JP3265364B2 - 銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法 - Google Patents
銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブル印刷
配線板の素材等に用いられる銅薄膜直接接合ポリイミド
フィルムおよびその製造方法に関する。
配線板の素材等に用いられる銅薄膜直接接合ポリイミド
フィルムおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドフィルムは、優れた機械的強
度、耐熱性、絶縁性を有するため、このフィルムに銅を
複合化したものはフレキシブル印刷配線板（ＦＰＣ）の
素材として利用されている。
度、耐熱性、絶縁性を有するため、このフィルムに銅を
複合化したものはフレキシブル印刷配線板（ＦＰＣ）の
素材として利用されている。
【０００３】前記ポリイミドフィルムは、銅との密着性
が乏しい。このため、従来、ポリイミドフィルムに銅を
複合化する場合はポリイミドフィルムに銅薄膜（例えば
銅箔）を接着剤を介して接着している。しかしながら、
接着剤によるポリイミドフィルムと銅箔との複合化はそ
の接着剤層の介在により最終製品であるフレキシブル印
刷配線板の薄膜化の妨げになる。また、接着剤層の耐熱
性によりフレキシブル印刷配線板の耐熱性が制約され、
用途が制限される。
が乏しい。このため、従来、ポリイミドフィルムに銅を
複合化する場合はポリイミドフィルムに銅薄膜（例えば
銅箔）を接着剤を介して接着している。しかしながら、
接着剤によるポリイミドフィルムと銅箔との複合化はそ
の接着剤層の介在により最終製品であるフレキシブル印
刷配線板の薄膜化の妨げになる。また、接着剤層の耐熱
性によりフレキシブル印刷配線板の耐熱性が制約され、
用途が制限される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ポリイミド
フィルムに銅薄膜が直接的かつ強固に接合された銅薄膜
直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法を提供
するものである。
フィルムに銅薄膜が直接的かつ強固に接合された銅薄膜
直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法を提供
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る銅薄膜直接
接合ポリイミドフィルムは、一般式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）
n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ｎは１か
ら３の正数を示す）にて表されるシアノ基を有する有機
シラン化合物が表面の炭素原子に結合されて改質された
ポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの改質
表面に直接結合された銅薄膜とからなることを特徴とす
るものである。
接合ポリイミドフィルムは、一般式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）
n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ｎは１か
ら３の正数を示す）にて表されるシアノ基を有する有機
シラン化合物が表面の炭素原子に結合されて改質された
ポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの改質
表面に直接結合された銅薄膜とからなることを特徴とす
るものである。
【０００６】本発明に係る銅薄膜直接接合ポリイミドフ
ィルムの製造方法は、ポリイミドフィルムにプラズマ処
理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化した後、大
気に曝して活性な炭素に酸素を結合させることにより前
記フィルム表面に酸素官能基を導入する工程と、前記ポ
リイミドフィルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’Ｏ）(4-
n)−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭素数１
〜６のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表
されるシランカップリング剤とをカップリング反応させ
て前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般式−Ｓ
ｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキ
ル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表されるシアノ
基を有する有機シラン化合物を導入して表面改質する工
程と、前記表面改質されたポリイミドフィルム表面に銅
の真空蒸着またはスパッタリングにより銅薄膜を堆積す
る工程とを具備することを特徴とするものである。
ィルムの製造方法は、ポリイミドフィルムにプラズマ処
理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化した後、大
気に曝して活性な炭素に酸素を結合させることにより前
記フィルム表面に酸素官能基を導入する工程と、前記ポ
リイミドフィルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’Ｏ）(4-
n)−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭素数１
〜６のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表
されるシランカップリング剤とをカップリング反応させ
て前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般式−Ｓ
ｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキ
ル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表されるシアノ
基を有する有機シラン化合物を導入して表面改質する工
程と、前記表面改質されたポリイミドフィルム表面に銅
の真空蒸着またはスパッタリングにより銅薄膜を堆積す
る工程とを具備することを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムは、一
般式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６
のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表され
るシアノ基を有する有機シラン化合物が表面の炭素原子
に結合されて改質されたポリイミドフィルムと、このポ
リイミドフィルムの改質表面に直接結合された銅薄膜と
から構成されている。
般式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６
のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表され
るシアノ基を有する有機シラン化合物が表面の炭素原子
に結合されて改質されたポリイミドフィルムと、このポ
リイミドフィルムの改質表面に直接結合された銅薄膜と
から構成されている。
【０００９】ここで、改質されるポリイミドフィルムの
表面とは片面もしくは両面を意味する。
表面とは片面もしくは両面を意味する。
【００１０】前記ポリイミドフィルムとしては、例えば
東レデュポン社製商品名のカプトン等を用いることがで
きる。
東レデュポン社製商品名のカプトン等を用いることがで
きる。
【００１１】前記ポリイミドフィルムは、１０〜１００
μｍの厚さを有することが好ましい。
μｍの厚さを有することが好ましい。
【００１２】前記シアノ基を有する有機シラン化合物が
ポリイミドフィルム表面の炭素原子に結合されていると
は、例えば前記一般式の−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）nにおいて
そのＳｉが酸素（−Ｏ−）を介して前記ポリイミドの炭
素原子に結合された形態を挙げることができる。なお、
前記Ｓｉは他の有機シラン化合物のＳｉと酸素（−Ｏ
−）を介して相互に結合されていることを許容する。
ポリイミドフィルム表面の炭素原子に結合されていると
は、例えば前記一般式の−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）nにおいて
そのＳｉが酸素（−Ｏ−）を介して前記ポリイミドの炭
素原子に結合された形態を挙げることができる。なお、
前記Ｓｉは他の有機シラン化合物のＳｉと酸素（−Ｏ
−）を介して相互に結合されていることを許容する。
【００１３】前記銅薄膜としては、例えば銅の真空蒸着
またはスパッタリングにより堆積された銅薄膜単独、ま
たはこの銅薄膜の表面にさらに電気銅めっき薄膜を堆積
した二層構造の銅薄膜を挙げることができる。後者の銅
薄膜の場合、真空蒸着により形成された銅薄膜の厚さを
２０〜２００ｎｍ、電気銅めっき薄膜の厚さを２０〜４
０μｍにすることが好ましい。
またはスパッタリングにより堆積された銅薄膜単独、ま
たはこの銅薄膜の表面にさらに電気銅めっき薄膜を堆積
した二層構造の銅薄膜を挙げることができる。後者の銅
薄膜の場合、真空蒸着により形成された銅薄膜の厚さを
２０〜２００ｎｍ、電気銅めっき薄膜の厚さを２０〜４
０μｍにすることが好ましい。
【００１４】本発明に係る銅薄膜直接接合ポリイミドフ
ィルムを素材としてフレキシブル印刷配線板を製造する
には、前記ポリイミドフィルム上の銅薄膜に所望のパタ
ーンを有するマスクを形成し、このマスクから露出する
銅薄膜部分を銅エッチング液により選択的にエッチング
除去して銅回路パターンを形成する方法が採用される。
ィルムを素材としてフレキシブル印刷配線板を製造する
には、前記ポリイミドフィルム上の銅薄膜に所望のパタ
ーンを有するマスクを形成し、このマスクから露出する
銅薄膜部分を銅エッチング液により選択的にエッチング
除去して銅回路パターンを形成する方法が採用される。
【００１５】次に、本発明に係る銅薄膜直接接合ポリイ
ミドフィルムの製造方法を説明する。
ミドフィルムの製造方法を説明する。
【００１６】（第１工程）まず、ポリイミドフィルムに
プラズマ処理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化
した後、大気に曝して活性な炭素に酸素を結合させるこ
とにより前記フィルム表面に酸素官能基を導入する。こ
のような酸素官能基の導入は、ＸＰＳスペトル分析計に
より検出することが可能である。
プラズマ処理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化
した後、大気に曝して活性な炭素に酸素を結合させるこ
とにより前記フィルム表面に酸素官能基を導入する。こ
のような酸素官能基の導入は、ＸＰＳスペトル分析計に
より検出することが可能である。
【００１７】前記ポリイミドフィルムとしては、例えば
デュポン社製商品名のカプトン等を用いることができ
る。このポリイミドフィルムは、１０〜１００μｍの厚
さを有することが好ましい。
デュポン社製商品名のカプトン等を用いることができ
る。このポリイミドフィルムは、１０〜１００μｍの厚
さを有することが好ましい。
【００１８】前記プラズマ処理は、アルゴンプラズマ
（アルゴン雰囲気）で行うことが好ましい。なお、比較
的多量の酸素を含むガス雰囲気で前記ポリイミドフィル
ムをプラズマ処理すると、ポリイミドの酸化反応が激し
く起こってポリイミドフィルム表面に多大なダメージが
与えられてポリイミドフィルム本来の特性が低下する虞
がある。
（アルゴン雰囲気）で行うことが好ましい。なお、比較
的多量の酸素を含むガス雰囲気で前記ポリイミドフィル
ムをプラズマ処理すると、ポリイミドの酸化反応が激し
く起こってポリイミドフィルム表面に多大なダメージが
与えられてポリイミドフィルム本来の特性が低下する虞
がある。
【００１９】前記プラズマ処理は、直流または高周波
（２４ＧＨｚ程度まで）の電源を用い、出力２５〜５０
０Ｗ，チャンバ内圧力を０．０３〜３Ｔｏｒｒ，ガス流
量１〜１０ｃｃ／ｍｉｎ，処理時間５秒〜３分間の条件
で行うことが好ましい。
（２４ＧＨｚ程度まで）の電源を用い、出力２５〜５０
０Ｗ，チャンバ内圧力を０．０３〜３Ｔｏｒｒ，ガス流
量１〜１０ｃｃ／ｍｉｎ，処理時間５秒〜３分間の条件
で行うことが好ましい。
【００２０】前記酸素官能基は、例えばポリイミドフィ
ルムの炭素原子にＣ−Ｏ−Ｈの形態で導入されている。
この酸素官能基の導入量は、前記ポリイミドフィルムの
表面においてそのポリイミドの構成原子である炭素とこ
の炭素に部分的に結合される酸素との原子比（ＱO／
ＱC、ここでＱCはポリイミドフィルム表面の全炭素量、
ＱOはこの炭素に部分的に結合される酸素の量）にて
０．２３〜０．６０の範囲にすることが好ましい。前記
Ｏ／Ｃの原子比を０．２３未満にすると、前記ポリイミ
ドフィルム表面への酸素官能基の導入量が少なくなって
前記ポリイミドフィルムに対するシランカップリング剤
のカップリング反応度合を十分に高めることが困難にな
る虞がある。一方、前記Ｏ／Ｃの原子比が０．６０を越
えると前記ポリイミドフィルム表面への酸素官能基の導
入量が多くなりすぎて前記ポリイミドフィルム本来の特
性（例えば機械強度等）が低下する虞がある。より好ま
