DE69309515T2 - Siliziumnitridpulver und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Siliziumnitridpulver und Verfahren zu dessen Herstellung

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Siliciumnitridpulver und insbesondere betrifft sie ein Siliciumnitridpulver, mit welchem es möglich ist, ein Formteil herzustellen, das mit dem Pulver gleichmäßig zu einer hohen Dichte gepackt ist, was für das Herstellen eines hochverläßlichen gesinterten Produktes aus Siliciumnitrid mit hoher Festigkeit und kleiner Streuung der Festigkeit und der Ausdehnung erforderlich ist.
  • Beim üblichen Verfahren der Herstellung eines gesinterten Produktes aus Siliciumnitrid werden Siliciumnitridpulver und Sinterhilfsstoffe in Pulverform, hauptsächlich Y&sub2;O&sub3;, Al&sub2;O&sub3; usw., in einem Lösemittel, wie Trichlorethan, in einer Kugelmühle oder dergleichen gemischt, wodurch das Gemenge in eine Gießmasse verwandelt wird. Nach dem Zugeben und Einmischen eines Bindemittels für das Formpressen zur Gießmasse, wird diese dann durch unmittelbaren Schlickerguß oder Schlickerpreßguß geformt oder die Gießmasse wird getrocknet und dann einem Preßformen des trockenen Pulvers oder Spritzgießen unterworfen, wodurch ein Formteil hergestellt wird, und dieser Formteil wird, wenn erforderlich, unter Anwendung von Hitze entbunden, worauf das Sintern folgt. Auf diese Weise wird dessen gesintertes Produkt hergestellt.
  • Bei diesen Verfahren werden, falls die Sorte der Sinterhilfsstoffe, die zugegebenen Mengen und die Sinterbedingungen genau gleich sind, die physikalischen Eigenschaften jedes gesinterten Produktes, zum Beispiel seine Festigkeit, Genauigkeit der Ausdehnung und Streuungen in seinen physikalischen Eigenschaften, hauptsächlich durch die Dichte und das Packungsgefüge des Formteiles beeinflußt. Um eine erhöhte Dichte des Formteiles zu gewährleisten, wurden bisher die Teilchengröße und die Teilchengrößenverteilung der Siliciumnitridpulver, die als Ausgangsmaterial dienten, gesteuert, wie es zum Beispiel in der japanischen Patent-Offenlegungsschrift Hei 3-159907 offenbart wurde.
  • Andererseits sind von dem Standpunkt aus, Verbesserungen in den physikalischen Eigenschaften des gesinterten Produktes zu erzeugen, die Siliciumnitridpulver, welche als Material dienen sollen, oft fein granuliert (z.B. Tsuneo Shimamura, Funmatsu To Kogyo (Powders and Industry), Seite 36, Vol. 31, Nr. 8 (1989)).
  • Da bei der Herstellung eines gesinterten Produktes aus Siliciumnitrid die Sinterfähigkeit, abhängig von den physikalischen Eigenschaften der Siliciumnitridpulver als Ausgangsmaterial, schwankt, wurden von den kennzeichnenden Eigenschaften von Siliciumnitridpulvern als Werkstoff hauptsächlich ihr Sauerstoffgehalt hinsichtlich seiner Auswirkung auf die Sinterfähigkeit und die physikalischen Eigenschaften des gesinterten Produktes untersucht, das mit ihnen erhalten wird.
  • Wenn jedoch feinkörnige Siliciumnitridpulver als Ausgangsmaterial verwendet werden, weist der erhaltene Formteil eine niedrige Dichte auf, was zu Problemen mit entstehender Dichteunregelmäßigkeit (was sich auf eine Erscheinung von breiten Streuungen der Dichte bezieht, wie sie durch mikrofokussierte Y- Strahlenbeugung gemessen wird), Poren oder Löchern im Inneren eines solchen Formteiles führt.
  • Ein weiteres Problem war, daß, sogar wenn der Sauerstoffgehalt der Siliciumnitridpulver, die das Ausgangsmaterial darstellten, gesteuert wird, die Sinterfähigkeit von Charge zu Charge oder sogar innerhalb einer Charge schwankt, was zu großen Streuungen in den kennzeichnenden Eigenschaften des erhaltenen, gesinterten Produktes führt. Daher ist seine Wiederholbarkeit mangelhaft, was die Erzeugung eines gesinterten Produktes von beständiger Qualität beeinträchtigt.
  • Die vorliegende Erfindung beruht auf der Entdeckung, daß sich die Dispergierfähigkeit eines Siliciumnitridpulvers in dem Lösemittel während des Mischvorganges abhängig von den Oberflächeneigenschaften des Siliciumnitridpulvers außerordentlich verändert, daß sich der dispergierte Zustand des Siliciumnitridpulvers in dem Mischungslösemittel wiederum auf das Packungsgefüge des damit hergestellten Pulverformteiles auswirkt und daß überdies die Verbesserung ihres dispergierten Zustandes durch Einstellung ihrer Oberflächeneigenschaften und die Steuerung der Menge an Kohlenstoff an der Oberfläche die Wirkung der Verbesserung der Sinterfähigkeit des Formteiles hat, wobei diese Befunde zu dieser Erfindung geführt haben.
  • Folglich besteht die vorliegende Erfindung in einem Siliciumnitridpulver, das dadurch gekennzeichnet ist, daß der Anteil des zu SiO&sub2; gehörenden Siliciums [Si*] am gesamten Oberflächensilicium [Si], wie er durch Photoelektronenspektroskopie mit Röntgenstrahlanregung (XPS) bestimmt wird, d.h. das Atomverhältnis [Si*/Si] nicht geringer als 0,07, aber nicht größer als 0,50 ist, und daß die Menge an Oberflächenkohlenstoff [C], wie sie mit Photoelektronenspektroskopie mit Röntgenstrahlanregung (XPS) bestimmt wird, derart ist, daß dessen Atomverhältnis zu Silicium [C/Si] nicht größer als 0,20 ist. Ein Pulver, das die obigen kennzeichnenden Oberflächeneigenschaften aufweist, kann durch ausreichend langes, vorzugsweise 30 min. oder länger, Erhitzen von Siliciumnitridpulver in der Atmosphäre bei 500 - 800ºC, um die erforderlichen kennzeichnenden Eigenschaften zu verleihen, hergestellt werden.
