JPH0216033B2 - - Google Patents
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- JPH0216033B2 JPH0216033B2 JP58210610A JP21061083A JPH0216033B2 JP H0216033 B2 JPH0216033 B2 JP H0216033B2 JP 58210610 A JP58210610 A JP 58210610A JP 21061083 A JP21061083 A JP 21061083A JP H0216033 B2 JPH0216033 B2 JP H0216033B2
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Description
［技術分野］
本発明は無電解めつきにより品質良好な回路を
形成することが可能な回路基板の製造方法に関す
るものである。 ［従来技術］ 一般に、無電解めつきによつてプリント回路板
の回路を形成する場合、絶縁ベース基材表面で無
電解めつき反応を開始させるための触媒を付与す
る必要がある。そのためパラジウム等の貴金属を
絶縁基板に付与した後に無電解めつきを行なつて
いる。しかし触媒をただ単に付与するだけでは、
プリント回路板として必要な耐熱性に優れ密着力
に富んだ無電解めつき被膜は得られない。 そこで従来では第１図乃至第４図に示す如き方
法によつて絶縁ベース基材に触媒の付与を行ない
無電解めつき用回路基板を得ている。即ち、第１
図及び第２図において、無電解めつき用回路基板
１はワニスに触媒２としてパラジウムを含む錯体
化合物を混入したものを厚紙布に含浸せしめてプ
リプレグを作成し、これを積層してベース基材３
を得、これに続いてフエノール変性ニトリルゴム
系の接着剤４にあらかじめ塩化第１錫、塩化パラ
ジウム、塩酸等の活性化液中に浸漬した触媒核５
である金属酸化物を練り込んだものをラミネート
することにより形成されている。このようにして
形成された無電解めつき用回路基板１は接着剤４
中及びベース基材３中にも触媒２を含むことにな
る。しかし、実際には回路基板表面における触媒
濃度は十分でなく、特に、スルーホール基板のス
ルーホール部の触媒濃度は低いためブローホール
等が発生し易く、これを防止するため粗化前に塩
化第１錫、塩化パラジウム、塩酸を含む活性化液
で触媒２を湿式付与する必要がある。 また、第３図に示す方法も前記第１図に示す方
法とほぼ同じ工程を経て無電解めつき用回路基板
１を形成するものであり前記第２図に示す無電解
めつき用回路基板１と異なる点はベース基材３中
に触媒２含んでいないことのみであるが、やはり
この場合においても前記した無電解めつき用回路
基板１と同様粗化前に塩化第１錫、塩化パラジウ
ム、塩酸を含む活性化液で触媒２を湿式付与する
必要がある。 このように前記した従来の無電解めつき用回路
基板は以下のような欠点を有していた。 １ 無電解めつきにおいて金属を析出させるのに
必要な触媒２および触媒核５はベース基材３に
塗布された接着剤４表面に存在すれば十分であ
り、ベース基材３および接着剤４中に含まれて
いるものは不要である。このことは回路基板の
コスト高を招来するとともに、回路基板の特性
の劣化を惹起する原因となる。 ２ 従来では、めつき触媒核５として酸化物固溶
体、例えば、ZrSiO4（ジルコンサイド）、SiO2
（シリカ）、Al2O3（アルミナ）、TiO2（酸化チタ
ン）、Al2Si2O5（OH）4（カオリナイト）等の粉砕
粉が使用されており、その粒径は通常2μ〜10μ
程度のものである。めつき触媒核５としては粒
径が細かい程、例えば1μ以下のものが望まし
く、従つて、従来のものでは接触核５の粒径が
大きいため無電解めつき用回路基板１の表面状
態がラフとなり、印刷法、ドライフイルム法に
よるパターン解像度が悪くなり、また無電解め
つき被膜の結晶性も悪くなる。 ３ 触媒核５は接着剤４に練り込んだものをベー
ス基材３表面に塗布しているので、接着剤４表
面における触媒核５の分散性は悪く、触媒核５
の表面濃度を高くするのは極めて困難である。
一方接着剤４中の触媒核５濃度を高くしすぎる
と接着剤特性が低下してしまうというジレンマ
も存在する。また、かかる如く触媒核５を付与
したベース基材３に無電解めつきを施した場
合、めつき被膜の剥離強度は25℃において通常
1.2〜2.0Kg／cmと低く、特に、高温時において
は0.3〜0.7Kg／cmと急激に低下してしまうこと
から半田耐熱性が低く、部品交換時にパターン
が基板から浮きあがるというトラブルも発生す
る。 ４ 前記した活性化溶液による触媒２の付与処理
はしばしば無電解めつき用回路基板１の絶縁抵
抗を劣化させる原因となり、また、触媒核５と
強固に結合していない余分の触媒２が存在する
とベース基材３に対するめつき被膜の密着力の
低下を惹起してしまう。 ５ ベース基材３に対するめつき被膜の密着性は
ベース基材３の表面の接着剤４層中の触媒２や
触媒核５を露出させるために行なう粗化の状況
に大きく左右され、従つて、一定品質のめつき
被膜を得るために粗化管理が難かしい。また、
粗化処理時、粗化タレ汁によりパターン以外の
所にめつき被膜が析出する等の欠点がある。 ６ 前記の如く従来の無電解めつき用回路基板１
は特殊基材、特殊接着剤を使用する必要があ
り、これにより製造工程が複残化するとともに
品質のばらつきも多く、その結果としてコスト
高を招来するものである。 ［発明の目的］ 本発明の目的は前記従来技術の欠点を改良し、
安価な一般のベース基材を使用し、触媒及び触媒
核として還元可能な金属酸化物を反応蒸着法（活
性化反応蒸着法、低圧プラズマ法）、反応性イオ
ンプレーテイング（HCD法、RFイオンプレーテ
イング、クラスタイオンビーム法、熱陰極法）、
スパツタ法等のイオンボンバード処理により絶縁
ベース基材の表面にのみフラツシユ付与すること
によりめつき被膜の密着性、半田耐熱性に優れた
回路基板の製造方法を得ることにある。 ［実施例の構成］ 以下、本発明の一実施例を第５図乃至第８図に
基づいて詳細に説明する。本実施例は無電解銅め
つき用の回路基板に係り、第５図および第６図に
おいて回路基板６は絶縁ベース基材７の表面に、
触媒核としての銅酸化物粒子８がイオンプレーテ
イング法によりフラツシユ付与されてなり、銅酸
化物粒子８はその一部が絶縁ベース基材７の表面
から露出した状態で埋着されている。このように
本実施例は、イオンプレーテイング法を利用する
ので銅酸化物粒子８はその粒径が0.02μ〜0.1μの
ほぼ均一の粒径のものが得られ、これらが絶縁ベ
ース基材３の表面に強固に保持される。ここに、
絶縁ベース基材７としては一般に使用されている
ものなら何れのものでも適用でき、例えば、ガラ
ス板、エポキシ樹脂含浸ガラス、紙、合成繊維、
クロスシート、ベークライト、ポリエステル、ポ
リイミド、ポリサルフオン、ポリカーボネート等
のシート状あるいは板状体が考えられる。また、
銅酸化物粒子８は後述の如く一般式CuxOyで表
わされる銅酸化物よりなる。なお、９はスルホー
ルであり、かかるイオンプレーテイング法によれ
ば銅酸化物粒子８はスルホール９の壁面において
も絶縁ベース基材７の表面と同様強固に埋着する
ことができる。 ［製造方法］ 続いて本実施例に係る回路基板６の製造方法に
ついて第７図および第８図に基づいて説明する。 試料としては以下のものを使用した。 絶縁ベース基材；紙フエノール、紙エポキシ プライマー ；フエノール変性ニトリルゴム系
プライマー（日本合成化学製
A5−002） ここにプライマーとは無機物質（金属酸化物）
を含まない膜厚５〜10μ程度の樹脂膜をいう。こ
れを塗布する主たる目的は、紙基材を試料とする
場合、後述するベルジヤー内でのガス発散をおさ
えることにある。 イオン蒸着試料；CuO 触媒核付与法 ；イオンプレーテイング法 〈絶縁ベース基材前処理工程〉 先ず絶縁ベース基材７の表面を機械的研磨若し
くはトリクレン蒸気で脱脂する。 〈プライマー塗布工程〉 脱脂後、乾燥膜厚が10μ程度となる様に、プラ
イマーを絶縁ベース基材７の両面に塗布する。 〈粗化工程〉 プライマーが乾燥した後、次の組成を有する粗
化液により約43℃において10分間粗化を行なう。
形成することが可能な回路基板の製造方法に関す
るものである。 ［従来技術］ 一般に、無電解めつきによつてプリント回路板
の回路を形成する場合、絶縁ベース基材表面で無
電解めつき反応を開始させるための触媒を付与す
る必要がある。そのためパラジウム等の貴金属を
絶縁基板に付与した後に無電解めつきを行なつて
いる。しかし触媒をただ単に付与するだけでは、
プリント回路板として必要な耐熱性に優れ密着力
に富んだ無電解めつき被膜は得られない。 そこで従来では第１図乃至第４図に示す如き方
法によつて絶縁ベース基材に触媒の付与を行ない
無電解めつき用回路基板を得ている。即ち、第１
図及び第２図において、無電解めつき用回路基板
１はワニスに触媒２としてパラジウムを含む錯体
化合物を混入したものを厚紙布に含浸せしめてプ
リプレグを作成し、これを積層してベース基材３
を得、これに続いてフエノール変性ニトリルゴム
系の接着剤４にあらかじめ塩化第１錫、塩化パラ
ジウム、塩酸等の活性化液中に浸漬した触媒核５
である金属酸化物を練り込んだものをラミネート
することにより形成されている。このようにして
形成された無電解めつき用回路基板１は接着剤４
中及びベース基材３中にも触媒２を含むことにな
る。しかし、実際には回路基板表面における触媒
濃度は十分でなく、特に、スルーホール基板のス
ルーホール部の触媒濃度は低いためブローホール
等が発生し易く、これを防止するため粗化前に塩
化第１錫、塩化パラジウム、塩酸を含む活性化液
で触媒２を湿式付与する必要がある。 また、第３図に示す方法も前記第１図に示す方
法とほぼ同じ工程を経て無電解めつき用回路基板
１を形成するものであり前記第２図に示す無電解
めつき用回路基板１と異なる点はベース基材３中
に触媒２含んでいないことのみであるが、やはり
この場合においても前記した無電解めつき用回路
基板１と同様粗化前に塩化第１錫、塩化パラジウ
ム、塩酸を含む活性化液で触媒２を湿式付与する
必要がある。 このように前記した従来の無電解めつき用回路
基板は以下のような欠点を有していた。 １ 無電解めつきにおいて金属を析出させるのに
必要な触媒２および触媒核５はベース基材３に
塗布された接着剤４表面に存在すれば十分であ
り、ベース基材３および接着剤４中に含まれて
いるものは不要である。このことは回路基板の
コスト高を招来するとともに、回路基板の特性
の劣化を惹起する原因となる。 ２ 従来では、めつき触媒核５として酸化物固溶
体、例えば、ZrSiO4（ジルコンサイド）、SiO2
（シリカ）、Al2O3（アルミナ）、TiO2（酸化チタ
ン）、Al2Si2O5（OH）4（カオリナイト）等の粉砕
粉が使用されており、その粒径は通常2μ〜10μ
程度のものである。めつき触媒核５としては粒
径が細かい程、例えば1μ以下のものが望まし
く、従つて、従来のものでは接触核５の粒径が
大きいため無電解めつき用回路基板１の表面状
態がラフとなり、印刷法、ドライフイルム法に
よるパターン解像度が悪くなり、また無電解め
つき被膜の結晶性も悪くなる。 ３ 触媒核５は接着剤４に練り込んだものをベー
ス基材３表面に塗布しているので、接着剤４表
面における触媒核５の分散性は悪く、触媒核５
の表面濃度を高くするのは極めて困難である。
一方接着剤４中の触媒核５濃度を高くしすぎる
と接着剤特性が低下してしまうというジレンマ
も存在する。また、かかる如く触媒核５を付与
したベース基材３に無電解めつきを施した場
合、めつき被膜の剥離強度は25℃において通常
1.2〜2.0Kg／cmと低く、特に、高温時において
は0.3〜0.7Kg／cmと急激に低下してしまうこと
から半田耐熱性が低く、部品交換時にパターン
が基板から浮きあがるというトラブルも発生す
る。 ４ 前記した活性化溶液による触媒２の付与処理
はしばしば無電解めつき用回路基板１の絶縁抵
抗を劣化させる原因となり、また、触媒核５と
強固に結合していない余分の触媒２が存在する
とベース基材３に対するめつき被膜の密着力の
低下を惹起してしまう。 ５ ベース基材３に対するめつき被膜の密着性は
ベース基材３の表面の接着剤４層中の触媒２や
触媒核５を露出させるために行なう粗化の状況
に大きく左右され、従つて、一定品質のめつき
被膜を得るために粗化管理が難かしい。また、
粗化処理時、粗化タレ汁によりパターン以外の
所にめつき被膜が析出する等の欠点がある。 ６ 前記の如く従来の無電解めつき用回路基板１
は特殊基材、特殊接着剤を使用する必要があ
り、これにより製造工程が複残化するとともに
品質のばらつきも多く、その結果としてコスト
高を招来するものである。 ［発明の目的］ 本発明の目的は前記従来技術の欠点を改良し、
安価な一般のベース基材を使用し、触媒及び触媒
核として還元可能な金属酸化物を反応蒸着法（活
性化反応蒸着法、低圧プラズマ法）、反応性イオ
ンプレーテイング（HCD法、RFイオンプレーテ
イング、クラスタイオンビーム法、熱陰極法）、
スパツタ法等のイオンボンバード処理により絶縁
ベース基材の表面にのみフラツシユ付与すること
によりめつき被膜の密着性、半田耐熱性に優れた
回路基板の製造方法を得ることにある。 ［実施例の構成］ 以下、本発明の一実施例を第５図乃至第８図に
基づいて詳細に説明する。本実施例は無電解銅め
つき用の回路基板に係り、第５図および第６図に
おいて回路基板６は絶縁ベース基材７の表面に、
触媒核としての銅酸化物粒子８がイオンプレーテ
イング法によりフラツシユ付与されてなり、銅酸
