JPH0748599A - 洗浄液、洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

洗浄液、洗浄方法及び洗浄装置

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JPH0748599A JP6047414A JP4741494A JPH0748599A JP H0748599 A JPH0748599 A JP H0748599A JP 6047414 A JP6047414 A JP 6047414A JP 4741494 A JP4741494 A JP 4741494A JP H0748599 A JPH0748599 A JP H0748599A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 塩素系溶剤に代り、かつはんだ後のフラック
ス残渣を完全に洗浄できる洗浄液を提供すること。 【構成】 酸（好ましくは有機酸、特にアビエチン酸よ
り強い酸、例、アクリル酸、酢酸、プロピオン酸、安息
香酸）と有機溶剤（例、キシレン、酢酸ベンジル、α−
ヒドロキシイソ酪酸メチル、シクロヘキサノン、β−メ
トキシイソ酪酸メチル）を含有し、必要に応じて１価ア
ルコール、界面活性剤、腐食防止剤をさらに含む。洗浄
後、洗浄液と混和性の溶剤でリンスして酸を完全に除す
ると好ましい。また、この洗浄のほか一般的に使用でき
る洗浄装置も開示される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄液、洗浄方法及び
洗浄装置に係り、とりわけ、はんだ付け後にフラックス
を洗浄除去する非塩素系洗浄の洗浄液、洗浄方法と、関
連する洗浄方法及び装置に関する。オゾン層を破壊する
塩素系有機溶剤は、モントリオール議定書締約国会議に
おいて生産・使用が規制されつつある。塩素系有機溶剤
は、従来よりはんだ付け後のフラックスの洗浄液として
用いられてきたことから、塩素系有機溶剤を用いないフ
ラックス洗浄液の開発が急がれている。
【０００２】
【従来の技術】はんだ付けにより電子回路部品を製造す
る際、はんだ付け後のフラックスは、従来より１，１，
１−トリクロロエタンによって洗浄除去されていた。
１，１，１−トリクロロエタンは、単にはんだ付け後の
フラックスの主成分であるロジン（松脂）の溶解能力が
大きいだけでなく、毒性が小さく、引火点も有さないと
いう点で安全性にも優れた洗浄液であり、フラックスの
洗浄に不可欠であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】１，１，１−トリクロ
ロエタンは、１９９６年に全廃されることから、それ以
降にはんだ付けによって電子回路部品を製造する場合、
はんだ付け後のフラックス洗浄が困難となり、フラック
ス中に含まれる腐食性物質のため、電子回路部品の長期
信頼性が低下するため、１，１，１−トリクロロエタン
代替洗浄液の開発が急務となっている。
【０００４】フラックスに含まれるロジンは、はんだ付
け時に長時間加熱されたりすることでロジンの酸成分が
はんだ金属と反応して塩を生成するなどの化学反応を起
こし、溶剤に難溶化するので、１，１，１−トリクロロ
エタンの代替洗浄液は、単に加熱前のロジンを溶解する
だけでなく、加熱によって反応した変質フラックス成分
を溶解する必要がある。
【０００５】しかしながら、従来より１，１，１−トリ
クロロエタンに代表される塩素系溶剤が主に検討されて
きたため、熱変質したフラックスを溶かす非塩素系溶剤
は、知られてなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】洗浄液 （１）本発明は上記課題を解決するために、酸と有機溶
剤を含有することを特徴とするフラックス洗浄液を提供
する。フラックスはロジン（通常、アビエチン酸及びそ
の誘導体を主成分とする）と活性剤（通常、アミン塩酸
塩類など）と有機溶剤からなり、はんだ付け箇所に塗布
後、加熱してはんだ付けが行なわれ、残ったフラックス
は金属腐食の原因となり、また美観を損なうので洗浄す
る必要がある。
【０００７】単にロジンを溶かすだけなら、メチルアル
コール、エチルアルコール、ｎ−プロパノール、イソプ
ロパノール、ｎ−ブタノールなどの一価アルコール、酢
酸エチル、酢酸イソプロピルなどのエステル、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどの
多価アルコール誘導体など多くの溶剤が知られている。
しかし、ここに示した一価アルコール、エステル、多価
アルコール誘導体では、はんだ付け後の熱変質フラック
スを溶解できない。
【０００８】近年、非塩素系有機溶剤から成る様々な洗
浄剤が開発、市販されているが、これらも上記溶剤と同
様に、熱変性フラックスでは、程度の差はあるが洗浄後
に残渣が発生する問題がある。また、特開昭６３−５６
３５３号公報では、塩酸や硝酸などの水溶液を介した
後、フッ素系炭化水素で洗浄する方法が提案されている
が、なお洗浄性が十分でないため残渣が発生する問題が
ある。これは、最初に浸漬洗浄する酸水溶液と次に浸漬
するフッ素系炭化水素と混じり合わないため、残渣成分
が完全除去できないためと考えられる。
【０００９】本発明者らは鋭意研究の結果、驚くべきこ
とに、酸と有機溶剤を含んで成る洗浄液が、はんだ接合
時の長時間にわたる加熱によって変質したロジン成分で
さえも極めて良好に溶解することを見出した。この洗浄
液による変質ロジン成分の溶解機構は明らかではない
が、次のように推察される。すなわち、本発明の洗浄液
では酸と有機溶剤が混合して存在するため、ロジンの溶
解性低下の原因と考えられるカルボン酸金属塩が酸成分
により解離され、解離されたものが有機溶剤成分に可溶
化し、残渣の発生しない完全洗浄が可能となったと考え
られる。
【００１０】この洗浄液の、酸の種類、およびこれに混
合して用いる溶剤の種類は、その使用目的によって自由
に選ぶことができる。また、酸および有機溶剤はそれぞ
れ２成分以上混合して用いることもできる。ここで用い
る酸としては、特に限定されないが、アビエチン酸より
強い酸は、洗浄が常温で容易に可能であることから、ま
た一般的なフラックスはアビエチン酸又はその誘導体を
主成分とし、熱変成フラックスがアビエチン酸金属塩を
含むので、これを洗浄する効果に優れているため、更に
好ましい。アビエチン酸より強い酸としては、その目安
として水溶液中での酸解離指数（pKa ：酸解離定数の逆
数の対数値）が６以下のものを好ましく用いることがで
きる。
【００１１】また、有機酸は無機酸と比べて有機溶剤の
相溶性が高く、さらに金属（はんだ）腐食が少ない利点
がある。カルボン酸を含む有機酸を好ましく用いること
ができる。例えば酢酸、アクリル酸、安息香酸、蟻酸、
プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、ピバル酸、吉草酸、イ
ソ吉草酸、カプロン酸、２−エチル酪酸、カプリル酸、
２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、クエン酸、コハク
酸、ケイ皮酸、アビエチン酸、ステアリン酸、シュウ
酸、マロン酸、マレイン酸、酒石酸、セバシン酸、フタ
ル酸等を挙げることができる。
【００１２】特に好ましい有機酸はアクリル酸、酢酸、
プロピオン酸、安息香酸である。アクリル酸およびプロ
ピオン酸は特に好適な酸強度を有し、酢酸は低価格であ
り、安息香酸は安全性（臭い）の面で特に好ましい。ま
た、酸に混合して用いる有機溶剤としては、上記の酸と
相分離を起こさない組成成分であれば特に限定されない
が、環境その他への安全性や洗浄後の乾燥速度を考慮す
れば、塩素やフッ素などのハロゲン元素を含まず、かつ
１気圧での沸点が５０℃〜２５０℃のものを好ましく用
いることができる。
【００１３】例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、
ノナン、デカン、ドデカン、ウンデカンなどの脂肪族炭
化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、メシチレン、ナフタレン、メシチレン、テ
トラリン、ナフタリンなどの芳香族炭化水素、メチルア
ルコール、エチルアルコール、ｎ−プロパノール、イソ
プロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ペン
タノール、ヘキサノール、ヘプタノールなどのアルコー
ル類、フェノール、クレゾール、キシレノールなどのフ
ェノール類、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、
ジヘキシルエーテル、アニソール、フェネトール、ジオ
キサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類、アセト
ン、メチルエチルケトン、ペンタノン、ヘキサノン、メ
チルイソブチルケトン、ヘプタノン、ジイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン、アセトフェノンなどのケトン
類、蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸ベンジル、酪酸エス
テル、イソ酪酸エステル、ヒドロキシイソ酪酸エステ
ル、イソ吉草酸エステル、安息香酸エステル、クエン酸
エステル、コハク酸エステル、ケイ皮酸エステル、アビ
エチン酸エステル、ステアリン酸エステル、シュウ酸エ
ステル、マロン酸エステル、マレイン酸エステル、酒石
酸エステル、セバシン酸エステル、フタル酸エステルな
どのエステル類（ここで上記酸とエステルをつくる置換
基はＣ1 〜Ｃ10の炭化水素基が好ましい）、アセトニト
リル、アミン類などの窒素化合物、ジメチルスルホキシ
ド等の硫黄化合物、２−メトキシエタノール、２−エト
キシエタノール、ジエチレングリコール、エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、
エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリ
コール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエ
チルエーテルなどの２つ以上の官能基を持つ化合物等を
挙げることができる。
【００１４】また、近年の電子部品の回路配線基板上へ
の高密度実装が進んだ結果、回路配線基板をアセンブリ
する過程で、プラスチック部品や接着剤が広く用いられ
るようになってきた。この場合、酸以外に混合する有機
溶媒によっては、回路配線基板上のプラスチック部品や
接着剤が膨潤・溶解するという問題が生じることもあ
る。また、部品への影響を抑えすぎて洗浄性が低下する
場合もある。これら部品への影響がなく、かつ高い洗浄
性を有する溶剤として、特に好ましいのは、トルエン、
キシレン、酢酸ベンジル、αヒドロキシイソ酪酸メチ
ル、βメトキシイソ酪酸メチル、シクロヘキサノン、酢
酸メチル、酢酸アミル、イソプロピルアルコールおよび
これらの誘導体を挙げることができる。
【００１５】これらの溶剤と酸の組成比については、目
的に応じて調節することができ、酸を好ましくは０．０
１〜５０重量部、更に好ましくは０．１〜２０部、また
酸以外の溶剤を好ましくは５０〜９９．９９重量部、更
に好ましくは８０〜９９．９重量部用いることができ
る。酸の量が少ないと洗浄性が弱くなり、また多いとは
んだその他の金属部品に悪影響を及ぼす可能性が高ま
る。特に好ましい濃度は１〜１０重量部の酸と９０〜９
９重量部の溶剤である。
【００１６】また、有機溶剤の一部として１価アルコー
ルを加えると、相溶性が向上し、かつはんだのつやが向
上する効果があり好適である。添加量としては５〜５０
重量部が好ましい。１価アルコールの添加量が少ないと
上記効果が小さく、また多いと洗浄性が悪くなる。 （２）さらに、本発明者らは、鋭意研究の結果、驚くべ
きことに、有機溶剤としてＣ６〜Ｃ２０の芳香族系溶剤
を５０〜９５重量部含有し、さらにＣ３〜Ｃ１５のエス
テル系、Ｃ２〜Ｃ１５のケトン系、および／またはＣ１
〜Ｃ１５のアルコール系溶剤を５〜５０重量部含有する
か、または、酢酸ブチルおよび／または酢酸アミルを単
独または合計で５０〜９０重量部含有し、さらにＣ３〜
Ｃ１５のエステル系、Ｃ２〜Ｃ１５のケトン系、および
／またはＣ１〜Ｃ１５のアルコール系溶剤を５〜５０重
量部含有する溶液が、特に有効であり、これらの有機溶
剤を含有する洗浄液では酸なしでも熱変成したロジン成
分を良好に溶解できるほどであることを見い出した。
【００１７】この洗浄液による変質ロジン成分の溶解機
構は明らかではないが、次のように推察される。すなわ
ち、本洗浄液では、ロジン自体の溶解性が高い芳香族溶
剤、または溶解性が高く人体安全性が高く、しかも安価
な酢酸ブチル、酢酸ベンジルを必須の主成分とし、さら
に加熱後ロジンの溶解性低下原因と考えられるカルボン
酸金属塩を解離させるための極性成分Ｃ３〜Ｃ１５のエ
ステル系、Ｃ２〜Ｃ１５のケトン系、および／またはＣ
１〜Ｃ１５のアルコール系溶剤を添加することにより金
属塩を解離し、解離後のロジン成分を前述主溶剤が溶解
することにより、優れた洗浄性が発現するものと考えら
れる。なお、洗浄液中に有機酸を添加することでカルボ
ン酸金属塩の解離を一層促進させることができ、洗浄性
をさらに向上できる。
【００１８】上記において炭素数限定の理由はこの範囲
より炭素数が小さいと、溶解性が低く、また引火点が低
くなって危険性が増すため使用上不都合が生じる一方、
この範囲より炭素数が大きいと、溶解性が低く、また揮
発性が低くなって乾燥に時間がかかるため、使用上不都
合が生じるからである。この洗浄液の、主溶剤、極性成
分、酸の種類は、その使用目的によって自由に選ぶこと
ができる。
【００１９】熱変性フラックスの溶解性について発明者
らが検討を重ねた結果、この混合溶液の溶解性パラメー
タ（ＳＰ）が８．０〜１１．０、好ましくは８．５〜１
０．０であり、かつ分散度の溶解パラメータ（δd ）が
７．３〜８．７、極性の溶解パラメータ（δp ）が０．
５〜４．２、水素結合の溶解パラメータ（δh ）が１．
０〜９．５であるものが好ましいことを見い出した。
〔δd ，δp ，δh については「接着ハンドブック（第
２版）」、日本接着協会編（昭和５７年発行）１１４頁
参照〕主成分の芳香族溶剤としては、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、メシチレン、
ナフタレン、メシチレン、テトラリン、酢酸ベンジル、
ジベンジルエーテル、ドデシルベンゼン、アセトフェノ
ン、安息香酸メチル、安息香酸エチルなどを用いること
ができる。特に、キシレンが安価で、テトラリン、ジベ
ンジルエーテル、ドデシルベンゼン、酢酸ベンジルが安
価かつ高引火点であるので好ましい。また、これら芳香
族系や酢酸ブチル、酢酸アミルの主成分に添加する極性
溶剤としては、上記成分と相分離を起こさない組成成分
であれば特に限定されないが、環境その他への安全性や
洗浄後の乾燥速度を考慮すれば、塩素を含まず、かつ１
気圧での沸点が５０℃〜２５０℃のものを好ましく用い
ることができる。例えば、メチルアルコール、エチルア
ルコール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−
ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノ
ール、ヘプタノールなどのアルコール類、フェノール、
クレゾール、キシレノールなどのフェノール類、ジプロ
ピルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテ
ル、アニソール、フェネトール、ジオキサン、テトラヒ
ドロフランなどのエーテル類、アセトン、メチルエチル
ケトン、ペンタノン、ヘキサノン、メチルイソブチルケ
トン、ヘプタノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノンなどのケトン類、蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ヘキシル、酪酸エステル、イ
ソ酪酸エステル、ヒドロキシイソ酪酸エステル、アルコ
キシイソ酪酸エステル、イソ吉草酸エステル、安息香酸
エステル、クエン酸エステル、コハク酸エステル、ケイ
皮酸エステル、アビエチン酸エステル、ステアリン酸エ
ステル、シュウ酸エステル、マロン酸エステル、マレイ
ン酸エステル、酒石酸エステル、セバシン酸エステル、
フタル酸エステルなどのエステル類（ここで、上記酸と
エステルをつくる置換基はＣ1 〜Ｃ10の炭化水素基が好
ましい。）、アセトニトリル、アミン類などの窒素化合
物、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物、２−メトキ
シエタノール、２−エトキシエタノール、ジエチレング
リコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジエチルエーテルなどの２つ以上の
官能基を持つ化合物等を挙げることができる。
【００２０】また、近年の電子部品の回路配線基板上へ
の高密度実装が進んだ結果、回路配線基板をアセンブリ
する過程で、プラスチック部品や接着剤が広く用いられ
るようになってきた。この場合、酸以外に混合する有機
溶媒によっては、回路配線基板上のプラスチック部品や
接着剤が膨潤・溶解するという問題が生じることもあ
る。また、部品への影響を抑えすぎて洗浄性が低下する
場合もある。これら部品への影響がなく、かつ高い洗浄
性を有する溶剤として、特に好ましいのは、トルエン、
キシレン、酢酸ベンジル、ジベンジルエーテル、ドデシ
ルベンゼン、アセトフェノン、シクロヘキサノン、βメ
トキシイソ酪酸メチル、αヒドロキシイソ酪酸メチル、
イソプロピルアルコール、およびこれらの誘導体を挙げ
ることができる。
【００２１】これらの溶剤と添加する酸の組成比につい
ては、目的に応じて調節することができ、酸を好ましく
は０．０１〜５０重量部、更に好ましくは１〜１０部用
いることができる。酸の量が少ないと洗浄性が弱くな
り、また多いとはんだその他の金属部品に悪影響を及ぼ
す可能性が高まる。 （３）また、上記の如く、上記の有機溶剤の場合、酸な
しでも熱変成ロジンを溶解するので、本発明によれば、
酸を含まない下記洗浄液も提供される。
【００２２】すなわち、構成成分として、炭素原子数６
〜２０の芳香族系溶剤５０〜９５重量部と、炭素原子数
３〜１５のエステル系溶剤、炭素原子数２〜１５のケト
ン系溶剤、炭素原子数１〜１５のアルコール系溶剤のう
ち少なくとも１種５〜５０重量部を含有し、かつ塩素及
びフッ素を含まない有機溶剤混合物を用いたことを特徴
とするフラックス洗浄液、および構成成分として、酢酸
ブチル及び／又は酢酸アミルを５０〜９０重量部と、炭
素原子数３〜１５のエステル系溶剤、炭素原子数２〜１
５のケトン系溶剤、炭素原子数１〜１５のアルコール系
溶剤のうち少なくとも１種を５〜５０重量部を含有し、
かつ塩素及びフッ素を含まない有機溶剤混合物を用いた
ことを特徴とするフラックス洗浄液。
【００２３】最も好適な系は、キシレン５０〜９０重量
部、シクロヘキサノン及び／又はβ−メトキシイソ酪酸
メチル１０〜５０重量部、酢酸０．５〜１０重量部を含
む混合物を用いたものである。勿論これに酸を加えるこ
とがより好ましい。また、本発明の洗浄液では、水を含
むと金属部品に悪影響を及ぼす可能性が高まるので好ま
しくないが、用途によっては２．０重量％以下含有して
もあまり問題がない。
【００２４】必要に応じてはんだその他の金属腐食を抑
えるため腐食抑制剤を添加することができる。りん酸
類、ケイ酸類、クロム酸類、スルホン酸類、亜硝酸類、
バナジウム酸類等の金属またはアンモニウム塩；亜りん
酸アルキル、りん酸トリアリール等の有機りん化合物；
Ｃ1 〜Ｃ10のアルキルアミン類；チオ尿素、ソルビタン
モノオレイン酸エステル、ベンゾトリアゾールなどが好
ましく用いられる。添加量は１０ppm 〜１０％が好まし
い。添加量が少ないと腐食抑制効果が小さく、また多い
と洗浄性が低下する。
【００２５】また、被洗浄物に腐食性の高い金属が存在
する場合などに、腐食を防止することを目的に酸入り洗
浄液中に脱水剤を添加することができる。脱水剤は脱水
作用が有れば、特に限定されないが、五酸化リン、過塩
素酸マグネシウム、シリカゲル、モレキュラーシーブ、
三酢酸ホウ素、無水硫酸銅、酢酸クロム（III ）、無水
酢酸などを好ましく用いることができる。
【００２６】必要に応じて界面活性剤をこの洗浄液に添
加することができる。界面活性剤を含有することによっ
て液の表面張力が低下し、微細部分への液の浸み込みが
容易となることから洗浄性が向上する。界面活性効果を
有すれば特に種類の限定はされないが、例えばカルボン
酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル
塩などの陰イオン活性剤、陽イオン系活性剤、ポリエチ
レングリコール、多価アルコールなどの非イオン性活性
剤、両性イオン活性剤、フッ素系活性剤などを好ましく
用いることができる。添加量は１ppm 〜１％が好まし
く、これより少ないと界面活性効果が小さく、また多い
と洗浄性が低下する。
【００２７】洗浄液の温度は室温でもよく、また必要に
応じて温度を室温以上に上げて洗浄することもできる。
この洗浄液を用いた洗浄方法は特に規制されないが、浸
漬法、シャワー法、スプレー法、パドル法、バブル法、
超音波法などが好ましく用いられる。なお、フラックス
洗浄液の粘度は拡散を容易にし洗浄性を上げるために１
０cp以下が好ましく、特に３cp以下が好ましく用いられ
る。
【００２８】また、表面張力は先述のように浸み込みを
良くするために４０dyn ／cm以下が好ましく、特に３０
dyn ／cm以下が好ましく用いられる。
【００２９】洗浄方法 （１）上記の如く、本発明の洗浄液は、酸を有機溶剤と
組合せて用いることによって、熱変成したロジンをも溶
解でき、かつ回路配線基板などを長時間（あるいは繰り
返し）酸を含む洗浄液に浸漬しても問題ないことを見い
出したものであるが、洗浄後に大気にさらされる回路配
線基板上に酸が残ることは金属腐食の原因になり好まし
くないので、上記酸含有洗浄液後、その洗浄液（特に有
機酸成分）と容易に混合する液（酸を含まない）で洗浄
（リンス）することにより、酸を容易に除去でき、金属
腐食を抑えることができることも見い出した。
【００３０】ここでリンス液として用いることができる
ものは、代表者には酸含有洗浄液で用いた有機溶剤その
ものであるが、洗浄液に用いることができるその他の有
機溶剤のほか、洗浄液と混合できれば水でもよい。必要
に応じてリンス液に界面活性剤を添加してもよい。ま
た、近年の電子部品の回路配線基板上への高密度実装が
進んだ結果、回路配線基板をアセンブリする過程で、プ
ラスチック部品や接着剤が広く用いられるようになって
きた。この場合、リンスに用いる液によっては、回路配
線基板上のプラスチック部品や接着剤が膨潤・溶解する
という問題が生じることもある。
【００３１】この場合、これら部品への影響を調整する
ために用いる溶剤として、特に好ましいのは、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族系およびイソプロピルアルコ
ールなどの１価アルコール系、酢酸ブチルなどのエステ
ル系溶剤、水を挙げることができる。リンス液は、２種
類以上の溶剤を混合して用いることができる。また、第
１の液でリンスした後、さらに第２の液でリンスするこ
ともできる。リンス液の温度は室温でもよく、また必要
に応じて温度を上げて用いることができる。また蒸気に
てリンスすることもできる。
【００３２】リンス方法は特に規制されないが、浸漬
法、シャワー法、スプレー法、パドル法、バブル法、超
音波法などが好ましく用いられる。なお、回路配線基板
に残存する酸の濃度としては、ＮａＣｌ換算の残留イオ
ン量で５μｇ／in2 以下であることが望ましい。 （２）また、１，１，１−トリクロロエタンに替わるフ
ラックス洗浄液として、２種以上の有機化合物（特に有
機溶媒）の混合物を用いる場合、個々の有機溶媒の蒸発
熱は異なることから、フラックス洗浄プロセスのように
フラックス洗浄液を開放系で使用すると、蒸発熱の小さ
い有機溶媒から優先的に蒸発（揮発）し、時間の経過と
ともに洗浄液の組成がずれるという問題を生じていた。
【００３３】そこで、本発明の１側面では、数種有機溶
媒の混合物からなるフラックス洗浄液の液組成ずれを最
少限に留めて、配線基板のフラックス洗浄を安定して行
える方法を提供することを目的として、洗浄液の頂面に
粒状又は棒状の浮遊体を配置する。浮遊体は液面を完全
に覆うようにすることが好ましく、形状は球状、特に異
なる直径の球体の混合物が好ましく、さらに中空である
こと（軽量）、導電性を有すること（静電対策）も望ま
しい。
【００３４】この洗浄方法は、前記洗浄液の場合に限定
されない。
【００３５】洗浄装置 トリクロロエタンに替わる洗浄液は殆んど可燃性である
ため、消防上の対処が必要であるが、この対策には局所
排気により可燃性ガス濃度を爆発限界以下に保つ方法が
一般的に採用される。しかしながら、局所排気による防
爆対策では、万一引火した場合、多量の空気が常に供給
されているため却って消化しにくい、多量の排気に伴い
塵芥が舞うため、非洗浄物に埃が付着しやすい、排気量
が増すと溶剤の気化量が増加し不経済、かつ大気汚染を
増大させる、という問題がある。
【００３６】そこで、本発明の１側面において、これら
の問題を解決するために、溶剤を用いて被洗浄物に付着
する有機物または／および塵芥の除去を行う洗浄装置に
おいて、洗浄工程を実行する空間を外気と遮断された閉
空間とする仕切り構造と、前記閉空間に窒素ガスを導入
する手段と窒素ガスを排気する手段とを有し、かつ、前
記窒素ガス導入手段と排気手段とが前記閉空間と外気と
の圧力差を一定に保つよう制御可能なことを特徴とする
洗浄装置を提供する。
【００３７】可燃性ガス濃度の低減に代えて又は加え
て、酸素濃度の低減により燃えにくくする。酸素濃度が
少しでも下がればそれだけ爆発や燃焼の危険性は低下す
るが、１０vol ％以下にするのが望ましい。洗浄を行う
領域を覆い外部と遮断して、そこに窒素ガスを導入、大
気と置換する窒素ガスである必要はないが、窒素が最も
安価である。しかし、窒素ガスの導入、排気に伴い覆い
の内外で圧力差が生じる。一般に洗浄装置は数ｍオーダ
の大きさであり覆いの面積は合計で数１０m2にもなるた
め、小さな圧力差でも全体では巨大な力となる。例え
ば、０．１気圧＝１００hPa.の圧力差でも全体では数１
０トンの力となるため、強固な耐圧構造が必要となり高
価で重く非実用的な装置となってしまう。
【００３８】この課題は、覆い内部に窒素ガスを導入す
る手段と覆い内から窒素ガスを排気する手段とを有し、
かつ、前記窒素ガス導入手段と排気手段とを、内外の圧
力差が、例えば１０hPa.以下に保たれるよう制御するこ
とで解決できる。
【００３９】
【作用】酸と有機溶剤を含んで成るフラックス洗浄液
は、はんだ付け時の加熱により部分的に変質したロジン
をも良好に溶解して、はんだ付け部を清浄にする。酸に
混合する溶剤の種類や混合比を工夫することにより、回
路配線基板上のプラスチック部品や接着剤に悪影響を与
えること無くはんだ付け部に残存するロジンや腐食性の
イオン性物質を清浄にする。
【００４０】また、ロジン自体の溶解性が高い芳香族溶
剤、または溶解性が高く人体安全性が高い酢酸ブチル、
酢酸アミルを主成分とし、さらにカルボン酸金属塩を解
離するエステル系、ケトン系、アルコール系の極性溶
剤、好ましくは有機酸を添加することにより金属塩を解
離し、解離後のロジン成分を前述主溶剤が溶解すること
により、はんだ付け時の加熱により部分的に変質したロ
ジンをも良好に溶解して、はんだ付け部を清浄にする。
【００４１】これらにより、非塩素系溶剤でフラックス
を完全に洗浄することができる。さらに洗浄後に酸を含
まない液を用いて洗浄液を除去（リンス）することによ
り、洗浄液に含まれる酸を除去することができ、回路配
線基板上の金属部品類の腐食を抑制することができる。
洗浄液の頂面を球状又は棒状の浮遊物で覆うことによ
り、洗浄液の蒸発（揮発）を抑制して、液組成ずれを防
止する。
【００４２】
【実施例】参考例 ３種のはんだ（Ｉｎ−４０Ｐｂ，Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ
−４８Ｓｎ）と市販のフラックスＭＨ−８２０Ｖ（タム
ラ化研製）を２１５℃で２５分間加熱したフラックスを
ＩＰＡで洗浄したが、フラックス残渣の一部は洗浄でき
ず残った。
【００４３】このフラックス残渣をテトラヒドロフラン
（ＴＨＦ）で溶解抽出し、分析した。結果は下記の通り
であった。 （１）図１に示すＩＲ分析に見られるように、ＩＰＡ不
溶物にはＩＰＡ可溶物には含まれていないカルボン酸金
属塩が多く含まれている。 （２）残渣成分中には、金属、ハロゲン等が含まれてい
る（ＸＰＳ分析）。
【００４４】（３）残渣成分には、分子量の増大が認め
られず、長時間加熱によるロジンの重合反応は生じてい
ない（ＧＰＣ分析）。また、ＴＨＦでフラックス洗浄し
た後の３種はんだの表面を元素分析したところ、以下の
ことが判明した。（４）Ｉｎ−４０Ｐｂ，Ｓｎ−３７Ｐ
ｂはんだにおいて、リフロー後フラック スが残存していた部分は、フラックス残存が無かった部
分と比較するとＩｎ，Ｓｎ量が極端に少なくなる。逆
に、Ｐｂの分布は、フラックスが残存していた部分に多
くなる（単位体積当たりのＰｂ原子数が相対的に増加す
るため）。また、Ｉｎ−４８Ｓｎはんだでは、残存フラ
ックスの有無による元素分布の顕著な差が認められない
（ＸＭＡ分析）。
【００４５】以上のことから、以下のように考察され
る。
【００４６】ｉ）はんだ接合時には、はんだ中のＩｎ，
Ｓｎ原子が、ロジン（フラックス）中のカルボキシル基
（−ＣＯＯＨ）と反応して、ＩＰＡに不溶なカルボン酸
塩（ロジン−ＣＯＯＩｎ、ロジン−ＣＯＯＳｎ）を生成
する。この時、はんだ表面のＩｎ，Ｓｎ量は減少する。 ii）加熱（はんだ接合）時間が長くなると、カルボン酸
塩の生成量も増加するため、洗浄後残渣として残るよう
になる。
【００４７】iii ）残渣発生原因が、カルボン酸のＩｎ
塩、Ｓｎ塩であることから、新洗浄液の成分の一つに
「酸」を加えることが有効である。「酸」は、洗浄時に
カルボン酸Ｉｎ塩、カルボン酸Ｓｎ塩から、Ｉｎイオ
ン、Ｓｎイオンを解離させて、カルボン酸金属塩をカル
ボン酸に戻し、洗浄（溶解）を容易にすると考えられ
る。
【００４８】実施例１ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸／イソプロパノール／キシレン＝１／２／７（重
量比、以下同じ）の洗浄液中に室温で１０min 浸漬し
た。その後フラックス残渣発生の有無を観察したとこ
ろ、残渣が観察されなかった。
【００４９】比較例１ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をイソプロパノール／キシレン＝３／７の洗浄液中に室
温で３０min 浸漬した。その後フラックス残渣発生の有
無を観察したところ、多量のフラックス残渣が観察され
た。
【００５０】比較例２ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３min 加熱した。加熱後、これを
市販洗浄液ＴＨ−２０Ａ（徳山ソーダ）中に室温で１０
min 浸漬した。その後フラックス残渣発生の有無を観察
したところ、フラックス残渣は観察されなかった。次に
はんだの加熱時間を３０min と長くし、同様に評価を行
ったところ、多量のフラックス残渣が観察された。
【００５１】実施例２ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をアクリル酸／イソプロパノール／キシレン＝１／２／
７の洗浄液中に室温で１０min 浸漬した。その後フラッ
クス残渣発生の有無を観察したところ、残渣が観察され
なかった。
【００５２】実施例３ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をプロピオン酸／イソプロパノール／キシレン＝１／２
／７の洗浄液中に室温で１０min 浸漬した。その後フラ
ックス残渣発生の有無を観察したところ、残渣が観察さ
れなかった。
【００５３】実施例４ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を安息香酸／イソプロパノール＝２／８の洗浄液中に６
０℃で１０min 浸漬した。その後フラックス残渣発生の
有無を観察したところ、残渣が観察されなかった。
【００５４】実施例５ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸／イソプロパノール／酢酸ベンジル＝１／２／７
の洗浄液中に室温で１０min 浸漬した。その後フラック
ス残渣発生の有無を観察したところ、残渣が観察されな
かった。
【００５５】実施例６ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸／イソプロパノール／αヒドロキシイソ酪酸メチ
ル＝３／２／５の洗浄液中に室温で１０min 浸漬した。
その後フラックス残渣発生の有無を観察したところ、残
渣が観察されなかった。
【００５６】実施例７ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸／イソプロパノール／キシレン＝１／２／７に
０．１％のりん酸ナトリウム塩を加えた洗浄液に室温で
１０min 浸漬した。その後、フラックス残渣発生の有無
を観察したところ、残渣が観察されなかった。また、こ
の際、本洗浄液への浸漬によるはんだ金属へのダメージ
は観察されなかった。
【００５７】実施例８ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をキシレン／βメトキシイソ酪酸メチル／シクロヘキサ
ノン／酢酸＝７０／１５／１５／２．５の洗浄液中に室
温で１０min 浸漬した。
【００５８】その後フラックス残渣発生の有無を観察し
たところ、残渣が観察されなかった。
【００５９】比較例３ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をシクロヘキサノンに室温で３０min 浸漬した。その後
フラックス残渣発生の有無を観察したところ、多量のフ
ラックス残渣が観察された。
【００６０】実施例９ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をキシレン／βメトキシイソ酪酸メチル／シクロヘキサ
ノン＝７０／１５／１５の洗浄液中に室温で３０min 浸
漬した。その後フラックス残渣発生の有無を観察したと
ころ、残渣が観察されなかった。
【００６１】実施例１０ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸イソアミル／酢酸ブチル／βメトキシイソ酪酸メ
チル／酢酸＝７０／２０／１０／３の洗浄液中に６０℃
で１５min 浸漬した。その後フラックス残渣発生の有無
を観察したところ、残渣が観察されなかった。
【００６２】実施例１１ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をジベンジルエーテル／テトラリン／βメトキシイソ酪
酸メチル／酢酸＝６５／３０／５／１の洗浄液（引火点
約７２℃）中に室温で１５min 浸漬した。その後フラッ
クス残渣発生の有無を観察したところ、残渣が観察され
なかった。
【００６３】実施例１２ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸ベンジル／テトラリン／βメトキシイソ酪酸メチ
ル／酢酸＝６５／３０／５／１の洗浄液中に室温で１５
min 浸漬した。その後フラックス残渣発生の有無を観察
したところ、残渣が観察されなかった。
【００６４】実施例１３ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をドデシルベンゼン／酢酸ベンジル／テトラリン／βメ
トキシイソ酪酸メチル／酢酸＝３５／２０／４０／５／
２の洗浄液中に室温で１５min 浸漬した。その後フラッ
クス残渣発生の有無を観察したところ、残渣が観察され
なかった。
【００６５】実施例１４ 実施例１４，１５は酸を含まない洗浄液である。Ｓｎ−
３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０ＰｂはんだをＡ
ｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８２０Ｖ
（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフロロカ
ーボン蒸気中で２０min 加熱した。
【００６６】加熱後、これを酢酸イソアミル／酢酸ブチ
ル／βメトキシイソ酪酸メチル＝７０／２０／１０の洗
浄液中に６０℃で３０min 浸漬した。その後フラックス
残渣発生の有無を観察したところ、残渣が観察されなか
った。
【００６７】実施例１５ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
をキシレン／シクロヘキサノン／β−メトキシイソ酪酸
メチル／酢酸＝７０／１５／１５／２．５に１０wt％の
モレキュラーシーブ（４Ａ）を加えた洗浄液に室温で１
０min 浸漬した。
【００６８】その後フラックス残渣発生の有無を観察し
たところ、残渣が観察されなかった。また、この際、本
洗浄液への浸漬によるはんだ金属へのダメージは観察さ
れなかった。
【００６９】実施例１６ 実施例１６〜２１は洗浄後リンスの例である。Ｓｎ−３
７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０ＰｂはんだをＡｕ
メタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８２０Ｖ
（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフロロカ
ーボン蒸気中で３０min 加熱した。
【００７０】これを酢酸／イソプロパノール／キシレン
＝１／２０／７９の洗浄液中に室温で２０min 浸漬した
後、キシレンに５分間浸漬し、さらに別の新しいキシレ
ンに５分間浸漬し、最後にイソプロピルアルコールの蒸
気に５分間曝した。その後フラックス残渣発生の有無を
観察したところ、残渣が観察されなかった。また、この
サンプルを高温高湿層に１週間入れたが、金属部品類に
腐食は見られなかった。
【００７１】比較例４ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。これを酢酸／
イソプロパノール／キシレン＝１／２０／７９の洗浄液
中に室温で２０min 浸漬し、その後高温高湿層に１週間
入れた。すると金属部品に腐食が観察された。
【００７２】実施例１７ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。これをプロピ
オン酸／イソプロパノール／キシレン＝１／２０／７９
の洗浄液中に室温で２０min 浸漬した後、キシレンに１
０分間浸漬した。その後フラックス残渣発生の有無を観
察したところ、残渣が観察されなかった。また、このサ
ンプルを高温高湿層に１週間入れたが、金属部品類に腐
食は見られなかった。
【００７３】実施例１８ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。これを酢酸／
シクロヘキサノン／キシレン＝１／２０／７９の洗浄液
中に室温で２０min 浸漬した後、イソプロピルアルコー
ルに１０分間浸漬した。その後フラックス残渣発生の有
無を観察したところ、残渣が観察されなかった。また、
このサンプルを高温高湿層に１週間入れたが、金属部品
類に腐食は見られなかった。
【００７４】実施例１９ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。これを酢酸／
βメトキシイソ酪酸メチル／キシレン＝１／２０／７９
の洗浄液中に室温で２０min 浸漬した後、酢酸ブチルに
１０分間浸漬した。その後フラックス残渣発生の有無を
観察したところ、残渣が観察されなかった。また、この
サンプルを高温高湿層に１週間入れたが、金属部品類に
腐食は見られなかった。
【００７５】実施例２０ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。加熱後、これ
を酢酸／αヒドロキシイソ酪酸メチル／アニソール＝３
／２０／８０の洗浄液中に室温で１０min 浸漬した後、
キシレンに１０分間浸漬し、さらにイソプロピルアルコ
ールに５分間浸漬した。
【００７６】その後フラックス残渣発生の有無を観察し
たところ、残渣が観察されなかった。また、このサンプ
ルを高温高湿層に１週間入れたが、金属部品類に腐食は
見られなかった。
【００７７】比較例５ Ｓｎ−３７Ｐｂ，Ｉｎ−４８Ｓｎ，Ｉｎ−４０Ｐｂはん
だをＡｕメタライズ上に置き、市販フラックスＭＨ−８
２０Ｖ（タムラ化研）を塗布した後、２１５℃のパーフ
ロロカーボン蒸気中で３０min 加熱した。これを酢酸／
イソプロパノール／キシレン＝１／２０／７９の洗浄液
中に室温で２０min 浸漬した後、パーフロロカーボン
（沸点約１００℃）に５分間浸漬した。その後高温高湿
層に１週間入れた。すると金属部品に腐食が観察され
た。
【００７８】実施例２１ 図２中、（Ａ）は洗浄装置概観を示しており、洗浄液を
満たした洗浄槽７と洗浄液をリンスするためのリンス槽
８、被洗浄物（回路配線基板４）を搬送する搬送装置６
より構成され、装置内部はＮ2 雰囲気となっている。
（Ｂ）は洗浄槽７内部を示した図であり、１は洗浄液で
あり、２はＮ2 ガスであり、３は浮遊体であり、４はは
んだ接合後の回路配線基板（被洗浄物）であり、５は搬
送治具である。
【００７９】フラックス洗浄装置の洗浄槽に、キシレン
７０／シクロヘキサノン１５／β−メトキシイソ酪酸メ
チル／酢酸２．５の混合溶液を入れ、その液面にポリエ
チレン製の２種中空ボール（φ２０mm，φ５０mm）を浮
かべ、回路配線基板を洗浄した。回路配線基板を洗浄槽
から引き上げた際、中空ボールを一緒に持ち出すことは
無かった。
【００８０】１０時間後、別の回路配線基板を洗浄し
て、両者を比較したところ、差は認められなかった。こ
の実施例では、フラックス洗浄液１の液面に、洗浄液と
親和しない物質３が浮遊して、洗浄液１を外気２から遮
断し、洗浄液の蒸発（揮発）を抑制して、液組成ずれを
防止したと考えられる。
【００８１】これを確認するため、７８mmφ丸底×８６
mm液の高さの容器に、キシレン７０／シクロヘキサノン
１５／β−メトキシイソ酪酸メチル／酢酸２．５の溶液
を入れ、液面に１０mmφの球体を浮かべて覆ったものと
そうでないものの蒸発による液の重量減少を比較した。
結果を図３に示す。
【００８２】実施例２２ 図４〜７に洗浄装置を示す。図４は正面断面図、図５は
側断面図である。洗浄液とリンス液が入っている洗浄槽
１１、第１リンス槽１２、第２リンス槽１３は気密な囲
繞体１４内に配置されている。囲繞体１４内に窒素ガス
を導入するため、Ｎ2 源１５から調圧弁１６、電磁弁１
７を介して囲繞体１４内の天井近くに配置された穴付銅
パイプ１８の穴からＮ2 ガスを室内へ導入する一方、排
気弁１９を介して排気ダクト２０で排気する。洗浄液や
リンス液の有機溶剤は一般に空気より重いので、Ｎ2 ガ
スの排気にはＮ2 ガス導入口より低い位置、囲繞体１４
の下部に設けると、溶剤蒸気を効率的に排気でき、従っ
てＮ2 ガス導入量を少なくすることができる。
【００８３】囲繞体１４内において、被洗浄物（ワー
ス）２１は洗浄カゴ２２に入れ、チェーン２３で懸るさ
れ、天井近くを走るガイド付ビーム２４に沿ってモータ
２５で前後、及び上下に移動可能である。ビーム２４は
支柱２６で支持されている。囲繞体１４内への被洗浄物
の投入、取出しには扉を開閉する必要があるが、この際
外気が囲繞体１４内へ入って酸素濃度が上がり、この酸
素濃度を下げるためには余分な時間とＮ2 ガスを消費し
ランニングコストが上がるという問題がある。そこで、
ローダ扉２７、アンローダ扉２８の外に前室２９、後室
３０を設け、この室２９，３０にもＮ2 を流し、前後室
２９，３０をバッファとして上記問題を解決できる。
【００８４】また、洗浄装置の起動時間を短くするには
酸素濃度を短時間で低下させるため多量の窒素ガスを供
給・排気する必要があるが、常に多量の窒素を流すのは
不経済である。そこで、閉空間内の酸素濃度を検出し、
酸素濃度が充分低くなったら窒素流量を減少（またはゼ
ロ）し、再び酸素濃度が上昇したら流量を増すよう、窒
素ガスの吸排気系の１方又は両方を制御することで、窒
素ガス使用量を低減できる。酸素濃度の替わりに有機溶
剤ガスの濃度を検出して同様の制御をしてもよい。
【００８５】図６は、酸素濃度センサ３５を用いて囲繞
体１４内の酸素濃度を検出し、検出した酸素濃度に応じ
てマイクロコントローラ３６で電磁弁３７，３８を操作
して囲繞体１４内へ導入されるＮ2 ガスの流量を調節す
る様子を示す。例えば、２kgf ／cm2 のＮ2 ガス流を電
磁弁３７を介すると１０ｌ／min 、電磁弁３８を介する
と１００ｌ／min にすると、囲繞体１４内のＯ2 濃度は
それぞれ３vol ％、５vol ％になった。
【００８６】図７は、排気側の圧力調整弁の内部を示
す。囲繞体１４内のガスは排気管４１を通って排気弁４
２に至り、最終的に排気処理設備４３へ至る。排気弁４
２はピボット４４の周りを回動可能であり、自重と囲繞
体１４内からのガスが弁を押し上げる力とのバランスで
弁が開閉する。このような排気弁で囲繞体内の圧力が外
気より＋５hPa になるように設計して運転したところ、
室内全体の排気の背圧および若干のリークのため実際に
は囲繞体の内外の圧力差は２〜３hPa になった。図７
中、Ｆ1 は排気弁の重力による閉じる力、Ｆ2 はガスが
弁を押し上げる力を表わす。
【００８７】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の洗浄液によ
れば、はんだ接合部に腐食性物質を残存させること無く
良好にフラックス洗浄できることから、電子回路部品の
信頼性が向上する。しかも、従来の塩素系フラックス洗
浄液によって生じていた地球環境破壊も生じることが無
い。
【００８８】また、洗浄浴上に浮遊体を配置することに
より、数種有機溶媒の混合物であるフラックス洗浄液の
液組成ずれを防止することができることから、安定した
回路配線基板のフラックス洗浄が行える。これによっ
て、電子機器の長期信頼性が確保できる。さらに、可燃
性物質濃度を低くするためにＮ2 ガスを導入した洗浄装
置の内外の圧力差を制御して装置を簡素化することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】はんだと共に加熱したフラックス残渣のＩＲ分
析チャートである。
【図２】（Ａ）（Ｂ）は洗浄装置を示す。
【図３】洗浄浴上に浮遊体を配置した効果を示す。
【図４】洗浄装置の正面断面図である。
【図５】洗浄装置の側断面図である。
【図６】洗浄装置のＮ2 導入口の圧力調整機構を示す。
【図７】洗浄装置の排気口の圧力調整機構を示す。
【符号の説明】
１…洗浄液 ２…Ｎ2 ガス ３…浮遊体 ４…被洗浄物 ５…搬送治具 ７…洗浄槽 ８…リンス槽 １１…洗浄槽 １２…第１リンス槽 １３…第２リンス槽 １４…囲繞体 ２０…排気ダクト ２９…前室 ３０…後室 ３５…酸素濃度センサ ３６…マイクロコントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 (Ｃ１１Ｄ 7/60 7:26 7:50） (72)発明者 井草 延夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 高地 勇 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 矢野 映 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 構成成分として酸と有機溶剤を含有する
    ことを特徴とするフラックス洗浄液。
  2. 【請求項２】 前記酸がアビエチン酸より強い有機酸で
    ある請求項１記載のフラックス洗浄液。
  3. 【請求項３】 前記酸としてアクリル酸、酢酸、プロピ
    オン酸及び安息香酸のうち少なくとも１種の有機酸を含
    有する請求項２記載のフラックス洗浄液。
  4. 【請求項４】 前記有機溶剤として、１気圧における沸
    点が５０〜２５０℃であり、かつ塩素及びフッ素を含ま
    ない、芳香族化合物、水酸基化合物、ケトン類、エーテ
    ル類、エステル類のうち少なくとも一種を含む請求項１
    〜３のいずれか１項に記載のフラックス洗浄液。
  5. 【請求項５】 前記有機溶剤として、炭素原子数６〜２
    ０の芳香族系溶剤５０〜９５重量部と、炭素原子数３〜
    １５のエステル系溶剤、炭素原子数２〜１５のケトン系
    溶剤、炭素原子数１〜１５のアルコール系溶剤のうち少
    なくとも１種５〜５０重量部を含有し、かつ塩素及びフ
    ッ素を含まない有機溶剤混合物を用いる請求項１〜３の
    いずれか１項に記載のフラックス洗浄液。
  6. 【請求項６】 前記有機溶剤として、酢酸ブチル及び／
    又は酢酸アミルを５０〜９５重量部と、炭素原子数３〜
    １５のエステル系溶剤、炭素原子数２〜１５のケトン系
    溶剤、炭素原子数１〜１５のアルコール系溶剤のうち少
    なくとも１種を５〜５０重量部を含有し、かつ塩素及び
    フッ素を含まない有機溶剤混合物を用いる請求項１〜３
    のいずれか１項に記載のフラックス洗浄液。
  7. 【請求項７】 前記有機溶剤として、キシレン５０〜９
    ０重量部、シクロヘキサノン及び／又はβ−メトキシイ
    ソ酪酸メチル１０〜５０重量部、酢酸０．５〜１０重量
    部を含む混合物を用いる請求項１〜３のいずれか１項に
    記載のフラックス洗浄液。
  8. 【請求項８】 構成成分として、炭素原子数６〜２０の
    芳香族系溶剤５０〜９５重量部と、炭素原子数３〜１５
    のエステル系溶剤、炭素原子数２〜１５のケトン系溶
    剤、炭素原子数１〜１５のアルコール系溶剤のうち少な
    くとも１種５〜５０重量部を含有し、かつ塩素及びフッ
    素を含まない有機溶剤混合物を用いることを特徴とする
    フラックス洗浄液。
  9. 【請求項９】 構成成分として、酢酸ブチル及び／又は
    酢酸アミルを５０〜９５重量部と、炭素原子数３〜１５
    のエステル系溶剤、炭素原子数２〜１５のケトン系溶
    剤、炭素原子数１〜１５のアルコール系溶剤のうち少な
    くとも１種を５〜９０重量部を含有し、かつ塩素及びフ
    ッ素を含まない有機溶剤混合物を用いることを特徴とす
    るフラックス洗浄液。
  10. 【請求項１０】 構成成分として、キシレン５０〜９０
    重量部、シクロヘキサノン及び／又はβ−メトキシイソ
    酪酸メチル１０〜５０重量部を含む混合物を用いること
    を特徴とするフラックス洗浄液。
  11. 【請求項１１】 フラックスを用いてはんだ付けされた
    はんだ部分を、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の
    フラックス洗浄液を用いて洗浄する方法。
  12. 【請求項１２】 基板上にフラックスを用いて部品をは
    んだ付けし、基板上に残留しているフラックスを酸及び
    有機溶剤を含む洗浄液で洗浄した後、酸を含まず前記酸
    含有洗浄液と容易に混合する溶液（第２液）で洗浄して
    酸を除去する工程を含むことを特徴とする方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２液として、一気圧における沸
    点が、５０℃以上２５０℃以下であり、かつ塩素及びフ
    ッ素を含まない、芳香族化合物、水酸基化合物、ケトン
    類、エーテル類、エステル類のうちの少なくとも１種を
    用いる請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２液として水を用いる請求項１
    ２記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記第２液による洗浄の後、さらに前
    記第２液と容易に混合する溶液（第３液）で洗浄して酸
    を除去する工程を有する請求項１２記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記第２液による洗浄の後、さらに第
    ２液又は第２液と容易に混合する溶剤（第３液）の蒸気
    で洗浄して酸を除去する工程を有する請求項１５記載の
    方法。
  17. 【請求項１７】 揮発性の異なる少なくとも２種以上の
    溶媒により構成される複合洗浄液に、はんだ接合後の基
    板を浸漬して前記接合において用いたフラックスを溶
    解、洗浄するフラックス洗浄方法において、前記洗浄液
    の頂面に粒状又は棒状浮遊体を配置することを特徴とす
    るフラックス洗浄方法。
  18. 【請求項１８】 前記浮遊体が中空球状体である請求項
    １７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 溶剤を用いて被洗浄物に付着する有機
    物または／および塵芥の除去を行う洗浄装置において、
    洗浄工程を実行する空間を外気と遮断された閉空間とす
    る仕切り構造と、前記閉空間に窒素ガスを導入する手段
    と窒素ガスを排気する手段とを有し、かつ、前記窒素ガ
    ス導入手段と排気手段とが前記閉空間と外気との圧力差
    を一定に保つよう制御可能なことを特徴とする洗浄装
    置。
  20. 【請求項２０】 洗浄工程を実行する第１の閉空間を形
    成する仕切り構造の一部として開閉可能な扉を有し、該
    扉に対し洗浄工程を実行する閉空間と対向する側に第２
    の閉空間を有するとともに第２の閉空間に対しても窒素
    ガスを導入／排気する手段を有する請求項１９記載の洗
    浄装置。
  21. 【請求項２１】 窒素排気口が導入口よりも低い位置に
    形成されている請求項１９又は２０記載の洗浄装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006223917A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Sanyo Electric Co Ltd 溶剤回収機能付き蒸留装置
JP2006257413A (ja) * 2005-02-18 2006-09-28 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散型着色樹脂組成物用洗浄液
WO2012099126A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 電気化学工業株式会社 超音波洗浄方法及び装置
JP2014503642A (ja) * 2010-12-17 2014-02-13 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 酸性マイクロエマルジョン剥離調合物
JP2016517007A (ja) * 2013-03-29 2016-06-09 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 半導体装置を処理するための方法
US9476016B2 (en) 2014-04-22 2016-10-25 Mitsubishi Electric Corporation Cleaning solution, cleaning facility and method of cleaning mount substrate
WO2022055302A1 (ko) * 2020-09-10 2022-03-17 주식회사 카텍에이치 열경화성 수지 고형물의 분해 및 세정 방법 및 장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3390245B2 (ja) * 1993-06-01 2003-03-24 富士通株式会社 洗浄液及び洗浄方法
KR100387930B1 (ko) * 1998-12-29 2003-09-19 주식회사 포스코 도금용침적롤의드로스세정액조성물
GB2349984A (en) 1999-03-04 2000-11-15 Ibm Decontamination of electronic cards from copper salts
JP4516176B2 (ja) * 1999-04-20 2010-08-04 関東化学株式会社 電子材料用基板洗浄液
JP2001332575A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sony Corp フラックス洗浄方法及び半導体装置の製造方法
US6776852B2 (en) * 2002-01-14 2004-08-17 International Business Machines Corporation Process of removing holefill residue from a metallic surface of an electronic substrate
US7144802B2 (en) * 2003-04-01 2006-12-05 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition of benzotriazole (BTA) for protecting copper interconnects
US20040229762A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. Polymer remover
CA2511212A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-02 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Surface conditioner for powder coating systems
JP4236198B2 (ja) * 2004-12-28 2009-03-11 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いた半導体基材形成方法
US7767025B2 (en) * 2007-09-30 2010-08-03 Intel Corporation Nozzle array configuration to facilitate deflux process improvement in chip attach process
DE102009055610A1 (de) 2009-11-25 2011-05-26 Behr Gmbh & Co. Kg Verfahren zur quantitativen Bestimmung von Lötmittelresten
US8444868B2 (en) * 2010-01-28 2013-05-21 International Business Machines Corporation Method for removing copper oxide layer
US8128755B2 (en) * 2010-03-03 2012-03-06 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Cleaning solvent and cleaning method for metallic compound
US20140048103A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-20 Kyle J. Doyel Method and apparatus for continuous separation of cleaning solvent from rinse fluid in a dual-solvent vapor degreasing system
US9555451B2 (en) 2015-03-26 2017-01-31 Life Technologies Corporation Method for treating a semiconductor device
DE102016118247A1 (de) * 2016-09-27 2018-03-29 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der Leiterplatte

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2528230A (en) * 1949-02-26 1950-10-31 Robert J King Company Inc Liquid cleaner
FR1081438A (fr) * 1953-07-20 1954-12-20 Produit décapant pour l'enlèvement de peinture à l'huile et de vernis sur le bois, le métal, le tissu ou le verre
DK128856A (ja) * 1969-08-06
US3886099A (en) * 1972-03-13 1975-05-27 Griffin Bros Inc Water soluble flux remover
BE835203A (nl) * 1974-11-04 1976-05-04 Fotoresistieve verwijderingssystemen
US3994751A (en) * 1975-10-28 1976-11-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Solvent-based activator for ensuring paint adhesion to titanium and stainless steel
US4153545A (en) * 1977-08-18 1979-05-08 Ppg Industries, Inc. Method for cleaning membrane filter
US4249107A (en) * 1977-12-29 1981-02-03 Gte Laboratories Incorporated Cathode ray tube having amorphous resistive film on internal surfaces and method of forming the film
DE2847691C2 (de) * 1978-11-03 1986-05-22 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Waschflüssigkeit zur Reinigung von Oberflächen gedruckter Schaltungen
JPS5789487A (en) * 1980-11-25 1982-06-03 Ibm Removal of grease
DE3145815C2 (de) * 1981-11-19 1984-08-09 AGA Gas GmbH, 2102 Hamburg Verfahren zum Entfernen von ablösungsfähigen Materialschichten von beschichteten Gegenständen,
US4483783A (en) * 1982-04-15 1984-11-20 United Industries Corporation Solvent preparation
GB8409055D0 (en) * 1984-04-07 1984-05-16 Procter & Gamble Cleaning compositions
US4710232A (en) * 1984-06-01 1987-12-01 Tahbaz John A Process for cleaning metal articles
JPS61238298A (ja) * 1985-04-17 1986-10-23 今井　守 フトンのクリ−ニング方法
US4640719A (en) * 1985-07-01 1987-02-03 Petroleum Fermentations N.V. Method for printed circuit board and/or printed wiring board cleaning
US4604144A (en) * 1985-09-11 1986-08-05 At&T Technologies, Inc. Process for cleaning a circuit board
JPS62227593A (ja) * 1986-03-28 1987-10-06 Harima Chem Inc 有機半田
JP2604593B2 (ja) * 1986-05-19 1997-04-30 ハリマ化成 株式会社 金属表面に半田被膜を形成する方法
JPS62281396A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 古河電気工業株式会社 導電ペ−スト回路のメタライズ法
US4683075A (en) * 1986-07-23 1987-07-28 Allied Corporation Azeotrope-like compositions of trichlorotrifluoroethane, methanol, nitromethane, acetone, and methyl acetate
JPS6334933A (ja) * 1986-07-30 1988-02-15 Furukawa Electric Co Ltd:The リ−ドへのバンプ形成方法
JPS6335780A (ja) * 1986-07-30 1988-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 貴金属メツキ方法
JPS6356353A (ja) * 1986-08-26 1988-03-10 Matsushita Electric Works Ltd 半田フラツクス残渣の除去法
US4738732A (en) * 1987-02-04 1988-04-19 Hughes Aircraft Co. Self cleaning liquid solder flux
JPH0666539B2 (ja) * 1987-03-12 1994-08-24 古河電気工業株式会社 半田付け方法
JP2618398B2 (ja) * 1987-07-06 1997-06-11 古河電気工業株式会社 無電解半田めっき方法
JPH0821769B2 (ja) * 1987-07-13 1996-03-04 古河電気工業株式会社 電子部品の半田付け方法
JPH0747233B2 (ja) * 1987-09-14 1995-05-24 古河電気工業株式会社 半田析出用組成物および半田析出方法
JPH088162B2 (ja) * 1988-07-22 1996-01-29 松下電器産業株式会社 サーマルヘッドおよびその製造法
US5120371A (en) * 1990-11-29 1992-06-09 Petroferm Inc. Process of cleaning soldering flux and/or adhesive tape with terpenet and monobasic ester
US4830772A (en) * 1988-06-10 1989-05-16 Hoechst Celanese Corporation Stripper composition for removal of protective coatings
US4867800B1 (en) * 1988-07-21 1995-02-14 Du Pont Cleaning composition of terpene compound and dibasic ester
JPH02114531A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4983224A (en) * 1988-10-28 1991-01-08 Rd Chemical Company Cleaning compositions and methods for removing soldering flux
JPH02155201A (ja) * 1988-12-07 1990-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd サーマルヘッド
US5026753A (en) * 1989-02-22 1991-06-25 Union Camp Corporation Resinous binders comprising a metal rosin resinate and a carboxylated polystyrene resin
US5026754A (en) * 1989-04-18 1991-06-25 Union Camp Corporation Resinous binders comprising a metal rosin resinate and a pendant tertiary amine polymer
DE69004521T2 (de) * 1989-08-07 1994-05-05 Du Pont Reinigungsmittel auf der Basis eines dibasischen Esters und eines Kohlenwasserstofflösungsmittels und Reinigungsverfahren.
US5062988A (en) * 1989-08-07 1991-11-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cleaning composition of dibasic ester, hydrocarbon solvent and compatibilizing component
JPH03146597A (ja) * 1989-11-01 1991-06-21 Henkel Hakusui Kk プリント基板の洗浄用組成物
JP2789046B2 (ja) * 1989-11-08 1998-08-20 荒川化学工業株式会社 ロジン系ハンダフラックスの洗浄剤
JP2797567B2 (ja) * 1989-12-15 1998-09-17 松下電器産業株式会社 電極パターンの形成法
FR2658532B1 (fr) * 1990-02-20 1992-05-15 Atochem Application des (perfluoroalkyl)-ethylenes comme agents de nettoyage ou de sechage, et compositions utilisables a cet effet.
US5085365B1 (en) * 1990-05-15 1995-08-08 Hughes Aircraft Co Water soluble soldering flux
US5452840A (en) * 1990-05-15 1995-09-26 Hughes Aircraft Company Water-soluble soldering flux
JPH0468090A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 脱脂用洗浄剤
DE69110359T2 (de) * 1990-07-10 1996-03-21 Kao Corp Zusammensetzung zur Reinigung von elektronischen und Präzisionsteilen und Reinigungsverfahren.
US5304253A (en) * 1990-09-12 1994-04-19 Baxter International Inc. Method for cleaning with a volatile solvent
US5082497A (en) * 1990-09-24 1992-01-21 Westvaco Corporation Solution rosin resinate for publication gravure inks
WO1992007058A1 (en) * 1990-10-17 1992-04-30 Bush Boake Allen Limited Method and composition for cleaning articles
EP0482890B1 (en) * 1990-10-23 1995-03-15 Tokyo Special Wire Netting Co. Ltd. Cleaning equipment
JPH04178267A (ja) * 1990-11-13 1992-06-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 回路基板への半田層形成ライン
US5080722A (en) * 1991-02-26 1992-01-14 At&T Bell Laboratories Method for cleaning electrical connectors
JPH04357899A (ja) * 1991-06-04 1992-12-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 予備半田層付き回路基板の製造方法
DE69228183T2 (de) * 1991-06-14 1999-07-29 Petroferm Inc Zusammensetzung und verfahren zum entfernen von rosin-lötflussmittel mit terpen und kohlenwasserstoffen
US5196136A (en) * 1991-06-20 1993-03-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cleaning composition of hydrocarbon component, surfactant and multibasic ester additive
JP2871899B2 (ja) * 1991-06-21 1999-03-17 古河電気工業株式会社 クリーム半田
US5221362A (en) * 1991-08-23 1993-06-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Non-halogenated aqueous cleaning systems
US5125560A (en) * 1991-11-04 1992-06-30 At&T Bell Laboratories Method of soldering including removal of flux residue
JP2652298B2 (ja) * 1992-04-30 1997-09-10 花王株式会社 精密部品又は治工具類用洗浄剤組成物
JP3390245B2 (ja) * 1993-06-01 2003-03-24 富士通株式会社 洗浄液及び洗浄方法
US5612303B1 (en) * 1993-06-15 2000-07-18 Nitto Chemical Industry Co Ltd Solvent composition
CA2147178C (en) * 1993-08-16 2004-01-27 Satoshi Ide Cleaning solvent composition and a method for cleaning or drying articles
JPH08231989A (ja) * 1995-02-23 1996-09-10 Kurita Water Ind Ltd 洗浄剤組成物及び洗浄方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006223917A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Sanyo Electric Co Ltd 溶剤回収機能付き蒸留装置
JP4557742B2 (ja) * 2005-02-15 2010-10-06 三洋電機株式会社 溶剤回収機能付き蒸留装置
JP2006257413A (ja) * 2005-02-18 2006-09-28 Toyo Ink Mfg Co Ltd 顔料分散型着色樹脂組成物用洗浄液
JP2014503642A (ja) * 2010-12-17 2014-02-13 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 酸性マイクロエマルジョン剥離調合物
WO2012099126A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 電気化学工業株式会社 超音波洗浄方法及び装置
CN103313804A (zh) * 2011-01-18 2013-09-18 电气化学工业株式会社 超声波清洗方法和装置
US9643221B2 (en) 2011-01-18 2017-05-09 Denka Company Limited Ultrasonic cleaning method and apparatus
JP2016517007A (ja) * 2013-03-29 2016-06-09 ライフ テクノロジーズ コーポレーション 半導体装置を処理するための方法
US9476016B2 (en) 2014-04-22 2016-10-25 Mitsubishi Electric Corporation Cleaning solution, cleaning facility and method of cleaning mount substrate
WO2022055302A1 (ko) * 2020-09-10 2022-03-17 주식회사 카텍에이치 열경화성 수지 고형물의 분해 및 세정 방법 및 장치

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Publication number Publication date
US5695571A (en) 1997-12-09
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