  • Es kann daher ein Siliciumnitridpulver geschaffen werden, welches ein einheitlich verdichtetes und mit hoher Dichte ausgestattetes Formteil hervorbringen kann, wobei ein hochverläßliches, gesintertes Produkt aus Siliciumnitrid mit hoher Festigkeit und geringer Streuung der Festigkeit und der Ausdehnung gebildet wird.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Abwandlung von Siliciumnitridpulver geschaffen, welches die Erhitzung von Siliciumnitridpulver in einer Atmosphäre umfaßt, die nicht weniger als 1 Vol.-% Sauerstoff oder nicht weniger als 0,5 Vol.-% Dampf enthält, um ein Pulver zu ergeben, in dem der Anteil des zu SiO&sub2; gehörenden Siliciums [Si*] am gesamten Oberflächensilicium [Si], wie er durch Photoelektronenspektroskopie mit Röntgenstrahlanregung (XPS) bestimmt wird, d.h. das Atomverhältnis [Si*/Si], im Bereich von 0,07-0,50 liegt und auch die Menge an sauren Oberflächengruppen pro BET-Oberfläche nicht geringer als 0,20 µeq/m² ist.
  • Das Produkt der Erfindung ist ein leicht sinterbares Siliciumnitridpulver, das die gleichmäßige Erzeugung von gesinterten Produkten mit hoher Festigkeit erlaubt.
  • Andere Vorteile und kennzeichnende Merkmale dieser Erfindung werden vollständiger von der folgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen verstanden werden, wobei diese in Verbindung mit der Begleitzeichnung zu sehen sind, welche ein erläuterndes Diagramm der Dichte an den Meßpunkten in einem Formteil darstellt.
  • Die durchschnittliche Primärteilchengröße des Pulvers gemäß dieser Erfindung wird durch unmittelbare Beobachtung von Primärteilchen unter einem Rasterelektronenmikroskop bestimmt, und die mittlere Teilchengröße wird mit einem Teilchengrößeverteilungsmesser aufgrund von Laserbeugung gemessen.
  • Die Siliciumnitridpulver dieser Erfindung weisen die untengenannten, kennzeichnenden Merkmale auf:
  • Als erstes sollen die Siliciumnitridpulver dieser Erfindung ein Atomverhältnis von nicht weniger als 0,07 (oder nicht weniger als 7 Atom-%), aber ein Atomverhältnis von nicht mehr als 0,5 (oder nicht mehr als 50 Atom-%) der zu SiO&sub2; gehörenden Si-Atome zu den gesamten Si-Atomen auf denselben Pulveroberflächen aufweisen, welche mit Photoelektronenspektroskopie mit Röntgenstrahlanregung (XPS) genau bestimmt werden.
  • Solche Pulver verursachen eine verbesserte Mfinität zur flüssigen Phase, die aus Sinterhilfsstoffen besteht, wobei sie das Sintem erleichtern und dessen einheitlichen Fortlauf gewährleisten, wodurch sie ermöglichen, ein gesintertes Produkt mit hoher Festigkeit bei geringen Streuungen in seinen physikalischen Eigenschaften und mit hoher Dichte herzustellen.
  • Dadurch, daß den Siliciumnitridpulvern dieser Erfindung ein Atomverhältnis von C-Atomen zu Si-Atomen auf derselben Pulveroberfläche von nicht mehr als 0,20 verliehen wurde, wie durch XPS bestätigt wurde, wird die Reduktion durch C der obengenannten SiO&sub2;-Schicht, die an der Oberfläche des Siliciumnitridpulvers zum Zeitpunkt des Sinterns gebildet wurde, unterdrückt, womit die Erreichung der obenerwähnten Wirkung gesichert ist.
  • Die Pulver der Erfindung weisen vorzugsweise nicht weniger als 0,2 µeq/m² Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche zusätzlich zu den obenerwähnten kennzeichnenden Merkmalen auf. Auf diese Weise wird die Dispergierbarkeit des Pulvers im Lösemittel weiter verbessert, wodurch die obenerwähnten Wirkungen im dem Formteil und dem gesinterten Produkt weiter gefördert werden.
  • Um das Sintern noch mehr zu erleichtern, dadurch die Mikrostruktur des gesinterten Produktes zu steuern, ist überdies die durchschnittliche Primärteilchengröße des Pulvers vorzugsweise nicht größer als 0,5 µm. In diesem Fall ist die Bindekraft des Pulvers groß, und um leichtes Dispergieren des Pulvers in dem Lösemittel zu ermöglichen, soll daher die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche des Pulvers nicht weniger als 1,0 µeq/m² betragen.
  • Wenn außerdem das Atomverhältnis von zu SiO&sub2; gehörenden Si-Atomen zu Si- Atomen auf derselben Pulveroberfläche nicht geringer als 0,07 ist, wie oben beschrieben, wird zusätzlich zu den obenerwähnten Wirkungen die Zersetzung des Pulvers durch Wasser verhindert, wodurch ein beständigeres Mischen in Wasser ermöglicht wird.
  • Um Siliciumnitridpulver herzustellen, die für eine Abwandlung gemäß der Erfindung geeignet sind, wird vorzugsweise das Siliciumdiimid-Zersetzungsverfahren verwendet, welches es ermöglicht, kugelähnliche Teilchen mit einer mittleren Teilchengröße von nicht mehr als 1 µm zu erzeugen. Manchmal wird auch das unmittelbare Nitridierverfahren verwendet.
  • Durch die Verwendung eines Siliciumnitridpulvers mit nicht weniger als 0,2, vorzugsweise nicht weniger als 0,5 µeq/m² an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche, ist deren Dispergierbarkeit in dem Lösemittel immer noch außerordentlich verstärkt, was einen einheitlichen Formteil mit noch dazu höherer Dichte ergibt. Wenn das Siliciumnitridpulver dagegen weniger als 0,2 µeq/m² an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche aufweist, ist dessen dispergierter Zustand in dem Lösemittel bei deutlichem Zusammenhalt besonders schlecht.
  • Um die Mikrostruktur des gesinterten Produktes zu steuern, ist es außerdem wünschenswert, ein feines Siliciumnitridpulver zu verwenden, das Primärteilchengrößen von nicht mehr als 0,5 µm aufweist. Ein solches feines Pulver weist große Bindekräfte auf, die dort dazwischen wirken. Daher sollte es wünschenswerterweise nicht weniger als 1,0 µeq/m² an Oberflächensäuregruppen pro BET- Oberfläche aufweisen.
  • Keine besondere Einschränkung wird für das Mischungslösemittel gemacht, aber die Dispergierbarkeit eines Siliciumnitridpulvers in einem polaren Lösemittel wie Alkohol, Wasser oder dergleichen durch Steuerung der Menge an dessen Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche im obenerwähnten Bereich ist außergewöhnlich verbessert, wobei diese Neigung mit größeren dielektrischen Konstanten des Lösemittels stärker ausgeprägt ist.
  • Wasser hat als Lösemittel eine große dielektrische Konstante, einen geringen Preis und erfordert keine Sicherheitsgegenmaßnahmen, wie Explosionsschutz, wie es mit brennbaren organischen Lösemitteln der Fall wäre. Es ist daher für industrielle Anwendungen ziemlich ausgezeichnet, aber es gibt das Problem, daß im allgemeinen ein Siliciumnitridpulver in Wasser nicht beständig ist. In diesem Zusammenhang wird zusätzlich zur Steuerung der Menge ihrer Oberflächensäuregruppen, durch Einstellung des Anteils des zu SiO&sub2; gehörenden Siliciums [Si*] am Oberflächensilicium [Si] des Siliciumnitrids auf nicht weniger als 0,07, wie er obenerwähnt als dessen Atomverhältnis [Si*/Si] mit XPS bestimmt wurde, ermöglicht, daß sie bei der Mischung in Wasser stabilisiert werden, und überdies ermöglicht die Steuerung im obenerwähnten Bereich der Menge ihrer Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche eine Verbesserung ihrer Dispergierbarkeit. Wenn von einem Siliciumnitridpulver mit einem [Si*/Si]-Verhältnis von weniger als 0,07 Gebrauch gemacht wird, könnte das Siliciumnitridpulver unerwünschterweise durch das Wasser zersetzt werden.
  • Die Siliciumnitridpulver, welche nicht weniger als 0,2 µeq/m² Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche gemäß dieser Erfindung aufweisen, können durch Erhitzen eines Siliciumnitridpulvers, das mit Hilfe des Siliciumdiimid- Zersetzungsverfahrens, des unmittelbaren Nitridierverfahrens oder des anderen Verfahrens in einer Atmosphäre, die nicht weniger als 1 Vol.-% Sauerstoff enthält oder in einer Atmosphäre mit nicht weniger als 0,5 Vol.-% Dampf, erhalten werden. Die Verarbeitungsstemperatur sollte vorzugsweise 500 - 850ºC im Falle der Sauerstoffatmosphäre und 200 - 800ºC im Falle der Dampfatmosphäre sein.
  • Da bei der obenerwähnten Hitzebehandlung SiO&sub2;-Überzüge auf der Oberfläche des Siliciumnitridpulvers gebildet werden, ist es möglich, [Si*/Si]-Verhältnisse von nicht weniger als 0,07 auf der Oberfläche des Siliciumnitridpulvers zu erzeugen.
  • Beim Mischen des Siliciumnitridpulvers mit dem Sinterhilfsstoff-Pulver wird im allgemeinen Naßmischung mit einem aus verschiedenen Lösemitteln durchgeführt. Dabei wird zur Verbesserung der Dispergierbarkeit hauptsächlich das Sinterhilfsstoff-Pulver, ein oberflächenaktives Mittel oder ein Entflocker zugesetzt. Wie sehr die Dispergierbarkeit des Sinterhilfsstoff-Pulvers in dem Lösemittel auch verbessert ist, falls die Dispergierbarkeit des Siliciumnitridpulvers, das den Hauptbestandteil darstellt, im Lösemittel unzureichend ist, wird ein Zusammenhalt des Siliciumnitridpulvers stattfinden. Dies verursacht Ungleichmäßigkeit der Dichte, Poren oder Löcher im Formteil bei Naßpressung, besonders bei Formpressung durch Schlickerguß oder Schlickerpreßguß.
  • Wenn zudem Trocknungsgranulierung unter Verwendung eines Sprühtrockners oder einer ähnlichen Vorrichtung ausgeführt wird, werden sich Poren oder andere ungleichmäßige Gefüge des Pulvers während der Granulierung entwikkeln. Im obenerwähnten Verfahren des Naßpressens oder Trocknens erzeugen überdies die größeren Bindekräfte des Pulvers oft das zerstreute Packungsgefüge, wobei die Berührung zwischen den Pulverteilchen ungleichmäßig wird, während das Lösemittel entfernt wird, woraus sich ein uneinheitlicher Formteil mit niedriger Dichte ergibt.
