JPS58179002A - 誘電体フイルタ - Google Patents
誘電体フイルタInfo
- Publication number
- JPS58179002A JPS58179002A JP6168082A JP6168082A JPS58179002A JP S58179002 A JPS58179002 A JP S58179002A JP 6168082 A JP6168082 A JP 6168082A JP 6168082 A JP6168082 A JP 6168082A JP S58179002 A JPS58179002 A JP S58179002A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- conductor
- pattern
- filter
- trimming
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＶＨＦ帯から比較的低周波のマイクロ波帯に使
用して好適な誘電体フィルタに関する。
用して好適な誘電体フィルタに関する。
従来の誘電体フィルタの構造について第１図。
第２図、第３図を用いて説明する。第１図、第２図は半
同軸共振器を用いた誘電体フィルタの断面図を示す。第
３図は第１図のフィルタを構成する１個の共振器部の拡
大図である。
同軸共振器を用いた誘電体フィルタの断面図を示す。第
３図は第１図のフィルタを構成する１個の共振器部の拡
大図である。
第１図において、Ｉａは周波数調整ネジ取り付は部を兼
ねた内導体、２は周波数調整用ネジ、３は誘電体、４は
ケース、５はナース４側に形成される導体皮膜、６は遮
蔽板、７ａは入力端子である。
ねた内導体、２は周波数調整用ネジ、３は誘電体、４は
ケース、５はナース４側に形成される導体皮膜、６は遮
蔽板、７ａは入力端子である。
第２図において、１ｂは周波数調整ネジ取り付は部、８
ａは誘電体３の内周面に形成される内導体、８ｂは誘電
体３の底面に形成される外導体、８ｃは誘電体３の側面
に形成される外導体、他の符号は第１図のものと同様の
ものである。
ａは誘電体３の内周面に形成される内導体、８ｂは誘電
体３の底面に形成される外導体、８ｃは誘電体３の側面
に形成される外導体、他の符号は第１図のものと同様の
ものである。
第３図において、９は調整ネジ２を固定するナツト、１
０はナツト９を固定するエポキシ系接着剤、他の符号は
第１図のもの′と同様のものである。
０はナツト９を固定するエポキシ系接着剤、他の符号は
第１図のもの′と同様のものである。
第１図、第２図、第３図の誘電体フィルタは誘電体３の
内部に内導体１ａ又は８ａを有し、その中に周波数調整
用ネジ２が入っている。調整作業は、現在の製造技術上
次の理由により不可欠なものとなっている。フィルタの
設計に必要な程度の共振周波数のバラツキは０．０３％
以内とされている。一方、共振周波数は内導体１ａ（第
１図、第３図）又は８ａ（第２図）の高さ及び誘電体３
と内導体１ａとの空隙の距離によって決定される。
内部に内導体１ａ又は８ａを有し、その中に周波数調整
用ネジ２が入っている。調整作業は、現在の製造技術上
次の理由により不可欠なものとなっている。フィルタの
設計に必要な程度の共振周波数のバラツキは０．０３％
以内とされている。一方、共振周波数は内導体１ａ（第
１図、第３図）又は８ａ（第２図）の高さ及び誘電体３
と内導体１ａとの空隙の距離によって決定される。
実験値において内導体高さの素子感度は約５０ＭＨｚ／
ｒｒｍであり、空隙の距離の素子感度は約１■（ｚ／μ
ｍである。設計上の公差０．０３％以内にする為には、
共振周波数を８００ ＭＨｚにした場合、そのバラツキ
は０２４■］Ｚとなる。前述した素子感度より内導体高
さのバラツキを５μｍ以内に、空隙の距離のそれを０２
５μｍ以内にしなければならない為、製造技術、コスト
を考えた場合非常に厳しいものとなっている。
ｒｒｍであり、空隙の距離の素子感度は約１■（ｚ／μ
ｍである。設計上の公差０．０３％以内にする為には、
共振周波数を８００ ＭＨｚにした場合、そのバラツキ
は０２４■］Ｚとなる。前述した素子感度より内導体高
さのバラツキを５μｍ以内に、空隙の距離のそれを０２
５μｍ以内にしなければならない為、製造技術、コスト
を考えた場合非常に厳しいものとなっている。
従って、第１図〜第３図に示したように従来のフィルタ
においては、ケース４に誘電体コア３を装荷後、周波数
調整ネジ２を可変することによって各共振器の共振周波
数を所定値に合わせ規格を満足する特性を得ている。ま
た、調整後、第３図に示す如くナツト９で周波数調整ネ
ジ２を固定する。さらに、誘電体フィルタにおいて電気
特性を満足させるため、気密封止することが必須の条件
となっている。従って、ナツト９で周波数調整ネジ２を
固定した後、エポキシ系接着剤１θで気密封止していた
。なお、第１図、第２図ともにナツト９で固定する前の
状態を図示しである。
においては、ケース４に誘電体コア３を装荷後、周波数
調整ネジ２を可変することによって各共振器の共振周波
数を所定値に合わせ規格を満足する特性を得ている。ま
た、調整後、第３図に示す如くナツト９で周波数調整ネ
ジ２を固定する。さらに、誘電体フィルタにおいて電気
特性を満足させるため、気密封止することが必須の条件
となっている。従って、ナツト９で周波数調整ネジ２を
固定した後、エポキシ系接着剤１θで気密封止していた
。なお、第１図、第２図ともにナツト９で固定する前の
状態を図示しである。
以上の従来の周波数調整構造において、問題点を要約す
ると下記に示す通りである。
ると下記に示す通りである。
（１） ネジ挿入、調整、固定、封止と工程が複雑で
しかも工数が多くかかる。
しかも工数が多くかかる。
（２） 周波数調整ネジ取り付は部、ネジ、ナツト。
接着剤等の部材を多く用いる。
（３） 高周波を伝搬するフィルタなので損失を小さ
くするため、銀等の低抵抗の導体をメッキしているので
ネジ取り付Ｎ部と調整ネジ間においてカミ合いが生ずる
Ｌ （４） ケース下面にネ・ゾ調整のための穴が必要に
なり気密封止の信頼性低下につながる。
くするため、銀等の低抵抗の導体をメッキしているので
ネジ取り付Ｎ部と調整ネジ間においてカミ合いが生ずる
Ｌ （４） ケース下面にネ・ゾ調整のための穴が必要に
なり気密封止の信頼性低下につながる。
本発明はこれらの欠点を解決することを目的とする。
本発明は、閉じた形状の金属ケースに、一端を自由端と
して他端が前記ケースに短絡される所定長の内導体と当
該内導体を取り囲む誘電体コアで；構成する複数の共振
器と、入力及び出力端子と、励振手段とを具備する誘電
体フィルタにおいて、前記誘電体コアの表面にトリミン
グ可能な導体・母ターンを形成したことを特徴とする誘
電体フィルタである。
して他端が前記ケースに短絡される所定長の内導体と当
該内導体を取り囲む誘電体コアで；構成する複数の共振
器と、入力及び出力端子と、励振手段とを具備する誘電
体フィルタにおいて、前記誘電体コアの表面にトリミン
グ可能な導体・母ターンを形成したことを特徴とする誘
電体フィルタである。
本発明のように構成すれば、軽量化、コア高さ公差の緩
和、気密信頼性の向上２組立性の容易さ等にも利点があ
る。
和、気密信頼性の向上２組立性の容易さ等にも利点があ
る。
以下、実施例について図面を参照して詳細に説明する。
第４図は本発明の一実施例を示す。第４図において、１
００は誘電体３０表面に形成した導体・ぐターン、ＩＣ
はケース４に溶接等の工法で接合された内導体であり、
他の符号は第１図のものと同様のものである。
００は誘電体３０表面に形成した導体・ぐターン、ＩＣ
はケース４に溶接等の工法で接合された内導体であり、
他の符号は第１図のものと同様のものである。
導体Ａターン１０θは銀（Ａｇ ）や銅（Ｃｕ ）等の
低抵抗の金属から成り、ケース装荷前又は装荷後にレー
ザー又は機械的な適当ガ手段を用いてトリミング調整を
行ない、電気特性規格を満足したフィルタを形成するも
のである。導体パターン１００の厚さは表皮効果におけ
る表皮の深さを充分満足する２０８ａ程度とした。本実
施例によれば従来必要であった周波数調整用ネジを使用
しない為、ケース４の底面部に穴加工を必要とせず、気
密性のよいフィルタを得ることができる。また内導体Ｉ
Ｃのネジ切り加工も削除できる。
低抵抗の金属から成り、ケース装荷前又は装荷後にレー
ザー又は機械的な適当ガ手段を用いてトリミング調整を
行ない、電気特性規格を満足したフィルタを形成するも
のである。導体パターン１００の厚さは表皮効果におけ
る表皮の深さを充分満足する２０８ａ程度とした。本実
施例によれば従来必要であった周波数調整用ネジを使用
しない為、ケース４の底面部に穴加工を必要とせず、気
密性のよいフィルタを得ることができる。また内導体Ｉ
Ｃのネジ切り加工も削除できる。
第５図は他の実施例の断面図である。図において、導体
・七ターン１００は、誘電体内面に形成される内導体８
ａと短絡したものである。
・七ターン１００は、誘電体内面に形成される内導体８
ａと短絡したものである。
第６図、第７図、第８図は、導体・やターンの形状及び
位置について説明するものである。第６図〜第８図にお
いて、１００ａは内導体８ａ及び外導体に短絡しない導
体パタ〒ン、１００ｂは内導体８ａＫ短絡する導体パタ
ーン、１００ｃは外導体８Ｃに短絡する導体パターンで
ある。第６図〜第８図の（ａ）は−共振部の断面図Ｎ
（ｂ）（ｅ）は−共振部の平面図を示す。さらに同図（
ｂ）は誘電体が矩形の場合で、（ｃ）は誘電体が円筒の
場合を示す。
位置について説明するものである。第６図〜第８図にお
いて、１００ａは内導体８ａ及び外導体に短絡しない導
体パタ〒ン、１００ｂは内導体８ａＫ短絡する導体パタ
ーン、１００ｃは外導体８Ｃに短絡する導体パターンで
ある。第６図〜第８図の（ａ）は−共振部の断面図Ｎ
（ｂ）（ｅ）は−共振部の平面図を示す。さらに同図（
ｂ）は誘電体が矩形の場合で、（ｃ）は誘電体が円筒の
場合を示す。
第７図（ｃ）において導体パターン■の部分のトリミン
グを行なったことにより周波数が約１２ ＭＨｚ上昇し
、＠の部分では約５ ＭＨｚ上昇した。また第６図（Ｃ
）において■の部分のトリミングでは約０１ＭＨｚ上昇
した。このようにトリミング箇所、トリミング面積等に
より周波数調整を行うことができる。
グを行なったことにより周波数が約１２ ＭＨｚ上昇し
、＠の部分では約５ ＭＨｚ上昇した。また第６図（Ｃ
）において■の部分のトリミングでは約０１ＭＨｚ上昇
した。このようにトリミング箇所、トリミング面積等に
より周波数調整を行うことができる。
この周波数調整を従来方法と実施例について検討する。
第９図に従来方法によるネジの場合の周波数調整量とネ
ジ可動範囲量の関係について示す。
ジ可動範囲量の関係について示す。
第１０図に本発明の一実施例による周波数調整量と全パ
ターン面積（メッキ可能な上面の全面積）の関係につい
て示す。また第１１図に、周波数調整量とトリミング箇
所が異なる毎のトリミング面積の関係について示す。第
９ ｐ １０ ｔ １１図において、従来方式の場合ネ
ジはＭ３を使用、５〜６咽の可動範囲で周波数調整量は
約１５ ＭＨｚであり、本発明の一実施例によれば約５
０ ＭＨｚ −０，Ｉ ＭＨｚ迄、粗調整から極微調整
が可能となり、電気特性規格を満足するフィルタを実現
している。
ターン面積（メッキ可能な上面の全面積）の関係につい
て示す。また第１１図に、周波数調整量とトリミング箇
所が異なる毎のトリミング面積の関係について示す。第
９ ｐ １０ ｔ １１図において、従来方式の場合ネ
ジはＭ３を使用、５〜６咽の可動範囲で周波数調整量は
約１５ ＭＨｚであり、本発明の一実施例によれば約５
０ ＭＨｚ −０，Ｉ ＭＨｚ迄、粗調整から極微調整
が可能となり、電気特性規格を満足するフィルタを実現
している。
以上、誘電体フィルタの周波数調整構造について説明し
たが、本発明は従来例に示される如くネジ等で調整を行
なっている空洞共振器にも適用可能であり、誘電体形状
に限定されず、しかもトリミング方法は、レーザー、ミ
ニグラインダー等が使用でき、コアをケースに装荷する
前でも後でも調整することができる。
たが、本発明は従来例に示される如くネジ等で調整を行
なっている空洞共振器にも適用可能であり、誘電体形状
に限定されず、しかもトリミング方法は、レーザー、ミ
ニグラインダー等が使用でき、コアをケースに装荷する
前でも後でも調整することができる。
第１図は従来の半同軸共振器を用いた誘電体フィルタの
断面図、第２図は従来の導体皮膜を形成した誘電体を装
荷した半同軸共振器を、用いた誘電体フィルタ断面図、
第３図は従来の共振器部の断面図の一部、第４図、第５
図は本発明の実施例の断面図、第６図、第７図、第８図
は本発明に係る導体・（ターンの形状及び位置を示す図
、第９図は従来の周波数調整量とネジ可動範囲量との関
係を示す図、第１０図は本発明の周波数調整量と全パタ
ーン面積との関係、第１１図は周波数調整量とトリミン
グ面積との関係を示す図である。 １ ａ 、 Ｉ ｃ 、 ８ ａ−内導体、３・・・誘
電体、８ｂ。 ８ ｃ−外導体、１００．１０６ｔｈ”、１００ｂ。 １００ｃ・・・導体）ぐターン。 第１図 ｂ 第４図 第８図（０） 第９図 ネジｏＴ転範囲番（ｍｍ） 全ｒｉＶ−ソ命積ｆｍｍ２１ トリミン７１面積（ｍｍ １ 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２ 号沖電気工業株式会社内 ０発 明 者 石田正男 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２ 号沖電気工業株式会社内 手続補正書（自発） 望７．８１８ 昭和 η 日 特許庁長官 殿 １ 事件の表示 昭和５７年特許願第０６１６８０号 ２ 発明の名称 誘電体フィルタ ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人任 所
（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号４
代理人
断面図、第２図は従来の導体皮膜を形成した誘電体を装
荷した半同軸共振器を、用いた誘電体フィルタ断面図、
第３図は従来の共振器部の断面図の一部、第４図、第５
図は本発明の実施例の断面図、第６図、第７図、第８図
は本発明に係る導体・（ターンの形状及び位置を示す図
、第９図は従来の周波数調整量とネジ可動範囲量との関
係を示す図、第１０図は本発明の周波数調整量と全パタ
ーン面積との関係、第１１図は周波数調整量とトリミン
グ面積との関係を示す図である。 １ ａ 、 Ｉ ｃ 、 ８ ａ−内導体、３・・・誘
電体、８ｂ。 ８ ｃ−外導体、１００．１０６ｔｈ”、１００ｂ。 １００ｃ・・・導体）ぐターン。 第１図 ｂ 第４図 第８図（０） 第９図 ネジｏＴ転範囲番（ｍｍ） 全ｒｉＶ−ソ命積ｆｍｍ２１ トリミン７１面積（ｍｍ １ 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２ 号沖電気工業株式会社内 ０発 明 者 石田正男 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２ 号沖電気工業株式会社内 手続補正書（自発） 望７．８１８ 昭和 η 日 特許庁長官 殿 １ 事件の表示 昭和５７年特許願第０６１６８０号 ２ 発明の名称 誘電体フィルタ ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人任 所
（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２号４
代理人
Claims (1)
- 閉じた形状の金属ケースに、一端を自由端として他端が
前記ケースに短絡される所定長の内導体と当該内導体を
取り囲む誘電体コアで構成する複数の共振器と、入力及
び出力端子と、励振手段とを具備する誘電体フィルタに
おいて、前記誘電体コアの表面にトリミング可能な導体
ノｅターンを形成したこ七を特徴とする誘電体フィルタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168082A JPS58179002A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 誘電体フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6168082A JPS58179002A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 誘電体フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179002A true JPS58179002A (ja) | 1983-10-20 |
Family
ID=13178212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6168082A Pending JPS58179002A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 誘電体フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179002A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58194402A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS61131104U (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-16 | ||
| JPS62109503U (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-13 | ||
| US4855693A (en) * | 1987-08-08 | 1989-08-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Dielectric filter and a method of manufacture thereof |
| JPH0677712A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-03-18 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | セラミック誘電体共振器の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748704B2 (ja) * | 1978-05-03 | 1982-10-18 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6168082A patent/JPS58179002A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748704B2 (ja) * | 1978-05-03 | 1982-10-18 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58194402A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS6350881B2 (ja) * | 1982-05-10 | 1988-10-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
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| US4855693A (en) * | 1987-08-08 | 1989-08-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Dielectric filter and a method of manufacture thereof |
| JPH0677712A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-03-18 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | セラミック誘電体共振器の製造方法 |
| JPH0666571B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1994-08-24 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミック誘電体共振器の製造方法 |
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