JPH09203817A - 光導波路カプラ - Google Patents
光導波路カプラInfo
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- JPH09203817A JPH09203817A JP3295196A JP3295196A JPH09203817A JP H09203817 A JPH09203817 A JP H09203817A JP 3295196 A JP3295196 A JP 3295196A JP 3295196 A JP3295196 A JP 3295196A JP H09203817 A JPH09203817 A JP H09203817A
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- optical
- fluorine
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光通信伝送システムにおける光信号の多重化
に必要な石英系光導波路カプラにおいて、歩留まりがよ
く、膜応力が低くて高信頼性の光導波路カプラを提供す
ること。 【解決手段】 光導波路２の上に光導波路により方向性
結合器及び／またはＹ分岐回路を形成し、光導波路の端
部を光入出力端子とする。光導波路については、フッ素
ガスの含有濃度により二酸化ケイ素光学膜の屈折率をコ
ントロールできることに基づき、光導波路基板２上に、
ＴＥＯＳ、Ｏ2 ガス及びＣＦ4 ガスを用いてプラズマ化
学気相堆積法により、フッ素をドープした二酸化ケイ素
光学膜を形成し、これら二酸化ケイ素光学膜により下部
クラッド部３１、コア部３２及び上部クラッド部３３の
３層を形成して、コア部３２のみフッ素濃度を低くする
か、あるいはコア部３２のみフッ素を導入しないことと
して、コア部３２の屈折率をクラッド部３１、３２より
も若干大きくする。
に必要な石英系光導波路カプラにおいて、歩留まりがよ
く、膜応力が低くて高信頼性の光導波路カプラを提供す
ること。 【解決手段】 光導波路２の上に光導波路により方向性
結合器及び／またはＹ分岐回路を形成し、光導波路の端
部を光入出力端子とする。光導波路については、フッ素
ガスの含有濃度により二酸化ケイ素光学膜の屈折率をコ
ントロールできることに基づき、光導波路基板２上に、
ＴＥＯＳ、Ｏ2 ガス及びＣＦ4 ガスを用いてプラズマ化
学気相堆積法により、フッ素をドープした二酸化ケイ素
光学膜を形成し、これら二酸化ケイ素光学膜により下部
クラッド部３１、コア部３２及び上部クラッド部３３の
３層を形成して、コア部３２のみフッ素濃度を低くする
か、あるいはコア部３２のみフッ素を導入しないことと
して、コア部３２の屈折率をクラッド部３１、３２より
も若干大きくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
おける光信号の多重化に不可欠な光導波路カプラに関
し、特に化学気相堆積法でフッ素をド−プした二酸化ケ
イ素光学膜を用いた光導波路カプラに関するものであ
る。
おける光信号の多重化に不可欠な光導波路カプラに関
し、特に化学気相堆積法でフッ素をド−プした二酸化ケ
イ素光学膜を用いた光導波路カプラに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムにおいては、加入者系等
のネットワークシステムの構築が精力的に進められてお
り、このようなシステムに用いられる、光分岐や光合分
波を行う光送受信モジュールとして、基板上に光導波路
を形成した光導波路カプラが有利であると考えられてい
る。この光導波路カプラは、小型化、量産性に優れてお
り、その中でもケイ素（Ｓｉ）基板上に二酸化ケイ素光
学膜を基に作製される石英系光導波路カプラは、エッチ
ング加工の容易さや低損失性などの利点があることか
ら、実用性の高いものとして注目されている。
のネットワークシステムの構築が精力的に進められてお
り、このようなシステムに用いられる、光分岐や光合分
波を行う光送受信モジュールとして、基板上に光導波路
を形成した光導波路カプラが有利であると考えられてい
る。この光導波路カプラは、小型化、量産性に優れてお
り、その中でもケイ素（Ｓｉ）基板上に二酸化ケイ素光
学膜を基に作製される石英系光導波路カプラは、エッチ
ング加工の容易さや低損失性などの利点があることか
ら、実用性の高いものとして注目されている。
【０００３】従来の石英系光導波路カプラの構造として
は、図６に示すようなゲルマニウムを二酸化ゲルマニウ
ムの形で二酸化ケイ素にドープしたコア部を持つ構造の
ものが知られている（河内：プレーナ光波回路の研究、
ＮＴＴ Ｒ＆Ｄ、Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．３，Ｐ３０７〜
３１５，１９９２）。図６に示す構造の光導波路カプラ
は、一般に単結晶ケイ素基板よりなる光導波路基板１１
の上にまず２５μｍの二酸化ケイ素粉末を火炎堆積法に
より形成し、更にその上に８μｍの二酸化ゲルマニウム
を含む二酸化ケイ素粉末を形成後電気炉で１０００℃以
上の温度で上記の２層の粉末をガラス化する。次にアモ
ルファスケイ素膜等をマスクとして反応性イオンエッチ
ングにより１０μｍのエッチングを施し、下部クラッド
部１２の上に光導波路のコア部１３を形成する。更に２
５μｍの二酸化ケイ素粉末を火炎堆積法により形成し、
電気炉で１０００℃以上の温度でガラス化し上部クラッ
ド部１４を形成する。
は、図６に示すようなゲルマニウムを二酸化ゲルマニウ
ムの形で二酸化ケイ素にドープしたコア部を持つ構造の
ものが知られている（河内：プレーナ光波回路の研究、
ＮＴＴ Ｒ＆Ｄ、Ｖｏｌ．４１，Ｎｏ．３，Ｐ３０７〜
３１５，１９９２）。図６に示す構造の光導波路カプラ
は、一般に単結晶ケイ素基板よりなる光導波路基板１１
の上にまず２５μｍの二酸化ケイ素粉末を火炎堆積法に
より形成し、更にその上に８μｍの二酸化ゲルマニウム
を含む二酸化ケイ素粉末を形成後電気炉で１０００℃以
上の温度で上記の２層の粉末をガラス化する。次にアモ
ルファスケイ素膜等をマスクとして反応性イオンエッチ
ングにより１０μｍのエッチングを施し、下部クラッド
部１２の上に光導波路のコア部１３を形成する。更に２
５μｍの二酸化ケイ素粉末を火炎堆積法により形成し、
電気炉で１０００℃以上の温度でガラス化し上部クラッ
ド部１４を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの構造
においては、二酸化ケイ素粉末を高温でガラス化する必
要があり、コア部１３と下部クラッド部１２との境界を
鏡面状態に形成することが極めて困難であるという問題
がある。即ち火炎堆積法ではガラス粉末として基板上に
二酸化ケイ素膜を成膜する必要があるが、下部クラッド
部１２とコア部１３の２層のほとんど融点の等しい粉末
を堆積後電気炉で溶融してガラス化するためクラッド部
１２とコア部１３の境界がくずれてしまう可能性が高
い。境界面が鏡面にならないと散乱損失が発生し、大き
な損失になるため、結局高い良品率が得られないおそれ
がある。
においては、二酸化ケイ素粉末を高温でガラス化する必
要があり、コア部１３と下部クラッド部１２との境界を
鏡面状態に形成することが極めて困難であるという問題
がある。即ち火炎堆積法ではガラス粉末として基板上に
二酸化ケイ素膜を成膜する必要があるが、下部クラッド
部１２とコア部１３の２層のほとんど融点の等しい粉末
を堆積後電気炉で溶融してガラス化するためクラッド部
１２とコア部１３の境界がくずれてしまう可能性が高
い。境界面が鏡面にならないと散乱損失が発生し、大き
な損失になるため、結局高い良品率が得られないおそれ
がある。
【０００５】更に上記の２層の粉末がガラス化される二
酸化ケイ素膜は、１０００℃近くの高温にさらされるこ
とから、当該膜と基板１１との剥離応力がかなり大き
く、膜が基板から剥離したり、膜にクラックが生じるお
それがあり、このため十分な信頼性が得られないという
問題がある。
酸化ケイ素膜は、１０００℃近くの高温にさらされるこ
とから、当該膜と基板１１との剥離応力がかなり大き
く、膜が基板から剥離したり、膜にクラックが生じるお
それがあり、このため十分な信頼性が得られないという
問題がある。
【０００６】本発明は、良品率が高くかつ信頼性が高い
光導波路カプラを提供することを目的とする。
光導波路カプラを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決する手段】本発明は、光導波路基板上に光
導波路を形成する下部クラッド部、コア部及び上部クラ
ッド部をこの順に積層すると共に、光導波路の端部を光
信号の入出力端子とすると共に、光導波路の一部を方向
性結合器または分岐回路の少なくとも一方として構成し
た光導波路カプラにおいて、前記下部クラッド部、コア
部及び上部クラッド部を化学気相堆積法により成膜され
た二酸化ケイ素光学膜により構成し、前記下部クラッド
部および上部クラッド部にはフッ素をド−プし、コア部
には上部クラッド部及び下部クラッド部内のフッ素濃度
よりも少ない濃度でフッ素をド−プした構成とする。た
だしコア部は、フッ素がド−プされ純粋な二酸化ケイ素
光学膜としてもよい。二酸化ケイ素光学膜を成膜するに
あたっては、例えば有機ソ−ス及び酸素を含むガスを成
膜ガスとし、更にフッ素ド−プ用のガス例えばＣＦ4 ガ
スを用いてプラズマ化学気相堆積法により成膜を行う。
導波路を形成する下部クラッド部、コア部及び上部クラ
ッド部をこの順に積層すると共に、光導波路の端部を光
信号の入出力端子とすると共に、光導波路の一部を方向
性結合器または分岐回路の少なくとも一方として構成し
た光導波路カプラにおいて、前記下部クラッド部、コア
部及び上部クラッド部を化学気相堆積法により成膜され
た二酸化ケイ素光学膜により構成し、前記下部クラッド
部および上部クラッド部にはフッ素をド−プし、コア部
には上部クラッド部及び下部クラッド部内のフッ素濃度
よりも少ない濃度でフッ素をド−プした構成とする。た
だしコア部は、フッ素がド−プされ純粋な二酸化ケイ素
光学膜としてもよい。二酸化ケイ素光学膜を成膜するに
あたっては、例えば有機ソ−ス及び酸素を含むガスを成
膜ガスとし、更にフッ素ド−プ用のガス例えばＣＦ4 ガ
スを用いてプラズマ化学気相堆積法により成膜を行う。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下添付図面に示した実施例によ
り本発明の詳細を説明する。図１は本発明の光導波路カ
プラの一実施例の基本構成を示す概略斜視図であり、光
導波路基板２上には光導波路３が形成されている。ただ
し図１では便宜上光導波路３としてコア部を示してあ
る。この光導波路３の一部は２つのＹ分岐回路４１、４
２として構成され、光導波路３の端部は図示しない光フ
ァイバに結合される入出力端子５１〜５４をなしてい
る。また一方のＹ分岐回路４１には埋込光フィルタ４３
が設けられている。
り本発明の詳細を説明する。図１は本発明の光導波路カ
プラの一実施例の基本構成を示す概略斜視図であり、光
導波路基板２上には光導波路３が形成されている。ただ
し図１では便宜上光導波路３としてコア部を示してあ
る。この光導波路３の一部は２つのＹ分岐回路４１、４
２として構成され、光導波路３の端部は図示しない光フ
ァイバに結合される入出力端子５１〜５４をなしてい
る。また一方のＹ分岐回路４１には埋込光フィルタ４３
が設けられている。
【０００９】ここで本発明の光導波路カプラの光導波路
の構成及び製法について図２を参照しながら述べる。先
ず図２（ａ）に示すように単結晶ケイ素よりなる光導波
路基板２上に、ＴＥＯＳを用いた低温プラズマ化学気相
堆積法により、フッ素をドープした２５μｍの二酸化ケ
イ素光学膜３１を下部クラッド部として形成する。
の構成及び製法について図２を参照しながら述べる。先
ず図２（ａ）に示すように単結晶ケイ素よりなる光導波
路基板２上に、ＴＥＯＳを用いた低温プラズマ化学気相
堆積法により、フッ素をドープした２５μｍの二酸化ケ
イ素光学膜３１を下部クラッド部として形成する。
【００１０】この二酸化ケイ素光学膜の成膜は、図３に
示す低温プラズマ化学気相堆積装置により行われる。図
３中６１は真空チャンバ、６２は例えばヒータを内蔵し
た高周波放電下部電極を兼用する載置台、６３は高周波
放電上部電極であり、載置台６２上に光導波路基板２を
載せ、真空チャンバ６１内を１０-1〜１０-2Ｔｏｒｒの
圧力まで真空排気すると共に、前記ヒータにより光導波
路基板２を２８０℃に加熱する。そして成膜ガスである
ＴＥＯＳ、Ｏ2 ガス及びドープガスであるＣＦ4 ガスを
夫々１００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍ及び５ｓｃｃｍの
流量でガス導入部６４より真空チャンバ６２内に導入す
ると共に、基板２の単位面積当りの電力密度がおよそ４
Ｗ／ｃｍ2 となるように電極６２、６３間に高周波電力