しい酸素官能基の導入量（ＱO／ＱC）は、０．２４〜
０．５０である。
ルムの炭素原子にＣ−Ｏ−Ｈの形態で導入されている。
この酸素官能基の導入量は、前記ポリイミドフィルムの
表面においてそのポリイミドの構成原子である炭素とこ
の炭素に部分的に結合される酸素との原子比（ＱO／
ＱC、ここでＱCはポリイミドフィルム表面の全炭素量、
ＱOはこの炭素に部分的に結合される酸素の量）にて
０．２３〜０．６０の範囲にすることが好ましい。前記
Ｏ／Ｃの原子比を０．２３未満にすると、前記ポリイミ
ドフィルム表面への酸素官能基の導入量が少なくなって
前記ポリイミドフィルムに対するシランカップリング剤
のカップリング反応度合を十分に高めることが困難にな
る虞がある。一方、前記Ｏ／Ｃの原子比が０．６０を越
えると前記ポリイミドフィルム表面への酸素官能基の導
入量が多くなりすぎて前記ポリイミドフィルム本来の特
性（例えば機械強度等）が低下する虞がある。より好ま
しい酸素官能基の導入量（ＱO／ＱC）は、０．２４〜
０．５０である。
【００２１】（第２工程）次いで、前記ポリイミドフィ
ルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’Ｏ）(4-n)−Ｓｉ（Ｒ
−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜６のアルキ
ル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表されるシラン
カップリング剤とをカップリング反応させて前記ポリイ
ミドフィルム表面の炭素原子に一般式−Ｓｉ（Ｒ−Ｃ
Ｎ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ｎは
１から３の正数を示す）にて表されるシアノ基を有する
有機シラン化合物を例えば酸素（−Ｏ−）を介して導入
することにより表面改質する。
ルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’Ｏ）(4-n)−Ｓｉ（Ｒ
−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭素数１〜６のアルキ
ル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表されるシラン
カップリング剤とをカップリング反応させて前記ポリイ
ミドフィルム表面の炭素原子に一般式−Ｓｉ（Ｒ−Ｃ
Ｎ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ｎは
１から３の正数を示す）にて表されるシアノ基を有する
有機シラン化合物を例えば酸素（−Ｏ−）を介して導入
することにより表面改質する。
【００２２】前記シランカップリング剤としては、例え
ば２−シアノエチルトリメトキシシラン［ＣＥＳ；（Ｏ
ＣＨ3）3−Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮ］、３−シアノプロ
ピルトリメトキシシラン［ＣＰＳ；（ＯＣＨ3）3−Ｓｉ
−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮ］等を挙げることができる。
ば２−シアノエチルトリメトキシシラン［ＣＥＳ；（Ｏ
ＣＨ3）3−Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮ］、３−シアノプロ
ピルトリメトキシシラン［ＣＰＳ；（ＯＣＨ3）3−Ｓｉ
−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮ］等を挙げることができる。
【００２３】前記カップリング反応は、前記シランカッ
プリング剤のアルコール溶解液に前記酸素官能基が導入
されたポリイミドフィルムを浸漬し、加熱することによ
り行うことが好ましい。
プリング剤のアルコール溶解液に前記酸素官能基が導入
されたポリイミドフィルムを浸漬し、加熱することによ
り行うことが好ましい。
【００２４】前記カップリング反応に用いられるアルコ
ールとしては、特に限定されないが、蒸気圧の高いメタ
ノール、エタノールが好ましい。
ールとしては、特に限定されないが、蒸気圧の高いメタ
ノール、エタノールが好ましい。
【００２５】前記カップリング反応に用いられるシラン
カップリング剤のアルコール溶解液の濃度は、０．１〜
１０重量％にすることが好ましい。このアルコール溶解
液の濃度を０．１重量％未満にすると、カップリング反
応を十分に行うことが困難になる。一方、アルコール溶
解液の濃度が１０重量％を超えると、前記ポリイミドフ
ィルム表面に導入された酸素官能基とカップリングする
他に、シランカップリング剤同士が縮合反応して、不要
なものがポリイミドフィルム表面に生成される虞があ
る。
カップリング剤のアルコール溶解液の濃度は、０．１〜
１０重量％にすることが好ましい。このアルコール溶解
液の濃度を０．１重量％未満にすると、カップリング反
応を十分に行うことが困難になる。一方、アルコール溶
解液の濃度が１０重量％を超えると、前記ポリイミドフ
ィルム表面に導入された酸素官能基とカップリングする
他に、シランカップリング剤同士が縮合反応して、不要
なものがポリイミドフィルム表面に生成される虞があ
る。
【００２６】前記カップリング反応における加熱温度
は、５０〜８０℃にすることが好ましい。
は、５０〜８０℃にすることが好ましい。
【００２７】（第３工程）次いで、前記表面改質された
ポリイミドフィルム表面に銅の真空蒸着またはスパッタ
リングにより銅薄膜を成膜する。この後、必要に応じて
銅の電気めっきにより前記銅薄膜上に電気銅めっき薄膜
を堆積させて銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造
する。
ポリイミドフィルム表面に銅の真空蒸着またはスパッタ
リングにより銅薄膜を成膜する。この後、必要に応じて
銅の電気めっきにより前記銅薄膜上に電気銅めっき薄膜
を堆積させて銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造
する。
【００２８】前記成膜される銅薄膜の厚さは、２０〜２
００ｎｍ、前記電気銅めっき薄膜の厚さを２０〜４０μ
ｍにすることが好ましい。
００ｎｍ、前記電気銅めっき薄膜の厚さを２０〜４０μ
ｍにすることが好ましい。
【００２９】以上説明したように本発明によれば、ポリ
イミドフィルムとこのポリイミドフィルムの表面に銅薄
膜が直接接触した構造を有し、前記銅薄膜が接触される
前記ポリイミドフィルムの表面の炭素原子に一般式−Ｓ
ｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキ
ル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表されるシアノ
基を有する有機シラン化合物を結合して前記ポリイミド
