JPH0728165B2 - セラミック帯域フィルタ - Google Patents
セラミック帯域フィルタInfo
- Publication number
- JPH0728165B2 JPH0728165B2 JP58500777A JP50077783A JPH0728165B2 JP H0728165 B2 JPH0728165 B2 JP H0728165B2 JP 58500777 A JP58500777 A JP 58500777A JP 50077783 A JP50077783 A JP 50077783A JP H0728165 B2 JPH0728165 B2 JP H0728165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- holes
- filter
- dielectric block
- bandpass filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、一般的には無線周波数(RF)信号フイルタに
関するものであり、更に具体的に云うと無線送受信回路
に使用するのに特によく適合された改良されたセラミツ
ク帯域フイルタに関する。
関するものであり、更に具体的に云うと無線送受信回路
に使用するのに特によく適合された改良されたセラミツ
ク帯域フイルタに関する。
従来の多重共振器フイルタは、代表的な場合には短縮し
た短絡四分の一波長同軸又はらせん伝送線である複数の
共振器を含む。これらの共振器は導電性密封体内に配置
されており、それらの共通の壁にあるアパーチヤにより
互に誘導結合されていてもよい。各共振器は共振器の中
央を通つて延びている穴のなかに入る同調ねじ(tuning
screw)により同調させることができる。ひとたび同調
すると、フイルタの全体的応答は中間結合アパーチヤの
大きさによつて決定される。フイルタの同調は同調ねじ
の僅かな調節によつて妨げられる可能性があるので、同
調ねじを常に正しい位置に保つためには締付けナツトが
必要とされる。同調ねじの使用はこれらのフイルタを離
調しやすくするだけではなく、同調ねじの機械的ロツキ
ング,同調ねじと共振器構造との間のアーキング(arci
ng)などの付加問題を生じさせる。更に、そのようなフ
イルタはどちらかというとかさばる傾向があり、従つて
大きさ(size)が重要な要素になる応用例にとつてはあ
まり魅力的ではない。
た短絡四分の一波長同軸又はらせん伝送線である複数の
共振器を含む。これらの共振器は導電性密封体内に配置
されており、それらの共通の壁にあるアパーチヤにより
互に誘導結合されていてもよい。各共振器は共振器の中
央を通つて延びている穴のなかに入る同調ねじ(tuning
screw)により同調させることができる。ひとたび同調
すると、フイルタの全体的応答は中間結合アパーチヤの
大きさによつて決定される。フイルタの同調は同調ねじ
の僅かな調節によつて妨げられる可能性があるので、同
調ねじを常に正しい位置に保つためには締付けナツトが
必要とされる。同調ねじの使用はこれらのフイルタを離
調しやすくするだけではなく、同調ねじの機械的ロツキ
ング,同調ねじと共振器構造との間のアーキング(arci
ng)などの付加問題を生じさせる。更に、そのようなフ
イルタはどちらかというとかさばる傾向があり、従つて
大きさ(size)が重要な要素になる応用例にとつてはあ
まり魅力的ではない。
発明の要約 従つて本発明の目的は、先行技術のフイルタよりも小型
で部品数も少ない改良されたセラミツク帯域フイルタを
提供することである。
で部品数も少ない改良されたセラミツク帯域フイルタを
提供することである。
本発明のもう1つの目的は、すぐれた温度安定性を示す
改良された損失の少ないセラミツク帯域フイルタを提供
することである。
改良された損失の少ないセラミツク帯域フイルタを提供
することである。
本発明の更にもう1つの目的は、自動的に同調できる改
良されたセラミツク帯域フイルタを提供することであ
る。
良されたセラミツク帯域フイルタを提供することであ
る。
本発明の更にもう1つの目的は、1個の選択的にめつき
した誘電体材料でできるいる改良されたセラミツク帯域
フイルタを提供することである。
した誘電体材料でできるいる改良されたセラミツク帯域
フイルタを提供することである。
簡単に説明すると、本発明のセラミツク帯域フイルタ
は、誘電体ブロツクの上部表面から誘電体ブロツクの底
部表面に延びている複数の穴を有し、その各々が対応す
る穴から所定の距離をおいて第1,第2電極の各々を誘電
体ブロツク上に配置させている誘電体ブロツクからでき
ている。誘電体ブロツクに穴が1つしかない場合には、
第1および第2電極はその穴の周囲に配置してもよい。
誘電体ブロツクに2個又はそれ以上の穴がある場合に
は、第1電極を誘電体ブロツクの一方の端にある穴の近
くに配置し、第2電極を誘電体ブロツクの反対側の端に
ある穴の近くに配置してもよい。誘電体ブロツクはまた
各穴の一方の端に近い部分および第1および第2電極に
近い部分を除いて導電性材料で完全に覆うか、又はめつ
きする。
は、誘電体ブロツクの上部表面から誘電体ブロツクの底
部表面に延びている複数の穴を有し、その各々が対応す
る穴から所定の距離をおいて第1,第2電極の各々を誘電
体ブロツク上に配置させている誘電体ブロツクからでき
ている。誘電体ブロツクに穴が1つしかない場合には、
第1および第2電極はその穴の周囲に配置してもよい。
誘電体ブロツクに2個又はそれ以上の穴がある場合に
は、第1電極を誘電体ブロツクの一方の端にある穴の近
くに配置し、第2電極を誘電体ブロツクの反対側の端に
ある穴の近くに配置してもよい。誘電体ブロツクはまた