を供給し、フッ素をドープした二酸化ケイ素光学膜３１
を形成する。なお図３中６５、６６は夫々排気管及び高
周波電源である。
示す低温プラズマ化学気相堆積装置により行われる。図
３中６１は真空チャンバ、６２は例えばヒータを内蔵し
た高周波放電下部電極を兼用する載置台、６３は高周波
放電上部電極であり、載置台６２上に光導波路基板２を
載せ、真空チャンバ６１内を１０-1〜１０-2Ｔｏｒｒの
圧力まで真空排気すると共に、前記ヒータにより光導波
路基板２を２８０℃に加熱する。そして成膜ガスである
ＴＥＯＳ、Ｏ2 ガス及びドープガスであるＣＦ4 ガスを
夫々１００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍ及び５ｓｃｃｍの
流量でガス導入部６４より真空チャンバ６２内に導入す
ると共に、基板２の単位面積当りの電力密度がおよそ４
Ｗ／ｃｍ2 となるように電極６２、６３間に高周波電力
を供給し、フッ素をドープした二酸化ケイ素光学膜３１
を形成する。なお図３中６５、６６は夫々排気管及び高
周波電源である。
【００１１】更に図２（ｂ）に示すように、ＣＦ4 ガス
を用いない他は上述のプロセスと同様にして、二酸化ケ
イ素光学膜３１の上に厚さ１０μｍの純粋な二酸化ケイ
素光学膜３０をコア材として形成する。しかる後この二
酸化ケイ素光学膜３０の上に厚さ２μｍのアモルファス
ケイ素膜をエッチング用マスクとして化学気相堆積法に
より形成し、反応性イオンエッチング装置を用い、前記
コア材（二酸化ケイ素光学膜）３０を鏡面エッチングし
て高さ及び幅がいずれも８μｍのコア部３２を形成す
る。
を用いない他は上述のプロセスと同様にして、二酸化ケ
イ素光学膜３１の上に厚さ１０μｍの純粋な二酸化ケイ
素光学膜３０をコア材として形成する。しかる後この二
酸化ケイ素光学膜３０の上に厚さ２μｍのアモルファス
ケイ素膜をエッチング用マスクとして化学気相堆積法に
より形成し、反応性イオンエッチング装置を用い、前記
コア材（二酸化ケイ素光学膜）３０を鏡面エッチングし
て高さ及び幅がいずれも８μｍのコア部３２を形成す
る。
【００１２】最後に上述の低温プラズマ化学気相堆積装
置により、コア部３２が形成された下部クラッド部３１
の上に、当該下部クラッド部３１を形成したと同様のプ
ロセスを行って、フッ素をドープした厚さ２５μｍの二
酸化ケイ素光学膜を上部クラッド部３３として形成し、
こうして光導波路３が完成する。なお光フィルタ４３
は、５μｍのフッ化ポリイミド基板に、ＳｉＯ2 とＴｉ
Ｏ2 とを交互に例えば全部で４０層の多層膜を形成して
なるものであり、光導波路カプラにダイシングソーで幅
３０μｍ、深さ１５０μｍの溝を作り、この溝内に埋め
込まれる。
置により、コア部３２が形成された下部クラッド部３１
の上に、当該下部クラッド部３１を形成したと同様のプ
ロセスを行って、フッ素をドープした厚さ２５μｍの二
酸化ケイ素光学膜を上部クラッド部３３として形成し、
こうして光導波路３が完成する。なお光フィルタ４３
は、５μｍのフッ化ポリイミド基板に、ＳｉＯ2 とＴｉ
Ｏ2 とを交互に例えば全部で４０層の多層膜を形成して
なるものであり、光導波路カプラにダイシングソーで幅
３０μｍ、深さ１５０μｍの溝を作り、この溝内に埋め
込まれる。
【００１３】次に図１に示す光フィルタ４３が１．３μ
ｍの波長の光信号を透過し、１．５５μｍの波長の光信
号を反射する特性を有するものとして本実施例の光導波
路カプラの機能について説明する。光入出力端子５２に
波長が１．３μｍ及び１．５５μｍの光信号が入力され
ると、光フィルタ４３により光入出力端子５１には１．
５５μｍの波長の光信号が出力され、光入出力端子５
３、５４には１．３μｍの波長の光信号が出力される。
また光入出力端子５４に１．３μｍの波長の光信号を入
力すると光入出力端子５２にその信号が出力される。
ｍの波長の光信号を透過し、１．５５μｍの波長の光信
号を反射する特性を有するものとして本実施例の光導波
路カプラの機能について説明する。光入出力端子５２に
波長が１．３μｍ及び１．５５μｍの光信号が入力され
ると、光フィルタ４３により光入出力端子５１には１．
５５μｍの波長の光信号が出力され、光入出力端子５
３、５４には１．３μｍの波長の光信号が出力される。
また光入出力端子５４に１．３μｍの波長の光信号を入
力すると光入出力端子５２にその信号が出力される。
【００１４】従って本実施例の光導波路カプラの利用形
態の一例については、１．５５μｍの波長の光信号にＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）の信号を、また１．３μｍの
波長の光信号に電話回線の信号を夫々割り当てて考える
と、光信号の時分割伝送技術を併用することによりＣＡ
ＴＶ信号と電話回線信号を多重したビデオ・オン・デマ
ンド機能を有する光加入者系伝送システムを構築でき
る。
態の一例については、１．５５μｍの波長の光信号にＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）の信号を、また１．３μｍの
波長の光信号に電話回線の信号を夫々割り当てて考える
と、光信号の時分割伝送技術を併用することによりＣＡ
ＴＶ信号と電話回線信号を多重したビデオ・オン・デマ
ンド機能を有する光加入者系伝送システムを構築でき
る。
【００１５】上述の実施例によれば、ＴＥＯＳを成膜ガ
スとしてプラズマ化学気相堆積法によりフッ素ドープ二
酸化ケイ素光学膜を形成し、これを上部、下部クラッド
部３１、３３として用いているため、およそ２８０℃以
下という低温ですべての二酸化ケイ素光学膜を形成する
ことができる。このためガラス化した膜がはじめから基
板２に作製されるのでコア部３２とクラッド部３１、３
３との境界が崩れることなく鏡面状態にすることがで
き、散乱損失の少ない製品が得られるので良品率が高く
なり、低価格を図ることができる。またプロセス温度が
低いので、基板２と二酸化ケイ素光学膜との間の剥離応
力が小さく、膜が基板から剥離したり、膜にクラックを
生じるおそれがないので信頼性の高い光導波路カプラが
得られる。
スとしてプラズマ化学気相堆積法によりフッ素ドープ二
酸化ケイ素光学膜を形成し、これを上部、下部クラッド
部３１、３３として用いているため、およそ２８０℃以
下という低温ですべての二酸化ケイ素光学膜を形成する
ことができる。このためガラス化した膜がはじめから基
板２に作製されるのでコア部３２とクラッド部３１、３
３との境界が崩れることなく鏡面状態にすることがで
き、散乱損失の少ない製品が得られるので良品率が高く
なり、低価格を図ることができる。またプロセス温度が
低いので、基板２と二酸化ケイ素光学膜との間の剥離応
力が小さく、膜が基板から剥離したり、膜にクラックを
生じるおそれがないので信頼性の高い光導波路カプラが
得られる。
【００１６】上述の光導波路カプラについては、光挿入
損失が２ｄＢ以下であり、光入出力端子５３、５４にお
ける光クロストークは−５０ｄＢ以下であり、良好な特
性であった。なおコア部３２とクラッド部３１、３３と
の屈折率差は０．３％であり、使用した光フィルタの特
性及び測定波長は前述の説明の通りのものである。
損失が２ｄＢ以下であり、光入出力端子５３、５４にお
ける光クロストークは−５０ｄＢ以下であり、良好な特
性であった。なおコア部３２とクラッド部３１、３３と
の屈折率差は０．３％であり、使用した光フィルタの特
性及び測定波長は前述の説明の通りのものである。
【００１７】図４は、本発明の他の実施例を示す図であ
り、この光導波路カプラは、一対のコア部３２を互いに
接近させてなる一つの方向性結合器７１と、二つのＹ分
岐回路７２、７３とを有しており、既述のプロセスと同
様のプロセスで製造されるものである。このような光導
波路カプラにおいては、光入出力端子８１または８２に
入射した光信号は、方向性結合器７１によりＹ分岐回路
側７２と７３側とに分配され、Ｙ分岐回路７２、７３を
通して光入出力端子８３、８４、８５及び８６に出力さ
れる。この機能により光ＣＡＴＶ信号の分配などが可能
となり、光入出力端子８１、８２に異なる光信号を入力
して信号多重化を実現することもできる。
り、この光導波路カプラは、一対のコア部３２を互いに
接近させてなる一つの方向性結合器７１と、二つのＹ分
岐回路７２、７３とを有しており、既述のプロセスと同
様のプロセスで製造されるものである。このような光導
波路カプラにおいては、光入出力端子８１または８２に
入射した光信号は、方向性結合器７１によりＹ分岐回路
側７２と７３側とに分配され、Ｙ分岐回路７２、７３を
通して光入出力端子８３、８４、８５及び８６に出力さ
れる。この機能により光ＣＡＴＶ信号の分配などが可能
