JPH04239538A - 表面硬化無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板 - Google Patents
表面硬化無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板Info
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- JPH04239538A JPH04239538A JP3021488A JP2148891A JPH04239538A JP H04239538 A JPH04239538 A JP H04239538A JP 3021488 A JP3021488 A JP 3021488A JP 2148891 A JP2148891 A JP 2148891A JP H04239538 A JPH04239538 A JP H04239538A
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Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面硬化無機保護膜の
密着性を向上させた透明樹脂基板に関するものである。
密着性を向上させた透明樹脂基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面硬化無機保護膜の密着性を向
上させた透明樹脂基板としては、表面硬化無機保護膜と
透明樹脂基板との間にスプレー法、ディッピング法、ス
ピンコーティング法などによりプライマー層を形成した
ものなどがある。
上させた透明樹脂基板としては、表面硬化無機保護膜と
透明樹脂基板との間にスプレー法、ディッピング法、ス
ピンコーティング法などによりプライマー層を形成した
ものなどがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な従来の表面硬化無機保護膜の密着性を向上せた透明樹
脂基板にあっては、プライマー層としてアクリル系、ウ
レタン系、ポリエステル系コーティング剤などの様な有
機化合物を使用しているために必ずしも密着性が向上せ
ず、表面硬化無機保護膜が剥がれてしまって例えば車両
のウィンドゥの様な摩擦の激しい部分には使用できない
という問題点があった。
な従来の表面硬化無機保護膜の密着性を向上せた透明樹
脂基板にあっては、プライマー層としてアクリル系、ウ
レタン系、ポリエステル系コーティング剤などの様な有
機化合物を使用しているために必ずしも密着性が向上せ
ず、表面硬化無機保護膜が剥がれてしまって例えば車両
のウィンドゥの様な摩擦の激しい部分には使用できない
という問題点があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を解決し、表面硬化
無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板を提供す
ることを目的としている。
無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板を提供す
ることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に大きさ
数０．１ 〜１μｍ の微細な凹凸が形成されているか
または珪素、酸素、炭素から成る中間膜が形成されてい
る透明樹脂基板上に、 ＳｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ
ｙ Ｎ ｚ （ｙ≦３ 、 ｚ≦４）、アモルファス
状炭素のうち少なくとも一種類の表面硬化無機保護膜が
形成されて成ることを特徴とする透明樹脂基板に関する
ものである。
数０．１ 〜１μｍ の微細な凹凸が形成されているか
または珪素、酸素、炭素から成る中間膜が形成されてい
る透明樹脂基板上に、 ＳｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ
ｙ Ｎ ｚ （ｙ≦３ 、 ｚ≦４）、アモルファス
状炭素のうち少なくとも一種類の表面硬化無機保護膜が
形成されて成ることを特徴とする透明樹脂基板に関する
ものである。
【０００６】この発明において使用可能な透明樹脂基板
としては、透明な樹脂基板から任意に選択されるが、例
えばポリカーボネート、アクリルなどから成る基板が用
いられる。
としては、透明な樹脂基板から任意に選択されるが、例
えばポリカーボネート、アクリルなどから成る基板が用
いられる。
【０００７】次に、表面に大きさ数０．１ 〜１μｍ
の微細な凹凸が形成されている透明樹脂基板を用いる場
合には、先ず透明樹脂基板を洗浄する。透明樹脂基板の
洗浄は、イソプロピルアルコールによる脱脂処理の後に
純水リンスおよび窒素ブロー乾燥をする。
の微細な凹凸が形成されている透明樹脂基板を用いる場
合には、先ず透明樹脂基板を洗浄する。透明樹脂基板の
洗浄は、イソプロピルアルコールによる脱脂処理の後に
純水リンスおよび窒素ブロー乾燥をする。
【０００８】次にこの基板をプラズマＣＶＤ装置にセッ
トする。一般に透明樹脂基板の表面硬化無機保護膜は、
真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなど
従来から行なわれている方法で形成可能であるが、特に
プラズマＣＶＤ法が望ましい。ここでプラズマＣＶＤ法
とは、原料ガスをエネルギー密度の高いプラズマ状態中
に導入して分解させ、基板へ化学反応によって目的の材
料を被覆させる方法であり、用いる装置は通常使用され
るいずれのものでもよく、例えば平行平板電極型、容量
結合型または誘導結合型などが使用可能である。装置内
圧力は２×１０−１Ｔｏｒｒ程度が望ましいが、１０−
２〜１Ｔｏｒｒ程度ならば差し支えない。また、電源周
波数としてはオーディオ波からマイクロ波領域まで幅広
く使用することができる。
トする。一般に透明樹脂基板の表面硬化無機保護膜は、
真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなど
従来から行なわれている方法で形成可能であるが、特に
プラズマＣＶＤ法が望ましい。ここでプラズマＣＶＤ法
とは、原料ガスをエネルギー密度の高いプラズマ状態中
に導入して分解させ、基板へ化学反応によって目的の材
料を被覆させる方法であり、用いる装置は通常使用され
るいずれのものでもよく、例えば平行平板電極型、容量
結合型または誘導結合型などが使用可能である。装置内
圧力は２×１０−１Ｔｏｒｒ程度が望ましいが、１０−
２〜１Ｔｏｒｒ程度ならば差し支えない。また、電源周
波数としてはオーディオ波からマイクロ波領域まで幅広
く使用することができる。
【０００９】基板を装置にセットした後に真空に排気す
る。１０−５Ｔｏｒｒ台になったら、基板の脱ガスのた
めに基板温度を約 １００℃に上げて数分間保持した後
に室温に戻す。真空度が１０−６Ｔｏｒｒ台になったら
、Ｎ２Ｏ またはＯ２ガスを流してコンダクタンスバル
ブにより真空度を ０．２Ｔｏｒｒに設定し、次にプラ
ズマを発生させて透明樹脂基板をエッチングする。
る。１０−５Ｔｏｒｒ台になったら、基板の脱ガスのた
めに基板温度を約 １００℃に上げて数分間保持した後
に室温に戻す。真空度が１０−６Ｔｏｒｒ台になったら
、Ｎ２Ｏ またはＯ２ガスを流してコンダクタンスバル
ブにより真空度を ０．２Ｔｏｒｒに設定し、次にプラ
ズマを発生させて透明樹脂基板をエッチングする。
【００１０】この様にして透明樹脂基板表面に形成され
る凹凸の大きさは、プラズマパワーと処理時間によって
０．１〜１μｍ まで自在に変化させることができる
。
る凹凸の大きさは、プラズマパワーと処理時間によって
０．１〜１μｍ まで自在に変化させることができる
。
【００１１】所定時間が経過したら、プラズマを切りＮ
２Ｏ またはＯ２ガスも止める。反応室内にＮ２Ｏ ま
たはＯ２ガスが存在しないように、真空度が１０−６Ｔ
ｏｒｒになるまで待つ。
２Ｏ またはＯ２ガスも止める。反応室内にＮ２Ｏ ま
たはＯ２ガスが存在しないように、真空度が１０−６Ｔ
ｏｒｒになるまで待つ。
【００１２】また表面に珪素、酸素、炭素から成る中間
膜が形成されている透明樹脂基板を用いる場合には、中
間膜は上記のプラズマＣＶＤ法を使用し、原料として有
機珪素化合物、酸素原料ガスを用いて珪素、酸素、炭素
から成る中間膜を形成する。
膜が形成されている透明樹脂基板を用いる場合には、中
間膜は上記のプラズマＣＶＤ法を使用し、原料として有
機珪素化合物、酸素原料ガスを用いて珪素、酸素、炭素
から成る中間膜を形成する。
【００１３】本発明において用いられる有機珪素化合物
は珪素に炭素を含む基が結合しているものから任意に選
択されるのが好ましい。これらの有機珪素化合物が常温
で液体である場合は、恒温槽により有機珪素化合物の入
った容器全体を加熱して気化させて所定の流量で制御し
、装置に導入する。有機珪素化合物としてはテトラエト
キシシラン、テトラメチルジシロキサン、ジメトキシジ
メチルシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラメト
キシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジエトキシジ
メチルシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチ
ルシクロテトラシラン等が好適に用いられる。これらの
有機珪素化合物は、その一種類を単独で用いてもよく、
二種類以上を併用してもよい。
は珪素に炭素を含む基が結合しているものから任意に選
択されるのが好ましい。これらの有機珪素化合物が常温
で液体である場合は、恒温槽により有機珪素化合物の入
った容器全体を加熱して気化させて所定の流量で制御し
、装置に導入する。有機珪素化合物としてはテトラエト
キシシラン、テトラメチルジシロキサン、ジメトキシジ
メチルシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラメト
キシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジエトキシジ
メチルシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチ
ルシクロテトラシラン等が好適に用いられる。これらの
有機珪素化合物は、その一種類を単独で用いてもよく、
二種類以上を併用してもよい。
【００１４】酸素原料ガスとしてはＮ２Ｏ 、Ｏ２ガス
があるが、いずれのものでも好ましい。またこの中間膜
の膜厚は、０．１ 〜１μｍ が望ましい。
があるが、いずれのものでも好ましい。またこの中間膜
の膜厚は、０．１ 〜１μｍ が望ましい。
【００１５】いずれの基板を用いる場合も続いて、 Ｓ
ｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ ｙ Ｎ ｚ （ｙ≦３
、 ｚ≦４）、アモルファス状炭素のうち少なくとも一
種類の表面硬化無機保護膜を上述と同様にプラズマＣＶ
Ｄ法で、上記凹凸の形成された表面または中間膜の上に
形成させる。表面硬化無機保護膜の膜厚は１〜５μｍ
が良いが、１μｍ より薄いと十分な耐擦傷性が現われ
ず、また５μｍ より厚いと密着性が落ちるため好まし
くない。
ｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ ｙ Ｎ ｚ （ｙ≦３
、 ｚ≦４）、アモルファス状炭素のうち少なくとも一
種類の表面硬化無機保護膜を上述と同様にプラズマＣＶ
Ｄ法で、上記凹凸の形成された表面または中間膜の上に
形成させる。表面硬化無機保護膜の膜厚は１〜５μｍ
が良いが、１μｍ より薄いと十分な耐擦傷性が現われ
ず、また５μｍ より厚いと密着性が落ちるため好まし
くない。
【００１６】上述の様にして得られる中間膜の中には、
原料として用いている有機珪素化合物に炭素が含まれて
いる関係上、必然的に炭素が含まれる。一般に炭素は炭
素−炭素、炭素−珪素結合を形成しやすく、またこれら
の結合エネルギーも比較的大きい。このため中間膜中の
炭素が透明樹脂基板の炭素と、また表面硬化無機保護膜
の珪素または炭素と結合して、いわば中間膜が炭素を介
して一種のカップリング剤としての機能を発揮して、表
面硬化無機保護膜と透明樹脂基板とを強固に密着させる
のである。酸素原料ガス／有機珪素化合物流量比、プラ
ズマパワーを適当に変えることにより、中間膜中の炭素
量を自在に制御することが可能となる。
原料として用いている有機珪素化合物に炭素が含まれて
いる関係上、必然的に炭素が含まれる。一般に炭素は炭
素−炭素、炭素−珪素結合を形成しやすく、またこれら
の結合エネルギーも比較的大きい。このため中間膜中の
炭素が透明樹脂基板の炭素と、また表面硬化無機保護膜
の珪素または炭素と結合して、いわば中間膜が炭素を介
して一種のカップリング剤としての機能を発揮して、表
面硬化無機保護膜と透明樹脂基板とを強固に密着させる
のである。酸素原料ガス／有機珪素化合物流量比、プラ
ズマパワーを適当に変えることにより、中間膜中の炭素
量を自在に制御することが可能となる。
【００１７】この様にして得られた表面硬化無機保護膜
の密着性は、碁盤目剥離法によって評価した。この方法
は以下のとおりである。カッターで表面硬化保護膜に幅
１ｍｍのメッシュを １００個作製し、次にここへテー
プを貼付けて良く密着させる。この後テープを一気に剥
して、剥がれずに残ったメッシュの数を数える。剥がれ
たメッシュの数が多ければ多いほど密着性は劣っている
と言える。
の密着性は、碁盤目剥離法によって評価した。この方法
は以下のとおりである。カッターで表面硬化保護膜に幅
１ｍｍのメッシュを １００個作製し、次にここへテー
プを貼付けて良く密着させる。この後テープを一気に剥
して、剥がれずに残ったメッシュの数を数える。剥がれ
たメッシュの数が多ければ多いほど密着性は劣っている
と言える。
【００１８】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
【００１９】実施例１
図１は実施例１の工程を示す図である。透明樹脂基板１
としてポリカーボネ−ト板を脱脂洗浄、乾燥した後に平
行平板型プラズマＣＶＤ法装置（電源周波数１３．５６
ＭＨｚ ） にセットした。真空に排気して、２×１０
−５Ｔｏｒｒになったら、Ｏ２ガスを１００ｍｌ 流し
た。圧力を０．２ Ｔｏｒｒに設定してから、電力を印
加してプラズマを発生させて、透明樹脂基板上に大きさ
０．３μｍ の凹凸を形成させた。この処理が終了し
た後、基板温度を室温にしてから原料ガスＳｉＨ４、Ｎ
２Ｏ を装置内に導入して圧力を２×１０−１Ｔｏｒｒ
に設定し、プラズマを発生させてＳｉＯ２からなる無機
薄膜２を３μｍ 形成した。
としてポリカーボネ−ト板を脱脂洗浄、乾燥した後に平
行平板型プラズマＣＶＤ法装置（電源周波数１３．５６
ＭＨｚ ） にセットした。真空に排気して、２×１０
−５Ｔｏｒｒになったら、Ｏ２ガスを１００ｍｌ 流し
た。圧力を０．２ Ｔｏｒｒに設定してから、電力を印
加してプラズマを発生させて、透明樹脂基板上に大きさ
０．３μｍ の凹凸を形成させた。この処理が終了し
た後、基板温度を室温にしてから原料ガスＳｉＨ４、Ｎ
２Ｏ を装置内に導入して圧力を２×１０−１Ｔｏｒｒ
に設定し、プラズマを発生させてＳｉＯ２からなる無機
薄膜２を３μｍ 形成した。
【００２０】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は０個であった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は０個であった。
【００２１】実施例２
透明樹脂基板としてポリカーボネートの代わりにアクリ
ル樹脂を用い他の工程は実施例１と同様である。
ル樹脂を用い他の工程は実施例１と同様である。
【００２２】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は０個であった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は０個であった。
【００２３】実施例３
表面硬化無機保護膜として実施例１のＳｉＯ２の代わり
に原料ガスとしてＳｉＨ４、Ｎ２を用いてＳｉ３Ｎ４
からなる無機薄膜２を４μｍ 形成した。
に原料ガスとしてＳｉＨ４、Ｎ２を用いてＳｉ３Ｎ４
からなる無機薄膜２を４μｍ 形成した。
【００２４】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がされ
たメッシュの個数は０個であった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がされ
たメッシュの個数は０個であった。
【００２５】実施例４
無機薄膜として、実施例１のＳｉＯ２の代わりに原料ガ
スとしてＣＨ４ 、Ｈ２を用いてアモルファス状炭素を
２μｍ 形成した。他の工程は実施例１と同様である。
スとしてＣＨ４ 、Ｈ２を用いてアモルファス状炭素を
２μｍ 形成した。他の工程は実施例１と同様である。
【００２６】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は０個であった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は０個であった。
【００２７】比較例１
ポリカーボネート基板上へプライマー層としてアクリル
ポリマー（ＰＨ９１、東芝シリコン社製、商標名） を
スプレー法により１．２５μｍ 形成した上に、表面硬
化層として東芝シリコン社製トスガード５１０ （ 固
形分コロイダル状シリカ、メチルシルセスキシロキサン
、溶剤エタノール、イソブタノール、セロソルプアセテ
ート） を流し塗り法により９μｍ 形成した。
ポリマー（ＰＨ９１、東芝シリコン社製、商標名） を
スプレー法により１．２５μｍ 形成した上に、表面硬
化層として東芝シリコン社製トスガード５１０ （ 固
形分コロイダル状シリカ、メチルシルセスキシロキサン
、溶剤エタノール、イソブタノール、セロソルプアセテ
ート） を流し塗り法により９μｍ 形成した。
【００２８】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は１〜２個であった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表１に示すように剥がれた
メッシュの個数は１〜２個であった。
【００２９】表１
【００３０】比較例２
ポリカーボネート基板上へプライマー層としてアクリル
ポリマー（ＰＨ９１、東芝シリコン社製、商標名） を
スプレー法により１．２５μｍ 形成した上に、原料と
してＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ ガスを使用して表面硬化無機保
護膜ＳｉＯ２を４μｍ 形成した。
ポリマー（ＰＨ９１、東芝シリコン社製、商標名） を
スプレー法により１．２５μｍ 形成した上に、原料と
してＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ ガスを使用して表面硬化無機保
護膜ＳｉＯ２を４μｍ 形成した。
【００３１】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表２に示すように全メッシ
ュ１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は１５個で
あった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表２に示すように全メッシ
ュ１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は１５個で
あった。
【００３２】実施例５
図２は実施例５の工程を示す図である。透明樹脂基板１
としてポリカーボネート板を使用した。
としてポリカーボネート板を使用した。
【００３３】まず透明樹脂基板３を、イソプロピルアル
コールにより脱脂処理した後に純水リンスおよび窒素ブ
ロー乾燥して洗浄した。
コールにより脱脂処理した後に純水リンスおよび窒素ブ
ロー乾燥して洗浄した。
【００３４】次に、この基板をプラズマＣＶＤ装置にセ
ットした後に真空に排気した。２×１０−５Ｔｏｒｒで
、基板の脱ガスのために基板温度を１００℃に上げて５
分間保持した後に室温に戻し、真空度が２×１０−６Ｔ
ｏｒｒになるまで排気を続けた。
ットした後に真空に排気した。２×１０−５Ｔｏｒｒで
、基板の脱ガスのために基板温度を１００℃に上げて５
分間保持した後に室温に戻し、真空度が２×１０−６Ｔ
ｏｒｒになるまで排気を続けた。
【００３５】真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒで、有機珪
素化合物としてテトラエトキシシラン、酸素原料ガスと
してＮ２Ｏ を用い、それぞれを所定流量装置に導入し
て、テトラエトキシシラン、Ｎ２Ｏ の流量が安定した
ところで電力を印加してプラズマを発生させ、透明樹脂
基板上へ、珪素、酸素、炭素より成り組成比が珪素：酸
素：炭素＝１：１．８ ：０．１ であるような中間膜
４を１μｍ 形成させた。組成分析はＸＰＳ によった
。この後、プラズマを切り、原料導入も止めて成長室内
の真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒになるまで待った。
素化合物としてテトラエトキシシラン、酸素原料ガスと
してＮ２Ｏ を用い、それぞれを所定流量装置に導入し
て、テトラエトキシシラン、Ｎ２Ｏ の流量が安定した
ところで電力を印加してプラズマを発生させ、透明樹脂
基板上へ、珪素、酸素、炭素より成り組成比が珪素：酸
素：炭素＝１：１．８ ：０．１ であるような中間膜
４を１μｍ 形成させた。組成分析はＸＰＳ によった
。この後、プラズマを切り、原料導入も止めて成長室内
の真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒになるまで待った。
【００３６】真空度が２×１０−６Ｔｏｒｒ台で、更に
続いて原料ガスＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ を装置内に導入して
圧力を２×１０−１Ｔｏｒｒに設定し、プラズマを発生
させてＳｉＯ２からなる表面硬化無機保護膜５を３μｍ
形成した。なお、中間および表面硬化無機保護膜の形
成に際して使用したプラズマ周波数は、いずれも１３．
５６ＭＨｚであった。
続いて原料ガスＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ を装置内に導入して
圧力を２×１０−１Ｔｏｒｒに設定し、プラズマを発生
させてＳｉＯ２からなる表面硬化無機保護膜５を３μｍ
形成した。なお、中間および表面硬化無機保護膜の形
成に際して使用したプラズマ周波数は、いずれも１３．
５６ＭＨｚであった。
【００３７】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表面２に示すように全メッ
シュ１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数で０個で
あった。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表面２に示すように全メッ
シュ１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数で０個で
あった。
【００３８】実施例６
表面硬化無機保護膜として、実施例５のＳｉＯ２の代わ
りに原料ガスＳｉＨ４、Ｎ２を用いてＳｉ３Ｎ４ を４
μｍ 形成した。他の工程は実施例５と同様とした。
りに原料ガスＳｉＨ４、Ｎ２を用いてＳｉ３Ｎ４ を４
μｍ 形成した。他の工程は実施例５と同様とした。
【００３９】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜密着性を碁盤目剥離
法によって評価した結果、表２に示すようにメッシュ１
００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は０個てあった
。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜密着性を碁盤目剥離
法によって評価した結果、表２に示すようにメッシュ１
００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は０個てあった
。
【００４０】実施例７
表面硬化無機保護膜として、実施例５のＳｉＯ２の代わ
りに原料ガスＣＨ４ 、Ｎ２を用いてアモルファス状炭
素を２μｍ 形成した。他の工程は実施例５と同様とし
た。
りに原料ガスＣＨ４ 、Ｎ２を用いてアモルファス状炭
素を２μｍ 形成した。他の工程は実施例５と同様とし
た。
【００４１】この様にして得られた、表面に硬化無機保
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表２に示すように全メッシ
ュ１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は０個であ
った。
護膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥
離法によって評価した結果、表２に示すように全メッシ
ュ１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は０個であ
った。
【００４２】実施例８
透明樹脂基板として、実施例５のポリカ−ボネート板の
代わりにアクリル板を用いた。他の工程は実施例５と同
様とした。この様にして得られた、表面に硬化無機保護
膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥離
法によって評価した結果、表２に示すように全メッシュ
１００ 個のうち剥がれた個数は０個であった。
代わりにアクリル板を用いた。他の工程は実施例５と同
様とした。この様にして得られた、表面に硬化無機保護
膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥離
法によって評価した結果、表２に示すように全メッシュ
１００ 個のうち剥がれた個数は０個であった。
【００４３】実施例９
透明樹脂基板として、実施例７のポリカ−ボネート板の
代わりにアクリル板を用いた。他の工程は実施例７と同
様とした。この様にして得られた、表面に硬化無機保護
膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥離
法によって評価した結果、表２に示すように全メッシュ
１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は０個であっ
た。
代わりにアクリル板を用いた。他の工程は実施例７と同
様とした。この様にして得られた、表面に硬化無機保護
膜を形成させた透明樹脂基板の膜の密着性を碁盤目剥離
法によって評価した結果、表２に示すように全メッシュ
１００ 個のうち剥がれたメッシュの個数は０個であっ
た。
【００４４】実施例１０
中間膜として、組成が実施例５のものの代わりに珪素：
酸素：炭素＝１：１．６ ：０．２ である膜を用いた
。他の工程は実施例５と同様とした。この様にして得ら
れた、表面に硬化無機保護膜を形成させた透明樹脂基板
の膜の密着性を碁盤目剥離法によって評価した結果、表
２に示すように全メッシュ１００ 個のうち剥がれたメ
ッシュの個数は０個であった。
酸素：炭素＝１：１．６ ：０．２ である膜を用いた
。他の工程は実施例５と同様とした。この様にして得ら
れた、表面に硬化無機保護膜を形成させた透明樹脂基板
の膜の密着性を碁盤目剥離法によって評価した結果、表
２に示すように全メッシュ１００ 個のうち剥がれたメ
ッシュの個数は０個であった。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、透明樹脂基板表面に、
大きさ０．１ 〜１μｍ の微細な凹凸を形成した透明
樹脂基板または珪素、酸素、炭素から成る中間膜を形成
した上に、更に ＳｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ ｙ
Ｎ ｚ （ｙ≦３ 、 ｚ≦４）、アモルファス状炭素
のうち少なくとも一種類の表面硬化無機保護膜を形成す
ることにより、表面硬化無機保護膜の密着性が著しく向
上するという効果がある。
大きさ０．１ 〜１μｍ の微細な凹凸を形成した透明
樹脂基板または珪素、酸素、炭素から成る中間膜を形成
した上に、更に ＳｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ ｙ
Ｎ ｚ （ｙ≦３ 、 ｚ≦４）、アモルファス状炭素
のうち少なくとも一種類の表面硬化無機保護膜を形成す
ることにより、表面硬化無機保護膜の密着性が著しく向
上するという効果がある。
【図１】実施例１の透明樹脂基板の製造工程を示す系統
図である。
図である。
【図２】実施例５の透明樹脂基板の製造工程を示す系統
図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に大きさ数０．１ 〜１μｍ の
微細な凹凸が形成されているかまたは珪素、酸素、炭素
から成る中間膜が形成されている透明樹脂基板上に、Ｓ
ｉＯｘ （ｘ≦２）、 Ｓｉ ｙ Ｎ ｚ （ｙ≦３
、 ｚ≦４）、アモルファス状炭素のうち少なくとも一
種類の表面硬化無機保護膜が形成されて成ることを特徴
とする透明樹脂基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021488A JPH04239538A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 表面硬化無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021488A JPH04239538A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 表面硬化無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239538A true JPH04239538A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=12056364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3021488A Pending JPH04239538A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | 表面硬化無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239538A (ja) |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3021488A patent/JPH04239538A/ja active Pending
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