各穴の一方の端に近い部分および第1および第2電極に
近い部分を除いて導電性材料で完全に覆うか、又はめつ
きする。
発明の概要 上部表面から底部表面まで延びている複数(少なくとも
2個)の穴を有し、更に、各々が対応する穴から所定の
距離をおいて入力電極及び出力電極を有する誘電体ブロ
ックから成る独特のセラミック帯域フィルタが開示され
ている。誘電体材料は、BaO,TiO2及びZrO2から成るセラ
ミックが望ましい。誘電体ブロックに2個又はそれ以上
の穴が存在する場合には、1つの電極は、1端の穴近傍
に配置され、他の電極は、誘電体ブロックの反対端部の
近傍に配置される。誘電体ブロックは、各穴及び、入
力,出力電極の近傍部分を除いて銅又は銀で完全にめっ
きされる。めっきされた各穴は、本質的に同軸共振器で
ある。めっきされた穴により与えられる隣接する同軸共
振器間の結合は、それらの間に配置されるスロット又は
追加の穴によって調整される。2個又はそれ以上の独特
のセラミック帯域フィルタは、より大きい選択性(度)
を有するフィルタ、又は2個或いはそれ以上の信号を合
成信号に結合するか、合成信号から2個又はそれ以上の
信号に分類する多帯域フィルタを提供するように相互に
結合することが可能となる。
2個)の穴を有し、更に、各々が対応する穴から所定の
距離をおいて入力電極及び出力電極を有する誘電体ブロ
ックから成る独特のセラミック帯域フィルタが開示され
ている。誘電体材料は、BaO,TiO2及びZrO2から成るセラ
ミックが望ましい。誘電体ブロックに2個又はそれ以上
の穴が存在する場合には、1つの電極は、1端の穴近傍
に配置され、他の電極は、誘電体ブロックの反対端部の
近傍に配置される。誘電体ブロックは、各穴及び、入
力,出力電極の近傍部分を除いて銅又は銀で完全にめっ
きされる。めっきされた各穴は、本質的に同軸共振器で
ある。めっきされた穴により与えられる隣接する同軸共
振器間の結合は、それらの間に配置されるスロット又は
追加の穴によって調整される。2個又はそれ以上の独特
のセラミック帯域フィルタは、より大きい選択性(度)
を有するフィルタ、又は2個或いはそれ以上の信号を合
成信号に結合するか、合成信号から2個又はそれ以上の
信号に分類する多帯域フィルタを提供するように相互に
結合することが可能となる。
図面の簡単な説明 第1図は、本発明を具体化したセラミツク帯域フイルタ
の斜視図である。
の斜視図である。
第2図は、第1図のセラミツク帯域フイルタの2−2の
線に沿つた断面図である。
線に沿つた断面図である。
第3図は、第1図のセラミツク帯域フイルタの別の実施
例の2−2の線に沿つた断面図である。
例の2−2の線に沿つた断面図である。
第4図は、第1図のセラミック帯域フィルタの本発明と
は異なる参考例を示す。
は異なる参考例を示す。
第5図は、本発明のセラミツク帯域フイルタの同軸ケー
ブルによるコネクタ接続(第1図)の代りの接続を説明
するための図を示す。
ブルによるコネクタ接続(第1図)の代りの接続を説明
するための図を示す。
第6図は、第1図のセラミツク帯域フイルタの等価回路
図である。
図である。
第7図は、本発明のセラミツク帯域フイルタに用いるの
に適した入力信号結合配置を示す。
に適した入力信号結合配置を示す。
第8図は、本発明のセラミツク帯域フイルタに用いるの
に適した別の入力信号結合配置を示す。
に適した別の入力信号結合配置を示す。
第9図は、本発明のセラミツク帯域フイルタに用いるの
に適した更に別の入力信号結合配置を示す。
に適した更に別の入力信号結合配置を示す。
第10図は、本発明の2つのセラミツク帯域フイルタを縦
続接続するための配置を示す。
続接続するための配置を示す。
第11図は、本発明の2つのセラミツク帯域フイルタを縦
続接続するための別の配置を示す。
続接続するための別の配置を示す。
第12図は、本発明のセラミツク帯域フイルタの更にもう
1つの実施例を示す。
1つの実施例を示す。
第13図は、本発明の2個の相互結合したセラミツク帯域
フイルタからなる多帯域フイルタを示す。
フイルタからなる多帯域フイルタを示す。
好ましい実施例の詳細説明 第1図には本発明を具体化したセラミツク帯域フイルタ
100が示されている。フイルタ100は、導電性材料で選択
的にめつきされている誘電性材料でできているブロツク
130を具える。その形状は平行六面体である。フイルタ1
00は低損失,高誘電率および誘電率の低温度係数を有す
る任意の適当な誘電性材料で作ることができる。好まし
い実施例では、フイルタ100は酸化バリウム,酸化チタ
ンおよび酸化ジルコニウムを含むセラミツク化合物でで
きており、その電気特性は“三元素BaO−TiO2−SnO2お
よびBaO−TiO2−ZrO2"と題してG.H.ジヨンカーおよびW.
クウエストルーによつて米国セラミツク学会雑誌第41
巻,第10号,390−394頁に発表された論文に更に詳細に
説明されている。この論文に説明されているセラミツク
化合物のうち、BaO18.5モル%,TiO277.0モル%,ZrO24.5
モル%の組成を有し、誘電率40を有する第6表(前記論
文参照)の化合物は本発明のセラミツクフイルタに用い
るのによく適している。
100が示されている。フイルタ100は、導電性材料で選択
的にめつきされている誘電性材料でできているブロツク
130を具える。その形状は平行六面体である。フイルタ1
00は低損失,高誘電率および誘電率の低温度係数を有す
る任意の適当な誘電性材料で作ることができる。好まし
い実施例では、フイルタ100は酸化バリウム,酸化チタ
ンおよび酸化ジルコニウムを含むセラミツク化合物でで
きており、その電気特性は“三元素BaO−TiO2−SnO2お
よびBaO−TiO2−ZrO2"と題してG.H.ジヨンカーおよびW.
クウエストルーによつて米国セラミツク学会雑誌第41
巻,第10号,390−394頁に発表された論文に更に詳細に
説明されている。この論文に説明されているセラミツク
化合物のうち、BaO18.5モル%,TiO277.0モル%,ZrO24.5
モル%の組成を有し、誘電率40を有する第6表(前記論
文参照)の化合物は本発明のセラミツクフイルタに用い
るのによく適している。
第1図を参照すると、フイルタ100のブロツク130は、領
域140を除いて銅又は銀などの導電性材料によつて被覆
又はめつきされている。ブロツク130は6個の穴を含
み、その各々はブロツクの上部表面から底部表面に延び
ている。穴101−106も同様に導電性材料によつてめつき
されている。めつきされている穴101−106の各々は、本
質的には所望するフイルタ応答(レスポンス)特性に対
し選択された長さを有する短絡した同軸伝送線からなる
短縮された同軸共振器である。
域140を除いて銅又は銀などの導電性材料によつて被覆
又はめつきされている。ブロツク130は6個の穴を含
み、その各々はブロツクの上部表面から底部表面に延び
ている。穴101−106も同様に導電性材料によつてめつき
されている。めつきされている穴101−106の各々は、本
質的には所望するフイルタ応答(レスポンス)特性に対
し選択された長さを有する短絡した同軸伝送線からなる
短縮された同軸共振器である。
第1図のブロツク130は、また入力および出力電極124お
よび125,および対応する入力および出力コネクタ120お
よび122を有する。ブロツク130は6つのめつきした穴10
1−106とともに示されているが、所望するフイルタ応答
特性に応じて任意の数のめつきした穴を用いることがで
きる。本発明のセラミツク帯域フイルタとの接続に際
し、第5図のフイルタ500によつて示されているように
1つだけのめつきした穴,入力電極および出力電極を含
む誘電体ブロック530を使用し、他の誘電体ブロック例
えば第1図の誘電体ブロック130との接続も可能であ
る。更に、RF信号は、第1図のコネクタ120および122の
代わりに第5図の同軸ケーブル520および522によつてフ
イルタ500に結合することができる。
よび125,および対応する入力および出力コネクタ120お
よび122を有する。ブロツク130は6つのめつきした穴10
1−106とともに示されているが、所望するフイルタ応答
特性に応じて任意の数のめつきした穴を用いることがで
きる。本発明のセラミツク帯域フイルタとの接続に際
し、第5図のフイルタ500によつて示されているように
1つだけのめつきした穴,入力電極および出力電極を含
む誘電体ブロック530を使用し、他の誘電体ブロック例
えば第1図の誘電体ブロック130との接続も可能であ
る。更に、RF信号は、第1図のコネクタ120および122の
代わりに第5図の同軸ケーブル520および522によつてフ
イルタ500に結合することができる。
第1図のフイルタ100の穴101−106のめつきは、第1図
の2−2の線に沿つて切断した第2図の断面図により更
に明らかに示される。第2図を参照すると、誘電体材料
202上の導電性めつき204は、穴201周囲の環状部分240を
除いて穴201を通つて上部表面に延びている。その他の
導電性めつき配置も利用でき、第3図に示されている。
第3図においては、誘電体材料302上の導電性めつき304
は、環状部分340を除いて穴301を通つて底部表面に延び
ている。第3図のめつき配置は、第2図におけるめつき
配置とほゞ同じであるが、異なる点はめつきしてない部
分340が上部表面上にではなく底部表面上にあることで
ある。参考例である第4図においては誘電体材料402上
の導電性めつき404が穴401を通つて部分的に延びてお
り、穴401の一部はめつきしないで残されている。第4
図のめつき配置は、第3図の場合と同様に逆にしてめつ
きしてない部分を底部表面上に設けることもできる。
の2−2の線に沿つて切断した第2図の断面図により更
に明らかに示される。第2図を参照すると、誘電体材料
202上の導電性めつき204は、穴201周囲の環状部分240を
除いて穴201を通つて上部表面に延びている。その他の
導電性めつき配置も利用でき、第3図に示されている。
第3図においては、誘電体材料302上の導電性めつき304
は、環状部分340を除いて穴301を通つて底部表面に延び
ている。第3図のめつき配置は、第2図におけるめつき
配置とほゞ同じであるが、異なる点はめつきしてない部
分340が上部表面上にではなく底部表面上にあることで
ある。参考例である第4図においては誘電体材料402上
の導電性めつき404が穴401を通つて部分的に延びてお
り、穴401の一部はめつきしないで残されている。第4
図のめつき配置は、第3図の場合と同様に逆にしてめつ
きしてない部分を底部表面上に設けることもできる。
第1図のめつきした穴101−106によつて行われる同軸共
振器間の結合は誘電体材料によつて行われ、それは誘電
体材料の幅および隣接する同軸共振器間の距離を変える
ことによつて変化する。隣接する穴101−106間の誘電体
材料の幅は任意の適当な規則的又は不規則的な方法、例
えばスロツト,円筒形穴,正方形の又は矩形の穴,又は
不規則な形をした穴を用いることによつて調節すること
ができる。本発明のもう1つの特徴によると、第1図の
フイルタ100は、穴101−106によつて与えられる同軸共
振器間の結合を調節するためスロツト110−114を含む。
結合量はスロツト110−114の深さを変えることによつて
変化する。スロツト110−114は第1図のフイルタ100の
側表面上に示されているが、スロツトは第12図に示して
あるように、上部表面および底部表面上に配置してもよ
い。更に、スロツト110−114は1つの表面,反対側の表
面,又はすべての表面上の隣接するめつきした穴の間に
配置することができる。第1図のスロツト110−114は所
望する結合の量に応じてめつきすることも、又はめつき
しないでおくこともできる。
振器間の結合は誘電体材料によつて行われ、それは誘電
体材料の幅および隣接する同軸共振器間の距離を変える
ことによつて変化する。隣接する穴101−106間の誘電体
材料の幅は任意の適当な規則的又は不規則的な方法、例
えばスロツト,円筒形穴,正方形の又は矩形の穴,又は
不規則な形をした穴を用いることによつて調節すること
ができる。本発明のもう1つの特徴によると、第1図の
フイルタ100は、穴101−106によつて与えられる同軸共
振器間の結合を調節するためスロツト110−114を含む。
結合量はスロツト110−114の深さを変えることによつて
変化する。スロツト110−114は第1図のフイルタ100の
側表面上に示されているが、スロツトは第12図に示して
あるように、上部表面および底部表面上に配置してもよ
い。更に、スロツト110−114は1つの表面,反対側の表
面,又はすべての表面上の隣接するめつきした穴の間に
配置することができる。第1図のスロツト110−114は所
望する結合の量に応じてめつきすることも、又はめつき
しないでおくこともできる。
更に、穴101−106によつて与えられる同軸共振器間に位
置するめつきした、又はめつきしてない穴はまた結合を
調節するのに用いることもできる。同様に、そのような
穴は、所望する結合を得るために、めつきすることも、
又はめつきしないでおくこともでき、大きさ,位置およ
び配置方向を変えることができる。第11図において、穴
1150および1152はフイルタ1110の結合を調節するのに用
いられ、スロツト1160および1162はフイルタ1112の結合
を調節するのに用いられる。第11図のフイルタ1110の穴
1150および1152は上部表面から底部表面までの距離の一
部又は全部にわたつて延びていてもよく、フイルタ1110
の上部表面上にではなく側表面上に位置していてもよ
い。
置するめつきした、又はめつきしてない穴はまた結合を
調節するのに用いることもできる。同様に、そのような
穴は、所望する結合を得るために、めつきすることも、
又はめつきしないでおくこともでき、大きさ,位置およ
び配置方向を変えることができる。第11図において、穴
1150および1152はフイルタ1110の結合を調節するのに用
いられ、スロツト1160および1162はフイルタ1112の結合
を調節するのに用いられる。第11図のフイルタ1110の穴
1150および1152は上部表面から底部表面までの距離の一
部又は全部にわたつて延びていてもよく、フイルタ1110
の上部表面上にではなく側表面上に位置していてもよ
い。
RF信号は、入力および出力電極124、125(コネクナ接
続)および524、525による接続(結合)によりそれぞれ
第1図のフイルタ100および第5図のフイルタ500へ、ま
たそれらのフイルタから容量的に結合される。第1図の
めつきした穴101−106および第5図のめつきした穴501
によつて与えられる同軸共振器の共振周波数は、主とし
て穴の深さ,穴の方向への誘電体ブロツクの厚さ,およ
び穴の近くのフイルタ上部から取り除いためつきの量に
よつて決定される。フイルタ100又は500の同調は、めつ
きした各穴の上部近傍の付加の接地めつき(ground pla
ting)を取り除くことによつて達成される。これらのフ
ィルタ100と500を相互接続することも可能である。フイ
ルタ同調のための接地めつきの除去は容易に自動化する
ことができ、フイルタの反射減衰量(損失)角(return
loss angle)を監視しつつ、レーザ,サンドプラスト
トリマ,又はその他の適当なトリミングデバイスによつ
て達成し得る。この同調プロセスは第1図のめつきした
各穴101−106の上部におけるめつきを先づ接地し、反射
減衰量角を測定することによつて実施される。次に、め
つきした各穴に対する接地を同時に1つづつ除去し、18
0゜の移相(位相シフト)が達成されるまでそのめつき
した穴の上部近くの接地めつきを調節する。めつきした
各穴101−106の接地は、誘電体ブロツク130上のめつき
した穴と周囲のめつきとの間のめつきしてない部位140
を架橋(bridge)する小さいめつきランナ(run−ner)
によつて行うことができる。
続)および524、525による接続(結合)によりそれぞれ
第1図のフイルタ100および第5図のフイルタ500へ、ま
たそれらのフイルタから容量的に結合される。第1図の
めつきした穴101−106および第5図のめつきした穴501
によつて与えられる同軸共振器の共振周波数は、主とし
て穴の深さ,穴の方向への誘電体ブロツクの厚さ,およ
び穴の近くのフイルタ上部から取り除いためつきの量に
よつて決定される。フイルタ100又は500の同調は、めつ
きした各穴の上部近傍の付加の接地めつき(ground pla
ting)を取り除くことによつて達成される。これらのフ
ィルタ100と500を相互接続することも可能である。フイ
ルタ同調のための接地めつきの除去は容易に自動化する
ことができ、フイルタの反射減衰量(損失)角(return
loss angle)を監視しつつ、レーザ,サンドプラスト
トリマ,又はその他の適当なトリミングデバイスによつ
て達成し得る。この同調プロセスは第1図のめつきした
各穴101−106の上部におけるめつきを先づ接地し、反射
減衰量角を測定することによつて実施される。次に、め
つきした各穴に対する接地を同時に1つづつ除去し、18
0゜の移相(位相シフト)が達成されるまでそのめつき
した穴の上部近くの接地めつきを調節する。めつきした
各穴101−106の接地は、誘電体ブロツク130上のめつき
した穴と周囲のめつきとの間のめつきしてない部位140
を架橋(bridge)する小さいめつきランナ(run−ner)
によつて行うことができる。
第6図を参照すると、第1図のセラミツク帯域フイルタ
100に対する等価回路図が示されている。信号源からの
入力信号はコネクタ120を介して第1図の入力電極124に
印加してもよく、この電極は第6図のコンデンサ624お
よび644の共通接続部に対応する。コンデンサ644は電極
124とその周囲の接地めつきとの間のキヤパシタンスで
あり、コンデンサ624は電極124と第1図のめつきした穴
101によつて与えられる同軸共振器との間のキヤパシタ
ンスである。第1図のめつきした穴101−106によつて与
えられる同軸共振器は第6図の短絡した伝送線601−606
に対応する。第6図のコンデンサ631−636は第1図のめ
つきした穴101−106によつて与えられる同軸共振器とそ
の周囲の上部表面上の接地めつきとの間のキヤパシタン
スを表わす。コンデンサ625はめつきした穴106によつて
与えられる共振器と第1図の電極125との間のキヤパシ
タンスを表わし、コンデンサ645は電極125とのその周囲
の接地めつきとの間のキヤパシタンスを表わす。出力信
号はコンデンサ625および645の接続部において与えら
れ、この接続部は第1図の入力電極に対応する。
100に対する等価回路図が示されている。信号源からの
入力信号はコネクタ120を介して第1図の入力電極124に
印加してもよく、この電極は第6図のコンデンサ624お
よび644の共通接続部に対応する。コンデンサ644は電極
124とその周囲の接地めつきとの間のキヤパシタンスで
あり、コンデンサ624は電極124と第1図のめつきした穴
101によつて与えられる同軸共振器との間のキヤパシタ
ンスである。第1図のめつきした穴101−106によつて与
えられる同軸共振器は第6図の短絡した伝送線601−606
に対応する。第6図のコンデンサ631−636は第1図のめ
つきした穴101−106によつて与えられる同軸共振器とそ
の周囲の上部表面上の接地めつきとの間のキヤパシタン
スを表わす。コンデンサ625はめつきした穴106によつて
与えられる共振器と第1図の電極125との間のキヤパシ
タンスを表わし、コンデンサ645は電極125とのその周囲
の接地めつきとの間のキヤパシタンスを表わす。出力信
号はコンデンサ625および645の接続部において与えら
れ、この接続部は第1図の入力電極に対応する。
RF信号は第1図の電極124又は125によりめつきした穴10
1又は106を容量結合することによつて、又は第7図,第
8図および第9図に示した配置を容量および誘導結合す
ることによつて本発明のセラミツク帯域フイルタに結合
することができる。第7図において、めつきしてない部
位740によつて囲まれている電極702は、めつきした穴70
1によつて与えられる同軸共振器の反対の誘電体ブロツ
クの側に配置されている。同軸ケーブル710からのRF信
号は電極702に印加され、めつきした穴701によつて与え
られる同軸共振器に容量結合される。第8図において、
めつきしてない部位840に囲まれストリツプ電極802はRF
信号を同軸ケーブル810からめつきした穴801によつて与
えられる同軸共振器に誘導結合する。同軸ケーブル810
からの中心導線はストリツプ電極802の先端に付着され
ており、同軸ケーブル810の接地シールドはストリツプ
電極802の反対側の端末において接地めつきに接続され
ている。第9図においては、同軸ケーブル910の中心導
線はめつきしていない部位940の上方の、まためつきし
た穴901によつて与えられる同軸共振器の反対側の接地
めつきに接続されており、同軸ケーブル910の接地シー
ルドは遮へいされてない部位940の下方の、まためつき
した穴901によつて与えられる同軸共振器の反対側の接
地めつきに接続されている。本発明のセラミツク帯域フ
イルタの各応用例の要件に応じて、RF信号は第1図,第
5図,第7図,第8図および第9図に示した方法のうち
のいづれかの方法によつて本発明の同軸帯域フイルタ
へ、およびこのフイルタから結合することができる。更
に、RF信号の本発明のセラミツク帯域フイルタへの結合
が第1図および第5図に示したような電極によつて行わ
れる場合には、この電極は第1図および第5図に示した
ようにその方向に向けて設置することができ、又は対応
するめつきした穴の周辺の任意の適当な位置におくこと
ができる。例えば、電極は第1図の電極124および125の
ように誘電体ブロツクの端まで延ばすことができ、又は
第10図の電極1014,1016,1018および1020のように誘電体
ブロツクの側面にまで延ばすことができる。
1又は106を容量結合することによつて、又は第7図,第
8図および第9図に示した配置を容量および誘導結合す
ることによつて本発明のセラミツク帯域フイルタに結合
することができる。第7図において、めつきしてない部
位740によつて囲まれている電極702は、めつきした穴70
1によつて与えられる同軸共振器の反対の誘電体ブロツ
クの側に配置されている。同軸ケーブル710からのRF信
号は電極702に印加され、めつきした穴701によつて与え
られる同軸共振器に容量結合される。第8図において、
めつきしてない部位840に囲まれストリツプ電極802はRF
信号を同軸ケーブル810からめつきした穴801によつて与
えられる同軸共振器に誘導結合する。同軸ケーブル810
からの中心導線はストリツプ電極802の先端に付着され
ており、同軸ケーブル810の接地シールドはストリツプ
電極802の反対側の端末において接地めつきに接続され
ている。第9図においては、同軸ケーブル910の中心導
線はめつきしていない部位940の上方の、まためつきし
た穴901によつて与えられる同軸共振器の反対側の接地
めつきに接続されており、同軸ケーブル910の接地シー
ルドは遮へいされてない部位940の下方の、まためつき
した穴901によつて与えられる同軸共振器の反対側の接
地めつきに接続されている。本発明のセラミツク帯域フ
イルタの各応用例の要件に応じて、RF信号は第1図,第
5図,第7図,第8図および第9図に示した方法のうち
のいづれかの方法によつて本発明の同軸帯域フイルタ
へ、およびこのフイルタから結合することができる。更
に、RF信号の本発明のセラミツク帯域フイルタへの結合
が第1図および第5図に示したような電極によつて行わ
れる場合には、この電極は第1図および第5図に示した
ようにその方向に向けて設置することができ、又は対応
するめつきした穴の周辺の任意の適当な位置におくこと
ができる。例えば、電極は第1図の電極124および125の
ように誘電体ブロツクの端まで延ばすことができ、又は
第10図の電極1014,1016,1018および1020のように誘電体
ブロツクの側面にまで延ばすことができる。
本発明のもう1つの特徴によると、2つ又はそれ以上の
本発明のセラミツク帯域フイルタを縦続接続してより高
い選択度を与えることができ、又は相互接続して多帯域
応答特性を与えることができる。本発明のセラミツク帯
域フイルタの2つの相異なる縦続接続配列が第10図およ
び第11図に示されている。第10図においては、フイルタ
1010および1012は並列で(互に接して)配置されてい
る。入力信号は同軸ケーブル1002からフイルタ1010上の
入力電極1014に結合される。フイルタ1010からの入力電
極1016は短かいジヤンパ線によつてフイルタ1012上の入
力電極1018に結合されている。フイルタ1012上の出力電
極1020からの出力信号は同軸ケーブル1004に接続され
る。相互接続を容易にするため、電極1016および1018
は、第1図の電極124および125のようにフイルタの端に
まで延びているのではなく、フイルタ1010および1012の
側面にまで延びている。
本発明のセラミツク帯域フイルタを縦続接続してより高
い選択度を与えることができ、又は相互接続して多帯域
応答特性を与えることができる。本発明のセラミツク帯
域フイルタの2つの相異なる縦続接続配列が第10図およ
び第11図に示されている。第10図においては、フイルタ
1010および1012は並列で(互に接して)配置されてい
る。入力信号は同軸ケーブル1002からフイルタ1010上の
入力電極1014に結合される。フイルタ1010からの入力電
極1016は短かいジヤンパ線によつてフイルタ1012上の入
力電極1018に結合されている。フイルタ1012上の出力電
極1020からの出力信号は同軸ケーブル1004に接続され
る。相互接続を容易にするため、電極1016および1018
は、第1図の電極124および125のようにフイルタの端に
まで延びているのではなく、フイルタ1010および1012の
側面にまで延びている。
第11図を参照すると、フイルタ1110および1112は一方が
他方の上になるように配置されている。同軸ケーブル11
02からの入力信号はフイルタ1110上の入力電極1114に接
続される。フイルタ1110の穴1140は第3図に示すように
めつきされているので、めつきした穴1140周囲の環状の
めつきしてない部分はフイルタ1110の底表面上にある。
従つて、フイルタ1110の出力は、第7図に関連して上記
に示し説明したのと同じ方法により出力電極1116によつ
てそことから容量結合することができる。同じ種類の容
量結合がフイルタ1112の入力電極1118および出力電極11
20により与えられる。従つて、フイルタ1110からの出力
はジヤンパ線により出力電極1116からフイルタ1112の入
力電極1118に結合される。出力電極1120において与えら
れるフイルタ1112からの出力は同軸ケーブル1104に結合
してもよい。
他方の上になるように配置されている。同軸ケーブル11
02からの入力信号はフイルタ1110上の入力電極1114に接
続される。フイルタ1110の穴1140は第3図に示すように
めつきされているので、めつきした穴1140周囲の環状の
めつきしてない部分はフイルタ1110の底表面上にある。
従つて、フイルタ1110の出力は、第7図に関連して上記
に示し説明したのと同じ方法により出力電極1116によつ
てそことから容量結合することができる。同じ種類の容
量結合がフイルタ1112の入力電極1118および出力電極11
20により与えられる。従つて、フイルタ1110からの出力
はジヤンパ線により出力電極1116からフイルタ1112の入
力電極1118に結合される。出力電極1120において与えら
れるフイルタ1112からの出力は同軸ケーブル1104に結合
してもよい。
本発明の更にもう1つの特徴によると、フイルタ1110の
めつきした穴1140−1142によつて与えられる同軸共振器
間の結合は、隣接するめつきした穴1140−1142間に位置
している追加の穴1150および1152によつて調節できる。
追加の穴1150および1152の大きさ,位置,方向づけおよ
びめつきを変えて隣接する同軸共振器間の結合量を変化
させることができる。例えば、追加の穴1150および1152
はめつきした穴1140,1141および1142に平行又は直角に
することができる。フイルタ1112において、結合は隣接
する同軸共振器間に上部表面および底部表面上に置かれ
たスロツト1160および1162によつて調節されている。更
にスロツトはフイルタ1112の側面上にも設けることがで
きるので、スロツトは隣接共振器間のすべての表面上に
設けられる。
めつきした穴1140−1142によつて与えられる同軸共振器
間の結合は、隣接するめつきした穴1140−1142間に位置
している追加の穴1150および1152によつて調節できる。
追加の穴1150および1152の大きさ,位置,方向づけおよ
びめつきを変えて隣接する同軸共振器間の結合量を変化
させることができる。例えば、追加の穴1150および1152
はめつきした穴1140,1141および1142に平行又は直角に
することができる。フイルタ1112において、結合は隣接
する同軸共振器間に上部表面および底部表面上に置かれ
たスロツト1160および1162によつて調節されている。更
にスロツトはフイルタ1112の側面上にも設けることがで
きるので、スロツトは隣接共振器間のすべての表面上に
設けられる。
第12図には、2行に配置された6つのめつきした穴1230
−1235を含む本発明のセラミツク帯域フイルタのもう1
つの実施例が示されている。フイルタ1210のめつきした
各穴によつて与えられる同軸共振器は、第1図のフイル
タによつて示されているような1つの同軸共振器にでは
なく2つの隣接する同軸共振器に結合されている。同軸
共振器の任意の1つから2つの隣接する共振器への結合
は、その間に具えられているスロツト1222,1223および1
224によつて個々に調節できる。入力信号は同軸ケーブ
ル1202により入力電極1214に結合でき、出力信号は同軸
ケーブル1204により電極1220に結合できる。めつきした
穴1230および1235の間およびめつきした穴1231および12
34の間のスロツト1224の部分がスロツト1222および1223
より深いと、同軸ケーブル1202からの入力信号はめつき
した穴1230,1231および1232の間に結合され、次にスロ
ツト1224を横切つてめつきした穴1233に結合され、めつ
きした穴1233,1234および1235に結合され、更に同軸ケ
ーブル1204に結合される。めつきした穴1230および1231
の間およびめつきした穴1234および1233の間のスロツト
を一層深くし、出力電極1220を穴1235の近くに置く代わ
りに穴1233の近くに置くことによつてジグザグ結合経路
を作ることができる。また、入力電極1214および出力電
極1220を末端表面上に配置し、フイルタ1210を直立させ
て場所を節約することもできる。
−1235を含む本発明のセラミツク帯域フイルタのもう1
つの実施例が示されている。フイルタ1210のめつきした
各穴によつて与えられる同軸共振器は、第1図のフイル
タによつて示されているような1つの同軸共振器にでは
なく2つの隣接する同軸共振器に結合されている。同軸
共振器の任意の1つから2つの隣接する共振器への結合
は、その間に具えられているスロツト1222,1223および1
224によつて個々に調節できる。入力信号は同軸ケーブ
ル1202により入力電極1214に結合でき、出力信号は同軸
ケーブル1204により電極1220に結合できる。めつきした
穴1230および1235の間およびめつきした穴1231および12
34の間のスロツト1224の部分がスロツト1222および1223
より深いと、同軸ケーブル1202からの入力信号はめつき
した穴1230,1231および1232の間に結合され、次にスロ
ツト1224を横切つてめつきした穴1233に結合され、めつ
きした穴1233,1234および1235に結合され、更に同軸ケ
ーブル1204に結合される。めつきした穴1230および1231
の間およびめつきした穴1234および1233の間のスロツト
を一層深くし、出力電極1220を穴1235の近くに置く代わ
りに穴1233の近くに置くことによつてジグザグ結合経路
を作ることができる。また、入力電極1214および出力電
極1220を末端表面上に配置し、フイルタ1210を直立させ
て場所を節約することもできる。
本発明の更にもう1つの特徴によると、結合は第12図の
めつきした穴1230と1235との間およびめつきした穴1231
と1234との間に起きフイルタ1210の応答特性における伝
送零(transmissin zero)を与える。これらの伝送零は
フイルタ1210のスカート減衰(skirt attenuation)を
より急激にする。第12図のフイルタ1210から確かめるこ
とができるように、本発明のセラミツク帯域フイルタに
用いられるめつきした穴の数および構成を変えて特定の
応用例に必要な応答特性を達成することができる。
めつきした穴1230と1235との間およびめつきした穴1231
と1234との間に起きフイルタ1210の応答特性における伝
送零(transmissin zero)を与える。これらの伝送零は
フイルタ1210のスカート減衰(skirt attenuation)を
より急激にする。第12図のフイルタ1210から確かめるこ
とができるように、本発明のセラミツク帯域フイルタに
用いられるめつきした穴の数および構成を変えて特定の
応用例に必要な応答特性を達成することができる。
第13図を参照すると、本発明の2つの相互結合されたセ
ラミツク帯域フイルタ1304および1312からなる多帯域フ
イルタが示されている。2つ又はそれ以上の本発明のセ
ラミツク帯域フイルタを相互結合して、2つのRF信号を
1つの複合RF信号に組合せたり、又は2つのRF信号を1
つの複合RF信号から周波数分離する装置を作ることがで
きる。例えば、本発明のこの特徴の1応用例は、第13図
の配置であり、これはRF送信機1302からの送信信号をア
ンテナ1308に結合させ、アンテナ1308からの受信信号を
RF受信機に結合させる。第13図の配置はアンテナ送受切
換器として移動式,携帯式,又は固定局無線機に有利に
用いることができる。RF送信機1302からの送信信号はフ
イルタ1304に結合され、その後伝送線1306によりアンテ
ナ1308に結合される。フイルタ1304は第1図,第5図,
第10図,第11図および第12図に示したフイルタのような
本発明のセラミツク帯域フイルタである。フイルタ1304
の帯域はその中心がRF送信機1302からの送信信号の周波
数付近になるようにされており、それと同時に受信信号
の周波数を著しく減衰させている。更に、伝送線1306の
長さは、受信信号の周波数においてそのインピーダンス
が最大になるように選択されている。
ラミツク帯域フイルタ1304および1312からなる多帯域フ
イルタが示されている。2つ又はそれ以上の本発明のセ
ラミツク帯域フイルタを相互結合して、2つのRF信号を
1つの複合RF信号に組合せたり、又は2つのRF信号を1
つの複合RF信号から周波数分離する装置を作ることがで
きる。例えば、本発明のこの特徴の1応用例は、第13図
の配置であり、これはRF送信機1302からの送信信号をア
ンテナ1308に結合させ、アンテナ1308からの受信信号を
RF受信機に結合させる。第13図の配置はアンテナ送受切
換器として移動式,携帯式,又は固定局無線機に有利に
用いることができる。RF送信機1302からの送信信号はフ
イルタ1304に結合され、その後伝送線1306によりアンテ
ナ1308に結合される。フイルタ1304は第1図,第5図,
第10図,第11図および第12図に示したフイルタのような
本発明のセラミツク帯域フイルタである。フイルタ1304
の帯域はその中心がRF送信機1302からの送信信号の周波
数付近になるようにされており、それと同時に受信信号
の周波数を著しく減衰させている。更に、伝送線1306の
長さは、受信信号の周波数においてそのインピーダンス
が最大になるように選択されている。
第13図のアンテナ1308からの受信信号は伝送線1310によ
つてフイルタ1312に結合され、その後RF受信機1314に結
合される。これもまた第1図,第5図,第10図,第11図
および第12図に示してある本発明のセラミツク帯域フイ
ルタのうちの1つでもよいフイルタ1312は受信信号の周
波数付近に中心のある帯域を有し、同時に送信信号を著
しく減衰させる。同様に、伝送線1310の長さは送信信号
を更に減衰させるため送信信号周波数においてそのイン
ピーダンスを最大にするように選択されている。
つてフイルタ1312に結合され、その後RF受信機1314に結
合される。これもまた第1図,第5図,第10図,第11図
および第12図に示してある本発明のセラミツク帯域フイ
ルタのうちの1つでもよいフイルタ1312は受信信号の周
波数付近に中心のある帯域を有し、同時に送信信号を著
しく減衰させる。同様に、伝送線1310の長さは送信信号
を更に減衰させるため送信信号周波数においてそのイン
ピーダンスを最大にするように選択されている。
第13図のRF信号送受切換装置の実施例においては、825m
mHz〜845mmHzの範囲の周波数を有する送信信号および87
0mmHz〜890mmHzの範囲の周波数を有する受信信号は移動
式無線機のアンテナに結合された。セラミツク帯域フイ
ルタ1304および1312は第1図に示した型のものであつ
た。フイルタ1304および1312はそれぞれ長さが77.6mm,
高さが11.54mm,幅が11.74mmであつた。フイルタ1304の
そう入損は1.6dbであり、受信信号を少なくとも55db減
衰させた。フイルタ1312のそう入損は1.6dbであり、受
信信号を少なくとも55db減衰させた。
mHz〜845mmHzの範囲の周波数を有する送信信号および87
0mmHz〜890mmHzの範囲の周波数を有する受信信号は移動
式無線機のアンテナに結合された。セラミツク帯域フイ
ルタ1304および1312は第1図に示した型のものであつ
た。フイルタ1304および1312はそれぞれ長さが77.6mm,
高さが11.54mm,幅が11.74mmであつた。フイルタ1304の
そう入損は1.6dbであり、受信信号を少なくとも55db減
衰させた。フイルタ1312のそう入損は1.6dbであり、受
信信号を少なくとも55db減衰させた。
要するに、先行技術のフイルタより信頼度が高く小型の
改良されたセラミツク帯域フイルタを上記に説明した。
本発明のセラミツク帯域フイルタの構造は単純であるの
みでなく、自動製作・調節技術になじみ易い。本発明の
セラミツク帯域フイルタはより高度の選択性を与えるた
め1つ又はそれ以上の他のセラミツク帯域フイルタと縦
続接続することができ、1つ又はそれ以上の他のセラミ
ツク帯域フイルタと相互接続して、2つ又はそれ以上の
RF信号を1つの複合RF信号に組合せ、および/又は2つ
又はそれ以上のRF信号を1つの複合RF信号から周波数分
離する装置を作ることができる。本発明のこの特徴は、
送信信号をアンテナに結合し受信信号をアンテナから結
合するアンテナ送受切換器を提供するために有利に利用
できる。
改良されたセラミツク帯域フイルタを上記に説明した。
本発明のセラミツク帯域フイルタの構造は単純であるの
みでなく、自動製作・調節技術になじみ易い。本発明の
セラミツク帯域フイルタはより高度の選択性を与えるた
め1つ又はそれ以上の他のセラミツク帯域フイルタと縦
続接続することができ、1つ又はそれ以上の他のセラミ
ツク帯域フイルタと相互接続して、2つ又はそれ以上の
RF信号を1つの複合RF信号に組合せ、および/又は2つ
又はそれ以上のRF信号を1つの複合RF信号から周波数分
離する装置を作ることができる。本発明のこの特徴は、
送信信号をアンテナに結合し受信信号をアンテナから結
合するアンテナ送受切換器を提供するために有利に利用
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チヨイ・チヤ−ルズ アメリカ合衆国イリノイ州60194シヤンバ −グ・ダブリユ−・ロツクスベリ−909番 (56)参考文献 特開 昭57−17201(JP,A) 特開 昭53−99849(JP,A) 特開 昭54−16152(JP,A) 特開 昭54−154958(JP,A) 特開 昭54−87460(JP,A) 実開 昭56−60302(JP,U)
Claims (7)
- 【請求項1】上部表面、底部表面および側部表面を有す
る誘電体材料から成り、その上部表面から底部表面まで
延び互いに所定の距離だけ離れて配置されている少なく
とも第1の穴および第2の穴(101〜106)を有する誘電
体ブロック(130)と; 該誘電体ブロック内の前記第1の穴(101)に結合され
た入力電極手段(124)と; 前記誘電体ブロック内の前記第2の穴(106)に結合さ
れた出力電極手段(125)とから構成される帯域フィル
タであって: 前記入力電極手段(124)が、導電性材料から成り、前
記第1の穴の一端から所定の距離の位置にあり、前記第
1の穴と容量的に結合し; 前記出力電極手段(125)が、導電性材料から成り、前
記第2の穴の一端から所定の距離の位置にあり、前記第
2の穴と容量的に結合し; 前記誘電体ブロック(130)は、前記入力および出力電
極手段(124、125)を取り囲む領域と前記各穴(101〜1
06)の一端を取り囲む間隙(140)を除いて全体が導電
性材料で被覆され、かつ前記穴(101〜106)の内表面上
の導電性材料が前記誘電体ブロックの上部表面上にまで
延びて各穴(101〜106)の一端が周囲の導電性材料に対
して容量的に結合され、それにより各々の穴に対して短
縮された同軸共振器が形成され;かつ 当該帯域フィルタの共振周波数が、前記穴の前記一端を
取り囲む導電性材料のうち間隙(140)に接する部分を
取り除くことによって調節される; ことを特徴とする帯域フィルタ。 - 【請求項2】前記第1の穴と第2の穴との間において前
記誘電体ブロックの前記上部表面、底部表面および側部
表面のうち少なくとも1つの表面に沿って延びる少なく
とも1つのスロット(110〜114)が設けられて、前記入
力電極手段から前記出力電極手段へ結合する電気信号を
調節する; ことを特徴とする請求の範囲第1項記載の帯域フィル
タ。 - 【請求項3】前記少なくとも1つのスロット(110〜11
4)が導電性材料で被覆されている; ことを特徴とする請求の範囲第2項記載の帯域フィル
タ。 - 【請求項4】前記スロット(110〜114)が前記誘電体ブ
ロックの少なくとも対向する2つの表面上に配置されて
いる; ことを特徴とする請求の範囲第2または3項記載の帯域
フィルタ。 - 【請求項5】前記スロット(110〜114)が前記誘電体ブ
ロックの上部表面、底部表面および側部表面上に配置さ
れている; ことを特徴とする請求の範囲第2または3項記載の帯域
フィルタ。 - 【請求項6】当該帯域フィルタの結合が、前記第1の穴
と第2の穴との間において前記誘電体ブロック内に少な
くとも1つの追加穴(1150、1152)を形成することによ
って調節される; ことを特徴とする請求の範囲第1項記載の帯域フィル
タ。 - 【請求項7】入力信号のための信号源(1302)が前記入
力手段(124)に結合され、かつ前記誘電体ブロックの
底部表面および側部表面の導電性材料が信号接地側に結
合されている; ことを特徴とする請求の範囲第1項記載の帯域フィル
タ。
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