JPH0563405A - 誘電体基板トリプレート・ストリツプ線路 - Google Patents
誘電体基板トリプレート・ストリツプ線路Info
- Publication number
- JPH0563405A JPH0563405A JP3248412A JP24841291A JPH0563405A JP H0563405 A JPH0563405 A JP H0563405A JP 3248412 A JP3248412 A JP 3248412A JP 24841291 A JP24841291 A JP 24841291A JP H0563405 A JPH0563405 A JP H0563405A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- dielectric substrate
- strip line
- dielectric
- dielectrics
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 上下２枚の誘電体板の間に金属銀箔の内導体
を挟み、ガラス熔着することによりトリプレート・スト
リップ線路共振器のＱ値を向上させる。 【構成】 一面に地導体用の導体を有する誘電体二枚
を、導体の無い面を対向させてかつ一組の誘電体の間に
金属箔内導体を挿入して挟み、ガラス・フリット等で熔
着して構成した。金属箔内導体の厚さを７μｍ以上にす
る。誘電体基板の任意の部位に内側をメタライズしてス
ルーホールを設け、熔着後に内導体の金属とハンダ付け
又はロウ付けして外部回路との接続端子とする。
を挟み、ガラス熔着することによりトリプレート・スト
リップ線路共振器のＱ値を向上させる。 【構成】 一面に地導体用の導体を有する誘電体二枚
を、導体の無い面を対向させてかつ一組の誘電体の間に
金属箔内導体を挿入して挟み、ガラス・フリット等で熔
着して構成した。金属箔内導体の厚さを７μｍ以上にす
る。誘電体基板の任意の部位に内側をメタライズしてス
ルーホールを設け、熔着後に内導体の金属とハンダ付け
又はロウ付けして外部回路との接続端子とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、上下２枚の誘電体板の
間に金属銀箔の内導体を挟み、ガラス熔着することによ
りＱ値を向上させたトリプレート・ストリップ線路共振
器素子に関する。
間に金属銀箔の内導体を挟み、ガラス熔着することによ
りＱ値を向上させたトリプレート・ストリップ線路共振
器素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体基板内に構成されたトリプレート
・ストリップ線路共振回路はマイクロ・ストリップ線路
に比較して実効誘電率が大きく、素子が小型になる。こ
の共振器を多層誘電体基板内に組み込めば、電圧制御発
振器（ＶＣＯ）や周波数シンセサイザの小型化に寄与す
る。多層誘電体基板では誘電体と電極にあたる地導体や
内導体を同時に焼成（コファイア法と称する）して小型
化、信頼性及び生産性向上等を図っている。コファイア
法による誘電体トリプレート・ストリップ線路共振器の
例を図４に示す。なお図を簡略するために導波管モード
・サプレッサー等は省略する。
・ストリップ線路共振回路はマイクロ・ストリップ線路
に比較して実効誘電率が大きく、素子が小型になる。こ
の共振器を多層誘電体基板内に組み込めば、電圧制御発
振器（ＶＣＯ）や周波数シンセサイザの小型化に寄与す
る。多層誘電体基板では誘電体と電極にあたる地導体や
内導体を同時に焼成（コファイア法と称する）して小型
化、信頼性及び生産性向上等を図っている。コファイア
法による誘電体トリプレート・ストリップ線路共振器の
例を図４に示す。なお図を簡略するために導波管モード
・サプレッサー等は省略する。
【０００３】コファイア法では金属とセラミックを同一
温度で焼成しなければならない。一般に金属の焼き付け
温度は 900℃以下であり、セラミックの焼結温度は1200
℃以上である。同時焼成を行なうためには高融点合金を
使用したり、セラミックに焼成温度を低下させるための
ガラスを混入するなどの処置が必要である。このように
して製造された誘電体共振器では内導体の抵抗値が増加
する。誘電体の損失が増加するなどの理由でＱ値が低く
なる。
温度で焼成しなければならない。一般に金属の焼き付け
温度は 900℃以下であり、セラミックの焼結温度は1200
℃以上である。同時焼成を行なうためには高融点合金を
使用したり、セラミックに焼成温度を低下させるための
ガラスを混入するなどの処置が必要である。このように
して製造された誘電体共振器では内導体の抵抗値が増加
する。誘電体の損失が増加するなどの理由でＱ値が低く
なる。
【０００４】コファイア法によるこのようなトラブルを