  • Da eine Scherkraft auf das Siliciumnitridpulver in dem Lösemittel durch Rühren oder andere Mittel einwirkt, werden schwache Flocken vorübergehend entflockt, werden aber sofort wieder ausgeflockt. Daher wird deren Dispergierbarkeit vom Gleichgewichtszustand zwischen Flockung und Entflockung bestimmt sein.
  • In einem polaren Lösemittel verhindert die elektrostatische Abstoßung, die der elektrischen Ladung der Pulveroberflächen zugeschrieben wird, diese Rückflockung, wobei das zur Dispergierbarkeit beiträgt. Deshalb müssen zuerst, um diese elektrostatische Abstoßung wirksam zu äußern, die Siliciumnitrid-Pulverteilchen mit dem Lösemittel überzogen werden. Deshalb kann daraus geschlossen werden, daß niedrige Benetzbarkeit zwischen dem Siliciumnitridpulver und einem solchen Lösemittel zu geringer Dispergierbarkeit von Siliciumnitridpulver führt, daß das Lösemittel nicht zwischen die Pulverteilchen dringen wird, die die Flocken bilden, wenn das Pulver ausgeflockt wird, bevor es im Lösemittel eingetaucht wird, und daß deren Entflockung sogar durch Anwendung irgendwelcher Scherkräfte schwer bewirkt werden kann.
  • Im Gegensatz dazu weisen die Siliciumnitridpulver gemäß dieser Erfindung die Oberflächensäuregruppen auf, die eine starke Affinität zum polaren Lösemittel aufweisen, das in einer Menge vorhanden ist, die zur Benetzung der gesamten Pulveroberfläche durch das Lösemittel notwendig ist. Deswegen ist deren Benetzbarkeit durch das Lösemittel erheblich verbessert, wodurch eine bedeutende Verbesserung deren Dispergierbarkeit im Lösemittel ermöglicht wird.
  • Wenn außerdem Wasser als polares Lösemittel verwendet wird, findet eine Zersetzung des Siliciumnitrids durch Wasser statt, aber da ein Siliciumnitridpulver dieser Erfindung verwendet wird, das ein obenerwähntes [Si*/Si]-Verhältnis von nicht weniger als 0,07 aufweist, ist dessen Zersetzung durch Wasser aufgrund der SiO&sub2;-Schichte, die sich auf der Oberfläche des Siliciumnitridpulver befindet, vermeidbar.
  • Es sollte beachtet werden, daß die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche und das [Si*/Si]-Verhältnis durch die untenerwähnten Verfahren bestimmt wurden:
  • < Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche>
  • Nach dem Vakuumtrocknen von Siliciumnitridpulver 12 h lang bei 110ºC werden 10 g davon eingewogen. Diese werden dann in einen Kolben aus Polypropylen übergeführt. Dessen Inhalt wird 4 h lang bei 25ºC geschüttelt, nachdem 100 ml einer 1/100 N wäßrigen NaOH-Lösung zugesetzt wurden. Das Pulver wurde durch zentrifugale Trennung abgeschieden, und von der sich ergebenden überstehenden Flüssigkeit wurden 25 ml eingewogen und mit 1/100 N wäßriger HCl-Lösung gegen Phenolphtalein als Indikator titriert. Auf ähnliche Weise wurde ein Blindversuch ohne die Zugabe von Siliciumnitridpulver ausgeführt, und mit dem Titer des Blindversuchs als Vergleich (Bezugswert) wird die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche mit der untenerwähnten Formel bestimmt. Die Messung wurde fünfmal mit jeder Probe durchgeführt, und der Durchschnitt der Ergebnisse wurde als der Meßwert betrachtet.
  • Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberfläche (µeq/m²) =
  • X: Titer der wäßrigen HCl-Lösung (ml)
  • B: Titer des Blindversuches (ml)
  • K: Normalität der wäßrigen HCl-Lösung (N)
  • W: Gewicht des Siliciumnitridpulver (g)
  • S: BET-Oberflächenbereich des Siliciumnitridpulvers (m²/g)
  • < [Si*/Si]-Verhältnis>
  • Nach dem Vakuumtrocknen 12 h lang bei 110ºC wurde ein Siliciumnitridpulver einer Entgasungsbehandlung für 1 - 8 h in einer Vorbereitungskammer für die XPS unterworfen, die bei Raumtemperatur und unter einem Vakuum von 13,33 - 133,32 mPa (10&supmin;&sup4; - 10&supmin;&sup5; Torr) gehalten wird, und nachdem die Probe in eine Analysenkammer eingebracht und ein Grad des Vakuums im Bereich von 13,33 nPa (10&supmin;¹&sup0; Torr) erreicht wurde, wurde danach die Messung durchgeführt. Das Gesamtsilicium [Si] an der Oberfläche wurde aus den Si2p-Zacken bestimmt, die Trennung der Si2p-Signale anhand der Kurvenformen wurde durchgeführt, und die Zacke bei 103,4 eV + 0,5 eV wurde als das zu SiO&sub2; gehörende Silicium [Si*] betrachtet, wobei das [Si*/Si]-Verhältnis als Atomverhältnis bestimmt wurde. Zur Messung wurde ein ESCA5400MC der Perkin Elmer Company verwendet, wobei eine monochromatische AlK&alpha; als Quelle für die Röntgenstrahlung eingesetzt wurde.
  • In den Siliciumnitridpulvern dieser Erfindung bedeutet das [Si*/Si]-Verhältnis die Menge an SiO&sub2;, die an den Oberflächen des Siliciumnitridpulvers vorhanden ist, wobei es im Bereich von nicht weniger als 0,07, aber nicht mehr als 0,50, vorzugsweise von 0,10 - 0,35, liegen sollte. Wenn das [Si*/Si]-Verhältnis weniger als 0,07 beträgt, nimmt deren Sinterfähigkeit merklich ab, was zu schwieriger Verdichtung des gesinterten Produktes führt, aber wenn es 0,5 übersteigt, wird die SiO&sub2;-Schichte auf der Oberfläche zu dick werden, was umgekehrt zu verringerter Sinterfähigkeit führt.
  • Das [C/Si]-Verhältnis in dieser Erfindung sollte nicht mehr als 0,20, vorzugsweise nicht mehr als 0,15, ausmachen. Wenn dieses [C/Si]-Verhältnis 0,20 übersteigt, wird die Reduktion von SiO&sub2; auf der Oberfläche des Siliciumnitridpulvers beachtlich (SiO&sub2; + C T SiOI + COI). Daher verringert sich die Menge an SiO&sub2;, was zu verringerter Sinterfähigkeit führt.
  • Als Verfahren zur Steuerung des [Si*/Si]-Verhältnisses auf innerhalb 0,07 - 0,50, wie vorhin veranschaulicht wurde, könnten zum Beispiel genannt werden ein Verfahren zur Bildung einer SiO&sub2;-Schicht durch Behandlung der Siliciumnitridpulver-Oberfläche mit einem Alkoxid oder einem Silankopplungsreagenz und dessen nachfolgende Erhitzung, wodurch organische Bestandteile entfernt werden, ein Verfahren bei dem das Siliciumnitridpulver einer Hitzebehandlung in einer Atmosphäre, die Sauerstoff enthält, oder in einer Atmosphäre, die Dampf enthält, unterworfen wird, ein Verfahren zur Behandlung von Siliciumnitridpulver in Sauerstoffplasma, ein Verfahren zur Behandlung von Siliciumnitridpulver in einer wäßrigen Säure- oder Alkalilösung und ein Verfahren zur Abscheidung von SiO&sub2; auf den Siliciumnitridpulver-Oberflächen aus einer wäßrigen Lösung von Hexafluorokieselsäure, die mit SiO&sub2; durch Zugabe von Borsäure usw. dazu gesättigt wurde. Unter ihnen wird das Verfahren bevorzugt, bei dem sie einer Hitzebehandlung in der Atmosphäre unterzogen werden, weil es einfach ist und auf einfache Weise die Verminderung der Menge an Oberflächenkohlenstoff ermöglicht.
  • In diesem Falle sollte die geeignete Erhitzungstemperatur 500 - 850ºC, vorzugsweise 600 - 800ºC, betragen. Erhitzungstemperaturen von nicht mehr als 500ºC sind unwirtschaftlich, wegen der langen Zeit, die aufgrund der geringen Oxidationsgeschwindigkeit auf der Siliciumnitridoberfläche zur Bildung des gewünschten SiO&sub2; benötigt wird, während jene, die 850ºC übersteigen, nicht gewünscht sind, weil der Oxidationszustand bei so hohen Temperaturen ungleichmäßig ist.
  • Was die Menge an Oberflächenkohlenstoff anbetrifft, kann sie durch die obenerwähnte Hitzebehandlung herabgesetzt werden, aber das mit XPS bestimmte [C/Si]-Verhältnis sollte durch Entfernen des Kohlenstoffes, der in die Rohstoffe oder das Produkt während der Herstellung gemischt wurde, auf der Stufe vor einer solchen Oberflächenbehandlung wünschenswerterweise auf nicht mehr als 0,25 eingestellt werden.
  • Zum Zwecke der Entfernung von Si oder metallischen Verunreinigungen, die im Siliciumnitridpulver zurückbleiben, welches durch die unmittelbare Nitridierung hergestellt wurde, werden diese manchmal mit Fluorwasserstoffsäure gereinigt. Wenn danach das F zurückbleibt, das von dieser Fluorwasserstoffsäure herrührt, wird es das SiO&sub2; der Oberfläche ähnlich wie den Kohlenstoff zersetzen. Deshalb muß dieses F vollständig entfernt werden.
  • Um die Wirkungen dieser Erfindung weiter deutlich zu machen, ist die Verwendung von Siliciumnitridpulvern mit ihrem mittleren Teilchendurchmesser von nicht mehr als 1 µm wünschenswert, welche durch das Siliciumdiimid-Zersetzungsverfahren hergestellt wurden. Die Siliciumnitridpulver, die durch das Siliciumdiimid-Zersetzungsverfahren hergestellt wurden, weisen ursprünglich einen einheitlichen Oberflächenzustand auf und haben eine runde Form, so daß das durch die obenerwähnte Oberflächenbehandlung an der Oberfläche gebildete SiO&sub2; gewöhnlich eine einheitliche Schicht bildet und einen kleinen Kohlenstoffgehalt aufweist. Durch die Verminderung des mittleren Teilchendurchmessers auf nicht mehr als 1 µm kann außerdem die Sinterfähigkeit weiter gesteigert werden. Zusätzlich kann die Menge an Oberflächensilicium zum industriellen Vorteil durch Einlaß einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre auf der Stufe des Abkühlens nach der Hitzebehandlung zur Kristallisierung im Verfahren zur Herstellung des Siliciumnitridpulvers gesteuert werden.
  • Im Sinterverfahren von Siliciumnitridpulvern entwickelt sich im ersten Schritt eine flüssige Phase, die aus Sinterhilfsstoffen besteht, in denen sich die Siliciumnitridpulver lösen, um sich danach als Kristall abzuscheiden und mit ihrem Sintern fortzusetzen. Folglich ist an der Grenzfläche zwischen den Siliciumnitridpulvern und der aus den Sinterhilfsstoffen bestehenden, flüssigen Phase die Affinität der Siliciumnitridpulver-Oberfläche zur flüssigen Phase beträchtlich. Wegen dieses Umstandes gilt die Beschichtung der Siliciumnitridoberfläche mit SiO&sub2; als Verbesserung ihrer Benetzbarkeit mit der flüssigen Phase, die aus Sinterhilfsstoffen besteht, wodurch die Auflösung der Siliciumnitridpulver in der flüssigen Phase zum Vorteil der gesteigerten Sinterfähigkeit gefördert wird.
  • Siliciumnitridpulver enthalten abhängig vom Herstellungsverfahren üblicherweise 1 - 2 Gewichts-% Sauerstoff. Er befindet sich hauptsächlich an der Oberfläche. Der Sauerstoff auf der Siliciumnitridoberfläche findet sich nicht zur Gänze als SiO&sub2;, sondern findet sich in verschiedenen gebundenen, von SiO&sub2; abweichenden Formen, wie zum Beispiel Si&sub2;N&sub2;O, SiO oder einer funktionellen Gruppe wie -OH. Sogar wenn ihre Sauerstoffgehalte oder die Mengen an Oberflächensauerstoff lediglich gleich sind, werden ungleiche Mengen SiO&sub2; auf der Oberfläche daher zu Unterschieden in deren Sinterfähigkeit führen.
  • Im Gegensatz dazu erlauben die Siliciumnitridpulver gemäß dieser Erfindung die Verbesserung der Benetzbarkeit mit der flüssigen Phase, die aus Sinterhilfsstoffen besteht, durch die Steuerung der Menge an deren Oberflächen-SiO&sub2;, wodurch eine große Verbesserung der Sinterfähigkeit zum Vorteil einer gleichmäßigen Erzeugung von gesinterten Produkten mit hoher Festigkeit erreicht wird.
  • (Beispiel 1)
  • Siliciumnitridpulver mit 96,0% &alpha;-Kristallinität und einer durchschnittlichen Primärteilchengröße von 0,2 µm wurden einer Hitzebehandlung in einer N&sub2;- Atmosphäre oder in einer Atmosphäre, die 10 Volum-% Dampf enthielt, unterzogen, wonach sich Siliciumnitridpulver ergaben, die die in Tabelle 1 angegebenen Eigenschaften aufwiesen.
  • Dann wurden zu 92 Gewichtsteilen der Sikiciumnitridpulver 5 Gewichtsteile Y&sub2;O&sub3; mit einer durchschnittlichen Primärteilchengröße von 0,25 µm und 3 Gewichtsteile Al&sub2;O&sub3; mit einer durchschnittlichen Primärteilchengröße von 0,15 µm als Sinterhilfsstoffe zugegeben, und die Mischung wurde in einer Kugelmühle aus Nylon 48 h lang bei 100 U/min unter Zusatz von 70 Gewichts-% Ethanol, bezogen auf das Gesamtgewicht der Pulver, gemischt. Danach wurden 0,5 Gewichts-% eines Bindemittels, bezogen auf das Gesamtgewicht der Pulver, dazu gegeben, gefolgt von 1-stündigem Vermischen. Die dadurch erhaltene Gießmasse wurde nach dem Entschäumen unter Vakuum in eine poröse Gußform durch druckunterstützten Schlickerguß unter einem Druck von 2,94 mPa (30 kg/cm²) formgepreßt, woraus sich ein Formteil mit den Maßen 10 cm x 10 cm 5,5 mm ergab. Dieses Formteil wurde 12 Stunden lang bei 100ºC getrocknet, und die Dichten an den in Fig. 1 angezeigten Stellen dieses Formteils wurden mit Hilfe eines Dichtemeßgerätes aufgrund mikrofokussierter Y- Strahlen-Beugung gemessen. Die Meßergebnisse und die Viskosität jeder der Gießmassen vor dem Formpressen sind in Tabelle 2 zusammengestellt. Auch die scheinbare Dichte, die aus dem Gewicht und den Abmessungen den Formteiles errechnet wurden, sind in dieser Tabelle gezeigt.
  • Das Formteil wurde nach dem Trocknen in 16 Prüfstücke mit den Maßen 8 mm x 48 mm x 5,5 mm geteilt. Diese Prüfstücke wurden 3 h lang bei 750ºC entbunden, danach 5 h lang bei 1720ºC in einer N&sub2;-Atmosphäre gesintert und danach 3 h lang in N&sub2; bei 1720ºC unter 1000 atm einer HIP-Behandlung unterzogen.
  • Die Dichte jedes der so erhaltenen, gesinterten Produkte wurde mit Hilfe des Archimedes-Verfahren bestimmt und seine Dicke gemessen. Danach wurde es gemäß JIS R1601 in ein Prüfstück für die Bruchfestigkeit geformt, welches dann einer 4-Punkt-Biegeprüfung unterworfen wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
  • Die Ergebnisse der Tabelle 2 zeigen, daß im Gegensatz zu jenen (A und B) der Vergleichsbeispiele die Viskosität der Gießmasse bei Verbesserung der Dispergierbarkeit in Ethanol abnimmt, wenn die Siliciumnitridpulver (C-I) dieser Erfindung verwendet wurden, und daß die damit erhaltenen Formteile höhere Kompaktheit und kleinere Dichteschwankungen aufweisen. Eine große Verbesserung der durchschnittlichen Festigkeit, des Weibull-Koeffizienten und der Ausdehnungsgenauigkeit des gesinterten Produktes sind erkennbar.
  • (Beispiel 2)
  • Mit den in der Tabelle 1 angegebenen Siliciumnitridpulvern A - G wurden Formteile, ähnlich wie in Beispiel 1, mit Hilfe des untenerwähnten Verfahrens unter Verwendung von Wasser als dem Lösemittel hergestellt.
