ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．２５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．１２ｇ／ｍ２・ｄａｙの結果であった。また全光線透過率は８７．０％、線膨張係数は１７ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．９ｎｍであった。
実施例２（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による（１−メトキシメチル）メチルジメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた（１−メトキシメチル）メチルジメトキシシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、酸素５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚９６０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３１ａｔｏｍ％、Ｃ＝５ａｔｏｍ％、Ｏ＝６４ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下の結果であった。また全光線透過率は８８．０％、線膨張係数は１２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．８ｎｍであった。
実施例３
［１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサンの合成］
攪拌装置と滴下濾斗を備えた２００ｍｌのシュレンク管にトルエン２０．０ｇ（０．２１７ｍｏｌ）に０．０１Ｎの硫酸水溶液２．４ｇを仕込み、氷浴で冷却しつつ攪拌した。滴下濾斗より、メチル（メトキシメチル）ジメトキシシラン２０．０ｇ（０．１３３ｍｏｌ）を０℃にて３分間で滴下した。滴下終了後、０℃で３時間攪拌した。反応終了後、トルエンを留去し、減圧蒸留により、目的物である１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサンを得た。
収率は、２２．２％であり、メチル（メトキシメチル）ジメトキシシランの転換率は、６１．２％であった。
単離した１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサンを１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＧＣ−ＭＳ、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ；δ０．１７〜０．１９ｐｐｍ（ｍ，９Ｈ，３ＣＨ ３ −Ｓｉ）、
δ３．０４〜３．０７ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，３ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ ２ Ｓｉ）、
δ３．３４〜３．３６ｐｐｍ（ｍ，９Ｈ，３ＣＨ ３ −Ｏ−ＣＨ２Ｓｉ）
δ３．５４〜３．５６ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，２ＣＨ ３ −Ｏ−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ；δ−２．２ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ）、
δ５０．８ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｏ−Ｓｉ）
δ６２．９ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ２Ｓｉ）、
δ６５．８ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ２Ｓｉ）
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝３５８
元素分析；Ｃ１１Ｈ３０О７Ｓｉ３
［容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，３，５−トリス（メトキシメチル）−１，３，５−トリメチル−１，５−ジメトキシトリシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚１５６３ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３５ａｔｏｍ％、Ｃ＝３０ａｔｏｍ％、Ｏ＝３５ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下の結果であった。また全光線透過率は８９．０％、線膨張係数は１２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．５ｎｍであった。
実施例４（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた２，４，６，８−テトラキス（メトキシメチル）−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は、膜厚１５８９ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３１ａｔｏｍ％、Ｃ＝３９ａｔｏｍ％、Ｏ＝３０ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ未満、水透過性０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ未満であった。また全光線透過率は８８．５％、線膨張係数は１４ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．８ｎｍであった。
実施例５
［テトラキス（メトキシメチル）シランの合成］
電磁式攪拌装置と滴下濾斗を備えた５００ｍｌの四ツ口フラスコにＴＨＦ３０５ｍｌ、平均粒径６０μｍのＮａディスパージョン４８．３ｇ（２．１０ｍｏｌ）、テトラメトキシシラン４１．７ｇ（０．２７ｍｏｌ）を仕込み、室温にて攪拌した。
滴下濾斗より、クロロメチルメチルエーテル１７０ｇ（２．１１ｍｏｌ）を室温にて
１５０分間で滴下した。滴下終了後、室温で３時間攪拌した。反応終了後、ガラスフィルターで残渣を除去し、得られたＴＨＦ溶液からＴＨＦを留去した。更に減圧蒸留により、目的物であるテトラキス（メトキシメチル）シランを得た。単離収率は、７３．４％であった。
［容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるテトラキス（メトキシメチル）シランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラキス（メトキシメチル）シランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚１５０５ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性３．３×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙの結果であった。また全光線透過率は８９．６％、線膨張係数は１２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．４ｎｍであった。
実施例６
［トリス（メトキシメチル）エチルシランの合成］
実施例５においてテトラメトキシシランに代えて、エチルトリメトキシシラン４０．６ｇ（０．２７ｍｏｌ）としたこと以外は、実施例５と同様にして合成し、目的物であるトリス（メトキシメチル）エチルシランを得た。単離収率は、７７．４％であった。
単離したトリス（メトキシメチル）エチルシランを１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＧＣ−ＭＳ、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ；δ０．６８ｐｐｍ（ｑ，２Ｈ，ＣＨ３−ＣＨ ２ −Ｓｉ）、
δ０．９７ｐｐｍ（ｔ，３Ｈ，ＣＨ ３ −ＣＨ２−Ｓｉ）、
δ３．２４ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ，３ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ ２ −Ｓｉ）、
δ３．２９ｐｐｍ（ｓ，９Ｈ，３ＣＨ ３ −Ｏ−ＣＨ２Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ；δ０．８３ｐｐｍ（ＣＨ３ ＣＨ２−Ｓｉ）、
δ７．１６ｐｐｍ（ＣＨ３ＣＨ２−Ｓｉ）、
δ６１．８ｐｐｍ（ＣＨ３−ＯＣＨ２−Ｓｉ）、
δ６３．４ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−ＯＣＨ２−Ｓｉ）
ＩＲ（ｃｍ−１）；２９７４〜２８０８、１２１５、１１７８、１１０３、９３２〜７９７
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝１９２
元素分析；Ｃ８Ｈ２０О３Ｓｉ
［容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるトリス（メトキシメチル）エチルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたトリス（メトキシメチル）エチルシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚１１２３ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性４．０×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙの結果であった。また全光線透過率は８９．０％、線膨張係数は１３ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．５ｎｍであった。
実施例７
［トリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシランの合成］
実施例５においてテトラメトキシシランに代えて、シクロヘキシルトリメトキシシラン５５．１ｇ（０．２７ｍｏｌ）としたこと以外は、実施例５と同様にして合成し、目的物であるトリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシランを得た。単離収率は、７１．９％であった。
単離したトリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシランを１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＧＣ−ＭＳ、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ；
δ０．９８ｐｐｍ（ｍ，１Ｈ，Ｃｙｃｌｏ−（ＣＨ２）３−（ＣＨ２）２−ＣＨ−Ｓｉ）、
δ１．２４ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，Ｃｙｃｌｏ−（ＣＨ２）３−（ＣＨ ２ ） ２ −ＣＨ−Ｓｉ）、
δ１．７１ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，Ｃｙｃｌｏ−（ＣＨ ２ ） ３ −（ＣＨ２）２−ＣＨ−Ｓｉ）、
δ３．２８ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ，３ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ ２ −Ｓｉ）、
δ３．３２ｐｐｍ（ｓ，９Ｈ，３ＣＨ ３ −Ｏ−ＣＨ２−Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ；
δ２１．６ｐｐｍ（Ｃｙｃｌｏ−ＣＨ２−（ＣＨ２）２−（ＣＨ２）２−ＣＨ−Ｓｉ）、
δ２６．９ｐｐｍ（Ｃｙｃｌｏ−ＣＨ２−（ＣＨ２）２−（ＣＨ２）２−ＣＨ−Ｓｉ）、
δ２７．６ｐｐｍ（Ｃｙｃｌｏ−ＣＨ２−（ＣＨ２）２−（ＣＨ２）２−ＣＨ−Ｓｉ）、
δ２８．０ｐｐｍ（Ｃｙｃｌｏ−ＣＨ２−（ＣＨ２）２−（ＣＨ２）２−ＣＨ−Ｓｉ）、
δ６１．４ｐｐｍ（ＣＨ３−ＯＣＨ２−Ｓｉ）、
δ６３．５ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−ＯＣＨ２−Ｓｉ）
ＩＲ（ｃｍ−１）；２９７４〜２８０６、１４４７、１４２２、１２１８、１１７９、１１０４、９３４〜７９１
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝２４６
元素分析；Ｃ１２Ｈ２６О３Ｓｉ
［容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるトリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたトリス（メトキシメチル）シクロヘキシルシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚１１４７ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性２．０×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙの結果であった。また全光線透過率は８９．１％、線膨張係数は１３ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．５ｎｍであった。
実施例８
［ビス（メトキシメチル）ジメチルシランの合成］
実施例５においてテトラメトキシシランに代えて、ジメチルジメトキシシラン３２．５ｇ（０．２７ｍｏｌ）としたこと以外は、実施例５と同様にして合成し、目的物であるビス（メトキシメチル）ジメチルシランを得た。単離収率は、５２．６％であった。
単離したビス（メトキシメチル）ジメチルシランを１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＧＣ−ＭＳ、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ；δ０．０７２ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ，２ＣＨ ３ −Ｓｉ）、
δ３．１５ｐｐｍ（ｓ，４Ｈ，２ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ ２ −Ｓｉ）、
δ３．３３ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ，２ＣＨ ３ −Ｏ−ＣＨ２Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ；δ−６．１０ｐｐｍ（ＣＨ３−Ｓｉ）、
δ６３．５ｐｐｍ（ＣＨ３−ＯＣＨ２−Ｓｉ）、
δ６５．２ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−ＯＣＨ２−Ｓｉ）
ＩＲ（ｃｍ−１）；２９７４〜２８０８、１５３５、１４２３、１２５０、１１７８、１１１１、９３５〜７０８
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝１４８
元素分析；Ｃ６Ｈ１６О２Ｓｉ
［容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるビス（メトキシメチル）ジメチルシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたビス（メトキシメチル）ジメチルシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚１６５０ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性２．０×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙの結果であった。また全光線透過率は８９．０％、線膨張係数は１３ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．４ｎｍであった。
実施例９
［１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタンの合成］
実施例５においてテトラメトキシシランに代えて、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン３６．５ｇ（０．１３５ｍｏｌ）としたこと以外は、実施例５と同様にして合成し、目的物である１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタンを得た。単離収率は、１４．９％であった。
単離した１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタンを１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＧＣ−ＭＳ、及び元素分析で分析した結果は、以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ；δ０．６６ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ ２ −ＣＨ ２ −Ｓｉ）、
δ３．３２ｐｐｍ（ｓ，１２Ｈ，６ＣＨ３−Ｏ−ＣＨ ２ −Ｓｉ）、
δ３．５５ｐｐｍ（ｓ，１８Ｈ，６ＣＨ ３ −Ｏ−ＣＨ２Ｓｉ）
１３Ｃ−ＮＭＲ；δ０．４０ｐｐｍ（Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ）、
δ６１．８ｐｐｍ（ＣＨ３−ＯＣＨ２−Ｓｉ）、
δ６３．６ｐｐｍ（ＣＨ３Ｏ−ＯＣＨ２−Ｓｉ）
ＩＲ（ｃｍ−１）；２９７３〜２８０９、１４６５、１４２２、１１９３、１１０１、９３４〜７８４
ＧＣ−ＭＳ；Ｍｗ＝３５４
元素分析；Ｃ１４Ｈ３４О６Ｓｉ２
［容量結合型ＰＥＣＶＤ装置による１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜］
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させた１，２−ビス［トリス（メトキシメチル）シリル］エタンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は膜厚１１４９ｎｍであった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙの検出限界以下、水透過性３．３×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙの結果であった。また全光線透過率は８９．７％、線膨張係数は１２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは０．４ｎｍであった。
比較例１（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるテトラメトキシシランを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメトキシシランの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１３３Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。
結果は、膜厚１３６ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３５ａｔｏｍ％、Ｃ＝１３ａｔｏｍ％、Ｏ＝５２ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性１．７５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性１．６７ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．４％、線膨張係数は３２ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは２６ｎｍであった。
比較例２（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるテトラメチルシクロテトラシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いてポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたテトラメチルシクロテトラシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。結果は、膜厚４７０ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝３１ａｔｏｍ％、Ｃ＝２０ａｔｏｍ％、Ｏ＝４９ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性０．５３ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．２９ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８８．５％、線膨張係数は２０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．３ｎｍであった。
比較例３（容量結合型ＰＥＣＶＤ装置によるヘキサメチルジシロキサンを用いた炭素含有酸化ケイ素封止膜の成膜）
図１に示した平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を用いて、ポリエチレンナフタレートフィルム基板上に成膜した。成膜条件は、気化させたヘキサメチルジシロキサンの流量５０ｓｃｃｍ、ヘリウムガスの流量５０ｓｃｃｍ、チャンバー内圧１０Ｐａ、基板温度室温、ＲＦ電源電力２００Ｗ、ＲＦ電源周波数１３．５６ＭＨｚの条件で１０分間成膜した。結果は、膜厚４９３ｎｍであった。炭素含有酸化ケイ素封止膜の組成は、Ｓｉ＝２５ａｔｏｍ％、Ｃ＝４１ａｔｏｍ％、Ｏ＝３４ａｔｏｍ％であった。ガス透過性を測定したところ、酸素透過性２．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性０．７０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８８．０％、線膨張係数は２０ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．５ｎｍであった。
比較例４
使用したポリエチレンナフタレートフィルム基板のガス透過性、全光線透過率、線膨張係数及び表面粗さを測定した。酸素透過性２１．０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ、水透過性６．７０ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。また全光線透過率は８６．９％、線膨張係数は３５ｐｐｍ／ｄｅｇ．、表面粗さは１．４ｎｍであった。
１ 平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置
２ ＰＥＣＶＤチャンバー
３ シャワーヘッドを有する上部電極
４ 下部電極
５ 薄膜形成用基板
６ マッチング回路
７ ＲＦ電源
８ 温度制御装置
９ 気化器
１０ 液体流量制御装置
１１ 気体流量制御装置
１２ 容器
１３ 原料化合物
１４ 不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
１５ 不活性ガスにより加圧する配管
１６ 排気装置
１７ アース
１８ アース
１９ 誘導結合型リモートＰＥＣＶＤ装置
２０ ＰＥＣＶＤチャンバー
２１ コイル
２２ 石英管
２３ ヒーター部
２４ 薄膜形成用基板
２５ マッチング回路
２６ ＲＦ電源
２７ 温度制御装置
２８ 気化器
２９ 液体流量制御装置
３０ 気体流量制御装置
３１ シャワーヘッド
３２ 容器
３３ 原料化合物
３４ 不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
３５ 不活性ガスにより加圧する配管
３６ 排気装置
３７ アース
３８ マイクロ波ＰＥＣＶＤ装置
３９ 石英製チャンバー
４０ 薄膜形成用基板
４１ ヒーター部
４２ 温度制御装置
４３ 気化器
４４ 液体流量制御装置
４５ 気体流量制御装置
４６ シャワーヘッド
４７ 容器
４８ 原料化合物
４９ 不活性ガスを気化器経由でＰＥＣＶＤ装置チャンバー内に供給する為の配管
５０ 不活性ガスにより加圧する配管
５１ マッチング回路
５２ マイクロ波発信器
５３ マイクロ波反射板
５４ 排気装置

Claims (2)

  1. 下記一般式（２）
    Figure 0005838744
     （式中、Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ５，Ｒ６は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ５とＲ６は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表わし、ｂは０乃至２の整数、ｍは１以上の整数、ｆは１乃至２の整数、ｐは１乃至１０の整数を表わす。）
    で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。
  2. 下記一般式（４）
    Figure 0005838744
     （式中、Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８は炭素数１〜２０の炭化水素基を表わす。Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１７とＲ１８は、互いに結合し環状構造を形成してもよい。ｄとｅは、０乃至２の整数、ｗとｚは１以上の整数である。ｈとｊは、０乃至３の整数であり、ｈとｊの少なくとも一方は、１以上の整数である。ｉとｋは、０乃至３の整数であり、少なくとも一方は、２以下の整数である。ｈ＋ｉとｊ＋ｋは、０乃至３の整数である。）
    で示される化合物を含有することを特徴とする化学気相成長法用の成膜材料。
JP2011246471A 2010-12-15 2011-11-10 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途 Active JP5838744B2 (ja)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5838744B2 (ja) * 2010-12-15 2016-01-06 東ソー株式会社 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途
US20140242367A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Au Optronics Corporation Barrier film and methods of making same
JPWO2015029795A1 (ja) * 2013-08-30 2017-03-02 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルムの製造方法
CN106795184B (zh) 2014-10-03 2024-06-21 塞勒创尼克斯公司 官能化硅烷和包含其的电解液组合物及电化学装置
KR102458309B1 (ko) 2015-12-28 2022-10-24 삼성전자주식회사 SiOCN 물질막의 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
JP6858641B2 (ja) * 2017-05-24 2021-04-14 住友化学株式会社 積層体の製造方法
KR20220111298A (ko) * 2019-12-11 2022-08-09 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 오르가노폴리실록산 화합물 및 그의 제조 방법, 그리고 해당 화합물을 포함하는 조성물
CN113234100B (zh) * 2021-05-06 2022-08-12 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种含硅单体、封装组合物、封装结构及光电器件

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL281317A (ja) * 1961-07-24
JP2734548B2 (ja) * 1988-08-30 1998-03-30 橋本フォーミング工業株式会社 表面硬化プラスチック成形品の製造方法
JPH04218507A (ja) * 1990-04-13 1992-08-10 Mitsui Petrochem Ind Ltd オレフィン重合用固体状チタン触媒成分、オレフィン重合用触媒およびオレフィンの重合方法
JPH07228636A (ja) * 1994-02-21 1995-08-29 Asahi Glass Co Ltd 含フッ素共重合体およびその製造方法
JP4139446B2 (ja) * 1994-11-25 2008-08-27 大日本印刷株式会社 バリア袋用フィルム
US6902771B2 (en) * 2000-02-01 2005-06-07 Jsr Corporation Process for producing silica-based film, silica-based film, insulating film, and semiconductor device
JP4573453B2 (ja) * 2001-03-13 2010-11-04 ダイセル化学工業株式会社 イミド化合物を触媒として用いた有機化合物の製造方法
JP4438385B2 (ja) * 2002-11-28 2010-03-24 東ソー株式会社 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス
US6825130B2 (en) * 2002-12-12 2004-11-30 Asm Japan K.K. CVD of porous dielectric materials
US20040197474A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Vrtis Raymond Nicholas Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films
DE10351804A1 (de) * 2003-11-06 2005-06-09 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Erhöhung der Elastizität von feuchtigkeitsgehärteten Elastomeren
EP1799877B2 (en) * 2004-08-18 2016-04-20 Dow Corning Corporation Sioc:h coated substrates
US8513448B2 (en) * 2005-01-31 2013-08-20 Tosoh Corporation Cyclic siloxane compound, a material for forming Si-containing film, and its use
JP5019742B2 (ja) * 2005-01-31 2012-09-05 東ソー株式会社 環状シロキサン化合物、Ｓｉ含有膜形成材料、およびその用途
JP2006219721A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Konica Minolta Holdings Inc 機能性フィルムの製造方法と機能性フィルムと表示素子と表示装置
JP4976116B2 (ja) * 2006-12-06 2012-07-18 日本合成化学工業株式会社 ガスバリア積層体
CN101679597B (zh) * 2007-05-21 2015-08-19 路博润高级材料公司 聚氨酯聚合物
JP5636150B2 (ja) * 2007-07-10 2014-12-03 クニミネ工業株式会社 水膨潤性止水剤と止水材
EP2243859A4 (en) * 2008-02-19 2013-09-25 Konica Minolta Holdings Inc METHOD FOR FORMING A THIN FILM AND THIN FILM STACK
CN102174188B (zh) * 2008-07-08 2014-11-26 株式会社钟化 含反应性硅基团的聚合物
WO2010024149A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 複合フィルム、ガスバリアフィルム及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5262848B2 (ja) * 2009-03-06 2013-08-14 凸版印刷株式会社 ガスバリア性積層フィルム
JP2010274562A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp ガスバリア積層体およびガスバリア積層体の製造方法
JP5838744B2 (ja) * 2010-12-15 2016-01-06 東ソー株式会社 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途

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