フィルムの表面改質がなされているため、前記ポリイミ
ドフィルムに対して前記銅薄膜を直接かつ強固に結合し
た銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを得ることができ
る。ポリイミドフィルムに対する銅薄膜の結合性の向上
は、前記ポリイミドフィルムの表面改質をなす前記一般
式の有機シラン化合物が末端に銅との結合性を高めるシ
アノ基を有するためである。
イミドフィルムとこのポリイミドフィルムの表面に銅薄
膜が直接接触した構造を有し、前記銅薄膜が接触される
前記ポリイミドフィルムの表面の炭素原子に一般式−Ｓ
ｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６のアルキ
ル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表されるシアノ
基を有する有機シラン化合物を結合して前記ポリイミド
フィルムの表面改質がなされているため、前記ポリイミ
ドフィルムに対して前記銅薄膜を直接かつ強固に結合し
た銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを得ることができ
る。ポリイミドフィルムに対する銅薄膜の結合性の向上
は、前記ポリイミドフィルムの表面改質をなす前記一般
式の有機シラン化合物が末端に銅との結合性を高めるシ
アノ基を有するためである。
【００３０】したがって、本発明に係る銅薄膜直接接合
ポリイミドフィルムは、接着剤を中間に介在せずにポリ
イミドフィルムと銅薄膜とが直接かつ強固に結合されて
いるいため、これを素材として前述した方法で銅薄膜を
選択的にエッチングしてパターニングすることにより、
接着剤層の厚さに相当する分、薄膜化され、かつ接着剤
の耐熱性に影響されないポリイミド自体の優れた耐熱性
を有するフレキシブル印刷配線板を得ることができる。
ポリイミドフィルムは、接着剤を中間に介在せずにポリ
イミドフィルムと銅薄膜とが直接かつ強固に結合されて
いるいため、これを素材として前述した方法で銅薄膜を
選択的にエッチングしてパターニングすることにより、
接着剤層の厚さに相当する分、薄膜化され、かつ接着剤
の耐熱性に影響されないポリイミド自体の優れた耐熱性
を有するフレキシブル印刷配線板を得ることができる。
【００３１】また、本発明に係る銅薄膜直接接合ポリイ
ミドフィルムの製造方法はポリイミドフィルムにプラズ
マ処理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化した
後、大気に曝して活性な炭素に酸素を結合させることに
より前記フィルム表面に酸素官能基を導入する工程と、
前記ポリイミドフィルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’
Ｏ）(4-n)−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭
素数１〜６のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）
にて表されるシランカップリング剤とをカップリング反
応させて前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般
式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６の
アルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表される
シアノ基を有する有機シラン化合物を例えば酸素（−Ｏ
−）を介して導入して表面改質する工程と、前記表面改
質されたポリイミドフィルム表面に銅の真空蒸着または
スパッタリングにより銅薄膜を堆積する工程とを具備す
る。
ミドフィルムの製造方法はポリイミドフィルムにプラズ
マ処理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化した
後、大気に曝して活性な炭素に酸素を結合させることに
より前記フィルム表面に酸素官能基を導入する工程と、
前記ポリイミドフィルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’
Ｏ）(4-n)−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭
素数１〜６のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）
にて表されるシランカップリング剤とをカップリング反
応させて前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般
式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６の
アルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表される
シアノ基を有する有機シラン化合物を例えば酸素（−Ｏ
−）を介して導入して表面改質する工程と、前記表面改
質されたポリイミドフィルム表面に銅の真空蒸着または
スパッタリングにより銅薄膜を堆積する工程とを具備す
る。
【００３２】このような本発明によれば、接着剤を中間
に介在せずにポリイミドフィルムと銅薄膜とが直接かつ
強固に結合された銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの
製造することができる。
に介在せずにポリイミドフィルムと銅薄膜とが直接かつ
強固に結合された銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの
製造することができる。
【００３３】特に、酸素官能基の導入量を前記ポリイミ
ドフィルムの表面においてそのポリイミドの構成原子で
ある炭素とこの炭素に部分的に結合される酸素との原子
比（ＱO／ＱC、ここでＱCはポリイミドフィルム表面の
全炭素量、ＱOはこの炭素に部分的に結合される酸素の
量）にて０．２３〜０．６０、より好ましくは０．２４
〜０．５０の範囲に規定することによって、前記ポリイ
ミドフィルムの改質表面に対する銅薄膜の密着強度をよ
り一層向上することができる。
ドフィルムの表面においてそのポリイミドの構成原子で
ある炭素とこの炭素に部分的に結合される酸素との原子
比（ＱO／ＱC、ここでＱCはポリイミドフィルム表面の
全炭素量、ＱOはこの炭素に部分的に結合される酸素の
量）にて０．２３〜０．６０、より好ましくは０．２４
〜０．５０の範囲に規定することによって、前記ポリイ
ミドフィルムの改質表面に対する銅薄膜の密着強度をよ
り一層向上することができる。
【００３４】また、表面改質されたポリイミドフィルム
に銅の真空蒸着またはスパッタリングによる銅薄膜の堆
積後、さらに電気銅めっきにより前記銅薄膜上に電気銅
めっき薄膜を堆積することによって、低抵抗等の電気特
性の優れた銅薄膜をポリイミドフィルムに形成すること
ができる。
に銅の真空蒸着またはスパッタリングによる銅薄膜の堆
積後、さらに電気銅めっきにより前記銅薄膜上に電気銅
めっき薄膜を堆積することによって、低抵抗等の電気特
性の優れた銅薄膜をポリイミドフィルムに形成すること
ができる。
【００３５】したがって、本発明によれば接着剤を中間
に介在せずにポリイミドフィルムと銅薄膜とが直接かつ
強固に結合され、接着剤層の厚さに相当する分、薄膜化
され、かつ接着剤の耐熱性に影響されないポリイミド自
体の優れた耐熱性を有するフレキシブル印刷配線板を製
造する際の素材等に有用な銅薄膜直接接合ポリイミドフ
ィルムの製造方法を提供できる。
に介在せずにポリイミドフィルムと銅薄膜とが直接かつ
強固に結合され、接着剤層の厚さに相当する分、薄膜化
され、かつ接着剤の耐熱性に影響されないポリイミド自
体の優れた耐熱性を有するフレキシブル印刷配線板を製
造する際の素材等に有用な銅薄膜直接接合ポリイミドフ
ィルムの製造方法を提供できる。
【００３６】
【実施例】以下、好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３７】図１は、本実施例で用いたプラズマ処理装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【００３８】図１の１は、底部に遮蔽板２を有する直径
５００ｍｍ，高さ５９０ｍｍのベルジャー型反応チャン
バである。例えばステンレス鋼から作られた直径３８０
ｍｍの円板状電極（上部電極）３および例えばステンレ
ス鋼から作られた幅５０ｍｍ，長さ４００ｍｍの矩形状
電極（下部電極）４は、前記チャンバ１内に互いに６０
ｍｍのギャップをあけて上下に配置されている。前記電
極３，４間のギャップ長さはとした。前記円板状電極３
は、接地され、かつ前記矩形状電極４はマッチングボッ
クス５を通して例えば高周波電源（ＲＦ電源）６に接続
されている。
５００ｍｍ，高さ５９０ｍｍのベルジャー型反応チャン
バである。例えばステンレス鋼から作られた直径３８０
ｍｍの円板状電極（上部電極）３および例えばステンレ
ス鋼から作られた幅５０ｍｍ，長さ４００ｍｍの矩形状
電極（下部電極）４は、前記チャンバ１内に互いに６０
ｍｍのギャップをあけて上下に配置されている。前記電
極３，４間のギャップ長さはとした。前記円板状電極３
は、接地され、かつ前記矩形状電極４はマッチングボッ
クス５を通して例えば高周波電源（ＲＦ電源）６に接続
されている。
【００３９】長尺のポリイミドフィルム７が捲回された
供給ロール８およびこの供給ロール６からの処理済みの
長尺ポリイミドフィルムを巻き取るための巻取りロール
９は、前記チャンバ１内に配置されている。前記供給ロ
ール８からの長尺ポリイミドフィルム７を前記電極３，
４間を経由して前記巻き取りロール９に送るための例え
ば２つの送りロール１０，１１は、前記チャンバ１内に
配置されている。
供給ロール８およびこの供給ロール６からの処理済みの
長尺ポリイミドフィルムを巻き取るための巻取りロール
９は、前記チャンバ１内に配置されている。前記供給ロ
ール８からの長尺ポリイミドフィルム７を前記電極３，
４間を経由して前記巻き取りロール９に送るための例え
ば２つの送りロール１０，１１は、前記チャンバ１内に
配置されている。
【００４０】アルゴンボンベ１２は、配管１３を通して
マスフローコントローラ１４に接続されている。バルブ
１５は、前記配管１３に介装されている。前記マスフロ
ーコントローラ１４に供給された酸素またはアルゴン
は、先端を前記電極３，４間に位置させたガス供給管１
６を通して前記チャンバ１内に供給される。
マスフローコントローラ１４に接続されている。バルブ
１５は、前記配管１３に介装されている。前記マスフロ
ーコントローラ１４に供給された酸素またはアルゴン
は、先端を前記電極３，４間に位置させたガス供給管１
６を通して前記チャンバ１内に供給される。
【００４１】他端が図示しないロータリーポンプ（排気
量；３２０Ｌ／ｍｉｎ）および拡散ポンプ（排気量；５
５０Ｌ／ｓｅｃ）からなる排気系に接続された排気管１
７は、前記チャンバ１底部の遮蔽板２に連結されてい
る。
量；３２０Ｌ／ｍｉｎ）および拡散ポンプ（排気量；５
５０Ｌ／ｓｅｃ）からなる排気系に接続された排気管１
７は、前記チャンバ１底部の遮蔽板２に連結されてい
る。
【００４２】（実施例１）まず、予めアセトンで表面が
洗浄された厚さ５０μｍ、幅３００ｍｍの長尺ポリイミ
ドフィルム（東レデュポン社製商品名；カプトン２００
Ｈ）を供給ロールに捲回し、これを図１に示すチャンバ
１内にセットし、そのフィルム先端を送りロール１０，
１１で電極３，４間を通過するようにガイドさせなが
ら、巻取りロール９に捲回した。つづいて、配管１３に
介装したバルブ１５を開いてアルゴンボンベ１２からア
ルゴンをマスフローコントローラ１４に供給し、このマ
スフローコントローラ１４から所定量のアルゴンをガス
供給管１６を通して前記チャンバ１内の電極３，４間に
供給した。同時に、図示しないロータリーポンプおよび
拡散ポンプからなる排気系を作動して排気管１７を通し
て前記チャンバ１内のガスを排気してチャンバ１内の圧
力を３３．９Ｐａとした。次いで、ＲＦ電源６からマッ
チングボックス５を通して周波数１３．５６ＭＨｚ、出
力６０Ｗの高周波電力を矩形状電極（下部電極）４に供
給することにより前記電極３，４間のチャンバ１領域に
放電電流７５ｍＡのアルゴンプラズマを発生させた。
洗浄された厚さ５０μｍ、幅３００ｍｍの長尺ポリイミ
ドフィルム（東レデュポン社製商品名；カプトン２００
Ｈ）を供給ロールに捲回し、これを図１に示すチャンバ
１内にセットし、そのフィルム先端を送りロール１０，
１１で電極３，４間を通過するようにガイドさせなが
ら、巻取りロール９に捲回した。つづいて、配管１３に
介装したバルブ１５を開いてアルゴンボンベ１２からア
ルゴンをマスフローコントローラ１４に供給し、このマ
スフローコントローラ１４から所定量のアルゴンをガス
供給管１６を通して前記チャンバ１内の電極３，４間に
供給した。同時に、図示しないロータリーポンプおよび
拡散ポンプからなる排気系を作動して排気管１７を通し
て前記チャンバ１内のガスを排気してチャンバ１内の圧
力を３３．９Ｐａとした。次いで、ＲＦ電源６からマッ
チングボックス５を通して周波数１３．５６ＭＨｚ、出
力６０Ｗの高周波電力を矩形状電極（下部電極）４に供
給することにより前記電極３，４間のチャンバ１領域に
放電電流７５ｍＡのアルゴンプラズマを発生させた。
【００４３】このような操作において、前記電極３，４
間で発生するアルゴンプラズマが安定した後、前記巻取
りロール９を回転させて供給ロール８のポリイミドフィ
ルム７を送りロール１０，１１でガイドさせながら前記
電極３，４間のアルゴンプラズマ領域をそのアルゴンプ
ラズマに暴される時間が３０秒間となるように走行させ
てポリイミドフィルム７表面をアルゴンプラズマ処理し
た。つづいて、供給ローラに捲回されたポリイミドフィ
ルムを全て処理した後、前記チャンバ１から巻取りロー
ル９を取り出した。前記アルゴンプラズマ処理ポリイミ
ドフィルムは、大気に取り出された時にその表面の活性
炭素が大気中の酸素および水分と反応して例えばＣ−Ｏ
Ｈの形態で酸素官能基を導入された。この時、ポリイミ
ドフィルム表面の炭素に導入（結合）される酸素官能基
の量はＸＰＳスペクトル分析計（島津社製商品名；ＥＳ
ＣＡ Ｋ１）により原子比（ＱO／ＱC、ここでＱCはポ
リイミドフィルム表面の全炭素量、ＱOはこの炭素に部
分的に結合される酸素の量）にて０．２９であった。
間で発生するアルゴンプラズマが安定した後、前記巻取
りロール９を回転させて供給ロール８のポリイミドフィ
ルム７を送りロール１０，１１でガイドさせながら前記
電極３，４間のアルゴンプラズマ領域をそのアルゴンプ
ラズマに暴される時間が３０秒間となるように走行させ
てポリイミドフィルム７表面をアルゴンプラズマ処理し
た。つづいて、供給ローラに捲回されたポリイミドフィ
ルムを全て処理した後、前記チャンバ１から巻取りロー
ル９を取り出した。前記アルゴンプラズマ処理ポリイミ
ドフィルムは、大気に取り出された時にその表面の活性
炭素が大気中の酸素および水分と反応して例えばＣ−Ｏ
Ｈの形態で酸素官能基を導入された。この時、ポリイミ
ドフィルム表面の炭素に導入（結合）される酸素官能基
の量はＸＰＳスペクトル分析計（島津社製商品名；ＥＳ
ＣＡ Ｋ１）により原子比（ＱO／ＱC、ここでＱCはポ
リイミドフィルム表面の全炭素量、ＱOはこの炭素に部
分的に結合される酸素の量）にて０．２９であった。
【００４４】次いで、メタノールに２−シアノエチルト
リメトキシシラン（ＣＥＳ）を１重量％の濃度になるよ
うに溶解した後、このＣＥＳのメタノール溶解液中に前
記巻取りロールのプラズマ処理ポリイミドフィルムを室
温で浸漬させながら別の巻取りロールで巻取った。この
時のポリイミドフィルムの前記溶解液への浸漬時間は、
１０分間とした。ひきつづき、前記ＣＥＳのメタノール
溶解液から取り出したポリイミドフィルムを１１０℃に
制御されたオーブン内で９０分間加熱して、前記ポリイ
ミドフィルムの酸素官能基とＣＥＳとのカップリング反
応を完結させ、表面改質を行った。このカップリング反
応後に前記ポリイミドフィルムを高周波洗浄機によりメ
タノール洗浄することにより、未反応のＣＥＳをポリイ
ミドフィルム表面から除去し、さらに５０℃の真空下で
乾燥した。
リメトキシシラン（ＣＥＳ）を１重量％の濃度になるよ
うに溶解した後、このＣＥＳのメタノール溶解液中に前
記巻取りロールのプラズマ処理ポリイミドフィルムを室
温で浸漬させながら別の巻取りロールで巻取った。この
時のポリイミドフィルムの前記溶解液への浸漬時間は、
１０分間とした。ひきつづき、前記ＣＥＳのメタノール
溶解液から取り出したポリイミドフィルムを１１０℃に
制御されたオーブン内で９０分間加熱して、前記ポリイ
ミドフィルムの酸素官能基とＣＥＳとのカップリング反
応を完結させ、表面改質を行った。このカップリング反
応後に前記ポリイミドフィルムを高周波洗浄機によりメ
タノール洗浄することにより、未反応のＣＥＳをポリイ
ミドフィルム表面から除去し、さらに５０℃の真空下で
乾燥した。
【００４５】次いで、前記ポリイミドフィルムの改質さ
れた表面に銅を真空蒸着して厚さ０．２μｍの銅薄膜を
堆積した。つづいて、このポリイミドフィルムを０．５
Ｍの硫酸銅、５０ｐｐｍの塩化水素および５ｍＬの光沢
試薬（日本リロナル社製商品名；ＣＬＸ−Ａ）を含む温
度２４℃の硫酸水溶液（９０ｇ／Ｌ）に浸漬し、３×１
０4Ａ／ｍ2の電流密度で電気銅めっき処理を施すことに
より、前記銅薄膜上に厚さ約４０μｍの電気銅めっき薄
膜を堆積して銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造
した。
れた表面に銅を真空蒸着して厚さ０．２μｍの銅薄膜を
堆積した。つづいて、このポリイミドフィルムを０．５
Ｍの硫酸銅、５０ｐｐｍの塩化水素および５ｍＬの光沢
試薬（日本リロナル社製商品名；ＣＬＸ−Ａ）を含む温
度２４℃の硫酸水溶液（９０ｇ／Ｌ）に浸漬し、３×１
０4Ａ／ｍ2の電流密度で電気銅めっき処理を施すことに
より、前記銅薄膜上に厚さ約４０μｍの電気銅めっき薄
膜を堆積して銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造
した。
【００４６】（実施例２）１重量％濃度の３−シアノプ
ロピルトリメトキシシラン（ＣＰＳ）のメタノール溶解
液を用いてポリイミドフィルムの表面に導入された酸素
官能基とシランカップング反応させた以外、実施例１と
同様な方法により銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを
製造した。
ロピルトリメトキシシラン（ＣＰＳ）のメタノール溶解
液を用いてポリイミドフィルムの表面に導入された酸素
官能基とシランカップング反応させた以外、実施例１と
同様な方法により銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを
製造した。
【００４７】得られた実施例１、２の銅薄膜直接接合ポ
リイミドフィルムは、Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮおよびＳ
ｉ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮのＳｉがそれぞれ酸素（−
Ｏ−）を介して表面の炭素（Ｃ）に導入されたポリイミ
ドフィルムに銅薄膜が直接結合した構造を有するもので
あった。
リイミドフィルムは、Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮおよびＳ
ｉ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＣＮのＳｉがそれぞれ酸素（−
Ｏ−）を介して表面の炭素（Ｃ）に導入されたポリイミ
ドフィルムに銅薄膜が直接結合した構造を有するもので
あった。
【００４８】（比較例１）アセトンで表面を洗浄したポ
リイミドフィルムにアルゴンプラズマ処理およびシラン
カップリング反応を施さずに、実施例１と同様に銅の真
空蒸着により厚さ０．２μｍの銅薄膜を堆積し、さらに
厚さ約４０μｍの電気銅めっき薄膜を堆積することによ
り銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造した。
リイミドフィルムにアルゴンプラズマ処理およびシラン
カップリング反応を施さずに、実施例１と同様に銅の真
空蒸着により厚さ０．２μｍの銅薄膜を堆積し、さらに
厚さ約４０μｍの電気銅めっき薄膜を堆積することによ
り銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造した。
【００４９】（比較例２）アセトンで表面を洗浄したポ
リイミドフィルムにアルゴンプラズマ処理を施した後、
シランカップリング反応を施さずに、実施例１と同様に
銅の真空蒸着により厚さ０．２μｍの銅薄膜を堆積し、
さらに厚さ約４０μｍの電気銅めっき薄膜を堆積するこ
とにより銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造し
た。
リイミドフィルムにアルゴンプラズマ処理を施した後、
シランカップリング反応を施さずに、実施例１と同様に
銅の真空蒸着により厚さ０．２μｍの銅薄膜を堆積し、
さらに厚さ約４０μｍの電気銅めっき薄膜を堆積するこ
とにより銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製造し
た。
【００５０】（参照例１）１重量％濃度の３−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン［ＡＰＳ−１；（ＯＣＨ3）3
−Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ2］のメタノール溶解液
を用いてポリイミドフィルムの表面に導入された酸素官
能基とシランカップング反応させた以外、実施例１と同
様な方法により銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製
造した。
ロピルトリメトキシシラン［ＡＰＳ−１；（ＯＣＨ3）3
−Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ2］のメタノール溶解液
を用いてポリイミドフィルムの表面に導入された酸素官
能基とシランカップング反応させた以外、実施例１と同
様な方法により銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムを製
造した。
【００５１】（参照例２）１重量％濃度の３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン［ＡＰＳ−２；（ＯＣＨ2Ｃ
Ｈ3）3−Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ2］のメタノール
溶解液を用いてポリイミドフィルムの表面に導入された
酸素官能基とシランカップング反応させた以外、実施例
１と同様な方法により銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ムを製造した。
ロピルトリエトキシシラン［ＡＰＳ−２；（ＯＣＨ2Ｃ
Ｈ3）3−Ｓｉ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ2］のメタノール
溶解液を用いてポリイミドフィルムの表面に導入された
酸素官能基とシランカップング反応させた以外、実施例
１と同様な方法により銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ムを製造した。
【００５２】得られた実施例１，２、比較例１，２およ
び参照例１，２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムに
ついて、インストロン型引張り強度試験器（島津製作所
社製商品名；ＡＧＳ１００−Ａ）を用いて１０ｍｍ／分
のピール速度で堆積した銅薄膜とポリイミドフィルムの
間のピール強度（Ｎ／５ｍｍ）を測定した。その結果を
下記表１に示す。
び参照例１，２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムに
ついて、インストロン型引張り強度試験器（島津製作所
社製商品名；ＡＧＳ１００−Ａ）を用いて１０ｍｍ／分
のピール速度で堆積した銅薄膜とポリイミドフィルムの
間のピール強度（Ｎ／５ｍｍ）を測定した。その結果を
下記表１に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】前記表１から明らかなようにプラズマ処理
を施し、シランカップリング処理を施さないポリイミド
フィルム表面に銅薄膜を真空蒸着、電気めっきにより堆
積した比較例２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルム
は、ピール強度が１．５０Ｎ／５ｍｍとプラズマ処理お
よびシランカップリング処理をいずれも施さないポリイ
ミドフィルム表面に銅薄膜を真空蒸着、電気めっきによ
り堆積した比較例１の銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ムに比べて銅薄膜がポリイミドフィルムに強固に結合さ
れていることがわかる。
を施し、シランカップリング処理を施さないポリイミド
フィルム表面に銅薄膜を真空蒸着、電気めっきにより堆
積した比較例２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルム
は、ピール強度が１．５０Ｎ／５ｍｍとプラズマ処理お
よびシランカップリング処理をいずれも施さないポリイ
ミドフィルム表面に銅薄膜を真空蒸着、電気めっきによ
り堆積した比較例１の銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ムに比べて銅薄膜がポリイミドフィルムに強固に結合さ
れていることがわかる。
【００５５】これに対し、プラズマ処理とＣＥＳおよび
ＣＰＳでシランカップリング処理とを施したポリイミド
フィルムに銅薄膜を真空蒸着、電気めっきにより堆積し
た実施例１，２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムは
それぞれピール強度が２．２０Ｎ／５ｍｍ、２．３０Ｎ
／５ｍｍと比較例２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ム（ピール強度：１．５０Ｎ／５ｍｍ）に比べて銅薄膜
がポリイミドフィルムに強固に結合されていることがわ
かる。
ＣＰＳでシランカップリング処理とを施したポリイミド
フィルムに銅薄膜を真空蒸着、電気めっきにより堆積し
た実施例１，２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムは
それぞれピール強度が２．２０Ｎ／５ｍｍ、２．３０Ｎ
／５ｍｍと比較例２の銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ム（ピール強度：１．５０Ｎ／５ｍｍ）に比べて銅薄膜
がポリイミドフィルムに強固に結合されていることがわ
かる。
【００５６】なお、シアノ基の代わりにアミノ基を導入
したＡＰＳ−１およびＡＰＳ−２でプラズマ処理後のポ
リイミドフィルムにシランカップリング処理を施し、こ
の表面処理されたポリイミドフィルムに銅薄膜を真空蒸
着、電気めっきにより堆積した参照例１，２の銅薄膜直
接接合ポリイミドフィルムは、プラズマ処理のみを施し
たポリイミドフィルムを有する比較例２の銅薄膜直接接
合ポリイミドフィルムに比べてピール強度が低く、プラ
ズマ処理、シランカップリング処理をいずれも施さない
ポリイミドフィルムを有する比較例１の銅薄膜直接接合
ポリイミドフィルムと同様なピール強度になる。
したＡＰＳ−１およびＡＰＳ−２でプラズマ処理後のポ
リイミドフィルムにシランカップリング処理を施し、こ
の表面処理されたポリイミドフィルムに銅薄膜を真空蒸
着、電気めっきにより堆積した参照例１，２の銅薄膜直
接接合ポリイミドフィルムは、プラズマ処理のみを施し
たポリイミドフィルムを有する比較例２の銅薄膜直接接
合ポリイミドフィルムに比べてピール強度が低く、プラ
ズマ処理、シランカップリング処理をいずれも施さない
ポリイミドフィルムを有する比較例１の銅薄膜直接接合
ポリイミドフィルムと同様なピール強度になる。
【００５７】このような実施例１，２および参照例１，
２の結果から、カップリング処理する際の有機シランカ
ップリング剤において、末端にＮを有する官能基を持つ
ものであれば全てピール強度の向上効果を有するのでは
なく、実施例１，２のように末端にＣＮ基を持つ特定の
有機シランカップリング剤でプラズマ処理後のポリイミ
ドフィルムとシランカップリング処理することによりピ
ール強度の高い優位な銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ムを得ることができることがわかる。
２の結果から、カップリング処理する際の有機シランカ
ップリング剤において、末端にＮを有する官能基を持つ
ものであれば全てピール強度の向上効果を有するのでは
なく、実施例１，２のように末端にＣＮ基を持つ特定の
有機シランカップリング剤でプラズマ処理後のポリイミ
ドフィルムとシランカップリング処理することによりピ
ール強度の高い優位な銅薄膜直接接合ポリイミドフィル
ムを得ることができることがわかる。
【００５８】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ポ
リイミドフィルムに銅薄膜が直接的かつ強固に接合さ
れ、接着剤層の厚さに相当する分、薄膜化され、かつ接
着剤の耐熱性に影響されないポリイミド自体の優れた耐
熱性を有するフレキシブル印刷配線板を製造する際の素
材等に有用な銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよび
その製造方法を提供することができる。
リイミドフィルムに銅薄膜が直接的かつ強固に接合さ
れ、接着剤層の厚さに相当する分、薄膜化され、かつ接
着剤の耐熱性に影響されないポリイミド自体の優れた耐
熱性を有するフレキシブル印刷配線板を製造する際の素
材等に有用な銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよび
その製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例で用いたプラズマ処理装置を示
す斜視図。
す斜視図。
１…反応チャンバ、 ３，４…電極、 ６…ＲＦ電源、 ７…ポリイミドフィルム、 ８…送りローラ、 ９…巻取りローラ、 １２…アルゴンボンベ、 １４…マスコントローラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 28/02 B32B 15/08 H05K 1/03 610
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、
Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ｎは１から３の正数を
示す）にて表されるシアノ基を有する有機シラン化合物
が表面の炭素原子に結合されて改質されたポリイミドフ
ィルムと、このポリイミドフィルムの改質表面に直接結
合された銅薄膜とからなることを特徴とする銅薄膜直接
接合ポリイミドフィルム。 - 【請求項２】 前記銅薄膜は、銅の真空蒸着またはスパ
ッタリングにより前記ポリイミドフィルム表面に堆積さ
れた銅薄膜と、この銅薄膜上に電気銅めっきにより堆積
された電気銅めっき薄膜との二層構造を有することを特
徴とする請求項１記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィ
ルム。 - 【請求項３】 ポリイミドフィルムにプラズマ処理を施
して前記フィルム表面の炭素を活性化した後、大気に曝
して活性な炭素に酸素を結合させることにより前記フィ
ルム表面に酸素官能基を導入する工程と、 前記ポリイミドフィルムの酸素官能基と一般式（Ｒ’
Ｏ）(4-n)−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒ，Ｒ’は炭
素数１〜６のアルキル基、ｎは１から３の正数を示す）
にて表されるシランカップリング剤とをカップリング反
応させて前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般
式−Ｓｉ（Ｒ−ＣＮ）n（ただし、Ｒは炭素数１〜６の
アルキル基、ｎは１から３の正数を示す）にて表される
シアノ基を有する有機シラン化合物を導入して表面改質
する工程と、 前記表面改質されたポリイミドフィルム表面に銅の真空
蒸着またはスパッタリングにより銅薄膜を堆積する工程
とを具備することを特徴とする銅薄膜直接接合ポリイミ
ドフィルムの製造方法。 - 【請求項４】 前記プラズマ処理は、アルゴンプラズマ
によりなされることを特徴とする請求項３記載の銅薄膜
直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。 - 【請求項５】 前記酸素官能基の導入量は、前記ポリイ
ミドフィルムの表面においてそのポリイミドの構成原子
である炭素とこの炭素に部分的に結合される酸素との原
子比（ＱO／ＱC、ここでＱCはポリイミドフィルム表面
の全炭素量、ＱOはこの炭素に部分的に結合される酸素
の量）で０．２３〜０．６０であることを特徴とする請
求項３記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造
方法。 - 【請求項６】 前記カップリング反応は、前記シランカ
ップリング剤のアルコール溶解液に前記酸素官能基が導
入されたポリイミドフィルムを浸漬し、加熱することに
よりなされることを特徴とする請求項３記載の銅薄膜直
接接合ポリイミドフィルムの製造方法。 - 【請求項７】 さらに前記銅薄膜表面に電気銅めっきに
より電気銅めっき薄膜を堆積することを特徴とする請求
項３記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方
法。
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