除くため、焼成前の誘電体シート内に内導体に該当する
部分を熱分解しやすい物質で構成しておき、基板焼成後
に生じた空洞部に溶融銀を圧入して内導体を構成する方
法もある。この例を図５に示す。
除くため、焼成前の誘電体シート内に内導体に該当する
部分を熱分解しやすい物質で構成しておき、基板焼成後
に生じた空洞部に溶融銀を圧入して内導体を構成する方
法もある。この例を図５に示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この銀
圧入法は高いＱ値を実現できるが、装置等が大がかりに
なる。地導体のついた上下２枚の誘電体の間に金属銀箔
の内導体を挟んで図６のようなトリプレート・ストリッ
プ線路共振器を構成することもできる。誘電体で内導体
を挟む構造では線路の特性インピーダンスと実効誘電率
が誘電体と内導体のギャップによって変化するため、基
板を締めつけると共振周波数が大幅に変化する等の問題
点がある。この構造では、導体の側面は誘電体のない空
隙なので、トリプレート線路より実効誘電率が低下して
共振器の線路長が長くなるという問題点もある。
圧入法は高いＱ値を実現できるが、装置等が大がかりに
なる。地導体のついた上下２枚の誘電体の間に金属銀箔
の内導体を挟んで図６のようなトリプレート・ストリッ
プ線路共振器を構成することもできる。誘電体で内導体
を挟む構造では線路の特性インピーダンスと実効誘電率
が誘電体と内導体のギャップによって変化するため、基
板を締めつけると共振周波数が大幅に変化する等の問題
点がある。この構造では、導体の側面は誘電体のない空
隙なので、トリプレート線路より実効誘電率が低下して
共振器の線路長が長くなるという問題点もある。
【０００６】本発明はこれらの問題点を解決するための
もので、上下２枚の誘電体板の間に金属銀箔の内導体を
挟み、ガラス熔着することによりＱ値を向上させるトリ
プレート・ストリップ線路共振器素子を提供することを
目的とする。
もので、上下２枚の誘電体板の間に金属銀箔の内導体を
挟み、ガラス熔着することによりＱ値を向上させるトリ
プレート・ストリップ線路共振器素子を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題点を解
決するために、一面に地導体用の導体を有する誘電体二
枚を、導体の無い面を対向させてかつ一組の誘電体の間
に金属箔内導体を挿入させて挟み、ガラス・フリット等
で熔着で熔着して構成したことに特徴がある。また金属
箔内導体の厚さを７μｍ以上にする。さらに誘電体基板
の任意の部位に内側をメタライズしてスルーホールを設
け、熔着後に内導体の金属とハンダ付け又はロウ付けし
て外部回路との接続端子とする。
決するために、一面に地導体用の導体を有する誘電体二
枚を、導体の無い面を対向させてかつ一組の誘電体の間
に金属箔内導体を挿入させて挟み、ガラス・フリット等
で熔着で熔着して構成したことに特徴がある。また金属
箔内導体の厚さを７μｍ以上にする。さらに誘電体基板
の任意の部位に内側をメタライズしてスルーホールを設
け、熔着後に内導体の金属とハンダ付け又はロウ付けし
て外部回路との接続端子とする。
【０００８】
【作用】上記構成を有する本発明によれば、内導体を誘
電体に密着させてギャップの変化を小さくできれば線路
の特性インピーダンスと実効誘電率も安定できる。
電体に密着させてギャップの変化を小さくできれば線路
の特性インピーダンスと実効誘電率も安定できる。
【０００９】
【実施例】前述の方法の中で製造法が簡易でＱ値の高い
誘電体共振器を実現する構造は誘電体で内導体を挟む構
造である。この方法でも内導体を誘電体に密着させてギ
ャップの変化を小さくできれば線路の特性インピーダン
スが変動する欠点も充分補える。内導体を誘電体に密着
させるため、内導体をガラス・フリット等で熔着させて
空隙部にガラスを詰めてエアギャップを無くすことによ
りエアギャップを無くし特性インピダンスと実効誘電率
を安定化する。導体側面の空隙の影響をできるかぎり少
なくするために性能に支障のない範囲で内導体を薄くす
る。
誘電体共振器を実現する構造は誘電体で内導体を挟む構
造である。この方法でも内導体を誘電体に密着させてギ
ャップの変化を小さくできれば線路の特性インピーダン
スが変動する欠点も充分補える。内導体を誘電体に密着
させるため、内導体をガラス・フリット等で熔着させて
空隙部にガラスを詰めてエアギャップを無くすことによ
りエアギャップを無くし特性インピダンスと実効誘電率
を安定化する。導体側面の空隙の影響をできるかぎり少
なくするために性能に支障のない範囲で内導体を薄くす
る。
【００１０】しかし内導体の厚さが薄くなると線路の損
失が増加して共振器のＱ値が低下する。内導体の厚さ
（ｔ）と線路損失（αｃ）の関係を図３に示す。同図よ
り明らかなように、ｔ＜３δ（δは表皮厚さ）になると
損失が急速に増加する。従って、ｔ＞３δであることが
好ましく図３より４δあれば十分に判定できる。
失が増加して共振器のＱ値が低下する。内導体の厚さ
（ｔ）と線路損失（αｃ）の関係を図３に示す。同図よ
り明らかなように、ｔ＜３δ（δは表皮厚さ）になると
損失が急速に増加する。従って、ｔ＞３δであることが
好ましく図３より４δあれば十分に判定できる。
【００１１】誘電体基板トリプレート・ストリップ線路
は主として750MHzから3GHzの周波数範囲で使用される。
導体に銀を使用した場合の好ましい範囲の内導体の厚さ
は次のようになる。即ち、750MHzにおける表皮厚さは約
2.4μｍなので最小内導体厚さは３× 2.4＝7.2 μｍ、
最大内導体厚さは４×2.4 ＝ 9.6μｍである。またトリ
プレート・ストリップ線路で内導体の両側に電流が流れ
ることを考慮すれば、最大内導体厚さは計算値の２倍で
ある19.2μｍになる。
は主として750MHzから3GHzの周波数範囲で使用される。
導体に銀を使用した場合の好ましい範囲の内導体の厚さ
は次のようになる。即ち、750MHzにおける表皮厚さは約
2.4μｍなので最小内導体厚さは３× 2.4＝7.2 μｍ、
最大内導体厚さは４×2.4 ＝ 9.6μｍである。またトリ
プレート・ストリップ線路で内導体の両側に電流が流れ
ることを考慮すれば、最大内導体厚さは計算値の２倍で
ある19.2μｍになる。
【００１２】 図１は本発明のトリプレート・ストリッ
プ線路の構成例を示す図である。一面に地導体用の導体
を有する二枚の誘電体をその導体の無い面を対向させ
る。また当該一組の誘電体の間に金属箔内導体を挿入さ
せておき、それを二枚の誘電体が挟む。そして、ガラス
・フリット等で熔着して外部回路との接続は図中に示し
てあるように誘電体基板の必要な部位に内部がメタライ
ズされたスルーホールを設け、熔着後に内導体の金属と
ハンダ付け又はロウ付けする。このスルーホールは外部
回路との接続に使用される外部端子に接続している。
プ線路の構成例を示す図である。一面に地導体用の導体
を有する二枚の誘電体をその導体の無い面を対向させ
る。また当該一組の誘電体の間に金属箔内導体を挿入さ
せておき、それを二枚の誘電体が挟む。そして、ガラス
・フリット等で熔着して外部回路との接続は図中に示し
てあるように誘電体基板の必要な部位に内部がメタライ
ズされたスルーホールを設け、熔着後に内導体の金属と
ハンダ付け又はロウ付けする。このスルーホールは外部
回路との接続に使用される外部端子に接続している。
【００１３】フィルタのように基板内に複数個の共振子
を寸法精度良く配置するためには図２に示すようにガラ
ス・キャリア又はフィルム・キャリアなどの薄板ガラス
上に共振子を必要な寸法精度で配置し、一組の誘電体で
挟んだ後加熱熔着させる。最後に構成したトリプレート
・ストリップ線路を400 〜 500℃で焼く。これにより銀
など金属の焼きなましも行なわれ導電性が良くなり機械
的にも良くなる。
を寸法精度良く配置するためには図２に示すようにガラ
ス・キャリア又はフィルム・キャリアなどの薄板ガラス
上に共振子を必要な寸法精度で配置し、一組の誘電体で
挟んだ後加熱熔着させる。最後に構成したトリプレート
・ストリップ線路を400 〜 500℃で焼く。これにより銀
など金属の焼きなましも行なわれ導電性が良くなり機械
的にも良くなる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上下二枚の誘電体板の間に金属銀箔の内導体を挟みガラ
ス熔着することによりＱ値を向上する誘電体共振器を実
現できる。
上下二枚の誘電体板の間に金属銀箔の内導体を挟みガラ
ス熔着することによりＱ値を向上する誘電体共振器を実
現できる。
【図１】本発明の一実施例の誘電体基板トリプレート・
ストリップ線路を示す図である。
ストリップ線路を示す図である。
【図２】複数個の共振子を寸法精度良く配置する構成を
示す図である。
示す図である。
【図３】本実施例におけるストリップ線路の内導体の厚
さと線路損失の関係を示す特性図である。
さと線路損失の関係を示す特性図である。
【図４】コファイア法による誘電体トリプレート・スト
リップ線路共振器を示す図である。
リップ線路共振器を示す図である。
【図５】銀圧入法による誘電体トリプレート・ストリッ
プ線路共振器を示す図である。
プ線路共振器を示す図である。
【図６】誘電体板の間の金属箔の内導体を挟んだトリプ
レート・ストリップ線路共振器を示す図である。
レート・ストリップ線路共振器を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中井 信也 東京都中央区日本橋一丁目13番１号テイー デイーケイ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 一面に地導体用の導体を有する誘電体二
枚を、導体の無い面を対向させてかつ一組の誘電体の間
に金属箔内導体を挿入させて挟み、ガラス・フリット等
で熔着して構成したことを特徴とする誘電体基板トリプ
レート・ストリップ線路。 - 【請求項２】 前記金属箔内導体の厚さを７μｍ以上に
する請求項１記載の誘電体基板トリプレート・ストリッ
プ線路。 - 【請求項３】 一面に地導体用の導体を有する誘電体二
枚を、導体の無い面を対向させて、かつ一組の誘電体の
間に金属箔共振子をガラス・キャリアを挿入させて挟
み、ガラスで熔着して構成したことを特徴とする誘電体
基板トリプレート・ストリップ線路。 - 【請求項４】 前記金属箔共振子の厚さを７μｍ以上に
する請求項３記載の誘電体基板トリプレート・ストリッ
プ線路。 - 【請求項５】 誘電体基板の任意の部位に内側をメタラ
イズしてスルーホールを設け、熔着後に内導体の金属と
ハンダ付け又はロウ付けして外部端子とする請求項１〜
４のいずれかに記載の誘電体基板トリプレート・ストリ
ップ線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248412A JPH0563405A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 誘電体基板トリプレート・ストリツプ線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248412A JPH0563405A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 誘電体基板トリプレート・ストリツプ線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563405A true JPH0563405A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17177735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248412A Withdrawn JPH0563405A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 誘電体基板トリプレート・ストリツプ線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563405A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718906A1 (de) * | 1994-12-22 | 1996-06-26 | SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG | Streifenleitungsfilter |
| JP2001189609A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロストリップ線路接続体 |
| US6677839B2 (en) | 2000-10-31 | 2004-01-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vertical transition device for differential stripline paths and optical module |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP3248412A patent/JPH0563405A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718906A1 (de) * | 1994-12-22 | 1996-06-26 | SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG | Streifenleitungsfilter |
| JP2001189609A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロストリップ線路接続体 |
| US6677839B2 (en) | 2000-10-31 | 2004-01-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vertical transition device for differential stripline paths and optical module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |