JP3773340B2 - 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法 - Google Patents

低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3773340B2
JP3773340B2 JP31599297A JP31599297A JP3773340B2 JP 3773340 B2 JP3773340 B2 JP 3773340B2 JP 31599297 A JP31599297 A JP 31599297A JP 31599297 A JP31599297 A JP 31599297A JP 3773340 B2 JP3773340 B2 JP 3773340B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refractive index
film
low refractive
sio
antireflection film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31599297A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10230561A (ja
Inventor
公二 市村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP31599297A priority Critical patent/JP3773340B2/ja
Priority to US08/985,904 priority patent/US20020001725A1/en
Priority to DE1997629429 priority patent/DE69729429T2/de
Priority to EP19970122311 priority patent/EP0849374B1/en
Publication of JPH10230561A publication Critical patent/JPH10230561A/ja
Priority to US10/470,580 priority patent/US7348041B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3773340B2 publication Critical patent/JP3773340B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31667—Next to addition polymer from unsaturated monomers, or aldehyde or ketone condensation product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カーブミラー、バックミラー、ゴーグル、窓ガラス、及びパソコン・ワープロ等のディスプレイ、その他商業用ディスプレイ等の各種表面における光の反射防止膜に適用される低屈折率ＳｉＯ2 膜及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ワープロ、コンピュータ、テレビ等の各種ディスプレイや各種光学レンズ、光学物品、自動車、電車等の窓ガラスの表面における光の反射防止をするために、これらの物品の表面に、反射防止フィルムを貼着することが行われている。
【０００３】
反射防止膜として、例えば、ガラス上に形成された膜厚０．１μｍ程度のＭｇＦ2 の薄膜の場合を説明する。入射光が薄膜に垂直に入射する場合に、特定の波長をλ0 とし、この波長に対する反射防止膜の屈折率をｎ0 、反射防止膜の厚みをｈ、および基板の屈折率をｎg とすると、反射防止膜が光の反射を１００％防止し、光を１００％透過するための条件は、次の式（１）および式（２）の関係を満たすことが必要であることは既に知られている（サイエンスライブラリ 物理学＝９「光学」７０〜７２頁、昭和５５年，株式会社サイエンス社発行）。
【０００４】
【数１】
Figure 0003773340
【０００５】
ガラスの屈折率ｎg ＝約１．５であり、ＭｇＦ2 膜の屈折率ｎ0 ＝１．３８、入射光の波長λ0 ＝５５００Å（基準）と既に知られているので、これらの値を前記式（２）に代入すると、反射防止膜の厚みｈは約０．１μｍ前後の光学薄膜が最適であると計算される。したがって、従来このような厚みの光学薄膜が反射防止膜に使用されていた。このような光学薄膜の形成には、真空蒸着処理、スパッタリング処理、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ等の真空処理が適していることが知られている。
【０００６】
また、前記式（１）によれば、光の反射を１００％防止するためには、上層膜の屈折率がその下層膜の屈折率の約平方根の値になるような材料を選択すればよいことが分かり、従来、このような原理を利用して、上層膜の屈折率をその下層膜の屈折率よりも低い値とすること、即ち、基板上に高屈折率層、低屈折率層の順に薄膜を設けることにより光の反射防止が行われていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来、ＳｉＯ2 膜は一般に低屈折率の膜として知られていることから反射防止膜等によく用いられているが、種々の層構成とした反射防止膜において、さらに低い低屈折率膜が要望されている。
【０００８】
そこで本発明は、ＳｉＯ2 膜とするための原料を用い、しかもその屈折率が本来のＳｉＯ2 膜よりも低い屈折率のＳｉＯ2 膜を形成した反射防止フィルムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の反射防止フィルムは、基材上にＩＴＯ層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ 2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする。
別の本発明の反射防止フィルムは、基材上にＴｉＯ 2 層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ 2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする。
【００１０】
ＳｉＯ2 成膜原料に炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入されて成膜されることにより、ＳｉＯ2 膜自体の屈折率よりもさらに低い屈折率の膜となる。本発明の低屈折率要素が導入されたＳｉＯ2 膜は本来のＳｉＯ2 膜よりも低屈折率であるので、反射防止膜の上層膜として有用である。
【００１２】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜の製造方法は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含むガス、及びＯ原子を含むガスを原料ガスとし、ＣＶＤ法により基材上に薄膜を形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜の製造方法のさらに限定した方法は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含む有機化合物の揮発ガス、及びＯ原子を含むガスとからなる混合ガスを１０-3〜１ｍｍＨｇ（Ｔｏｒｒ）の真空条件に維持された真空チャンバー内に導入して、グロー放電によりプラズマ流とし、前記プラズマ流を該真空チャンバー内に配置された基材上に接触させることにより、基材上に薄膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明のＣＶＤ法により形成される膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含む有機化合物の揮発ガス、及びＯ原子を含むガスとからなる混合ガスを使用して形成されているので、形成されたＣＶＤ膜は、Ｓｉ原子が酸化された実質的に無機質のＳｉＯ2 膜となり、低屈折率要素を含むガスを使用しない膜に比べて、本来のＳｉＯ2 膜よりも低屈折率の膜となる。また、得られた低屈折率膜は、高硬度で付着強度の高い膜となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を製造するためのプラズマＣＶＤ装置の構成例を模式的に示したものである。図１において１は、その内部を所望の真空度に設定することができる真空チャンバーである。該真空チャンバー１内に、ウェッブ２の巻出し及び巻取りを行うことができ、ウェッブ２の正走行及び逆走行機能が付与された一対のロール３、４を含む巻出巻取機構が配置されている。ロール３及びロール４の間を走行するウェッブ２の面に対してプラズマＣＶＤ処理を行うためのプラズマゾーン５が配置されている。該プラズマゾーン５には、混合原料ガスを噴出する部分と平板電極６と、ウェッブ２を安定して走行させることができ且つアースされている成膜ドラム７が含まれる。前記平板電極６としては、不活性ガスを噴出させることでプラズマを生成するガス噴出電極を用いることができる。
【００１６】
本発明のＣＶＤ法により低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成するための原料には、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない低屈折率要素を含むガス、及びＯ原子を含むガスが使用される。
【００１８】
Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料は、低屈折率膜の主原料である。炭素原子が１〜４個のアルキル基、特にメチル基、エチル基は本来のＳｉＯ2 膜の屈折率よりも、屈折率を低下させる目的で導入される。Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料は、真空チャンバー内に導入される際にはガス化される。本発明において、ガス化原料のアルキル基の炭素原子数を１〜４個と限定した理由は、炭素原子数が５個以上のアルキル基を有する原料だと、ＣＶＤの際に蒸気となり難く、低屈折率膜を形成することが困難となるからである。
【００１９】
このようなガス化可能なＳｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含む原料には、ヘキサメチルジシロキサン（略語：ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（略語：ＴＭＤＳＯ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン等の含Ｓｉ有機化合物が使用でき、好ましくはＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯが挙げられ、特に好ましくはＨＭＤＳＯである。これらの分子中には、メチル基、エチル基等の炭素原子が１〜４個のアルキル基、Ｓｉ原子及びＯ原子を含む。
【００２２】
Ｏ原子を含むガスは、Ｓｉ原料を酸化させてＳｉＯ2 とするために使用される。
【００２３】
上記の各ガスからなる混合ガスには、望ましい性質を付与する目的でさらに他のガス状物質を添加してもよい。
【００２４】
上記Ｓｉ原料ガスを含む混合ガスを真空チャンバーへ導入する流量（ＳＬＭ）比は、１：０．１〜２０が望ましい。
【００２５】
プラズマＣＶＤを行う際には真空チャンバー内は１０-3〜１ｍｍＨｇ（Ｔｏｒｒ）の圧力に維持することが望ましい。
【００２６】
本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜が形成された製品の好ましい形態として反射防止フィルムを例にして以下に説明する。基材としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材を用いる（東レ株式会社製、商品名：ルミラーＴ−６０、厚さ：１００μｍ）。該ＰＥＴ基材上にＩＴＯ層、ＳｉＯ2 層、ＩＴＯ層、ＳｉＯ2 層の順に、膜厚をそれぞれ、１２５Å、２５０Å、１０００Å、８００Åとなるように順次積層する。ＩＴＯ層の形成方法はどのような手段でも構わないが、一般的にはスパッタ法が適用できる。ＩＴＯ層の代わりにＴｉＯ2 層などの高屈折率材料を用いることも可能である。その場合、ＳｉＯ2 層の下層の屈折率がＳｉＯ2 層の屈折率よりも高いほど反射防止の効果が付与され、反射防止フィルムとしての性能が向上する。しかも、ＩＴＯ層を用いた場合には、フィルムの導電性が付与されるため、電磁波シールド性及び帯電防止性が発揮される。さらにその上に、表面のはっ水性を高くして指紋などの汚れが付かないようにする防汚コートの目的でフッ素系樹脂を１００Å以下の膜厚でウェットコートしてもよい。
【００２７】
上記反射防止フィルムにおいて、基材上のハードコート層上に最初に形成するＩＴＯ層とＳｉＯ2 層を有機系材料のウエットコートで置き換えることも可能である。ＩＴＯをスパッタリングして成膜するには時間がかかり、それが生産コストを引き上げる要因となっているので、このような成膜手段の代替はコスト面で有利である。上記有機系材料のウエットコート膜上に成膜するＩＴＯ層はあまり密着性が良くない。このような場合には有機層とＩＴＯ層の間に接着剤に相当する他の物質を薄く（通常は１００Å以下）形成してもよい。
【００２８】
もし、それほど高い反射防止特性を必要としない場合（低反射性フィルムを得る場合）には、ハードコート層上にＳｉＯ2 層のみを形成してもよい。このような層構成は、ＬＣＤ用の反射防止フィルムにおいてコスト面から多用されている。この場合には、基材として光学特性が優れた、即ち、複屈折を持たないＴＡＣ（富士フィルム株式会社製、商品名：フジタック、厚さ：１００μｍ）が用いられる。
【００２９】
【実施例】
プラズマＣＶＤ法により本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を形成する方法を、次の実施例により示す。
【００３４】
〔実施例１〕
原料の一部としてＯ2 を用い、プラズマを生成するためのキャリアーガスとしてＡｒを用いた。これらのガスの流量をＯ2 が３０ｓｃｃｍ、Ａｒが３０ｓｃｃｍの混合ガスとして、４０ｍＴｏｒｒに圧力が調整されたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー内に導入した。このキャリアーガスにより、モノマー材料としてのＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）をバブリングしてモノマー材料を、４０ｍＴｏｒｒに圧力が調整されたプラズマＣＶＤ装置の真空チャンバー内に供給した。バブリング温度は室温とした。プラズマは、１００Ｗ、１３．５６ＭＨZ の電力を上部電極とアース電極の間に印加して発生させた。
【００３５】
基材として、ＰＥＴフィルム［厚さ１００μｍ、東レ株式会社製、ルミラーＴ−６０（商品名）］を用い、成膜時間は１０分とした。得られた膜の屈折率をエリプソメトリーで求めたところ１．４２であった。また、ＣＨ3 基の有無はＩＲ分光特性により評価したところ、１２７７ｃｍ-1付近にＳｉ−ＣＨ3 結合の伸縮ピークが現れ、存在が認められた。
【００３６】
〔比較例１〕
比較のために、上記実施例１の方法において、Ｏ2 ：１００ｓｃｃｍとした以外は上記実施例１と同一の工程により成膜して、比較例２のＳｉＯ2 膜を得た。得られたＳｉＯ2 膜をＩＲ分光特性により評価したところ、ＣＨ3 基の存在が殆ど認められなかった。本比較例１により得られたＳｉＯ2 膜の屈折率をエリプソメトリーで求めたところ１．４４であった。上記実施例１のＣＨ3 基が導入されたものよりも屈折率が高かった。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の低屈折率ＳｉＯ 2 膜を形成した反射防止フィルムにおいて、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ2 膜であって、且つ、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成された低屈折率ＳｉＯ2 膜は、該低屈折率要素が導入されていないＳｉＯ2 膜よりも低屈折率となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の低屈折率ＳｉＯ2 膜を製造するためのプラズマＣＶＤ装置の構成例を模式的に示したものである。
【符号の説明】
１ 真空チャンバー
２ ウェッブ
３、４ ロール
５ プラズマゾーン
６ 平板電極
７ 成膜ドラム

Claims (7)

  1. 基材上にＩＴＯ層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ 2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
  2. 基材上にハードコート層と、ＩＴＯ層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ 2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
  3. 基材上にＴｉＯ 2 層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ 2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
  4. 基材上にハードコート層と、ＴｉＯ 2 層と、炭素原子が１〜４個のアルキル基の低屈折率要素が導入された低屈折率ＳｉＯ 2 膜が順次積層されてなる反射防止フィルムであって、該低屈折率ＳｉＯ 2 膜は、Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料を用いたＣＶＤ法により作成されたものであることを特徴とする反射防止フィルム。
  5. さらに防汚コートがなされている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
  6. 前記Ｓｉ原子及び炭素原子が１〜４個のアルキル基を含み且つアルコキシ基を含まない原料は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシランから選ばれた１種以上の化合物を含むものである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反射防止フィルム。
  7. ＬＣＤ用に使用される請求項１乃至６の何れか１項に記載の反射防止フィルム。
JP31599297A 1996-12-18 1997-10-31 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3773340B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31599297A JP3773340B2 (ja) 1996-12-18 1997-10-31 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法
US08/985,904 US20020001725A1 (en) 1996-12-18 1997-12-05 Low refractive index sio2 film and process for producing the same
DE1997629429 DE69729429T2 (de) 1996-12-18 1997-12-17 Verfahren zur Herstellung eines SiO2-Films mit niedrigem Brechungsindex
EP19970122311 EP0849374B1 (en) 1996-12-18 1997-12-17 Process for producing a low refractive index SiO2 film
US10/470,580 US7348041B2 (en) 1996-12-18 2003-04-09 Antireflection film made of a CVD SiO2 film containing a fluoro and/or alkyl modifier

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35414196 1996-12-18
JP8-354141 1996-12-18
JP31599297A JP3773340B2 (ja) 1996-12-18 1997-10-31 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005254125A Division JP4278162B2 (ja) 1996-12-18 2005-09-01 反射防止フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10230561A JPH10230561A (ja) 1998-09-02
JP3773340B2 true JP3773340B2 (ja) 2006-05-10

Family

ID=26568491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31599297A Expired - Fee Related JP3773340B2 (ja) 1996-12-18 1997-10-31 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20020001725A1 (ja)
EP (1) EP0849374B1 (ja)
JP (1) JP3773340B2 (ja)
DE (1) DE69729429T2 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
JP2000121804A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Sekisui Chem Co Ltd 反射防止フィルム
JP2002103507A (ja) * 2000-09-29 2002-04-09 Dainippon Printing Co Ltd シリカ層、及びシリカ層を用いた反射防止フィルム
DE102005007825B4 (de) 2005-01-10 2015-09-17 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Verfahren zur Herstellung einer reflexionsmindernden Beschichtung, reflexionsmindernde Schicht auf einem transparenten Substrat sowie Verwendung einer derartigen Schicht
JP4807195B2 (ja) * 2006-09-08 2011-11-02 旭硝子株式会社 低屈折率膜の製膜方法および低屈折率膜を有する物品
CN101631661B (zh) * 2007-06-25 2012-03-14 夏普株式会社 烧制装置
US20090274930A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Guardian Industries Corp. Alkaline earth fluoride coatings deposited via combustion deposition
FR2985255B1 (fr) * 2011-12-28 2015-08-07 Ecole Polytech Article revetu d'un revetement interferentiel ayant des proprietes stables dans le temps.
US9025100B2 (en) 2012-11-30 2015-05-05 Apple Inc. Display with shielding antireflection layer
FR3007024A1 (fr) * 2013-06-14 2014-12-19 Essilor Int Article revetu d'une couche de nature silico-organique ameliorant les performances d'un revetement externe
WO2015046092A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 住友化学株式会社 積層フィルム、有機エレクトロルミネッセンス装置、光電変換装置および液晶ディスプレイ
EP3693765B1 (en) * 2019-02-05 2023-04-19 Essilor International Article coated with an antireflective coating having improved optical properties
EP3693766A1 (en) * 2019-02-05 2020-08-12 Corporation de L'Ecole Polytechnique de Montreal Article coated with a low refractive index layer based on fluorinated organosilicon compounds

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4419386A (en) * 1981-09-14 1983-12-06 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
US5759643A (en) 1987-01-16 1998-06-02 Seiko Epson Corporation Polarizing plate and method of production
US5264286A (en) * 1988-03-03 1993-11-23 Asahi Glass Company Ltd. Laminated glass structure
EP0484746B1 (en) 1990-10-25 1996-09-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemically adsorbed monomolecular lamination film and method of manufacturing the same
JP3670277B2 (ja) * 1991-05-17 2005-07-13 ラム リサーチ コーポレーション 低い固有応力および／または低い水素含有率をもつＳｉＯ▲Ｘ▼フィルムの堆積法
JP2699695B2 (ja) * 1991-06-07 1998-01-19 日本電気株式会社 化学気相成長法
DE69327725T2 (de) * 1992-11-13 2000-06-21 Energy Conversion Devices Inc Mikrowellenvorrichtung fuer die beschichtung von duennen filmen
US5364666A (en) * 1993-09-23 1994-11-15 Becton, Dickinson And Company Process for barrier coating of plastic objects
JPH0790589A (ja) * 1993-09-24 1995-04-04 G T C:Kk シリコン酸化膜の形成方法
US5909314A (en) * 1994-02-15 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical functional materials and process for producing the same
US5563105A (en) * 1994-09-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element
EP0724286A1 (en) * 1995-01-25 1996-07-31 Applied Materials, Inc. A method of forming a thin film of silicon oxide for a semiconductor device
US5571576A (en) * 1995-02-10 1996-11-05 Watkins-Johnson Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition
JPH09203817A (ja) * 1996-01-26 1997-08-05 Toyo Commun Equip Co Ltd 光導波路カプラ
SG53005A1 (en) 1996-07-03 1998-09-28 Novellus Systems Inc Method for depositing substituted fluorcarbon polymeric layers
DE19650784A1 (de) 1996-12-06 1998-06-10 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung für eine Kraftstoffversorgungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
DE69729429T2 (de) 2005-06-16
EP0849374B1 (en) 2004-06-09
US7348041B2 (en) 2008-03-25
JPH10230561A (ja) 1998-09-02
EP0849374A3 (en) 1999-06-30
EP0849374A2 (en) 1998-06-24
US20040157061A1 (en) 2004-08-12
DE69729429D1 (de) 2004-07-15
US20020001725A1 (en) 2002-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3773340B2 (ja) 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法
KR100574720B1 (ko) 반사방지 필름
CA1329567C (en) Coated article and method of manufacturing the article
US6838197B2 (en) Silica layers and antireflection film using same
JPH07333404A (ja) 光学機能性膜、光学機能性フィルム、防眩性反射防止フィルム、その製造方法、偏光板および液晶表示装置
JP2005096322A (ja) 機能性層転写フィルム、並びに、防汚層及び機能性層転写体
JP2000214302A (ja) 反射防止フィルム及びその製造方法
JP2005017544A (ja) 反射防止フィルム、および画像表示装置
JP2004258394A (ja) 光学機能性膜、反射防止フィルム、偏光板および表示装置
JPH11129382A (ja) 防汚性反射防止積層体およびその製造方法
JP3699877B2 (ja) 積層フィルムの製造方法
JP4278162B2 (ja) 反射防止フィルム
JP2003098306A (ja) 反射防止フィルム
JP3751922B2 (ja) 反射防止フィルム、およびこれを用いたディスプレイ装置、液晶ディスプレイ装置
JP2001141903A (ja) 反射防止フィルム
JP2000338307A (ja) 反射防止フィルム
JP4332310B2 (ja) 酸化チタン層の製造方法、この方法により製造された酸化チタン層、及び酸化チタンを用いた反射防止フィルム
JP2000338305A (ja) 反射防止フィルム
JPH11256339A (ja) 撥水性コーティング膜、防汚性物品、及び撥水性コーティング膜の製造方法
JP2003276109A (ja) 透明積層フィルムの製造方法及び透明積層フィルム及び反射防止フィルム
JP2004255635A (ja) 透明積層フィルム、反射防止フィルム及びそれを用いた偏光板、液晶表示装置
JP2004223769A (ja) 透明積層フィルム、反射防止フィルム及びそれを用いた偏光板、液晶表示装置
JP4023142B2 (ja) 反射防止材料およびその製造方法
JPH04366901A (ja) 炭素膜を有する素子
KR100927964B1 (ko) 플라스틱 기판의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050707

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050927

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090224

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100224

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110224

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110224

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120224

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130224

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130224

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees