JPH0287671A - 耐高温性のショットキ接触を含む半導体デバイス - Google Patents
耐高温性のショットキ接触を含む半導体デバイスInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 9
- -1 CaAlAs Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 5
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 201000005569 Gout Diseases 0.000 description 1
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHYRFIXHTWWYOX-UHFFFAOYSA-N [B].[Si].[Ge] Chemical compound [B].[Si].[Ge] CHYRFIXHTWWYOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JEEHQNXCPARQJS-UHFFFAOYSA-N boranylidynetungsten Chemical compound [W]#B JEEHQNXCPARQJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ドーピングによって生じたひずみを回復す
るための高温焼もどしサイクルにより電気特性が所定の
機能の遂行に対して許される程度以上に変化することの
ない金属−Ｉ［１−Ｖ族半導体接触を含む半導体デバイ
スに関するものである。
るための高温焼もどしサイクルにより電気特性が所定の
機能の遂行に対して許される程度以上に変化することの
ない金属−Ｉ［１−Ｖ族半導体接触を含む半導体デバイ
スに関するものである。
耐高温性のショットキ接触は自己整合ＧａＡｓ−ＭＥＳ
ＦＥＴを作るゲート金属化層に対して必要である。ソー
ス領域とドレン領域を自己整合型に形成するため、従来
の製法ではＭＥＳＦＥＴの半導体とショットキ接合を形
成するゲート金属をｎ゛型ビイオン注入前にとりつけて
構造化する。
ＦＥＴを作るゲート金属化層に対して必要である。ソー
ス領域とドレン領域を自己整合型に形成するため、従来
の製法ではＭＥＳＦＥＴの半導体とショットキ接合を形
成するゲート金属をｎ゛型ビイオン注入前にとりつけて
構造化する。
ソースとドレン領域の形成後最低８００ ’Ｃの温度に
２０分間加熱するか９００℃で１５秒の短時間回復熱処
理（フラッシュ・アンニール）によってドーパントを活
性化する。この熱処理に際してショットキ接触の電気特
性が保持されなければならない、主要な電気特性は金属
と半導体の間の境界面での電位の高さ（障壁の高さ）、
逆方向の降伏電圧および理想因子（ｎ値）である。この
理想因子はショットキ・ダイオードの理想的特性からの
偏差を表すもので、ショットキ・ダイオードの電流■は
次式 で与えられる。ここでＩ、は逆方向の飽和電流、ｅは電
気素量、■は順方向を正とする印加電圧、ｎは理想因子
、ｋはボルツマン定数、Ｔはケルビン温度である。理想
的なショットキ・ダイオードではｎ＝１となる。ＭＥＳ
ＦＥＴのゲートでは理想因子は１．４以下でなければな
らない。金属・半導体接触は焼もどし熱処理に際してそ
の電気特性を確保することの外に、物質の拡散に対して
充分高い障壁となることが特に重要である。これによっ
て金属原子が半導体材料内に拡散侵入し、又逆に半導体
材料の原子がゲート金属内に拡散侵入することが阻止さ
れる。
２０分間加熱するか９００℃で１５秒の短時間回復熱処
理（フラッシュ・アンニール）によってドーパントを活
性化する。この熱処理に際してショットキ接触の電気特
性が保持されなければならない、主要な電気特性は金属
と半導体の間の境界面での電位の高さ（障壁の高さ）、
逆方向の降伏電圧および理想因子（ｎ値）である。この
理想因子はショットキ・ダイオードの理想的特性からの
偏差を表すもので、ショットキ・ダイオードの電流■は
次式 で与えられる。ここでＩ、は逆方向の飽和電流、ｅは電
気素量、■は順方向を正とする印加電圧、ｎは理想因子
、ｋはボルツマン定数、Ｔはケルビン温度である。理想
的なショットキ・ダイオードではｎ＝１となる。ＭＥＳ
ＦＥＴのゲートでは理想因子は１．４以下でなければな
らない。金属・半導体接触は焼もどし熱処理に際してそ
の電気特性を確保することの外に、物質の拡散に対して
充分高い障壁となることが特に重要である。これによっ
て金属原子が半導体材料内に拡散侵入し、又逆に半導体
材料の原子がゲート金属内に拡散侵入することが阻止さ
れる。
米国特許第４５６６０２１号明細書には金属シリサイド
系のゲート金属層に対する耐高温性ショットキ接触が記
載されている。金属としては特にチタン、タングステン
、モリブデンおよびタンタルが挙げられている。又米国
特許第４５７４２９８号明細書には元素周期表の■族、
■族及び■族の金属の高融点窒化物を使用するショット
キ接触が記載されている。金属としては特にタングステ
ン、タンタル、モリブデン、チタン、ジルコニウム、ニ
オブおよびバナジウムが挙げられている。
系のゲート金属層に対する耐高温性ショットキ接触が記
載されている。金属としては特にチタン、タングステン
、モリブデンおよびタンタルが挙げられている。又米国
特許第４５７４２９８号明細書には元素周期表の■族、
■族及び■族の金属の高融点窒化物を使用するショット
キ接触が記載されている。金属としては特にタングステ
ン、タンタル、モリブデン、チタン、ジルコニウム、ニ
オブおよびバナジウムが挙げられている。
米国特許第４５８６０６３号明細書には材料としてタン
グステンとアルミニウムの合金が挙げられ、そのアルミ
ニウムの量は０．５から３以下％の間である。技術の現
状としてこの外にチタン・タングステン合金、純タング
ステンおよびモリブデンとタングステン等の純金属の補
助層の使用がケイ化タングステンと窒化タングステンの
場合に述べられている。ケイ化タングステンと窒化タン
グステンは高い抵抗率を示しゲート金属化層の充分高い
電気伝導性を確実にするから、ケイ化物又は窒化物の比
較的薄い層の上にそれに比べて厚いストライブ形の純金
属層が設けられる。
グステンとアルミニウムの合金が挙げられ、そのアルミ
ニウムの量は０．５から３以下％の間である。技術の現
状としてこの外にチタン・タングステン合金、純タング
ステンおよびモリブデンとタングステン等の純金属の補
助層の使用がケイ化タングステンと窒化タングステンの
場合に述べられている。ケイ化タングステンと窒化タン
グステンは高い抵抗率を示しゲート金属化層の充分高い
電気伝導性を確実にするから、ケイ化物又は窒化物の比
較的薄い層の上にそれに比べて厚いストライブ形の純金
属層が設けられる。
文献［ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・
フィツクス（Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
） Ｊ ２５ （１９８６年）、Ｌ７６７〜Ｌ７６９に
は、耐高温性ショットキ接触形成材料としてＬａＢ６が
挙げられている。この材料の長所として熱安定性、すぐ
れた電気特性、容易な加工性およびＧａＡｓ基板との良
好な結合特性が挙げられている。この接触材料に許され
る回復熱処理温度は８５０℃とされている。
フィツクス（Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
） Ｊ ２５ （１９８６年）、Ｌ７６７〜Ｌ７６９に
は、耐高温性ショットキ接触形成材料としてＬａＢ６が
挙げられている。この材料の長所として熱安定性、すぐ
れた電気特性、容易な加工性およびＧａＡｓ基板との良
好な結合特性が挙げられている。この接触材料に許され
る回復熱処理温度は８５０℃とされている。
更に酸化物のないＧａＡｓ上と化学エツチングされたＧ
ａＡｓ上のＬａＢａ接触層を８５０℃まで回復熱処理し
たときの電気障壁の高さと理想因子の測定結果も文献に
発表されている。化学エツチングＧａＡｓ基板の場合７
５０”Ｃ以上の回復熱処理により障壁の高さが低下する
。ＬａＢｂ材料を純ＧａＡｓ表面に析出させると、障壁
の高さは０、８５ ｅ Ｖ以上となる。理想因子の値は
いずれの場合にも回復熱処理後１．０５と１．２の間に
ある。
ａＡｓ上のＬａＢａ接触層を８５０℃まで回復熱処理し
たときの電気障壁の高さと理想因子の測定結果も文献に
発表されている。化学エツチングＧａＡｓ基板の場合７
５０”Ｃ以上の回復熱処理により障壁の高さが低下する
。ＬａＢｂ材料を純ＧａＡｓ表面に析出させると、障壁
の高さは０、８５ ｅ Ｖ以上となる。理想因子の値は
いずれの場合にも回復熱処理後１．０５と１．２の間に
ある。
ショットキ接触層材料として非晶質のシリコン・ゲルマ
ニウム・ホウ素を使用して１ｅＶの障壁高さが達成され
ることも文献に発表されている。
ニウム・ホウ素を使用して１ｅＶの障壁高さが達成され
ることも文献に発表されている。
このショットキ接触はドーピング回復熱処理後に形成さ
れ、雪掻金属は４５０℃で１分間の熱処理により合金化
される。
れ、雪掻金属は４５０℃で１分間の熱処理により合金化
される。
耐高温性のゲート金属化無しに遂行される自己整合プロ
セスも公知であるが、ダミー・ゲートを必要とし、これ
を後でゲート金属で置き換えなければならない。これに
よって原則的に金属析出に先立って誘電体をエツチング
除去することが必要となるが、これは完成したショット
キ接触の障壁高さに対して不利な作用を及ぼす。従って
多くの場合ゲート金属の析出前にＧａＡｓ結晶の表面区
域を僅かにエツチング除去し、完全な障壁高さが達成さ
れるようにする。
セスも公知であるが、ダミー・ゲートを必要とし、これ
を後でゲート金属で置き換えなければならない。これに
よって原則的に金属析出に先立って誘電体をエツチング
除去することが必要となるが、これは完成したショット
キ接触の障壁高さに対して不利な作用を及ぼす。従って
多くの場合ゲート金属の析出前にＧａＡｓ結晶の表面区
域を僅かにエツチング除去し、完全な障壁高さが達成さ
れるようにする。
［発明が解決しようとする課題〕
この発明の目的は、物質拡散に対して特に高い障壁を形
成し、ショットキ接触の場合は電気特性、特に障壁の高
さと逆方向の降伏電圧と理想因子ｎの値が８４０’Ｃ，
２０分から９００ ’Ｃ１１５秒に及ぶイオン注入回復
熱処理サイクルにより悪化することのない金属−■−Ｖ
族半導体接触を備える半導体デバイスを提供することで
ある。
成し、ショットキ接触の場合は電気特性、特に障壁の高
さと逆方向の降伏電圧と理想因子ｎの値が８４０’Ｃ，
２０分から９００ ’Ｃ１１５秒に及ぶイオン注入回復
熱処理サイクルにより悪化することのない金属−■−Ｖ
族半導体接触を備える半導体デバイスを提供することで
ある。
（課題を解決するための手段〕
この目的は請求項１に特徴として挙げた構成とすること
によって達成される。
によって達成される。
■−■族半導体デバイスの表面には例えばＭＥＳＦＥＴ
のゲート制御用の遷移金属とホウ素の合金からなるショ
ットキ接触が設けられる。この合金は金属とホウ素又は
重化合物となっている化学量論組成の金属・ホウ素混合
物が製造条件によって決まる分量だけ含まれる混合物で
ある。この場合金属・ホウ素合金中には、製造工程にお
いて完全には除去されないホウ素と遷移金属の随伴元素
がこの発明による構成の機能性を阻害しない量だけ含ま
れることは避けられない。ホウ化物は熱的ならびに化学
的に極めて安定な物質であり、特に酸化に対して耐性が
ある。ホウ素は約２３００℃という比較的高い融点をも
つ。従って金属・ホウ素合金も金属が高融点のものであ
れば高い融点をもつ。
のゲート制御用の遷移金属とホウ素の合金からなるショ
ットキ接触が設けられる。この合金は金属とホウ素又は
重化合物となっている化学量論組成の金属・ホウ素混合
物が製造条件によって決まる分量だけ含まれる混合物で
ある。この場合金属・ホウ素合金中には、製造工程にお
いて完全には除去されないホウ素と遷移金属の随伴元素
がこの発明による構成の機能性を阻害しない量だけ含ま
れることは避けられない。ホウ化物は熱的ならびに化学
的に極めて安定な物質であり、特に酸化に対して耐性が
ある。ホウ素は約２３００℃という比較的高い融点をも
つ。従って金属・ホウ素合金も金属が高融点のものであ
れば高い融点をもつ。
高い融点は一方では材料を耐熱性とし、他方では高い融
点の非晶質合金が回復処理の温度においても非晶質であ
るために必要である。ホウ素と合金を作る金属がショッ
トキ接触形成の際に非晶質にとどまるものであると、そ
れは焼もどし処理の際にも非晶質のままである。これは
結晶化温度が経験的に溶融温度の約２／３であることに
よるものである。ホウ素は原子半径が小さいから、金属
原子間の間隙をホウ素原子で埋めると金属・ホウ素合金
の非晶質状態の安定化に好適である。
点の非晶質合金が回復処理の温度においても非晶質であ
るために必要である。ホウ素と合金を作る金属がショッ
トキ接触形成の際に非晶質にとどまるものであると、そ
れは焼もどし処理の際にも非晶質のままである。これは
結晶化温度が経験的に溶融温度の約２／３であることに
よるものである。ホウ素は原子半径が小さいから、金属
原子間の間隙をホウ素原子で埋めると金属・ホウ素合金
の非晶質状態の安定化に好適である。
合金の非晶質状態は物質拡散を阻止する障壁作用に対し
て決定的に有利である。大部分の金属の外に多くの合金
も比較的結晶化温度が低いから、焼もどし処理を受けな
い析出したままの状態で多結晶であることが多い。従っ
てこれらの金属と合金には、異原子で化学的に飽和しな
い限り正規に拡散チャネルとして作用しスタンド・バリ
アと呼ばれる粒界がある。飽和粒界よりも更に有利なの
はショットキ接触の材料を粒界のない非晶質とすること
である。この場合粒界拡散による輸送機構はもはや作用
せず、半導体材料からの原子の拡散逸出は徹底的に困難
となる。
て決定的に有利である。大部分の金属の外に多くの合金
も比較的結晶化温度が低いから、焼もどし処理を受けな
い析出したままの状態で多結晶であることが多い。従っ
てこれらの金属と合金には、異原子で化学的に飽和しな
い限り正規に拡散チャネルとして作用しスタンド・バリ
アと呼ばれる粒界がある。飽和粒界よりも更に有利なの
はショットキ接触の材料を粒界のない非晶質とすること
である。この場合粒界拡散による輸送機構はもはや作用
せず、半導体材料からの原子の拡散逸出は徹底的に困難
となる。
ホウ素の使用による障壁作用はＧａＡｓ基板の場合特に
強力である。これはホウ素とガリウムが混合せずガリウ
ムのホウ素への逸出が著しく困難であることによる。
強力である。これはホウ素とガリウムが混合せずガリウ
ムのホウ素への逸出が著しく困難であることによる。
〔実施例］
ＭＥＳＦＥＴのゲートに垂直な断面を示す図面について
この発明によるショットキ接触の特殊形態を説明する。
この発明によるショットキ接触の特殊形態を説明する。
基板１の表面にエピタキシャル成長した■−■族半導体
ＧａＡｓのヘテロ成層構造１１にソース領域２１とドレ
ン領域２２が自己整合型に形成され、それぞれに接触３
１又は３２が設けられる。
ＧａＡｓのヘテロ成層構造１１にソース領域２１とドレ
ン領域２２が自己整合型に形成され、それぞれに接触３
１又は３２が設けられる。
ソース領域２１とドレン領域２２はｎ導電型に高濃度ド
ープされる。ゲート金属化層４．５は、本来のショット
キ接触４１を形成するストライブ形の非晶質析出Ｗ７ｚ
Ｂｚ１合金層４とその上に重ねられたモリブデン又はタ
ングステンのストライブ形グートｆｌ極５から成り、ゲ
ート金属化層の制御作用に必要な充分高い電気伝導性を
確保する。
ープされる。ゲート金属化層４．５は、本来のショット
キ接触４１を形成するストライブ形の非晶質析出Ｗ７ｚ
Ｂｚ１合金層４とその上に重ねられたモリブデン又はタ
ングステンのストライブ形グートｆｌ極５から成り、ゲ
ート金属化層の制御作用に必要な充分高い電気伝導性を
確保する。
ホウ素とタングステンの２成分状態図には、ホウ素が２
７原子％の点で融点が２６００℃の共融点がある。この
融点は充分高く、タングステン・ホウ素層４の非晶質性
は８４０ ’Ｃの焼もどし処理又は９００℃の短時間回
復熱処理においてもそのまま保持される。従って金属・
ホウ素Ｎ４の材料は完成したデバイスにおいても非晶質
である。これによってショットキ接触４１の良好な障壁
作用が達成される。ＧａＡｓを半導体材料として使用す
ると、ホウ素とガリウムの間に混合性が無いことにより
障壁作用が更に強力となる。上記のホウ素分量の場合金
属・ホウ素層４は容積上玉としてタングステン原子で占
められる。ホウ素原子はタングステン原子間の間隙を埋
めて無定形状態を安定化する。
７原子％の点で融点が２６００℃の共融点がある。この
融点は充分高く、タングステン・ホウ素層４の非晶質性
は８４０ ’Ｃの焼もどし処理又は９００℃の短時間回
復熱処理においてもそのまま保持される。従って金属・
ホウ素Ｎ４の材料は完成したデバイスにおいても非晶質
である。これによってショットキ接触４１の良好な障壁
作用が達成される。ＧａＡｓを半導体材料として使用す
ると、ホウ素とガリウムの間に混合性が無いことにより
障壁作用が更に強力となる。上記のホウ素分量の場合金
属・ホウ素層４は容積上玉としてタングステン原子で占
められる。ホウ素原子はタングステン原子間の間隙を埋
めて無定形状態を安定化する。
図面はこの発明による半導体デバイスの断面構成を示す
。 １ ・・・基」反 １１・・・■−■族半導体のヘテロ成層構造２１・・・
ソース領域 ２２・・・ドレン領域 ４１・・・ショットキ接触
。 １ ・・・基」反 １１・・・■−■族半導体のヘテロ成層構造２１・・・
ソース領域 ２２・・・ドレン領域 ４１・・・ショットキ接触
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）温度と時間が８４０℃、２０分以上から９００℃、
１５秒以上までの領域にあるドーピング回復焼もどしサ
イクルによって電気特性が所定の機能に対して許し得る
程度以上に変化することのない金属−III−Ｖ族半導体
接触を含む半導体デバイスにおいて、金属−III−Ｖ族
半導体接触（４１）が、ランタンを除く遷移金属の少な
くとも１つとホウ素を主成分とする接触層（４）との間
に形成されていることを特徴とする耐高温性のショット
キ接触を含む半導体デバイス。 ２）基板（１）とヘテロ成層構造（１１）がＧａＡｓ、
ＣａＡｌＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ中のいくつかの半導体材料から成ることを
特徴とする基板とエピタキシャル成長ヘテロ成層構造を
含む請求項１記載の半導体デバイス。 ３）半導体材料がＧａＡｓであることを特徴とする請求
項１記載の半導体デバイス。 ４）金属−半導体接触（４１）が直接基板（１）上に形
成されていることを特徴とする請求項１ないし３の１つ
に記載の半導体デバイス。 ５）接触層（４）の材料が金属間化合物ではないことを
特徴とする請求項１又は２記載の半導体デバイス。 ６）金属・半導体接触（４１）が阻止性のショットキ接
触であることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記
載の半導体デバイス。 ７）接触層（４）の材料がホウ素とタングステンから成
ることを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の半
導体デバイス。 ８）接触層（４）の材料の融点が２３００℃以上である
ことを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の半導
体デバイス。 ９）接触層（４）の材料が非晶質として析出しているこ
とを特徴とする請求項１ないし６の１つに記載の半導体
デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3726717.5 | 1987-08-11 | ||
| DE3726717 | 1987-08-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287671A true JPH0287671A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=6333529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19876088A Pending JPH0287671A (ja) | 1987-08-11 | 1988-08-09 | 耐高温性のショットキ接触を含む半導体デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0303079A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0287671A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4912886B2 (ja) * | 2003-11-24 | 2012-04-11 | トライクウィント セミコンダクター，インコーポレーテッド | モノリシック集積型エンハンスメントモードおよびデプリーションモードｆｅｔおよびその製造方法 |
| DE102015100653A1 (de) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | Fanuc Corporation | Reflektierende optische Kodiervorrichtung mit einer Kunstharzkodier-Platte |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120818A (ja) * | 1987-09-23 | 1989-05-12 | Siemens Ag | 低伝達抵抗オーム接触の形成方法 |
| EP0412185A1 (de) * | 1989-08-09 | 1991-02-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Metallisierung mit Diffusionsbarriere für Halbleiterbauelemente |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2571548B1 (fr) * | 1984-10-09 | 1987-07-24 | Thomson Csf | Dispositif semiconducteur comportant un contact schottky, et procede de realisation d'un tel dispositif |
| JPS61152067A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-20 EP EP88111724A patent/EP0303079A3/de not_active Withdrawn
- 1988-08-09 JP JP19876088A patent/JPH0287671A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4912886B2 (ja) * | 2003-11-24 | 2012-04-11 | トライクウィント セミコンダクター，インコーポレーテッド | モノリシック集積型エンハンスメントモードおよびデプリーションモードｆｅｔおよびその製造方法 |
| DE102015100653A1 (de) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | Fanuc Corporation | Reflektierende optische Kodiervorrichtung mit einer Kunstharzkodier-Platte |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0303079A2 (de) | 1989-02-15 |
| EP0303079A3 (de) | 1990-02-28 |
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