  • 92 Gewichtsteile Siliciumnitridpulver und 5 Gewichtsteile Y&sub2;O&sub3; und 3 Gewichtsteile Al&sub2;O&sub3; wurden vorbereitet, wobei die zwei letzteren die selben wie die in Beispiel 1 verwendeten waren. Zuerst wurden den Siliciumnitridpulvern 48 Gewichts-% bezogen auf die Gesamtmenge der Pulver an entionisiertem Wasser zugegeben, welches mit Ammoniak auf pH 9,5 eingestellt wurde. Die Mischung wurde in einer aus Nylon hergestellten Kugelmühle 12 h lang bei 100 U/min gemischt. Anschließend wurde dessen Mischen 12 h lang fortgesetzt, nachdem dazu Y&sub2;O&sub3; und Al&sub2;O&sub3; zugesetzt wurden. Dann wurden 0,5 Gewichts-% eines Bindemittels, bezogen auf die Gesamtmenge des Pulvers, zugesetzt, und dies wurde 1 h lang weiter gemischt. PH-Messungen der Gießmassen, die von den Siliciumnitridpulvem A und B erhalten wurden, zeigten pH-Wertsteigerungen auf 11,2 beziehungsweise 10,7, die nahelegen, daß eine Zersetzung der Siliciumnitridpulver durch Wasser stattgefunden hat.
  • Aus diesen Gießmassen wurden nach dem Entschäumen im Vakuum Formteile und gesinterte Produkte ähnlich wie in Beispiel 1 hergestellt, und die kennzeichnenden Eigenschaften dieser Formteile und gesinterten Produkte wurden gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 zusammengestellt.
  • Die Tabelle 3 zeigt, daß, ähnlich wie bei den Ergebnissen von Beispiel 1 (Tabelle 2), wenn die Siliciumnitridpulver (C - I) dieser Erfindung verwendet wurden, im Gegensatz zu jenen (A und B) der Vergleichsbeispiele, Formteile mit höherer Kompaktheit und kleineren Dichteschwankungen erhalten werden, und die kennzeichnenden Eigenschaften der gesinterten Produkte ebenfalls verbessert sind.
  • Überdies erlitten Siliciumnitridpulver A und B mit einem [Si*/Si]-Verhältnis von weniger als 0,07 Zersetzung durch Wasser, was, verglichen mit den Werten, die mit Ethanol als Lösemittel erhalten wurden (Tabelle 2), zu verschlechterten kennzeichnenden Eigenschaften ihrer Formteile und gesinterten Produkte führte, aber die Pulver C, D, E, F und G mit [Si*/Si]-Verhältnissen von nicht weniger als 0,07 erlitten keine Zersetzung und zeigten weiter verbesserte kennzeichnende Eigenschaften ihrer Formteile und gesinterten Produkte, verglichen mit jenen, die mit Ethanol als Lösemittel erhalten wurden. Tabelle 1 Tabelle 2 Tabelle 3
  • (Beispiel 3)
  • Die in Tabelle 4 gezeigten Siliciumnitridpulver mit 96% &alpha;-Kristallinität und einem mittleren Teilchendurchmesser von 0,5 m, welche mit Hilfe des Siliciumdiimid-Zersetzungsverfahrens hergestellt wurden, wurden in der Atmosphäre 10 min - 5 h lang bei Temperaturen von 700 - 950 C behandelt, woraus sich Siliciumnitridpulver ergaben, die die untenerwähnten kennzeichnenden Eigenschaften aufwiesen.
  • Der Oberflächensauerstoff (Atom-%) in den Tabellen 4 und 5 wurde mit XPS gemessen. Tabelle 4 Tabelle 5
  • Dann wurden 92 Gewichtsteile dieser Siliciumnitridpulver, 5 Gewichtsteile Y&sub2;O&sub3; mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,7 m und 3 Gewichtsteile Al&sub2;O&sub3; mit einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 0,4 µm zugegeben. Anschließend wurde nach deren Mischen durch Rühren über 5 h, währenddessen sie in Ethanol mit einer Ultraschallwelle beschallt wurden, die Mischung getrocknet, und die auf diese Weise erhaltenen Pulver wurden mit Hilfe eines Trockenpreßverfahrens in eine Gestalt mit den Maßen 130 x 65 x 6 mm gepreßt, worauf ein CIP-Formpressen bei 294,2 MPa (3000 kg/cm²) folgte. Dieses Formteil wurde in N&sub2;-Gas 5 h lang bei 1720 C gesintert, woraus sich ein primäres gesintertes Produkt ergab. Von diesem primären gesinterten Produkt wurden 20 Prüfstücke ausgeschnitten, und die relative Dichte eines jeden Prüfstückes wurde mit Hilfe des Archimedes-Verfahrens bestimmt. Danach wurde es einem sekundären Sintern durch die HIP-Behandlung 3 h lang in N&sub2; bei 1720 C bei 1000 atm unterworfen. Die relative Dichte des Produktes wurde dann gemessen, und es wurde einer 4-Punkt-Biegeprüfung gemäß JIS R1601 unterzogen. Die Meßergebnisse sind in Tabelle 6 zusammengestellt. Tabelle 6
  • Tabelle 6 zeigt, daß gesinterte Produkte aus Siliciumnitrid, die unter Verwendung der Siliciumnitridpulver erhalten wurden, welche diese Erfindung beinhalten, verglichen mit jenen der Vergleichsbeispiele, höhere Festigkeit und kleine Festigkeitsstreuungen aufweisen.
  • Wie im Vorangegangenen beschrieben, ist es durch die Verwendung von Siliciumnitridpulver nach dieser Erfindung möglich, wobei die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberflächenbereich erhöht ist, durch Sprünge und Schranken eine Verbesserung ihrer Dispergierbarkeit in dem Mischungslösemittel zu erreichen, wodurch ein Formteil erhalten wird, aus dem sich ein höher verläßliches, gesintertes Produkt aus Siliciumnitrid ergibt, welches höhere Festigkeit und kleinere Streuungen in dessen Festigkeit und Ausdehnungen aufweist.
  • Außerdem wird durch die Verwendung von Siliciumnitridpulver, in welchen zusätzlich zur Erhöhung der Menge an sauren Oberflächengruppen pro BET- Oberflächenbereich das [Si*/Si]-Verhältnis oder der Anteil des zu SiO&sub2; gehörendem Silicium [Si*] am gesamten Silicium der Oberfläche [Si], wie er mit XPS bestimmt wird, erhöht ist, die Verwendung von Wasser als Lösemittel möglich gemacht, so daß ein Formteil mit höherer Dichte und Gleichmäßigkeit herstellbar ist und daß wiederum ein gesintertes Produkt aus Siliciumnitrid, das ausgezeichnet in seinen kennzeichnenden Eigenschaften ist, bei niedrigen Kosten erhalten werden kann.
  • Durch die Verwendung von Siliciumnitridpulvern nach dieser Erfindung, in welchen die Menge ihres SiO&sub2; der Oberfläche und die Menge ihres Kohlenstoffes der Oberfläche gesteuert werden, ist überdies die Sinterfähigkeit verbessert und deren Sintervorgang so beschaffen, daß er einheitlich vor sich geht, wodurch eine gleichmäßige Produktion von gesinterten Produkten hoher Qualität mit höherer Festigkeit und kleineren Festigkeitsstreuungen ermöglicht wird.

Claims (6)

1. Siliciumnitridpulver, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil des zum SiO&sub2; gehörenden Siliciums [Si*] des gesamten Oberflächensiliciums [Si], wie er durch Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) bestimmt wird, d. h. das Atomverhältnis [Si*/Si], nicht geringer als 0,07, jedoch nicht größer als 0,50 ist, und daß die Menge an Oberflächenkohlenstoff [C], wie sie durch Röntgen- Photoelektronenspektroskopie (XPS) bestimmt wird, derart ist, daß dessen Atomverhältnis zu Silicium [C/Si] nicht größer als 0,20 ist.
2. Siliciumnitridpulver nach Anspruch 1, wobei die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberflächenbereich nicht geringer als 0,2 µeq/m² ist.
3. Siliciumnitridpulver nach Anspruch 2, wobei die durchschnittliche Primärteilchengröße nicht größer als 0,5 µm ist und die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET-Oberflächenbereich nicht geringer als 1,0 µeq/m² ist.
4. Siliciumnitridpulver nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Siliciumnitridpulver eine mittlere Teilchengröße von höchstens 1 µm aufweist und mittels des Siliciumdiimid-Zersetzungsverfahrens hergestellt wird.
5. Verfahren zur Modifizierung eines Siliciumnitridpulvers, das ein genügend langes Erhitzen des Pulvers in der Atmosphäre auf 500-850º umfaßt, um ein Pulver zu ergeben, wie es in einem der vorhergehenden Ansprüche definiert ist.
6. Verfahren zur Modifizierung eines Siliciumnitridpulvers, das ein Erhitzen von Siliciumnitridpulver in einer Atmosphäre, die mindestens 1 Vol.% Sauerstoff oder mindestens 0,5 Vol.% Dampf enthält, umfaßt, um ein Pulver zu ergeben, bei dem der Anteil des zum SiO&sub2; gehörenden Siliciums [Si*] des gesamten Oberflächensiliciums [Si], wie er durch Röntgen-Photelektronenspektroskopie (XPS) bestimmt wird, d. h. sein Atomverhältnis [Si*/Si], in einem Bereich von 0,07-0,50 liegt und außerdem die Menge an Oberflächensäuregruppen pro BET- Oberflächenbereich nicht geringer als 0,2 µeq/m² ist.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001080967A (ja) * 1999-09-06 2001-03-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Si3N4セラミックスとその製造用Si基組成物及びこれらの製造方法
JP3265364B2 (ja) 2000-06-27 2002-03-11 静岡大学長 銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法
US20060014624A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-19 Biljana Mikijelj High dielectric strength monolithic Si3N4
EP2471756A4 (de) * 2009-08-28 2015-05-27 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zur herstellung von granulat und verfahren zur herstellung eines glasprodukts
US20160159648A1 (en) * 2013-07-11 2016-06-09 Ube Industries, Ltd. Silicon nitride powder for mold release agent of casting mold for casting polycrystalline silicon ingot and method for manufacturing said silicon nitride powder, slurry containing said silicon nitride powder, casting mold for casting polycrystalline silicon ingot and method for manufacturing same, and method for manufacturing polycrystalline silicon ingot using said casting mold

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4724131A (en) * 1984-06-07 1988-02-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing α-form silicon nitride
JPH01313308A (ja) * 1988-06-09 1989-12-18 Denki Kagaku Kogyo Kk 易焼結性アルフア窒化ケイ素粉末
DE3829503A1 (de) * 1988-08-31 1990-03-01 Bayer Ag Siliciumnitridpulver mit geringem sauerstoffgehalt
DE3829502A1 (de) * 1988-08-31 1990-03-01 Bayer Ag Siliciumnitridpulver mit niedrigem isoelektrischen punkt sowie verfahren zu deren herstellung
DE3829504A1 (de) * 1988-08-31 1990-03-01 Bayer Ag Siliciumnitridpulver mit verbesserten oberflaecheneigenschaften sowie verfahren zu deren herstellung
JPH0383865A (ja) * 1989-08-25 1991-04-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 窒化珪素質焼結体およびその製造方法
JPH03159907A (ja) * 1989-11-16 1991-07-09 Denki Kagaku Kogyo Kk 窒化ケイ素粉末
DE4031070A1 (de) * 1990-10-02 1992-04-09 Bayer Ag Siliciumdiimid, verfahren zu dessen herstellung sowie daraus erhaltenes siliciumnitrid

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