JPS58194402A - 誘電体フイルタ - Google Patents
誘電体フイルタInfo
- Publication number
- JPS58194402A JPS58194402A JP57076565A JP7656582A JPS58194402A JP S58194402 A JPS58194402 A JP S58194402A JP 57076565 A JP57076565 A JP 57076565A JP 7656582 A JP7656582 A JP 7656582A JP S58194402 A JPS58194402 A JP S58194402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- metal
- dielectric
- housing
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、無線フィルタの調整を人手によらず自動機に
よって達成するためのフィルタの構造に関するものであ
る。
よって達成するためのフィルタの構造に関するものであ
る。
（背景技術）
第１図および第２図は、従来の無線フィルタの
。
。
構成・構造を示す平面図および斜視図である。第１図は
交叉指形で、１／４波長の長さの線路１の一端がハウジ
ング３に短絡され、かつ他端は開放され、ｌ／４波長レ
ゾネータをなす。特に各レゾネータｌの短絡端はハウジ
ングの底面３−１と３−２上に交互に固定されている。
交叉指形で、１／４波長の長さの線路１の一端がハウジ
ング３に短絡され、かつ他端は開放され、ｌ／４波長レ
ゾネータをなす。特に各レゾネータｌの短絡端はハウジ
ングの底面３−１と３−２上に交互に固定されている。
第２図は櫛形で、線路１１は、１／４波長より短かくイ
ンダクタンスとして働き、線路１１の先端にもうけられ
たキャパシタＩ５とで共振し、レゾネータをなす。特に
各レゾネータの短絡端は、ハウジングの底面１３−１上
にすべて固定される。第１図のごとき交叉配置および第
２図のごときキャパシタの付加は、隣接レゾネ−器間（
７）電気的結合を得るための工夫であり、仮′に第２図
の線路１１の長さを完全に１／４波長とし、かつキャパ
シタｌｌａがないものとするとこの仮想的無線フィルタ
は極めて簡単な構造であるから、デザインが容易でコス
トも安い。しかし、この構造はかつてフィルタに適用さ
れたことはなかった。
ンダクタンスとして働き、線路１１の先端にもうけられ
たキャパシタＩ５とで共振し、レゾネータをなす。特に
各レゾネータの短絡端は、ハウジングの底面１３−１上
にすべて固定される。第１図のごとき交叉配置および第
２図のごときキャパシタの付加は、隣接レゾネ−器間（
７）電気的結合を得るための工夫であり、仮′に第２図
の線路１１の長さを完全に１／４波長とし、かつキャパ
シタｌｌａがないものとするとこの仮想的無線フィルタ
は極めて簡単な構造であるから、デザインが容易でコス
トも安い。しかし、この構造はかつてフィルタに適用さ
れたことはなかった。
それは、隣接するレゾネータ間の電気的結合がほとんど
零であり、フィルタを作ることができなかったためであ
る。
零であり、フィルタを作ることができなかったためであ
る。
一般に、無線フィルタのデザインは３つのパラメータを
用いて実現できる。すなわち、（イ）各レゾネータの共
振周波数（几）、（ロ）各段間レゾネータ間の電気結合
（ｋ＋、ｔ＋＋） （ｉ、＋ ＋１は１番目と（１＋１
）番目のレゾネータ間を意味する）、（ハ）Ｉ１０レゾ
ネータ（Ｉ；入力、０；出力）とＩ１０端子４（第１図
、第２図）との結合の度合い（Ｑｅ）の３っである。こ
の３つのパラメータがフィルタの特性に及ぼす影響の度
合いは均一でなく、一般に信）の周波数ｆ。のズレが最
も敏感である。５段フィルタのデザインの一例を示すと
、几のズレ±０．０２％、ｋ４，４＋＋とＱｅのズレ±
２％が独立に生じたときフィルタの電圧反射係数は十０
５％に達する。
用いて実現できる。すなわち、（イ）各レゾネータの共
振周波数（几）、（ロ）各段間レゾネータ間の電気結合
（ｋ＋、ｔ＋＋） （ｉ、＋ ＋１は１番目と（１＋１
）番目のレゾネータ間を意味する）、（ハ）Ｉ１０レゾ
ネータ（Ｉ；入力、０；出力）とＩ１０端子４（第１図
、第２図）との結合の度合い（Ｑｅ）の３っである。こ
の３つのパラメータがフィルタの特性に及ぼす影響の度
合いは均一でなく、一般に信）の周波数ｆ。のズレが最
も敏感である。５段フィルタのデザインの一例を示すと
、几のズレ±０．０２％、ｋ４，４＋＋とＱｅのズレ±
２％が独立に生じたときフィルタの電圧反射係数は十０
５％に達する。
レゾネータの中心周波数の調整は、第１図のネジ５又は
第２図のコンデンサ１５のスクリュー１５ａの進退によ
って目的を達するのが従来方法である。
第２図のコンデンサ１５のスクリュー１５ａの進退によ
って目的を達するのが従来方法である。
しカル、共振周波数ｆ。のズレを先述の例では、 ０．
０２％（Ｊ部分の２）に精密に合わせることが必要であ
るが、まず第１図のネジでは、周波数几の変化は緩やか
で手による調整が可能だが、その可変範囲は、ｆｏの１
０００分の１のオーダしがなく、従ってレゾネータの長
さを極めて正確に作ることが必要アあ６ｏＬＪ＋１１、
−ｆｆＫＬ／７９．：ｔ’＝−１ｍ−１’に’、’）０
’ングの底面３−１．３−２に取り付ける際に
取付は誤差が生じ、またハウジングの底面３−１と３−
２との間の距離も精密に製造しなければならなかった。
０２％（Ｊ部分の２）に精密に合わせることが必要であ
るが、まず第１図のネジでは、周波数几の変化は緩やか
で手による調整が可能だが、その可変範囲は、ｆｏの１
０００分の１のオーダしがなく、従ってレゾネータの長
さを極めて正確に作ることが必要アあ６ｏＬＪ＋１１、
−ｆｆＫＬ／７９．：ｔ’＝−１ｍ−１’に’、’）０
’ングの底面３−１．３−２に取り付ける際に
取付は誤差が生じ、またハウジングの底面３−１と３−
２との間の距離も精密に製造しなければならなかった。
次に第２図のスクリュー１５ａの進退によるｆ。の調整
は、一般に１０％オーダの可変範囲があり、ハウジング
底面１３−１と１３−２との間の距離等の公差も緩やか
で良いが、逆にスクリュー１５ａのわずかな進退によっ
ても周波数ｆ。の変化は急激で、スクリー＝１５ａの固
定等のための厳重なロック機構が必要で、結合ハウジン
グ１３も堅固でなければならなかった。
は、一般に１０％オーダの可変範囲があり、ハウジング
底面１３−１と１３−２との間の距離等の公差も緩やか
で良いが、逆にスクリュー１５ａのわずかな進退によっ
ても周波数ｆ。の変化は急激で、スクリー＝１５ａの固
定等のための厳重なロック機構が必要で、結合ハウジン
グ１３も堅固でなければならなかった。
さらに第１図、第２図に共通な事柄として、周波数への
調整を人力によらず機械化をはかる場合、ネジ５又はス
クリー−１５ａの自動挿入、退出、ネジのロック、さら
にネジ部の気密化等の作業が複雑で信頼性を得られ難か
った。
調整を人力によらず機械化をはかる場合、ネジ５又はス
クリー−１５ａの自動挿入、退出、ネジのロック、さら
にネジ部の気密化等の作業が複雑で信頼性を得られ難か
った。
一方、信頼性を得るため、ネジの可変をさげ、レゾネー
タの開放端の導体を一部除去する等によって周波数ｆ。
タの開放端の導体を一部除去する等によって周波数ｆ。
を調整することが考えられるが、従来のフィルタ構造で
は、第１図ではレゾネータ１の開放端が交叉しているた
め困難で、また第２図では線路１１の先端はキャパシタ
１５が付いているため不可能である。これらの理由のた
め無線フィルタの自動チー−ニング（周波数Ｊ。の調整
をチューニングと言う）はかつて成功していない。
は、第１図ではレゾネータ１の開放端が交叉しているた
め困難で、また第２図では線路１１の先端はキャパシタ
１５が付いているため不可能である。これらの理由のた
め無線フィルタの自動チー−ニング（周波数Ｊ。の調整
をチューニングと言う）はかつて成功していない。
さらに電気的問題として、第１図のレゾネータ１の先端
、および第２図の線路１１とキャパシタ１５との接続点
附近は共撮時に高電位となり、その部分を損傷すると電
気的損失が急増することが知られており、チューニング
のための加工等は電気特性上不都合である。
、および第２図の線路１１とキャパシタ１５との接続点
附近は共撮時に高電位となり、その部分を損傷すると電
気的損失が急増することが知られており、チューニング
のための加工等は電気特性上不都合である。
第３図〜第５図は、本発明者等により発明された従来の
別のフィルタ構造を示す（特願昭５３−５６１６０゜５
３−６３３６０ 、５３−１４２３０６ 、５５−５５
５２０ 、５５−１２．４０２１ 、５６−１９３６６
２ ）。第３図〜第５図において、３］、４１および５
ｔはレゾネータ、３１ａ、、１１ａおよび５］ａは誘電
体、３１ｂ、Ｉｌ＋）および５１１〕は導体ネジ、３２
、４２および５３は空気領域（ギャップ）であり、そ
の他は第１図、第２図と同様である。レゾネータ３１．
旧、５１は完全に１／４波長で、それらの短絡端はハウ
ジング；３；３の同一底面３３−１上に固定されている
。この構成において、仮にギャップ５２ 、１２ 、５
３がないものとすると、共振器間結合はほとんど零であ
り、フィルタを構成できない。第３図〜第５図では、レ
ゾネータ３１，４１．５１の共振周波数九を調整するた
め１／４波長より数％だけ短かくデザインし、導体ネジ
３１ｂ、４１ｂ、５１ｂの進退によりチューニングを果
している。本構成は従来のフィルタ第１図、第２図で述
へた調整の困難点は、ハウジングの同一底面にあるため
軽減されるが、精密性、気密性、ネジロック等の点で本
質的に解決されていない。
別のフィルタ構造を示す（特願昭５３−５６１６０゜５
３−６３３６０ 、５３−１４２３０６ 、５５−５５
５２０ 、５５−１２．４０２１ 、５６−１９３６６
２ ）。第３図〜第５図において、３］、４１および５
ｔはレゾネータ、３１ａ、、１１ａおよび５］ａは誘電
体、３１ｂ、Ｉｌ＋）および５１１〕は導体ネジ、３２
、４２および５３は空気領域（ギャップ）であり、そ
の他は第１図、第２図と同様である。レゾネータ３１．
旧、５１は完全に１／４波長で、それらの短絡端はハウ
ジング；３；３の同一底面３３−１上に固定されている
。この構成において、仮にギャップ５２ 、１２ 、５
３がないものとすると、共振器間結合はほとんど零であ
り、フィルタを構成できない。第３図〜第５図では、レ
ゾネータ３１，４１．５１の共振周波数九を調整するた
め１／４波長より数％だけ短かくデザインし、導体ネジ
３１ｂ、４１ｂ、５１ｂの進退によりチューニングを果
している。本構成は従来のフィルタ第１図、第２図で述
へた調整の困難点は、ハウジングの同一底面にあるため
軽減されるが、精密性、気密性、ネジロック等の点で本
質的に解決されていない。
（発明の課題）
本発明はこれらの欠点を除去するため、フィルタルレゾ
ネータの開放端がハウジングの同−底面側にあるように
し、開放端面にアース導体層をもうけてアース導体の一
部をトリミングすることによって、フィルタの電気特性
を損わず、かつ自動チューニングを可能にしたもので、
その構造上の特徴は、少なくとも底面が導体で構造され
るハウジングと、一端が該底面の上に配列され他端が開
放される長さがほぼ１波長の少なくとも２個のしゾネー
タの列と、最外端のレゾネータを外部回路に接続するた
めの前記ハウジングに固定される入出力端子とを有し、
各レゾネータが前記底面に結合する内導体とこれを包囲
する誘電体とから構成され、隣接するレゾネータの各誘
電体の間に少なくとも空間がもうけられるごとき誘電体
フィルタにおいて、前記レゾネータの開放端面に直接又
は誘電体層を介してハウジングに短絡する導体層がもう
けられるごとき誘電体フィルタにある。
ネータの開放端がハウジングの同−底面側にあるように
し、開放端面にアース導体層をもうけてアース導体の一
部をトリミングすることによって、フィルタの電気特性
を損わず、かつ自動チューニングを可能にしたもので、
その構造上の特徴は、少なくとも底面が導体で構造され
るハウジングと、一端が該底面の上に配列され他端が開
放される長さがほぼ１波長の少なくとも２個のしゾネー
タの列と、最外端のレゾネータを外部回路に接続するた
めの前記ハウジングに固定される入出力端子とを有し、
各レゾネータが前記底面に結合する内導体とこれを包囲
する誘電体とから構成され、隣接するレゾネータの各誘
電体の間に少なくとも空間がもうけられるごとき誘電体
フィルタにおいて、前記レゾネータの開放端面に直接又
は誘電体層を介してハウジングに短絡する導体層がもう
けられるごとき誘電体フィルタにある。
（発明の構成および作用）
第６図ｆａ）は本発明の第１の実施例を示す。ここテロ
１はレゾネータを構成する誘電体、６２はハウジング、
６３は誘電体６１の内に構成される１／４波長の内導体
、６４はレゾネータの開放面上に配置された小誘電体板
、６５は誘電体６４上にメタライズされた金属（導体層
）を示す。６８はレゾネータ間の結合を得るために誘電
体６１の間にもうけられた空隙を示す。
１はレゾネータを構成する誘電体、６２はハウジング、
６３は誘電体６１の内に構成される１／４波長の内導体
、６４はレゾネータの開放面上に配置された小誘電体板
、６５は誘電体６４上にメタライズされた金属（導体層
）を示す。６８はレゾネータ間の結合を得るために誘電
体６１の間にもうけられた空隙を示す。
第６図（ｂｌは第６図（ａｌの横断面図を示す。ここで
奢１ ６６は中心導体６３が誘電体６１の開放面に延長された
金属を示す。
奢１ ６６は中心導体６３が誘電体６１の開放面に延長された
金属を示す。
第６図（ｂｌにおいて、金属６５は小誘電体６４を介し
て内導体６３のほぼ上部に構成され、ハウジング６２の
内面上に短絡される。６７は、金属６５がレーザーによ
り切断された切断部分を示す。この状態において、レゾ
ネータが励振されると、開放端の金属６６が電界最大点
となり、レゾネータの短絡端が磁界最大点となり共振器
ができる。
て内導体６３のほぼ上部に構成され、ハウジング６２の
内面上に短絡される。６７は、金属６５がレーザーによ
り切断された切断部分を示す。この状態において、レゾ
ネータが励振されると、開放端の金属６６が電界最大点
となり、レゾネータの短絡端が磁界最大点となり共振器
ができる。
このレゾネータを用いてフィルタを構成するには、各レ
ゾネータ間で所定の結合量を得る必要がある。隣接する
中心導体間が誘電体によって充填された均質媒質の場合
、電界および磁界の振幅値は等しく逆位相の関係にある
。このため、お互いに打ち消し合い、レゾネータ間の結
合量は零となる。所定の結合量を得るためには、中心導
体間の誘電体部分に空隙６８をもうけることによって結
合に寄与する電界量を減少させ、空隙簡によって影響を
受けない磁界量との差によって結合が可能となる。
ゾネータ間で所定の結合量を得る必要がある。隣接する
中心導体間が誘電体によって充填された均質媒質の場合
、電界および磁界の振幅値は等しく逆位相の関係にある
。このため、お互いに打ち消し合い、レゾネータ間の結
合量は零となる。所定の結合量を得るためには、中心導
体間の誘電体部分に空隙６８をもうけることによって結
合に寄与する電界量を減少させ、空隙簡によって影響を
受けない磁界量との差によって結合が可能となる。
一方、小誘電体６４の上面に構成した金属６５は、ハウ
ジング６２に短絡されていることによりアース電流が流
れる。第６図（Ｃ）に示すように、このアース電流は、
アース金属６５を内導体金属６６の断面より大きくする
ことによって、レゾネータの無負荷Ｑｕの劣化を防ぐこ
とができる。金属６５と金属６６との間の小誘電体６・
１は、変位電流が流れることによりレゾネータの無負荷
凱の劣化を防ぐには、誘電体６４の損失が極めて少ない
材料が要求される。
ジング６２に短絡されていることによりアース電流が流
れる。第６図（Ｃ）に示すように、このアース電流は、
アース金属６５を内導体金属６６の断面より大きくする
ことによって、レゾネータの無負荷Ｑｕの劣化を防ぐこ
とができる。金属６５と金属６６との間の小誘電体６・
１は、変位電流が流れることによりレゾネータの無負荷
凱の劣化を防ぐには、誘電体６４の損失が極めて少ない
材料が要求される。
キャパシタンスは、金属６６と金属６５の間に形成され
、第６図（ｂｌのＹ方向へは電界のリークがないので、
ハウジングの上ブタの着脱による共振周波数の変化が抑
制される。よって、この電界に基づくキャパシタンスの
量を変化することによって、レゾネータの共振周波数が
変化する。このキャパシタンス量の変化は、金属６５の
面積を変化させることによって達成される。この方法に
よれば、直接誘電体６１の上の金属６６の状態は変わら
ず、金属６５と誘電体６１およびそれを含むレゾネータ
６１に破損を与えないで共振周波数の可変が可能である
。
、第６図（ｂｌのＹ方向へは電界のリークがないので、
ハウジングの上ブタの着脱による共振周波数の変化が抑
制される。よって、この電界に基づくキャパシタンスの
量を変化することによって、レゾネータの共振周波数が
変化する。このキャパシタンス量の変化は、金属６５の
面積を変化させることによって達成される。この方法に
よれば、直接誘電体６１の上の金属６６の状態は変わら
ず、金属６５と誘電体６１およびそれを含むレゾネータ
６１に破損を与えないで共振周波数の可変が可能である
。
第１の実施例においては、誘電体６１にアルミナ基板を
用い、金属６５の面積を変化させる手法として、レーザ
を用いて第６図（Ｃ）に示すようにアース金属６５を切
断することによって、共振周波数ｆ。に変化量Δｆ、を
与える。切断量Ｘに対する変化量Δ几の実験結果を第７
図に示す。第７図よりアース面の切断量に対する共振周
波数の変化の感度は、７．６ ＭＨｚ７朋である。フィ
ルタを構成するのに必要なレゾネータの共振周波数の調
整後の許容バラツキ値は±０．０２％であるから、フィ
ルタの中心周波数を８００ＭＨｚとすれば、許容周波数
バラツキ値は±１６０ ＫＨｚとなる。一方、レーザの
ビームによる金属切断幅は２０μｍ程度であるから、そ
れに基づく共振周波数の加工誤差は ７．６ ＭＨｚ ／闘Ｘ Ｏ，０２＝ １５２ ＫＨｚ
（＝±７６ＫＨｚ ）を用いても可能である。
用い、金属６５の面積を変化させる手法として、レーザ
を用いて第６図（Ｃ）に示すようにアース金属６５を切
断することによって、共振周波数ｆ。に変化量Δｆ、を
与える。切断量Ｘに対する変化量Δ几の実験結果を第７
図に示す。第７図よりアース面の切断量に対する共振周
波数の変化の感度は、７．６ ＭＨｚ７朋である。フィ
ルタを構成するのに必要なレゾネータの共振周波数の調
整後の許容バラツキ値は±０．０２％であるから、フィ
ルタの中心周波数を８００ＭＨｚとすれば、許容周波数
バラツキ値は±１６０ ＫＨｚとなる。一方、レーザの
ビームによる金属切断幅は２０μｍ程度であるから、そ
れに基づく共振周波数の加工誤差は ７．６ ＭＨｚ ／闘Ｘ Ｏ，０２＝ １５２ ＫＨｚ
（＝±７６ＫＨｚ ）を用いても可能である。
第７図に、共振器の無負荷Ｑ（Ｑｕ）の切断量Ｘに対す
る実験結果をも示す。Ｑｕの劣化は認められない。
る実験結果をも示す。Ｑｕの劣化は認められない。
誘電体６４の材料については、光学的に不透明な材料を
用いることによりレーザ光が誘電体６１と金属６６に達
してレーザ損傷を起すことを防止することができる。第
７図の実験においては、誘電体６．１としてアルミナセ
ラミクス基板（厚さ１．６ｍｍ）を用いている。
用いることによりレーザ光が誘電体６１と金属６６に達
してレーザ損傷を起すことを防止することができる。第
７図の実験においては、誘電体６．１としてアルミナセ
ラミクス基板（厚さ１．６ｍｍ）を用いている。
なお、第６図（ｂ）のハウジングにおいては、上ブタ６
８を透明導電体で形成することにより、フタロ８を固定
したままでも自動チューニングが可能である。
８を透明導電体で形成することにより、フタロ８を固定
したままでも自動チューニングが可能である。
第１の実施例では、誘電体６４の上にメタライズされた
金属６５を切断することによって共振周波数を可変する
ことを示したが、金属６５０表面に穴をあけても同様の
効果が生じる。
金属６５を切断することによって共振周波数を可変する
ことを示したが、金属６５０表面に穴をあけても同様の
効果が生じる。
又第１の実施例では、小誘電体６１は１枚の板で示した
が、誘電体６１は中心導体６３上に個別に分離していて
も同様の効果が生じる。
が、誘電体６１は中心導体６３上に個別に分離していて
も同様の効果が生じる。
又第１の実施例では、フィルタを構成する誘電体が１枚
で構成されている例を示したが、レゾネ １１
−タを構成する誘電体が個別の場合において、第１、第
２、第３の実施例を組み合わせても同様の効果が生じる
。
で構成されている例を示したが、レゾネ １１
−タを構成する誘電体が個別の場合において、第１、第
２、第３の実施例を組み合わせても同様の効果が生じる
。
第８図に第２の実施例を示す。共振器は誘電体７１、ハ
ウジング７２、内導体７３よりなり、第６図の誘電体６
４に相当するものは存在しない。誘電体７１の内面の内
導体７３とアース金属７５との間の金属７７（誘電体７
１の頂部にもうけられる）の切断部７６を介して生ずる
キャパシタンスを、切断量を調整することによりチュー
ニングを達成している。本構造は機械加工によるチュー
ニングは可能であるが、レーザによる加工は誘電体７１
が損傷を受は損失が急増するので利用できない。
ウジング７２、内導体７３よりなり、第６図の誘電体６
４に相当するものは存在しない。誘電体７１の内面の内
導体７３とアース金属７５との間の金属７７（誘電体７
１の頂部にもうけられる）の切断部７６を介して生ずる
キャパシタンスを、切断量を調整することによりチュー
ニングを達成している。本構造は機械加工によるチュー
ニングは可能であるが、レーザによる加工は誘電体７１
が損傷を受は損失が急増するので利用できない。
（発明の効果）
以上説明した゛ように本発明では、レゾネータの共振周
波数の調整にレーザ加工あるいは精密な機械加工を用い
ても誘電体自体に損傷を与えることなくチューニングで
きることにより、周波数調整の自動化（自動チューニン
グ）を可能とすることができる。
波数の調整にレーザ加工あるいは精密な機械加工を用い
ても誘電体自体に損傷を与えることなくチューニングで
きることにより、周波数調整の自動化（自動チューニン
グ）を可能とすることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）は従来のネジによる周波数可
変機構をもつインターディジタルフィルタを示し、第２
図（ａ）および（ｂｌは従来のネジによる周波数可変機
構をもつクームライフフィルタの構造、第３図ｆａ）お
よび（ｂ）は従来のネジによる周波数可変機構をもつ円
柱形状誘電体と中心導体で構成した誘電体フィルタ、第
４図と第５図は第３図（ａ）および＜１））のフィルタ
の変形例、第６図（ａｌ〜（Ｃ）は本発明による共振周
波数可変機構をもつフィルタの構造例、第７メは第６図
（ａ）〜（Ｃ１のフィルタのチューニング効果を示す図
、第８図は本発明によるフィルタの別の構造例である。 ６１・・・・・・レゾネータを構成する誘電体６２・・
・・・・ハウジング ６３・・・・・内導体 ６１・・・・・・誘電体層 ６５ ・・・導体層 特許出願人 沖電気工業株式会社 特許田願代理人 弁理士 山 本 恵 − （ＱＩ ＭＬ／ １２］
ｔｂ＞＄４ 図 氷５ に ３ ４−ろ にン］′（ａン ５ 本６図（ｂ） も４ 図（（） １ 襄７ 図 ズ（ｒｎｒ、、） 襄ａ 図
変機構をもつインターディジタルフィルタを示し、第２
図（ａ）および（ｂｌは従来のネジによる周波数可変機
構をもつクームライフフィルタの構造、第３図ｆａ）お
よび（ｂ）は従来のネジによる周波数可変機構をもつ円
柱形状誘電体と中心導体で構成した誘電体フィルタ、第
４図と第５図は第３図（ａ）および＜１））のフィルタ
の変形例、第６図（ａｌ〜（Ｃ）は本発明による共振周
波数可変機構をもつフィルタの構造例、第７メは第６図
（ａ）〜（Ｃ１のフィルタのチューニング効果を示す図
、第８図は本発明によるフィルタの別の構造例である。 ６１・・・・・・レゾネータを構成する誘電体６２・・
・・・・ハウジング ６３・・・・・内導体 ６１・・・・・・誘電体層 ６５ ・・・導体層 特許出願人 沖電気工業株式会社 特許田願代理人 弁理士 山 本 恵 − （ＱＩ ＭＬ／ １２］
ｔｂ＞＄４ 図 氷５ に ３ ４−ろ にン］′（ａン ５ 本６図（ｂ） も４ 図（（） １ 襄７ 図 ズ（ｒｎｒ、、） 襄ａ 図
Claims (5)
- （１）少なくとも底面が導体で構造されるノ・ウジング
と、一端が該底面の上に配列され他端が開放される長さ
かほぼ１波長の少なくとも２個のレゾネータの列と、最
外端のレゾネータを外部回路に接続するための前記ハウ
ジングに固定される入比力端子とを有し、各レゾネータ
が前記底面に結合する内導体とこれを包囲する誘電体と
から構成され、隣接するレゾネータの各誘電体の間に少
なくとも空間がもうけられるごとき誘電体フィルタにお
いて、前記レゾネータの開放端面に直接又は誘電体層を
介してハウジングに短絡する導体層がもうけられること
を特徴とする誘電体フィルタ。 - （２）前記誘電体層が光学的に不透明な材質によるごと
き特許請求の範囲第１項記載の誘電体フィルタ。 - （３）ハウジングの、レゾネータの開放端面に対向する
面が、透明であるごとき特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の誘電体フィルタ。 - （４） レゾネータを内導体を包囲する誘電体と前記
誘電体層とが同一材料で一体に構成されるごとき特許請
求の範囲（１）〜（３）に記載の誘電体フィルタ。 - （５）前記導体層がトリミング可能であるごとき特許請
求の範囲第１項記載の誘電体フィルタ。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076565A JPS58194402A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 誘電体フイルタ |
| EP89102782A EP0324512B1 (en) | 1982-05-10 | 1983-04-27 | A dielectric filter |
| DE3382762T DE3382762T2 (de) | 1982-05-10 | 1983-04-27 | Dielektrischer Filter. |
| DE8383104137T DE3380549D1 (en) | 1982-05-10 | 1983-04-27 | A dielectric filter |
| EP83104137A EP0093956B1 (en) | 1982-05-10 | 1983-04-27 | A dielectric filter |
| CA000426980A CA1195391A (en) | 1982-05-10 | 1983-04-29 | Dielectric filter |
| US06/490,881 US4546333A (en) | 1982-05-10 | 1983-05-02 | Dielectric filter |
| US06/749,185 US4692725A (en) | 1982-05-10 | 1985-06-26 | Dielectric filter having trimmable capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57076565A JPS58194402A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 誘電体フイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194402A true JPS58194402A (ja) | 1983-11-12 |
| JPS6350881B2 JPS6350881B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13608751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57076565A Granted JPS58194402A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 誘電体フイルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4692725A (ja) |
| JP (1) | JPS58194402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131104U (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-16 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652842B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1994-07-06 | 沖電気工業株式会社 | 有極型誘電体フィルタ |
| US4965537A (en) * | 1988-06-06 | 1990-10-23 | Motorola Inc. | Tuneless monolithic ceramic filter manufactured by using an art-work mask process |
| JPH02221184A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-04 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶製造方法及びその装置 |
| US5290740A (en) * | 1991-11-06 | 1994-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition used for producing dielectric resonator or filter for microwave application |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58179002A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体フイルタ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3947934A (en) * | 1973-07-20 | 1976-04-06 | Rca Corporation | Method of tuning a tunable microelectronic LC circuit |
| JPS5535560A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coaxial type filter |
| EP0038996B1 (en) * | 1980-04-28 | 1984-06-27 | Oki Electric Industry Company, Limited | A high frequency filter |
| US4431977A (en) * | 1982-02-16 | 1984-02-14 | Motorola, Inc. | Ceramic bandpass filter |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP57076565A patent/JPS58194402A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-26 US US06/749,185 patent/US4692725A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58179002A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体フイルタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131104U (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4692725A (en) | 1987-09-08 |
| JPS6350881B2 (ja) | 1988-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3840828A (en) | Temperature-stable dielectric resonator filters for stripline | |
| US5343176A (en) | Radio frequency filter having a substrate with recessed areas | |
| EP1777773A1 (en) | Electronically tunable dielectric resonator circuits | |
| US4124830A (en) | Waveguide filter employing dielectric resonators | |
| JPS61191101A (ja) | フイルタ | |
| JPS59114902A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| US5084684A (en) | Method of adjusting a frequency response in a three-conductor type filter device | |
| JPS58194402A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| EP0718906B1 (de) | Streifenleitungsfilter | |
| JPH0211163B2 (ja) | ||
| US5291162A (en) | Method of adjusting frequency response in a microwave strip-line filter device | |
| US20020158718A1 (en) | Band pass filter | |
| JP2006340141A (ja) | 誘電体導波管フィルタの製造方法 | |
| JPH0473641B2 (ja) | ||
| US5304966A (en) | Method of adjusting a frequency response in a three-conductor type filter device | |
| US7348866B2 (en) | Compact printed filters with self-connected LC resonators | |
| JPH03108801A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPS632404A (ja) | 誘電体フイルタの帯域幅調整方法 | |
| JPH0213102A (ja) | 誘電体同軸共振器及びこれを使用したバンドパスフィルタの周波数調整方法 | |
| JPH0563411A (ja) | 同軸型誘電体共振器 | |
| JPH0865007A (ja) | 高周波フィルタ | |
| US5939959A (en) | Dielectric filter with elevated inner regions adjacent resonator openings | |
| JPH03249801A (ja) | 誘電体共振器の共振周波数調整方法及び誘電体共振器 | |
| JPH0488701A (ja) | 有極型誘電体フィルタ | |
| JPH06140807A (ja) | 誘電体フィルタ |