化物粒子８はその一部が絶縁ベース基材７の表面
から露出した状態で埋着されている。このように
本実施例は、イオンプレーテイング法を利用する
ので銅酸化物粒子８はその粒径が0.02μ〜0.1μの
ほぼ均一の粒径のものが得られ、これらが絶縁ベ
ース基材３の表面に強固に保持される。ここに、
絶縁ベース基材７としては一般に使用されている
ものなら何れのものでも適用でき、例えば、ガラ
ス板、エポキシ樹脂含浸ガラス、紙、合成繊維、
クロスシート、ベークライト、ポリエステル、ポ
リイミド、ポリサルフオン、ポリカーボネート等
のシート状あるいは板状体が考えられる。また、
銅酸化物粒子８は後述の如く一般式CuxOyで表
わされる銅酸化物よりなる。なお、９はスルホー
ルであり、かかるイオンプレーテイング法によれ
ば銅酸化物粒子８はスルホール９の壁面において
も絶縁ベース基材７の表面と同様強固に埋着する
ことができる。 ［製造方法］ 続いて本実施例に係る回路基板６の製造方法に
ついて第７図および第８図に基づいて説明する。 試料としては以下のものを使用した。 絶縁ベース基材；紙フエノール、紙エポキシ プライマー ；フエノール変性ニトリルゴム系
プライマー（日本合成化学製
A5−002） ここにプライマーとは無機物質（金属酸化物）
を含まない膜厚５〜10μ程度の樹脂膜をいう。こ
れを塗布する主たる目的は、紙基材を試料とする
場合、後述するベルジヤー内でのガス発散をおさ
えることにある。 イオン蒸着試料；CuO 触媒核付与法 ；イオンプレーテイング法 〈絶縁ベース基材前処理工程〉 先ず絶縁ベース基材７の表面を機械的研磨若し
くはトリクレン蒸気で脱脂する。 〈プライマー塗布工程〉 脱脂後、乾燥膜厚が10μ程度となる様に、プラ
イマーを絶縁ベース基材７の両面に塗布する。 〈粗化工程〉 プライマーが乾燥した後、次の組成を有する粗
化液により約43℃において10分間粗化を行なう。
【表】
かかる粗化の目的は、前記従来のものが主とし
て接着剤４中の触媒２や触媒核５を表面に露出さ
せるために行なつているのに対し、ベース基材７
とめつき被膜との接触面積を大きくして、その密
着力を増大するために行なうものである。 〈イオンプレーテイング工程〉 第８図に示す如くベルジヤー１０内に前記の諸
工程を経た絶縁ベース基材７をセツトし、
10-3torr程度まで排気した後、この圧力を一定に
保ちながら、高周波電源１１を作動させ高周波コ
イル１２を介して数百ワツトの高周波放電を起こ
す。この時のイオン化電極電圧は１〜2KV、イ
オン化電流は100〜200mAである。この状態で補
助電極１３に−1KVのDCバイアス電圧をかける
と、イオン化電極（高周波コイル１２）付近でイ
オン化された酸素イオン、窒素イオンが補助電極
１３へ向い加速される。この時、補助電極１３が
金網状になつていれば補助電極１３の背後にある
絶縁ベース基材７がボンバードされることにな
る。ボンバードを１分乃至５分行なつた後、放電
を止め10-5Torrまで高真空にする。次にCuOを
入れたルツボ１４を所定温度まで加熱し、ガス導
入バルブ１５より酸素ガスを導入し、続いて高周
波電源１１を作動させ、再び数百ワツトの高周波
放電を起こす。この時のイオン化電極電圧は１〜
2KV、イオン化電流は、100〜200mAである。こ
の状態で補助電極１３に−1KVのDCバイアス電
圧をかけると、イオン化電極１２付近でイオン化
された酸素イオンが補助電極１３に向い加速され
る。この状態でルツボ１４上部のシヤツター１６
を開くとCu、Cu2O、CuOの蒸気がイオン化電極
１２付近でイオン化する。イオン化電極１２付近
に生じたプラズマ内ではCu、Cu2O、CuO、O2が
イオン化したものが存在しこのイオン同志がイオ
ン分子間反応を起こしたり、再結合したりして
CuxOyイオンの形で存在すると考えられる。こ
れらが補助電極１３方向へ加速されて行き、絶縁
ベース基材７にCuxOy核が形成される。 通常CuxOyはCuに比べて絶縁ベース基材７表
面での拡散速度は遅く、フラツシユ付与した場合
200Å程度の球状粒子のかたまりが分布している
状態になる。このフラツシユ付与に関する時間は
数秒乃至数十秒である。このように形成された
CuxOy核の層は平均膜厚に換算すると、数十Å
乃至数百Å程度の膜厚となる。このようにイオン
プレーテイング時間が極端に短かくて済むため連
続ラインでの経済性にも優れている。 以上でイオンプレーテイング工程が終了しその
結果として絶縁ベース基材７表面にCuxOy粒子
が打ち込まれた形になり基材特性を下げることな
く絶縁ベース基材７表面での触媒核濃度が高くな
る。 〈無電解銅めつき工程〉 前記の如くして形成された無電解めつき用回路
基板６に対し、通常の厚づけめつきにより無電解
銅めつきを行なつたところ30μ厚の無電解銅めつ
き被膜が得られた。なお、前記の如く銅酸化物を
イオン化して絶縁ベース基材７表面に高速で衝突
させることにより得られたCuxOy核は、銅めつ
き被膜の成長軸方向に一定の配列をする性質を有
し、かかる性質はいわゆる自己触媒作用として働
くので、前記従来のものとは異なりパラジウム等
の触媒は不要となる。また、かかる自己触媒作用
を助長するため無電解めつき前に以下の組成を有
する濃厚溶液で活性化処理を行なえば、より効果
的に無電解めつきを行なうことができる。 活性化処理液 NaOH ；4N HCHO（37％溶液）；500ml／ 温 度 ；80℃ 〈物性試験〉 前記の如く得られた無電解銅めつき被膜につい
て基板との密着性（銅箔剥離試験）及び半田耐熱
性を試験したところ以下の結果を得た。 表 密着性（銅箔剥離試験）6.0Kg／cm at25C 3.2Kg／cm at150C 半田耐熱性 10分以上 at270C このように本実施例により得られた回路基板６
は従来のものでは得られない銅めつき被膜の基板
との密着性及び半田耐熱性を有することが判明し
た。 ［実施例の効果］ 以上詳細に説明した通り本実施例に係る無電解
めつき用回路基板６は絶縁ベース基材７表面に対
し銅酸化物粒子８をイオンプレーテイング法によ
り衝突せしめることにより触媒核を形成してお
り、更に、かかる触媒核は前記のように自己触媒
作用を有するので、触媒核を絶縁ベース基材７表
面に強固に固着、保持できるとともに従来のもの
のように絶縁ベース基材３や接着剤４中に含まれ
るパラジウム等の触媒は不要でありコストを低く
おさえることができる。また、絶縁ベース基材７
には触媒は含まれていないので回路基板としての
特性が低下することは全くない。 また、本実施例では金属酸化物をイオン化し、
そのイオンの高速運動性を利用するイオンプレー
テイング法により触媒核を形成しているので、銅
酸化物粒子８の粒径は平均0.02μから0.1μのもの
が得られ、したがつて、回路基板６の表面は極め
て平滑化し得るので、無電解めつきにより形成さ
れるパターン解像度は飛躍的に向上し、また、め
つき被膜の結晶性も良好となる。 更に、本実施例では従来のもののように接着剤
４中に触媒核５を練り込んだものをベース基材３
表面に塗布する必要はないので、ベース基材７表
面における触媒核（金属酸化物粒子８）の分散性
は全く問題とならず、触媒核層は平均膜厚にして
数十Ａ乃至数百Å程度の均一な層となり、従つ
て、ベース基材７に対するめつき被膜の密着性、
半田耐熱性ともに優れた回路基板を得ることがで
きる。 また、本実施例では従来のものの如く活性化溶
液による触媒２の付与処理を行なう必要がないの
で、回路基板６の絶縁抵抗が劣化する恐れは全く
ない。 ［発明の効果］ 以上説明した通り本発明は無電解めつき被膜の
絶縁ベース基材との密着性及び半田耐熱性に優れ
た回路基板の製造方法を提供し得、その奏する効
果は大である。
て接着剤４中の触媒２や触媒核５を表面に露出さ
せるために行なつているのに対し、ベース基材７
とめつき被膜との接触面積を大きくして、その密
着力を増大するために行なうものである。 〈イオンプレーテイング工程〉 第８図に示す如くベルジヤー１０内に前記の諸
工程を経た絶縁ベース基材７をセツトし、
10-3torr程度まで排気した後、この圧力を一定に
保ちながら、高周波電源１１を作動させ高周波コ
イル１２を介して数百ワツトの高周波放電を起こ
す。この時のイオン化電極電圧は１〜2KV、イ
オン化電流は100〜200mAである。この状態で補
助電極１３に−1KVのDCバイアス電圧をかける
と、イオン化電極（高周波コイル１２）付近でイ
オン化された酸素イオン、窒素イオンが補助電極
１３へ向い加速される。この時、補助電極１３が
金網状になつていれば補助電極１３の背後にある
絶縁ベース基材７がボンバードされることにな
る。ボンバードを１分乃至５分行なつた後、放電
を止め10-5Torrまで高真空にする。次にCuOを
入れたルツボ１４を所定温度まで加熱し、ガス導
入バルブ１５より酸素ガスを導入し、続いて高周
波電源１１を作動させ、再び数百ワツトの高周波
放電を起こす。この時のイオン化電極電圧は１〜
2KV、イオン化電流は、100〜200mAである。こ
の状態で補助電極１３に−1KVのDCバイアス電
圧をかけると、イオン化電極１２付近でイオン化
された酸素イオンが補助電極１３に向い加速され
る。この状態でルツボ１４上部のシヤツター１６
を開くとCu、Cu2O、CuOの蒸気がイオン化電極
１２付近でイオン化する。イオン化電極１２付近
に生じたプラズマ内ではCu、Cu2O、CuO、O2が
イオン化したものが存在しこのイオン同志がイオ
ン分子間反応を起こしたり、再結合したりして
CuxOyイオンの形で存在すると考えられる。こ
れらが補助電極１３方向へ加速されて行き、絶縁
ベース基材７にCuxOy核が形成される。 通常CuxOyはCuに比べて絶縁ベース基材７表
面での拡散速度は遅く、フラツシユ付与した場合
200Å程度の球状粒子のかたまりが分布している
状態になる。このフラツシユ付与に関する時間は
数秒乃至数十秒である。このように形成された
CuxOy核の層は平均膜厚に換算すると、数十Å
乃至数百Å程度の膜厚となる。このようにイオン
プレーテイング時間が極端に短かくて済むため連
続ラインでの経済性にも優れている。 以上でイオンプレーテイング工程が終了しその
結果として絶縁ベース基材７表面にCuxOy粒子
が打ち込まれた形になり基材特性を下げることな
く絶縁ベース基材７表面での触媒核濃度が高くな
る。 〈無電解銅めつき工程〉 前記の如くして形成された無電解めつき用回路
基板６に対し、通常の厚づけめつきにより無電解
銅めつきを行なつたところ30μ厚の無電解銅めつ
き被膜が得られた。なお、前記の如く銅酸化物を
イオン化して絶縁ベース基材７表面に高速で衝突
させることにより得られたCuxOy核は、銅めつ
き被膜の成長軸方向に一定の配列をする性質を有
し、かかる性質はいわゆる自己触媒作用として働
くので、前記従来のものとは異なりパラジウム等
の触媒は不要となる。また、かかる自己触媒作用
を助長するため無電解めつき前に以下の組成を有
する濃厚溶液で活性化処理を行なえば、より効果
的に無電解めつきを行なうことができる。 活性化処理液 NaOH ；4N HCHO（37％溶液）；500ml／ 温 度 ；80℃ 〈物性試験〉 前記の如く得られた無電解銅めつき被膜につい
て基板との密着性（銅箔剥離試験）及び半田耐熱
性を試験したところ以下の結果を得た。 表 密着性（銅箔剥離試験）6.0Kg／cm at25C 3.2Kg／cm at150C 半田耐熱性 10分以上 at270C このように本実施例により得られた回路基板６
は従来のものでは得られない銅めつき被膜の基板
との密着性及び半田耐熱性を有することが判明し
た。 ［実施例の効果］ 以上詳細に説明した通り本実施例に係る無電解
めつき用回路基板６は絶縁ベース基材７表面に対
し銅酸化物粒子８をイオンプレーテイング法によ
り衝突せしめることにより触媒核を形成してお
り、更に、かかる触媒核は前記のように自己触媒
作用を有するので、触媒核を絶縁ベース基材７表
面に強固に固着、保持できるとともに従来のもの
のように絶縁ベース基材３や接着剤４中に含まれ
るパラジウム等の触媒は不要でありコストを低く
おさえることができる。また、絶縁ベース基材７
には触媒は含まれていないので回路基板としての
特性が低下することは全くない。 また、本実施例では金属酸化物をイオン化し、
そのイオンの高速運動性を利用するイオンプレー
テイング法により触媒核を形成しているので、銅
酸化物粒子８の粒径は平均0.02μから0.1μのもの
が得られ、したがつて、回路基板６の表面は極め
て平滑化し得るので、無電解めつきにより形成さ
れるパターン解像度は飛躍的に向上し、また、め
つき被膜の結晶性も良好となる。 更に、本実施例では従来のもののように接着剤
４中に触媒核５を練り込んだものをベース基材３
表面に塗布する必要はないので、ベース基材７表
面における触媒核（金属酸化物粒子８）の分散性
は全く問題とならず、触媒核層は平均膜厚にして
数十Ａ乃至数百Å程度の均一な層となり、従つ
て、ベース基材７に対するめつき被膜の密着性、
半田耐熱性ともに優れた回路基板を得ることがで
きる。 また、本実施例では従来のものの如く活性化溶
液による触媒２の付与処理を行なう必要がないの
で、回路基板６の絶縁抵抗が劣化する恐れは全く
ない。 ［発明の効果］ 以上説明した通り本発明は無電解めつき被膜の
絶縁ベース基材との密着性及び半田耐熱性に優れ
た回路基板の製造方法を提供し得、その奏する効
果は大である。
第１図乃至第４図は従来例を示すものであり、
第１は無電解めつき用回路基板の製造工程を示す
フローチヤート、第２図は第１図の工程で得られ
た回路基板の模式断面図、第３図は他の無電解め
つき用回路基板の製造工程を示すフローチヤー
ト、第４図は第３図の工程で得られた回路基板の
模式断面図である。第５図乃至第８図は本発明の
一実施例を示すものであり、第５図は無電解めつ
き用回路基板の模式断面図、第６図は回路基板の
拡大模式断面図、第７図は回路基板の製造工程を
示すフローチヤート、第８図はイオンプレーテイ
ング装置の模式説明図である。 図中、６は無電解めつき用回路基板、７絶縁ベ
ース基材、８は銅酸化物粒子である。
第１は無電解めつき用回路基板の製造工程を示す
フローチヤート、第２図は第１図の工程で得られ
た回路基板の模式断面図、第３図は他の無電解め
つき用回路基板の製造工程を示すフローチヤー
ト、第４図は第３図の工程で得られた回路基板の
模式断面図である。第５図乃至第８図は本発明の
一実施例を示すものであり、第５図は無電解めつ
き用回路基板の模式断面図、第６図は回路基板の
拡大模式断面図、第７図は回路基板の製造工程を
示すフローチヤート、第８図はイオンプレーテイ
ング装置の模式説明図である。 図中、６は無電解めつき用回路基板、７絶縁ベ
ース基材、８は銅酸化物粒子である。
Claims (1)
- １ 金属酸化物イオンをイオンボンバード処理に
より絶縁ベース基材の表面に衝突せしめ、該基材
の表面に形成された金属酸化物粒子の一部が絶縁
ベース基材の表面から露出するように埋着した
後、前記金属酸化物粒子を触媒核として絶縁ベー
ス基材表面に無電解めつきを施したことを特徴と
する回路基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210610A JPS60102794A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 回路基板の製造方法 |
| DE19843440176 DE3440176A1 (de) | 1983-11-09 | 1984-11-02 | Zum stromlosen ueberziehen fuer ein gedrucktes schaltungsmuster vorbehandeltes substrat sowie verfahren zur herstellung desselben |
| GB08428257A GB2150948B (en) | 1983-11-09 | 1984-11-08 | Substrate processed for electroless plating for printed-wiring pattern |
| US06/906,624 US4696861A (en) | 1983-11-09 | 1986-09-10 | Substrate processed for electroless plating for printed wiring pattern and process for manufacturing the processed substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210610A JPS60102794A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102794A JPS60102794A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0216033B2 true JPH0216033B2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=16592172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58210610A Granted JPS60102794A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4696861A (ja) |
| JP (1) | JPS60102794A (ja) |
| DE (1) | DE3440176A1 (ja) |
| GB (1) | GB2150948B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4737446A (en) * | 1986-12-30 | 1988-04-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for making multilayer circuits using embedded catalyst receptors |
| JPH0634448B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1994-05-02 | 株式会社日立製作所 | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| JPH0628941B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1994-04-20 | 株式会社日立製作所 | 回路基板及びその製造方法 |
| JP4029517B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2008-01-09 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法及び半導体装置 |
| JP2005050992A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Toshiba Corp | 配線基板および多層配線基板 |
| JP4130407B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2008-08-06 | 株式会社東芝 | 電子回路の製造方法 |
| TW200521171A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Toshiba Kk | Resin particles and resin layer containing metal micro particles, its forming method and circuit base board |
| JP2005195690A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Toshiba Corp | 金属含有樹脂粒子、樹脂粒子、及び電子回路の製造方法 |
| KR100645407B1 (ko) * | 2004-04-08 | 2006-11-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 화상 형성 장치와 그것을 이용한 전자 회로의 제조 방법 |
| JP2005303090A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Toshiba Corp | 配線基板および配線基板の製造方法 |
| JP4488784B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 電子回路の製造方法および電子回路 |
| JP4993848B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2012-08-08 | 三洋電機株式会社 | 配線基材 |
| DE102012202627A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Innovent E.V. | Verfahren zur Metallisierung eines Substrats |
| JP5993676B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-09-14 | 三恵技研工業株式会社 | 表面光輝品の製造方法 |
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Family Cites Families (17)
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|---|---|---|---|---|
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| GB979779A (en) * | 1961-01-09 | 1965-01-06 | Photocircuits Corp | Method of making printed circuits |
| JPS462162Y1 (ja) * | 1966-05-04 | 1971-01-25 | ||
| JPS4955723A (ja) * | 1972-10-03 | 1974-05-30 | ||
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