EP0718906B1 - Streifenleitungsfilter - Google Patents

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EP0718906B1
EP0718906B1 EP95118894A EP95118894A EP0718906B1 EP 0718906 B1 EP0718906 B1 EP 0718906B1 EP 95118894 A EP95118894 A EP 95118894A EP 95118894 A EP95118894 A EP 95118894A EP 0718906 B1 EP0718906 B1 EP 0718906B1
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coupling
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TDK Electronics AG
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Siemens Matsushita Components GmbH and Co KG
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling

Definitions

  • the invention relates to a stripline filter according to the Preamble of claim 1.
  • Such a stripline filter is from the US-A-5,248,949.
  • metallizations on the top and bottom of a dielectric substrate galvanic connections in the form of metallizations End faces of the substrate provided.
  • a microwave bandpass filter is known from EP-A-0 429 067, with the metallizations on the top and bottom of a dielectric substrate through metallized through holes are galvanically connected to each other.
  • the coupling takes place the stripline resonators are usually capacitive by on the base of the ceramic substrate an area of the surrounding mass is electrically isolated, so that this Area to a separated by the dielectric on top a capacitance arranged on the ceramic substrate forms.
  • This capacitance is according to the plate capacitor formula depending on the ⁇ of the dielectric, the thickness of the substrate and the size of the area. Slight fluctuations in the location of the Area can, if this coupling capacity z.
  • B. for Injecting microwave power into a power resonator is needed, the frequency of the coupling change detuned resonator.
  • the object of the present invention is therefore almost a resonance-free resonator for a stripline filter inexpensive to manufacture, even when coupled with others Low resonators for the production of appropriate filters Has resonance frequency tolerances and is narrow tolerance Coupling capacities.
  • a ceramic substrate 1 is shown on the two stripline resonators 2 are arranged.
  • Coupling metal surfaces 3 are by a galvanic isolation 4 separated from all-sided mass metallization.
  • metal surfaces 5 are arranged, with the help of, preferably internally metallized, Through holes 6 with the coupling metal surfaces 3 are contacted.
  • the coupling of the stripline filter thus takes place in that the through the dividing surfaces 4th Coupling metal surfaces galvanically separated from the surrounding mass 3 plated through to the other side of the ceramic substrate 1 are and the capacitive coupling with the stripline resonators 2 on the opposite side.
  • the coupling is mainly increased by the Distance of the structures determined and not by the substrate thickness, which are preferably made of high-dielectric microwave ceramics consists.
  • the substrate thickness which are preferably made of high-dielectric microwave ceramics consists.
  • Through holes 6 can increase the adhesive strength of the coupling structure be significantly improved.
  • the structure on the Base area can be mechanically or etched with clearly greater tolerances and thus possibly less effort become.
  • the coupling can also be created using etching technology be, the location of the photo mask for the coupling capacity is less critical.
  • the line structures can either be in thick-film technology (Screen printing with thick-film silver) or in thin-film technology (Copper etched).
  • Another possibility is to pre-sinter the Press structure into the ceramic body. At distance The metallization on the top becomes the resonance frequency not or hardly influenced.
  • the distance b between the stripline resonators 2 and determines the metal surfaces 5 of the coupling structure Size of the coupling capacity. Capacitive coupling accomplished the transformation of the low-resistance stripline resonator (typically 5 to 10 ⁇ ) to those in the Most applications require adjustment to 50 or 75 ⁇ .
  • the distance a between the metal surfaces 5 of the coupling structure determines the size of the external coupling. over the setting of the capacity can be the location of the two Adjust notches of the filter characteristics to suit the application.
  • the filter created in this way is characterized by low Insertion loss, high blocking selection and by high or complete freedom from comparison. It is also much flatter as a comparable one in its properties Coaxial resonators existing microwave ceramic filter.
  • the stripline filter according to FIG. 1 is shown in FIG Side view shown.
  • a further development of the two-pole filter described can consist of adding more stripline resonators increase the selection properties of the filter.
  • an additional coupling capacitor 9th has the coupling structures additionally capacitive coupled.
  • Through-contacts holes 12 or slots 13
  • Through-contacts in addition to setting the coupling be used between the individual resonators 2.
  • the embodiment 3 is in the area of the coupling structure the open side (metallization-free) 11 and opposite the short-circuit side 10.
  • Another way to unilaterally improve Edge steepness is a line discontinuity in the form of a broadside jump in the resonator line 2 to create. This happens because either the stripline resonator 2 in the area of the short-circuit side 10 reduced cross-section (metal-free surface 8) or is widened in this area (additional metallization 7). In the first case, an inductive and second, a capacitive effect.
  • Such filters with a broad side jump in the stripline resonators 2 are characterized in that the filter characteristic a steepening to lower frequencies having.
  • the broadside jumps become the open side 11 mirrored, steepening to higher frequencies will be realized.
  • the broadside jumps with capacitive Draw the effect is particularly characterized by the fact that the coupling is very reproducible because the line jump to the outside is led.
  • the broadside jump can optionally also be carried out in this way be that one piece of the inner conductor is shifted against the other is. With this, the emergency strike can be added to adjust. Because this is an undercut acts, you can only this body in the previously described Make mold, i.e. it is not in one piece to press (monolithic).
  • the stripline filter can insofar the losses be constructed asymmetrically that the ceramic substrate 1 thicker than the ceramic lid is.
  • the unstressed quality of the resonators can be increased by up to 50% in this way.

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Description

Die Erfindung betrifft ein Streifenleitungsfilter nach dem Oberbegriff des Patentanspruch 1.
Ein derartiges Streifenleitungsfilter ist aus der US-A-5,248,949 bekannt. Dabei sind zwischen Metallisierungen auf der Ober- und Unterseite eines dielektrischen Substrats galvanische Verbindungen in Form von Metallisierungen auf Stirnseiten des Substrats vorgesehen.
Aus der EP-A-0 429 067 ist ein Mikrowellen-Bandpaßfilter bekannt, bei dem Metallisierungen auf der Ober- und Unterseite eines dielektrischen Substrates durch metallisierte Durchgangslöcher galvanisch miteinander verbunden sind.
Bei bekannten Streifenleistungsfiltern erfolgt die Ankopplung der Streifenleitungsresonatoren üblicherweise kapazitiv, indem auf der Grundfläche des Keramiksubstrats eine Fläche von der umgebenen Masse galvanisch getrennt wird, so daß diese Fläche zu einer durch das Dielektrikum getrennten oben auf dem Keramiksubstrat angeordneten Leiterbahn eine Kapazität bildet. Diese Kapazität ist nach der Plattenkondensatorformel abhängig vom ε des Dielektrikums, der Dicke des Substrates und der Größe der Fläche. Geringe Schwankungen der Lage der Fläche können, wenn diese Ankopplungskapazität z. B. zur Injizierung einer Mikrowellenleistung in einem Leistungsresonator benötigt wird, die Frequenz des durch die Ankopplung verstimmten Resonators verändern.
Zur Behebung dieser Schwierigkeiten waren bisher aufwendige Strukturierungsverfahren, Photolithograpie/Ätztechniken und hoch genaue Schlifftechniken bei der Substratherstellung erforderlich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen nahezu abgleichfreien Resonator für ein Streifenleitungsfilter kostengünstig herzustellen, der auch bei Verkoppelung mit anderen Resonatoren zur Herstellung entsprechender Filter geringe Resonanzfrequenztoleranzen aufweist und sich durch engtolerierte Ankopplungskapazitäten auszeichnet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Streifenleitungsfilter gelöst, das die im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmale aufweist.
Zweckmäßige Ausgestaltungen dieses Streifenleitungsfilters sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen naher erläutert.
In der dazu gehörenden Zeichnungen zeigen
Figur 1
die Ansicht eines Streifenleitungsfilters,
Figur 2
eine Seitenansicht des Streifenleitungsfilters nach Figur 1 und
Figur 3
eine weitere Ausführungsform eines Streifenleitungsfilters in Draufsicht.
In der Figur 1 ist ein Keramiksubstrat 1 dargestellt, auf dem zwei Streifenleitungsresonatoren 2 angeordnet sind. Ankopplungsmetallflachen 3 sind durch eine galvanische Trennung 4 von der allseitigen Massemetallisierung getrennt. Auf der Oberfläche des Keramiksubstrats 1, auf der sich die Streifenleitungsresonatoren 2 befinden, sind Metallflachen 5 angeordnet, die unter Zuhilfenahme von, vorzugsweise innen metallisierten, Durchgangslöchern 6 mit den Ankopplungsmetallflachen 3 kontaktiert sind. Die Ankopplung des Streifenleitungsfilters erfolgt somit dadurch, daß die durch die Trennflächen 4 galvanisch von der umgebenden Masse getrennten Ankopplungsmetallflachen 3 zur anderen Seite des Keramiksubstrats 1 durchkontaktiert sind und die kapazitive Kopplung mit den Streifenleitungsresonatoren 2 auf der gegenüberliegenden Seite erfolgt. Auch wenn das Bauelement durch diese Maßnahme geringfügig größer wird, wird die Kopplung hauptsächlich durch den Abstand der Strukturen bestimmt und nicht durch die Substratdicke, die vorzugsweise aus hochdielektrischer Mikrowellenkeramik besteht. Durch die Durchkontaktierung mit Hilfe der Durchgangslöcher 6 kann die Haftfestigkeit der Ankopplungsstruktur deutlich verbessert werden. Die Struktur auf der Grundfläche kann mechanisch oder atztechnisch mit deutlich größeren Toleranzen und somit ggf. geringerem Aufwand hergestellt werden. Die Kopplung kann ebenfalls atztechnisch erstellt werden, wobei die Lage der Fotomaske für die Koppelkapazität unkritischer ist.
Die Leitungsstrukturen können entweder in Dickschichttechnik (Siebdruck mit Dickschichtsilber) oder in Dünnschichttechnik (Kupfer geätzt) hergestellt werden.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, vor der Sinterung die Struktur in den Keramikkörper einzupressen. Bei Entfernung der Metallisierung an der Oberseite wird die Resonanzfrequenz nicht oder kaum beeinflußt.
Der Abstand b zwischen den Streifenleitungsresonatoren 2 und den Metallflachen 5 der Ankopplungsstruktur bestimmt die Größe der Ankoppelkapazitat. Die kapazitive Kopplung bewerkstelligt die Transformation des niederohmigen Streifenleitungsresonators (typischerweise 5 bis 10 Ω) auf die in den meisten Anwendungen benötigte Anpassung auf 50 oder 75 Ω.
