JPS6334933A - リ−ドへのバンプ形成方法 - Google Patents
リ−ドへのバンプ形成方法Info
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- JPS6334933A JPS6334933A JP61177611A JP17761186A JPS6334933A JP S6334933 A JPS6334933 A JP S6334933A JP 61177611 A JP61177611 A JP 61177611A JP 17761186 A JP17761186 A JP 17761186A JP S6334933 A JPS6334933 A JP S6334933A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体デバイスをテープキャリヤに搭載する
のに先立ち、テープキャリヤのリードにバンプを形成す
る方法に関するものである。
のに先立ち、テープキャリヤのリードにバンプを形成す
る方法に関するものである。
半導体デバイスの実装方式の一つに、半導体デバイスを
テープキャリヤ上に搭載した状態で供給するテープキャ
リヤ実装方式がある。
テープキャリヤ上に搭載した状態で供給するテープキャ
リヤ実装方式がある。
この実装方式では例えば第２図のようなテープキャリヤ
が用いられる。このテープキャリヤ１１は、プラスチッ
クテープ１２の半導体デバイス搭載位置に穴１３を形成
した後、その片面に銅箔を張りつけて、エツチングによ
りリード１４を形成したものである。このテープキャリ
ヤ１１に半導体デバイスを搭載するには先ず、リード１
４の端部と半導体デバイスの電極とを接続するため、そ
のどちらかに半日または金などからなるバンプを形成す
る必要がある。従来、バンプは半導体デバイス側に形成
されていたが、工程が複雑になる等の欠点があるため、
最近では、リード側にバンプを形成する方法が開発され
ている。
が用いられる。このテープキャリヤ１１は、プラスチッ
クテープ１２の半導体デバイス搭載位置に穴１３を形成
した後、その片面に銅箔を張りつけて、エツチングによ
りリード１４を形成したものである。このテープキャリ
ヤ１１に半導体デバイスを搭載するには先ず、リード１
４の端部と半導体デバイスの電極とを接続するため、そ
のどちらかに半日または金などからなるバンプを形成す
る必要がある。従来、バンプは半導体デバイス側に形成
されていたが、工程が複雑になる等の欠点があるため、
最近では、リード側にバンプを形成する方法が開発され
ている。
その方法は、第３図に示すようにバンプ転写基板１５上
に形成されたバンプ１６をボンディングツール１７によ
りリード１４の端部に転写するというものである。バン
プ１６を形成した後は、第４図に示すように半導体デバ
イス１日の電＄４１９上にバンプ１６を位置させてポン
ディングツール２０によりリード１４を電極１９に接続
すれば、第５図のようになり、テープキャリヤ１１に半
導体デバイス１８を搭載できることになる。
に形成されたバンプ１６をボンディングツール１７によ
りリード１４の端部に転写するというものである。バン
プ１６を形成した後は、第４図に示すように半導体デバ
イス１日の電＄４１９上にバンプ１６を位置させてポン
ディングツール２０によりリード１４を電極１９に接続
すれば、第５図のようになり、テープキャリヤ１１に半
導体デバイス１８を搭載できることになる。
ところで上記のようにリードの端部に転写法によりバン
プを形成する方法には、次のような問題がある。すなわ
ち、バンプをリード端部位置に合わせて正確に配列した
バンプ転写基板を製造しなければならないことと、転写
の際にテープキャリヤのリードと転写基板のバンプとを
高精度に位置決めしなければならないということである
。このため、テープキャリヤ実装方式はリードにバンプ
を形成する際にコストがかかるという問題がある。
プを形成する方法には、次のような問題がある。すなわ
ち、バンプをリード端部位置に合わせて正確に配列した
バンプ転写基板を製造しなければならないことと、転写
の際にテープキャリヤのリードと転写基板のバンプとを
高精度に位置決めしなければならないということである
。このため、テープキャリヤ実装方式はリードにバンプ
を形成する際にコストがかかるという問題がある。
特に最近では半導体デバイスの機能向上にともない、リ
ードが多ビン化、ファイン化しているため、上記の問題
は大きな解決課題である。
ードが多ビン化、ファイン化しているため、上記の問題
は大きな解決課題である。
Ｃ問題点の解決手段とその作用〕
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑み、転写
によることなくリード上にバンプを簡単に形成できる方
法を提供するもので、その方法は、テープキャリヤに形
成されたリードの端部にバンプを形成する方法において
、上記リードの表面を、形成すべきバンプの材料より卑
な金属で構成し、アビエチン酸とバンプ材料との金属塩
をを機溶剤で溶かしてなる粘稠溶液を、上記リードの端
部に塗布し、その後加熱して上記金属塩からバンプ材料
を分離し、上記リードの端部に析出させて、バンプを形
成することを特徴とするものである。
によることなくリード上にバンプを簡単に形成できる方
法を提供するもので、その方法は、テープキャリヤに形
成されたリードの端部にバンプを形成する方法において
、上記リードの表面を、形成すべきバンプの材料より卑
な金属で構成し、アビエチン酸とバンプ材料との金属塩
をを機溶剤で溶かしてなる粘稠溶液を、上記リードの端
部に塗布し、その後加熱して上記金属塩からバンプ材料
を分離し、上記リードの端部に析出させて、バンプを形
成することを特徴とするものである。
アビエチン酸は松脂の主成分であるが、このアビエチン
酸のカルボキシル基（ＣＯＯＨ）のＨを金属で置換した
塩を、その金属より卑な（イオン化傾向の大きい）金属
基材の表面に塗布して、高温に加熱すると、上記塩から
金属イオンが分離して、イオン化傾向の差により、その
金属イオンが上記金属基材上に金属として析出する現象
がある。本発明は、このような現象を利用してリード端
部にバンプを形成するものである。
酸のカルボキシル基（ＣＯＯＨ）のＨを金属で置換した
塩を、その金属より卑な（イオン化傾向の大きい）金属
基材の表面に塗布して、高温に加熱すると、上記塩から
金属イオンが分離して、イオン化傾向の差により、その
金属イオンが上記金属基材上に金属として析出する現象
がある。本発明は、このような現象を利用してリード端
部にバンプを形成するものである。
第１図ｔａ＋に示すように、穴１３を有するプラスチッ
クテープ１２上に銅箔よりなるリード１４を形成したテ
ープキャリヤ１１を用意し、そのリード１４の表面にニ
ッケルメッキを施した。一方、アビエチン酸と金の金属
塩をを機溶剤に溶かして粘稠溶液を作り、上記リード１
４の端部に、その粘稠溶液２１を塗布した。粘稠溶液２
１の塗布は実際の生産ラインの場合、スクリーン印刷に
よる方法あるいは定量吐出装置を用いる方法などが適当
である。
クテープ１２上に銅箔よりなるリード１４を形成したテ
ープキャリヤ１１を用意し、そのリード１４の表面にニ
ッケルメッキを施した。一方、アビエチン酸と金の金属
塩をを機溶剤に溶かして粘稠溶液を作り、上記リード１
４の端部に、その粘稠溶液２１を塗布した。粘稠溶液２
１の塗布は実際の生産ラインの場合、スクリーン印刷に
よる方法あるいは定量吐出装置を用いる方法などが適当
である。
次にこれを約２００℃で１時間加熱して、同図伽）に示
すようにリード１４上に金２２を析出させた。その後、
残滓２３を洗浄により取り除いた結果、同図ｔｅｌに示
すように金バンプ２４を形成することができた。
すようにリード１４上に金２２を析出させた。その後、
残滓２３を洗浄により取り除いた結果、同図ｔｅｌに示
すように金バンプ２４を形成することができた。
従来、リード１４の表面には酸化防止のため金メツキが
施されていたが、この方法では、これを安価なニッケル
メッキに代えることができる。
施されていたが、この方法では、これを安価なニッケル
メッキに代えることができる。
以上は金バンプを形成する場合であるが、半田バンプを
形成する場合には、アビエチン酸と錫の金属塩およびア
ビエチン酸と鉛の金属塩を別々に作り、これらを所定の
比率で混合し、有機溶剤に溶かした粘稠溶液を用いる。
形成する場合には、アビエチン酸と錫の金属塩およびア
ビエチン酸と鉛の金属塩を別々に作り、これらを所定の
比率で混合し、有機溶剤に溶かした粘稠溶液を用いる。
この粘稠溶液を例えばニッケルメッキしたリードに塗布
すれば、加熱によって半田合金を析出させることが可能
である。
すれば、加熱によって半田合金を析出させることが可能
である。
以上説明したように本発明によれば、アビエチン酸とバ
ンプ材料との金属塩を有機溶剤で熔かした粘稠溶液を、
リードに塗布して加熱することによりバンプを形成する
ことができる。したがって従来のようなバンプ転写基板
は不要であり、また塗布方式のため高精度の位置決めも
不要である。
ンプ材料との金属塩を有機溶剤で熔かした粘稠溶液を、
リードに塗布して加熱することによりバンプを形成する
ことができる。したがって従来のようなバンプ転写基板
は不要であり、また塗布方式のため高精度の位置決めも
不要である。
この方法では例えば粘稠溶液を隣合うリードに跨がるよ
うに塗布しても、バンプ金属はリード表面に析出するか
ら、ファインパターンの場合でも１ノードが短絡される
おそれがない。このためバンプを極めてＮ単に低コスト
で形成できる利点がある。
うに塗布しても、バンプ金属はリード表面に析出するか
ら、ファインパターンの場合でも１ノードが短絡される
おそれがない。このためバンプを極めてＮ単に低コスト
で形成できる利点がある。
第１図ｆａｌ〜（Ｃ）は本発明に係るバンプ形成方法の
一実施例を示す断面図、第２図はテープキャリヤの底面
図、第３図は従来のバンプ形成方法を示す断面図、第４
図はテープキャリヤに半導体デバイスを搭載する方法を
示す断面図、第５図はテープキャリヤに半導体デバイス
を搭載した状態を示す平面図である。 １１〜テープキヤリヤ、１４〜リード、２１〜粘稠溶液
、２４〜金バンプ。 ＄ Ｉ Ｊ 第３図 羊 ４ 図
一実施例を示す断面図、第２図はテープキャリヤの底面
図、第３図は従来のバンプ形成方法を示す断面図、第４
図はテープキャリヤに半導体デバイスを搭載する方法を
示す断面図、第５図はテープキャリヤに半導体デバイス
を搭載した状態を示す平面図である。 １１〜テープキヤリヤ、１４〜リード、２１〜粘稠溶液
、２４〜金バンプ。 ＄ Ｉ Ｊ 第３図 羊 ４ 図
Claims (2)
- （１）テープキャリヤに形成されたリードの端部に、そ
の部分を半導体デバイスの電極に接続するためのバンプ
を形成する方法において、上記リードの表面を、形成す
べきバンプの材料より卑な金属で構成し、アビエチン酸
とバンプ材料との金属塩を有機溶剤で溶かしてなる粘稠
溶液を、上記リードの端部に塗布し、その後加熱して上
記金属塩からバンプ材料を分離し、上記リードの端部に
析出させて、バンプを形成することを特徴とするリード
へのバンプ形成方法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の方法であって、リー
ド表面にニッケルメッキを施し、金または半田よりなる
バンプを形成することを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177611A JPS6334933A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | リ−ドへのバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177611A JPS6334933A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | リ−ドへのバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334933A true JPS6334933A (ja) | 1988-02-15 |
| JPH0461499B2 JPH0461499B2 (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=16034031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61177611A Granted JPS6334933A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | リ−ドへのバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695571A (en) * | 1993-06-01 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | Cleaning method using a defluxing agent |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61177611A patent/JPS6334933A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695571A (en) * | 1993-06-01 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | Cleaning method using a defluxing agent |
| US6050479A (en) * | 1993-06-01 | 2000-04-18 | Fujitsu, Ltd. | Defluxing agent cleaning method and cleaning apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0461499B2 (ja) | 1992-10-01 |
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