となり、光入出力端子８１、８２に異なる光信号を入力
して信号多重化を実現することもできる。
【００１８】本発明の光導波路カプラは、図１に示すよ
うにＹ分岐回路を有するもの、図４に示すように方向性
結合器及びＹ分岐回路を有するものの他、Ｙ分岐回路は
備えていないが方向性結合器を備えているものであって
もよい。
うにＹ分岐回路を有するもの、図４に示すように方向性
結合器及びＹ分岐回路を有するものの他、Ｙ分岐回路は
備えていないが方向性結合器を備えているものであって
もよい。
【００１９】ここでＴＥＯＳガスの流量ａに対するＣＦ
4 ガスの流量ｂの比率（ｂ／ａ×１００）を変えたとき
に形成される二酸化ケイ素光学膜について、光の波長と
屈折率との関係（屈折率の変化の波長分散特性）を調べ
たところ図５に示す結果が得られた。この結果から分か
るようにフッ素のドープ量によって二酸化ケイ素光学膜
の屈折率をコントロールすることができ、ＴＥＯＳ及び
ＣＦ4 ガスを用いたプラズマ化学気相堆積法により良好
な光導波路を得られることが理解できる。上部及び下部
のクラッド部の屈折率はコア部の屈折率よりも小さけれ
ばよいので、コア部を純粋な二酸化ケイ素光学膜とせず
にフッ素をドープした二酸化ケイ素光学膜とし、クラッ
ド部については、フッ素の含有濃度がコア部のフッ素の
含有濃度よりも多くなるように二酸化ケイ素光学膜を形
成するようにしてもよい。また成膜ガスとしてはＴＥＯ
Ｓ以外の他の有機ソースを用いてもよいし、ドープガス
としてはＦ2 ガスなど他のガスを用いてもよい。
4 ガスの流量ｂの比率（ｂ／ａ×１００）を変えたとき
に形成される二酸化ケイ素光学膜について、光の波長と
屈折率との関係（屈折率の変化の波長分散特性）を調べ
たところ図５に示す結果が得られた。この結果から分か
るようにフッ素のドープ量によって二酸化ケイ素光学膜
の屈折率をコントロールすることができ、ＴＥＯＳ及び
ＣＦ4 ガスを用いたプラズマ化学気相堆積法により良好
な光導波路を得られることが理解できる。上部及び下部
のクラッド部の屈折率はコア部の屈折率よりも小さけれ
ばよいので、コア部を純粋な二酸化ケイ素光学膜とせず
にフッ素をドープした二酸化ケイ素光学膜とし、クラッ
ド部については、フッ素の含有濃度がコア部のフッ素の
含有濃度よりも多くなるように二酸化ケイ素光学膜を形
成するようにしてもよい。また成膜ガスとしてはＴＥＯ
Ｓ以外の他の有機ソースを用いてもよいし、ドープガス
としてはＦ2 ガスなど他のガスを用いてもよい。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、良品率が高く、基板と
の膜応力が小さい信頼性の高い光導波路カプラを容易に
低価格で製造することができる。
の膜応力が小さい信頼性の高い光導波路カプラを容易に
低価格で製造することができる。
【図１】本発明の一実施例の光導波路カプラの基本構成
を示す概略斜視図である。
を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施例の光導波路の光導波路の製造
工程及び基本構成を示す説明図である。
工程及び基本構成を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施例の光導波路の製造のためのＴ
ＥＯＳ低温プラズマ化学気相堆積装置の基本構成を示す
説明図である。
ＥＯＳ低温プラズマ化学気相堆積装置の基本構成を示す
説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の光導波路の基本構成を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図５】二酸化ケイ素光学膜の屈折率とＣＦ4 ガスの流
量比との関係を示す特性図である。
量比との関係を示す特性図である。
【図６】従来の光導波路カプラの光導波路の基本構成を
示す説明図である。
示す説明図である。
１１ 光導波路基板 １２ 下部クラッド部 １３ コア部 １４ 上部クラッド部 ２ 光導波路基板 ３ 光導波路 ３０ コア材 ３１ 下部クラッド部 ３２ コア部 ３３ 上部クラッド部 ４１、４２ Ｙ分岐回路 ４３ 光フィルタ ５１〜５４ 光入出力端子 ６１ 真空チャンバ ６２ 高周波放電下部電極 ６３ 高周波放電上部電極 ６４ ガス導入部 ６５ 排気管 ６６ 高周波電源 ７１ 方向性結合器 ７２、７３ Ｙ分岐回路 ８１〜８６ 光入出力端子
Claims (2)
- 【請求項１】 光導波路基板上に光導波路を形成する下
部クラッド部、コア部及び上部クラッド部をこの順に積
層すると共に、光導波路の端部を光信号の入出力端子と
すると共に、光導波路の一部を方向性結合器または分岐
回路の少なくとも一方として構成した光導波路カプラに
おいて、 前記下部クラッド部、コア部及び上部クラッド部を化学
気相堆積法により成膜された二酸化ケイ素光学膜により
構成し、 前記下部クラッド部および上部クラッド部にはフッ素が
ド−プされ、コア部には上部クラッド部及び下部クラッ
ド部内のフッ素濃度よりも少ない濃度でフッ素がド−プ
されるかまたはフッ素がド−プされないことを特徴とす
る光導波路カプラ。 - 【請求項２】 化学気相堆積法は、有機ソ−スと酸素を
含むガスとを成膜ガスとして用いたプラズマ化学気相堆
積法であることを特徴とする請求項１記載の光導波路カ
プラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295196A JPH09203817A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 光導波路カプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295196A JPH09203817A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 光導波路カプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09203817A true JPH09203817A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=12373258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295196A Pending JPH09203817A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 光導波路カプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09203817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849374A2 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Low refractive index SiO2 film and process for producing the same |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP3295196A patent/JPH09203817A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0849374A2 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Low refractive index SiO2 film and process for producing the same |
| EP0849374A3 (en) * | 1996-12-18 | 1999-06-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Low refractive index SiO2 film and process for producing the same |
| US7348041B2 (en) | 1996-12-18 | 2008-03-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Antireflection film made of a CVD SiO2 film containing a fluoro and/or alkyl modifier |
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