Der Abstand a zwischen den Metallflachen 5 der Ankopplungsstruktur bestimmt die Größe der externen Verkopplung. Über die Einstellung der Kapazität läßt sich die Lage der beiden Notches der Filtercharakteristik anwendungsgerecht einstellen.
Das derart entstandene Filter zeichnet sich durch niedrige Einfügungsdämpfung, hohe Sperrselektion und durch hohe oder vollständige Abgleichfreiheit aus. Es ist zudem deutlich flacher als ein in seinen Eigenschaften vergleichbares aus gekoppelten Koaxialresonatoren bestehendes Mikrowellenkeramikfilter.
In der Figur 2 ist das Streifenleitungsfilter nach Figur 1 in Seitenansicht dargestellt.
Eine Weiterbildung des beschriebenen Zweipolfilters kann darin bestehen, durch Hinzufügen weiterer Streifenleitungsresonatoren die Selektionseigenschaften des Filters zu erhöhen.
Es besteht ferner auch die Möglichkeit, flache Einzelresonatoren mit nur einem Streifenleitungsresonator herzustellen, die beispielsweise als frequenzbestimmende Komponente eines Oszillators (Bandpaßbeschaltung) oder als Bandsperre geschaltet als Notchfilter zur zusätzlichen Filterung von Störfrequenzen dienen können. Hierbei können die Leiterbahnen sehr schmal ausgeführt und somit höhere charakteristische Impedanzen hergestellt werden. Ein Oszillator läßt sich dann besser ziehen (höhere Güte).
Ferner ist es möglich, das Filter durch einen über der Oberseite angeordneten Bügel oder ein Gehäuse zu schirmen, die beispielsweise mit dem Keramiksubstrat 1 verlötet bzw. verklebt sind. Hierbei kann bei besonders hohen Anforderungen an die Frequenzgenauigkeit das Filter durch Gehäuseschlitze oder in die Schlitze eingefügte Abstimmlaschen nachjustiert werden.
Zur weiteren Miniaturisierung besteht zusätzlich die Möglichkeit, anstelle eines Abschirmbleches ein bis auf die dem Filter zugewandte Fläche metallisiertes Substrat auf das Grundsubstrat 1 zu montieren (Fügen durch Löten oder Kleben möglich).
Bei verschiedenen Anwendungen im Bereich schnurloser Telefone und Mobilfunk ist eine besonders hohe einseitige Versteilerung der Filtercharakteristik gewünscht, um Spiegelfrequenzen - oder bei Duplexerbetrieb das Nachbarband - gezielt zu unterdrücken. Hierfür ist in der Figur 3 ein Ausführungsbeispiel dargestellt, das einen zusätzlichen Koppelkondensator 9 aufweist, der die Ankopplungsstrukturen zusätzlich kapazitiv verkoppelt. Hierbei können Durchkontaktierungen (Löcher 12 oder Schlitze 13) zusätzlich zur Einstellung der Kopplung zwischen den Einzelresonatoren 2 verwendet werden. Beim Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist im Bereich der Ankopplungsstruktur die offene Seite (metallisierungsfrei) 11 und gegenüberliegend die Kurzschlußseite 10.
Eine weitere Möglichkeit zur einseitigen Verbesserung der Flankensteilheit besteht darin, eine Leitungsdiskontinuität in Form eines Breitseitensprunges in der Resonatorleitung 2 zu erzeugen. Dies geschieht dadurch, daß entweder der Streifenleitungsresonator 2 im Bereich der Kurzschlußseite 10 einen verminderten Querschnitt aufweist (metallfreie Fläche 8) oder in diesem Bereich verbreitert ist (zusätzliche Metallisierung 7). Im ersten Fall resultiert eine induktive und im zweiten eine kapazitive Wirkung.
Derartige Filter mit einem Breitseitensprung in den Streifenleitungsresonatoren 2 zeichnen sich dadurch aus, daß die Filtercharakteristik eine Versteilerung zu niedrigeren Frequenzen aufweist. Werden die Breitseitensprünge zur offenen Seite 11 hingespiegelt, kann eine Versteilerung zu höheren Frequenzen realisiert werden. Die Breitseitensprünge mit kapazitiver Wirkung (Vergrößerung der Abmessungen um die Fläche 7) zeichnen sich besonders dadurch zusätzlich aus, daß die Kopplung sehr gut reproduzierbar ist, da der Leitungssprung nach außen geführt ist.
Der Breitseitensprung kann gegebenenfalls auch so ausgeführt sein, daß ein Stück des Innenleiters gegen das andere verschoben ist. Hiermit läßt sich die Notchlage zusätzlich einstellen. Da es sich hierbei um eine Hinterschneidung handelt, kann man diesen Körper nur in der vorher beschriebenen Form herstellen, d.h. er ist nicht in einem Stück (monolithisch) zu pressen.
Falls zusätzlich ein Keramikdeckel montiert werden soll, besteht auch die Mögichkeit, den Deckel im gepreßten Zustand mit dem ebenfalls grünen Grundsubstrat zu fügen und anschließend zu sintern. Man erspart sich dadurch den im anderen Fall notwendigen Arbeitsschritt, die funktional notwendigen metallisierungsfreien Flächen zu entmetallisieren bzw. metallisierungsfrei zu halten.
Zur Minimierung der Einfügungsdämpfung und somit zur Reduktion der Verluste kann das Streifenleitungsfilter insofern unsymmetrisch aufgebaut werden, daß das Kermiksubstrat 1 dikker als der Keramikdeckel ist. Die unbelastete Güte der Resonatoren läßt sich auf diese Weise um bis zu 50 % steigern.

Claims (9)

  1. Streifenleitungsfilter mit mindesten zwei auf einer Oberflächenseite eines Keramiksubstrats (1) angeordneten Streifenleitungsresonatoren (2), mit kapazitiven Ankoppelstrukturen (3 bis 6) zur Ankopplung eines HF-Signals, mit einer mit Ausnahme der Stirnseite des Substrats (1) mit den Ankoppelstrukturen (3 bis 6) und der Oberflächenseite mit den Streifenleitungsresonatoren (2) allseitigen Massemetallisierung auf dem Keramiksubstrat (1), wobei die kapazitiven Ankoppelstrukturen (3 bis 6) dadurch gebildet sind, daß auf der den Streifenleitungsresonatoren (2) gegenüberliegenden Oberflächenseite des Substrats (1) durch galvanische Trennung (4) von der Massemetallisierung getrennte Ankoppelmetallflächen (2) und auf der die Streifenleitungsresonatoren tragenden Oberflächenseite des Substrats (1) galvanisch getrennte Metallflächen (5) vorgesehen sind, und mit einer galvanischen Verbindung der Ankoppelmetallflächen (3) und der Metallflächen (5),
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die galvanische Verbindung zwischen den Ankoppelmetallflächen (3) und den Metallflächen (5) durch Durchgangslöcher (6) im Substrat (1) gebildet ist, und daß die Ankoppelstrukturen (3 bis 6) durch einen Koppelkondensator (9) kapazitiv gekoppelt sind.
  2. Streifenleitungsfilter nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Ankoppelkapazitat zwischen den Ankoppelstrukturen (3 bis 6) und den Streifenleitungsresonatoren (2) durch einen Abstand (b) zwischen Ankoppelstrukturen (3 bis 6) und Streifenleitungsresonatoren (2) festgelegt sind.
  3. Streifenleitungsfilter nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Größe der externen Verkopplung durch einen Abstand (a) zwischen den Metallflächen (5) festgelegt ist.
  4. Streifenleitungsfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß durch hinzugefügte weitere Streifenleitungsresonatoren (2) die Selektionseigenschaften des Filters erhöht sind.
  5. Streifenleitungsfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Metallisierungsstrukturen mittels Dickschichttechnik (z. B. Siebdruck mit Dickschichtsilber) oder mittels Dünnschichttechnik (Kupfer, geätzt) hergestellt sind.
  6. Streifenleitungsfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Metallisierungsstrukturen vor dem Sintervorgang in das Keramiksubstrat (1) eingepreßt sind.
  7. Streifenleitungsfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß in den Streifenleitungsresonatoren (2) eine Leitungsdiskontinuität in Form eines Breitseitensprungs (7, 8) angeordnet ist.
  8. Streifenleitungsfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß über dem Keramiksubstrat (1) ein Keramikdeckel angeordnet ist.
  9. Streifenleitungsfilter nach Anspruch 8,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß das Keramiksubstrat (1) dicker als der Keramikdeckel ist.
EP95118894A 1994-12-22 1995-11-30 Streifenleitungsfilter Expired - Lifetime EP0718906B1 (de)

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DE4446103 1994-12-22
DE4446103 1994-12-22

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ES (1) ES2134398T3 (de)
GR (1) GR3030890T3 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997050144A1 (en) * 1996-06-27 1997-12-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Planar high temperature superconductor filters or multiplexers with backside coupling
DE19652799C2 (de) * 1996-12-18 1999-05-20 Siemens Ag Mikrowellenfilter
DE19742971C2 (de) * 1997-09-29 1999-12-09 Siemens Matsushita Components Streifenleitungsfilter
US6147576A (en) * 1998-04-10 2000-11-14 Ameramp Llc Filter designs utilizing parasitic and field effects
JP2000252716A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Sony Corp 分布定数フィルタおよびその製造方法、ならびに分布定数フィルタ回路基板
US20040085165A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-06 Yung-Rung Chung Band-trap filter
DE10311041A1 (de) * 2003-03-13 2004-10-07 Kathrein-Werke Kg Hochfrequenz-Verbindung bzw. Hochfrequenz-Verteilnetzwerk
US7411474B2 (en) * 2005-10-11 2008-08-12 Andrew Corporation Printed wiring board assembly with self-compensating ground via and current diverting cutout
US7724109B2 (en) * 2005-11-17 2010-05-25 Cts Corporation Ball grid array filter
US7940148B2 (en) * 2006-11-02 2011-05-10 Cts Corporation Ball grid array resonator
US7646255B2 (en) * 2006-11-17 2010-01-12 Cts Corporation Voltage controlled oscillator module with ball grid array resonator
US20090236134A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Knecht Thomas A Low frequency ball grid array resonator

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4266206A (en) * 1978-08-31 1981-05-05 Motorola, Inc. Stripline filter device
JPS623040A (ja) * 1985-06-25 1987-01-09 Nippon Electric Glass Co Ltd 半導体被覆用ガラス
JPH0334305U (de) * 1989-08-14 1991-04-04
KR0174531B1 (ko) * 1989-11-20 1999-04-01 이우에 사또시 마이크로 스트립 라인을 이용한 대역 필터 및 필터 특성 조정 방법
DE4031536A1 (de) * 1990-10-05 1992-04-16 Rohde & Schwarz Mikrowellenschaltung
US5105175A (en) * 1991-03-12 1992-04-14 Motorola, Inc. Resonant circuit element having insignificant microphonic effects
JP2502824B2 (ja) * 1991-03-13 1996-05-29 松下電器産業株式会社 平面型誘電体フィルタ
JPH0529817A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd λ／４形誘電体共振器
JPH0563405A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Tdk Corp 誘電体基板トリプレート・ストリツプ線路

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Publication number Publication date
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DE59505908D1 (de) 1999-06-17
ES2134398T3 (es) 1999-10-01
ATE180107T1 (de) 1999-05-15
US5812037A (en) 1998-09-22
DK0718906T3 (da) 1999-11-01
GR3030890T3 (en) 1999-11-30

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