JPH0779136B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0779136B2
JPH0779136B2 JP61130149A JP13014986A JPH0779136B2 JP H0779136 B2 JPH0779136 B2 JP H0779136B2 JP 61130149 A JP61130149 A JP 61130149A JP 13014986 A JP13014986 A JP 13014986A JP H0779136 B2 JPH0779136 B2 JP H0779136B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffusion
layer
aluminum
amorphous
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61130149A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62287641A (ja
Inventor
靖 河渕
仁 大貫
正博 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61130149A priority Critical patent/JPH0779136B2/ja
Priority to EP87108180A priority patent/EP0248445A3/en
Publication of JPS62287641A publication Critical patent/JPS62287641A/ja
Priority to US07/314,246 priority patent/US4965656A/en
Publication of JPH0779136B2 publication Critical patent/JPH0779136B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/41—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their conductive parts
    • H10W20/425—Barrier, adhesion or liner layers

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に係り、特にシリコン基板上にアル
ミニウムまたはアルミニウム合金よりなる電極配線層を
有する半導体装置に適用するのに好適な発明に関する。
〔従来の技術〕 シリコン半導体基板にアルミニウムまたはアルミニウム
合金よりなる電極配線を接続する場合、その接合界面で
相互に拡散が進みすぎ、シリコンがアルミニウム中に溶
け出したり或はアルミニウムが基板内に拡散するという
問題がある。またアルミニウムとシリコン基板の界面に
ｐ型シリコンが固相成長するという問題がある。
これらの問題に対し、シリコン半導体基板とアルミニウ
ム電極配線層の間に拡散防止層を設ける構造が提案され
ている。
たとえば特開昭57-48249号公報には、拡散防止層の材料
として窒化チタンを用いることが提案されている。特開
昭60-210838号公報には、シリコン基板上に白金層また
はパラジウム層を形成したのちアモルフアスシリコンを
堆積して両者を反応させ硅化白金層または硅化パラジウ
ム層を形成させて、拡散防止層とすることが提案されて
いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この種の半導体装置は、組み立て後接触抵抗を下げるた
めに500℃前後の温度で熱処理を行うが、上記従来技術
は、高温で熱処理するプロセス及び、コンタクト部分の
抵抗を下げるという２点について配慮がされていない。
本発明者らの研究によれば、窒化チタンは500℃前後の
熱処理でアルミニウムと反応する。更にこの際窒化チタ
ンの結晶粒界がアルミニウムおよびシリコンの拡散路と
なり、拡散が生じる。拡散を十分に抑制するには窒化チ
タンの厚さを厚くしなければならず接触抵抗が増大する
という別の問題が生じる。
本発明の目的は、前記従来技術に較べて拡散防止効果が
大きい新規な拡散防止層を有する半導体装置を提供する
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、拡散防止層として、半導体装置の熱処理温
度よりも高い結晶化温度を有するアモルフアス材料を用
いることにより、達成される。
〔作用〕
本発明は、拡散防止層として結晶質の材料を用いるかぎ
り、結晶粒界を通して拡散が生じるという事実の解明に
基づくものである。
この知見に基づいて、アモルフアス材料により拡散防止
層を構成する本発明を導き出した。
従来の窒化チタン或は硅化白金，硅化パラジウムなどの
拡散防止層でも、アルミニウム配線とシリコン基板間の
拡散をある程度防止できる。しかし、高温熱処理時に拡
散防止層の結晶粒界が拡散経路となり、ある程度の拡散
が起こつてしまう。粒界拡散を防ぐため拡散防止層を厚
くするアルミニウムとシリコン基板の接触抵抗が上が
る。
拡散経路となる結晶粒界を有しないアモルフアス材料を
拡散防止層として用い、しかもその結晶化温度が半導体
装置の熱処理温度よりも高いものを用いる事により、熱
的に安定で金属配線と半導体基板の拡散を効果的に防止
することができる。またこのようにすれば拡散防止効果
がきわめて大きいので、拡散防止層の厚さを薄くするこ
とができ、アルミとシリコン基板との接触抵抗を低く保
つことができる。
各種アモルフアス材料を用いて行つた実験結果によれ
ば、拡散防止層の厚さは0.1μｍ以下で十分であり、接
触抵抗の点でも問題ないことが判つた。
半導体装置の最終の熱処理温度で熱的に安定であり、結
晶化しないアモルフアス材料について検討したところ、
高融点金属の２種以上を組合わせることにより満足でき
る見通しを得た。具体的には1000℃以上の融点を有する
金属を組合わせることが望ましい。このような金属とし
ては、ベリリウム，ボロン，シリコン，チタン，マンガ
ン，鉄，コバルト，ニツケル，ジルコニウム，ニオブ，
モリブデン，銅，イツトリウム，ルテニウム，ロジウ
ム，パラジウム，ハフニウム，タンタル，タングステ
ン，レニウム，イリジウム，トリウム，サマリウム，ガ
ドリニウムおよびテルビウムがある。これらより選ばれ
た２種以上の合金または化合物よりなるアモルフアス材
料が拡散防止層として満足し得る。１種類の成分だけで
は、アモルフアスにならず効果がない。
上記した金属元素は、共晶反応を生じる組合わせとし、
共晶組成或は共晶組成に近い組成とすることが望まし
い。共晶組成或はその近傍の組成の合金は、急速冷却に
より気相から直ちに固相にしやすく、アモルフアスにな
りやすい。
下記の組合わせのアモルフアス材料を用いて、実際に試
験を行つたところ、いずれも十分満足のいく性能を示し
た。従つて、下記の組合わせは、非常に好適である。
コバルトとチタン，銅とチタン，鉄とジルコニウム，ハ
フニウムとコバルト，ハフニウムとニツケル，ニツケル
とジルコニウム，チタンとニツケル，ジルコニウムとコ
バルト，ジルコニウムとパラジウム、チタンとベリリウ
ムとジルコニウム，およびジルコニウムとベリリウムと
ニオブの組合わせ。
アモルフアス合金又はアモルフアス化合物は、たとえば
スパツタ法によつて半導体基板上に堆積することによつ
て形成できる。アモルフアス材料がプラズマ状態から半
導体基板上に堆積する際の急冷効果を利用してアモルフ
アス化させることができる。
スパツタ法のほかに、蒸着法或はケミカル・ベーパー・
デポジシヨン（CVD）法によつて形成することも可能で
ある。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第１図は本
発明をトランジスタに適用した断面図である。ｎ型シリ
コン基板１は、表面にｐ型ベース領域２及びｎ型エミツ
タ領域３を有する。ｐ型ベース領域及びｎ型エミツタ領
域の表面にシリコン酸化膜４を形成する。次いでシリコ
ン酸化膜４に開孔を形成し、アモルフアス材料よりなる
拡散防止層５およびアルミニウム配線層６を形成する。
アモルフアス材料としては、表に示す成分組成の組合わ
せを選んだ。表に示す材料をスパツタし、プラズマ状態
からシリコン基板上およびシリコン酸化膜上に付着する
際の急冷効果を利用してアモルフアス化した。
この後、一般に広く使用されているホトリソグラフイー
を用いてアモルフアス材料およびアルミニウム配線層６
の一部をシリコン酸化膜４に達するまでエツチングす
る。この構造により、シリコン酸化膜４の開孔部におけ
るシリコン半導体基板とアルミニウム配線層６の反応が
抑制される。更にアモルフアス材料よりなる拡散防止層
５でアルミニウム（Al）原子のシリコン半導体基板内へ
の拡散が阻止できるのでエミツタ，ベース間の接合特性
の熱的信頼性が飛躍的に向上できる。
アモルフアス材料よりなる拡散防止層５の組成及び厚さ
は、Al原子の拡散の阻止効果が最大になり、且つアモル
フアス拡散防止層の電気抵抗率が最小になるように最適
化する必要がある。例えば鉄（Fe）とジルコニウム（Z
r）の組合わせではZrを９〜11原子％に制御し、アモル
フアス層の厚さは200〜1000Åにするのが望ましい。
第２図は、第１図の実施例におけるエミツタ・ベース間
耐圧の耐熱性を評価し、Fe-Zr系についての結果を示し
たものである。その際、Fe-Zr系の厚さは500Åとした。
第２図から明らかなようにFe-Zr合金アモルフアス層をA
l原子の拡散阻止材料として用いることでエミツタ・ベ
ース間の耐圧の耐熱性を格段に向上することが確認でき
た。従来のTiNは本発明に較べると非常に劣る。本実施
例ではバイポーラトランジスタに適用した例を述べた
が、メタルオキサイドトランジスタ（MOS），フイール
ドエフエクトトランジスタ（EFT）などに適用しても全
く同様である。
表に各アモルフアス合金層の厚さを500Åにしたとき
の、シリコン基板とアルミニウム配線との接合耐圧の耐
熱温度（1hrで１％不良が発生する温度）、及び半導体
装置の熱処理温度の450℃−１時間加熱後の接合部の電
気抵抗を示す。
前記した様に安定で、Al原子の粒界拡散経路を有しない
アモルフアス合金の存在がAlの拡散阻止に大きな役割を
果しており、拡散防止層を有しないものにくらべると、
その効果はきわめて明瞭である。
〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、金属配線と半導体
基板の反応及び半導体基板中への配線材料の原子の拡散
を阻止できるので、熱的に信頼性の高い半導体装置が実
現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例における主要部断面構造図、
第２図は第１図のエミツタ・ベース間耐圧の耐熱性評価
結果を従来法と比較して示した特性図である。 １……ｎ型シリコン基板、２……ｐ型ベース領域、３…
…ｎ型エミツタ領域、４……シリコン酸化膜、５……拡
散防止層、６……アルミニウム配線層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に拡散防止層を介してアルミ
    ニウムまたはアルミニウム合金よりなる電極配線を設け
    た半導体装置において、 前記拡散防止層は、鉄−ジルコニウム合金アモルファス
    層からなり、 かつ前記鉄−ジルコニウム合金アモルファス層は、ジル
    コニウムを９〜11原子％含み、厚さが200〜1000Åであ
    ることを特徴とする半導体装置。
JP61130149A 1986-06-06 1986-06-06 半導体装置 Expired - Fee Related JPH0779136B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61130149A JPH0779136B2 (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体装置
EP87108180A EP0248445A3 (en) 1986-06-06 1987-06-05 Semiconductor device having a diffusion barrier and process for its production
US07/314,246 US4965656A (en) 1986-06-06 1989-02-21 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61130149A JPH0779136B2 (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62287641A JPS62287641A (ja) 1987-12-14
JPH0779136B2 true JPH0779136B2 (ja) 1995-08-23

Family

ID=15027148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61130149A Expired - Fee Related JPH0779136B2 (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4965656A (ja)
EP (1) EP0248445A3 (ja)
JP (1) JPH0779136B2 (ja)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930004295B1 (ko) * 1988-12-24 1993-05-22 삼성전자 주식회사 Vlsi 장치의 n+ 및 p+ 저항영역에 저저항 접속방법
NL8900010A (nl) * 1989-01-04 1990-08-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US5093710A (en) * 1989-07-07 1992-03-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device having a layer of titanium nitride on the side walls of contact holes and method of fabricating same
US5232871A (en) * 1990-12-27 1993-08-03 Intel Corporation Method for forming a titanium nitride barrier layer
KR100214036B1 (ko) * 1991-02-19 1999-08-02 이데이 노부유끼 알루미늄계 배선형성방법
JPH04360536A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Sony Corp アルミニウム・ゲルマニウム合金膜のゲルマニウムの除去方法
JP2878887B2 (ja) * 1991-12-26 1999-04-05 株式会社豊田中央研究所 半導体電極構造体
US5356485A (en) * 1992-04-29 1994-10-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Intermetallic thermocouples
US5329161A (en) * 1992-07-22 1994-07-12 Vlsi Technology, Inc. Molybdenum boride barrier layers between aluminum and silicon at contact points in semiconductor devices
US5709958A (en) * 1992-08-27 1998-01-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic parts
US6001461A (en) * 1992-08-27 1999-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic parts and manufacturing method thereof
JP3372548B2 (ja) * 1992-12-10 2003-02-04 株式会社豊田中央研究所 半田接合用表面処理構造体及びそれを用いた無フラックス半田付方法
US5369300A (en) * 1993-06-10 1994-11-29 Delco Electronics Corporation Multilayer metallization for silicon semiconductor devices including a diffusion barrier formed of amorphous tungsten/silicon
US5747360A (en) * 1993-09-17 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Method of metalizing a semiconductor wafer
US5600182A (en) * 1995-01-24 1997-02-04 Lsi Logic Corporation Barrier metal technology for tungsten plug interconnection
KR0172772B1 (ko) * 1995-05-17 1999-03-30 김주용 반도체 장치의 확산장벽용 산화루테늄막 형성 방법
SG55246A1 (en) * 1995-12-29 1998-12-21 Ibm Aluminum alloy for the damascene process for on-chip wiring applications
JPH1064907A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Toshiba Corp 電気的固体装置及びその製造方法
KR100430683B1 (ko) * 1996-12-31 2004-07-05 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의금속배선형성방법
US5980653A (en) * 1997-01-23 1999-11-09 Ngk Metals Corporation Nickel-copper-beryllium alloy compositions
KR100243286B1 (ko) * 1997-03-05 2000-03-02 윤종용 반도체 장치의 제조방법
US5913146A (en) * 1997-03-18 1999-06-15 Lucent Technologies Inc. Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor
US6022801A (en) * 1998-02-18 2000-02-08 International Business Machines Corporation Method for forming an atomically flat interface for a highly disordered metal-silicon barrier film
US6720654B2 (en) 1998-08-20 2004-04-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with cesium barrier film and process for making same
US6351036B1 (en) 1998-08-20 2002-02-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with a barrier film and process for making same
US6188134B1 (en) 1998-08-20 2001-02-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with rubidium barrier film and process for making same
US6291876B1 (en) 1998-08-20 2001-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with composite atomic barrier film and process for making same
US6734558B2 (en) 1998-08-20 2004-05-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with barium barrier film and process for making same
US6077775A (en) * 1998-08-20 2000-06-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for making a semiconductor device with barrier film formation using a metal halide and products thereof
US6144050A (en) * 1998-08-20 2000-11-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices with strontium barrier film and process for making same
US6294836B1 (en) 1998-12-22 2001-09-25 Cvc Products Inc. Semiconductor chip interconnect barrier material and fabrication method
US6236113B1 (en) * 1999-03-05 2001-05-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Iridium composite barrier structure and method for same
US6627995B2 (en) 2000-03-03 2003-09-30 Cvc Products, Inc. Microelectronic interconnect material with adhesion promotion layer and fabrication method
US20060189129A1 (en) * 2000-03-21 2006-08-24 Semitool, Inc. Method for applying metal features onto barrier layers using ion permeable barriers
US7494927B2 (en) 2000-05-15 2009-02-24 Asm International N.V. Method of growing electrical conductors
US6429117B1 (en) * 2000-07-19 2002-08-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to create copper traps by modifying treatment on the dielectrics surface
US6444263B1 (en) 2000-09-15 2002-09-03 Cvc Products, Inc. Method of chemical-vapor deposition of a material
KR100805843B1 (ko) * 2001-12-28 2008-02-21 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 구리 배선 형성방법, 그에 따라 제조된 반도체 소자 및구리 배선 형성 시스템
AU2003217197A1 (en) * 2002-01-10 2003-07-30 Semitool, Inc. Method for applying metal features onto barrier layers using electrochemical deposition
DE10322135B9 (de) * 2003-05-16 2015-03-05 Epcos Ag Bauelement mit einer Lötverbindung und Verfahren zur Herstellung der Lötverbindung
US20050070097A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-31 International Business Machines Corporation Atomic laminates for diffusion barrier applications
US7666773B2 (en) 2005-03-15 2010-02-23 Asm International N.V. Selective deposition of noble metal thin films
US8025922B2 (en) 2005-03-15 2011-09-27 Asm International N.V. Enhanced deposition of noble metals
US20060244138A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 International Business Machines Corporation Techniques for improving bond pad performance
US20060251872A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Wang Jenn Y Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof
JP4396621B2 (ja) * 2005-12-02 2010-01-13 ソニー株式会社 記憶素子及び記憶装置
KR101379015B1 (ko) 2006-02-15 2014-03-28 한국에이에스엠지니텍 주식회사 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 루테늄 막 증착 방법 및고밀도 루테늄 층
KR101544198B1 (ko) 2007-10-17 2015-08-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 루테늄 막 형성 방법
US7655564B2 (en) 2007-12-12 2010-02-02 Asm Japan, K.K. Method for forming Ta-Ru liner layer for Cu wiring
US7799674B2 (en) 2008-02-19 2010-09-21 Asm Japan K.K. Ruthenium alloy film for copper interconnects
US20090278170A1 (en) * 2008-05-07 2009-11-12 Yun-Chi Yang Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8084104B2 (en) 2008-08-29 2011-12-27 Asm Japan K.K. Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition
US8133555B2 (en) 2008-10-14 2012-03-13 Asm Japan K.K. Method for forming metal film by ALD using beta-diketone metal complex
US9379011B2 (en) 2008-12-19 2016-06-28 Asm International N.V. Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide
US8329569B2 (en) 2009-07-31 2012-12-11 Asm America, Inc. Deposition of ruthenium or ruthenium dioxide
KR101256598B1 (ko) * 2011-02-10 2013-04-19 삼성전자주식회사 인접 비정질 또는 나노 크리스털 물질 층을 이용한 수직 자기 이방성 형성 자기 소자 및 그 제조 방법
WO2011149274A2 (ko) 2010-05-26 2011-12-01 고려대학교 산학협력단 자기적으로 연결되고 수직 자기 이방성을 갖도록 하는 비정질 버퍼층을 가지는 자기 터널 접합 소자
US8461043B2 (en) 2011-04-11 2013-06-11 Micron Technology, Inc. Barrier layer for integrated circuit contacts
US8871617B2 (en) 2011-04-22 2014-10-28 Asm Ip Holding B.V. Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films
TW201545895A (zh) 2014-01-08 2015-12-16 應用材料股份有限公司 鈷錳氣相沉積
US9607842B1 (en) 2015-10-02 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming metal silicides
US10741742B2 (en) 2018-02-28 2020-08-11 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Enhanced superconducting transition temperature in electroplated rhenium
US11545389B2 (en) * 2019-12-23 2023-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Titanium-containing diffusion barrier for CMP removal rate enhancement and contamination reduction
CN113832446A (zh) 2020-06-24 2021-12-24 Asm Ip私人控股有限公司 包含钼的膜的气相沉积

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2256539A1 (en) * 1973-12-28 1975-07-25 Ibm Ohmic contact for semiconductors with hafnium silicide zone - between (doped) semiconductor zone and metal, giving high temp. stability
US4201999A (en) * 1978-09-22 1980-05-06 International Business Machines Corporation Low barrier Schottky diodes
DE3049906A1 (en) * 1979-09-21 1982-03-18 Hitachi Ltd Amorphous alloys
US4350994A (en) * 1979-10-04 1982-09-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Semiconductor device having an amorphous metal layer contact
JPS56135927A (en) * 1980-03-28 1981-10-23 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Forming method for electrode of semiconductor device
GB2130793B (en) * 1982-11-22 1986-09-03 Gen Electric Co Plc Forming a doped region in a semiconductor body
GB8303298D0 (en) * 1983-02-07 1983-03-09 Gen Electric Co Plc Temperature sensors
JPS62276872A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0248445A2 (en) 1987-12-09
EP0248445A3 (en) 1988-10-12
JPS62287641A (ja) 1987-12-14
US4965656A (en) 1990-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0779136B2 (ja) 半導体装置
US4141020A (en) Intermetallic aluminum-transition metal compound Schottky contact
JP3361062B2 (ja) 半導体装置
US4680612A (en) Integrated semiconductor circuit including a tantalum silicide diffusion barrier
JP2582776B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US4316209A (en) Metal/silicon contact and methods of fabrication thereof
JPS6074541A (ja) 半導体装置
US4310568A (en) Method of fabricating improved Schottky barrier contacts
JPH0864800A (ja) 炭化珪素半導体素子
JPH06236855A (ja) 半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法
JPH033395B2 (ja)
JPS62240739A (ja) 半導体配線材料用ｂ、ｃ、ｎ含有アルミニウム合金
WO2001084609A1 (en) Method for low temperature formation of stable ohmic contacts to silicon carbide
JPS60182133A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60193337A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0287671A (ja) 耐高温性のショットキ接触を含む半導体デバイス
JP3033803B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62240734A (ja) 半導体配線材料用ｃ含有アルミニウム合金
JPS6372156A (ja) 半導体装置
JPH0448854B2 (ja)
JPS59227119A (ja) シリコン半導体装置
JPS62235453A (ja) 半導体配線材料用Ｃ含有Ａｌ合金
JPH04192332A (ja) 薄膜配線の製造方法並びに薄膜配線及び半導体装置
JPS62240735A (ja) 半導体配線材料用ｎ含有アルミニウム合金
JP2675775B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees