JPH07197207A - オーステナイト系ステンレス鋼、配管システム及び接流体部品 - Google Patents

オーステナイト系ステンレス鋼、配管システム及び接流体部品

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JPH07197207A
JPH07197207A JP35293093A JP35293093A JPH07197207A JP H07197207 A JPH07197207 A JP H07197207A JP 35293093 A JP35293093 A JP 35293093A JP 35293093 A JP35293093 A JP 35293093A JP H07197207 A JPH07197207 A JP H07197207A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 金属汚染フリー、放出ガス特性、非触媒性及
び耐腐食性に優れ、配管システム、接ガス部品プロセス
装置等の構成材料に用いれば超高純度ガス供給あるいは
雰囲気を実現できるオーステナイト系ステンレスを提供
すること。 【構成】 Mn含有量0.03%以下、S含有量0.0
01%以下、Cu含有量0.05%以下、C含有量0.
01%以下、Al含有量0.01%以下であることを特
徴とする。溶接用としての用途に特に好適である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オーステナイト系ステ
ンレス鋼、配管システム及び接流体部品超高純度ガス供
給システムに係わる。より詳細には、Mn含有量0.0
3%以下、S含有量0.001%以下、Cu含有量0.
05%以下、C含有量0.01%以下、Al含有量0.
01%以下のオーステナイト系ステンレス鋼に関する。
また、超高純度(例えば、不純物濃度数ppb以下さら
には数ppt以下)の流体(ガス、液)をプロセス装置
に供給するための配管システムに関する。さらに、少な
くとも超高純度の流体と接触する部分(接流体部)が内
表面に酸化クロム不動態膜が形成されているオーステナ
イト系ステンレスで構成されている接流体部品に関す
る。また、例えば半導体の成膜等を行うためのプロセス
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、超高純度ガス供給配管材料にオー
ステナイト系のSUS316Lが頻繁に用いられてい
る。半導体プロセスガスにはエッチングガスとしてしば
しばHBr,HCl等に代表されるハロゲン系の腐食性
ガスが使用される。これらのガスを純度を維持したまま
ユースポイントまで確実に供給するために配管内表面に
耐腐食性を有する酸化クロム不動態処理が開発されてい
る。この不動態表面は耐腐食性のみならずSiH4,B2
6等の活性な特殊材料ガスに対して触媒効果を示さな
いきわめて化学的に安定な表面でもある。さらに、水
分、ハイドロカーボンを主とする不純物の吸着が非常に
少なく、たとえ吸着しても低エネルギーで除去可能な表
面でもある。但し、電解研磨表面のようなきわめてラフ
ネスの少ない平坦な表面上には100%酸化クロム不動
態膜を表面に形成することは不可能である。従って、現
在行われている酸化クロム不動態処理はあらかじめ酸化
クロム処理前に表面に微細な加工変質層を有する電解複
合研磨、バフ研磨あるいは流動砥流研磨等が行われてい
る。
【0003】しかし、素材の組成までは厳密に制御され
ていないのが実情である。配管施工に不可欠な溶接にお
いては、従来腐食の根源であるMnを主とするヒューム
が発生し溶接部近傍において耐腐食性能を著しく劣化さ
せていた。この問題を解決するために発明者等は、入熱
量を低減した高速1周溶接を開発した。同時に、素材の
Mn含有量を可能な限り低減し、ビード幅を細くしたナ
ロービード溶接技術も併せて開発した。
【0004】これらの開発によりMnヒューム発生量は
劇的に低減したが、素材の中にはMnよりさらに高い蒸
気圧をもつ元素が含まれている。完全な耐腐食性及び配
管汚染の無いチュービングシステムを構成するためには
上記に述べたMnのみならず他の組成の管理が重要とな
ってくる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、オーステナ
イト系ステンレスの素材の成分をを完全に制御した鋼を
用い、金属汚染フリー、放出ガス特性、非触媒性及び耐
腐食性に優れた超高純度ガス供給システムを提供するこ
とを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のオーステナイト
系ステンレス鋼は、Mn含有量0.03%以下、S含有
量0.001%以下、Cu含有量0.05%以下、C含
有量0.01%以下、Al含有量0.01%以下のであ
ることを特徴とする。本発明の配管システムは、Mn含
有量0.03%以下、S含有量0.001%以下、Cu
含有量0.05%以下、C含有量0.01%以下、Al
含有量0.01%以下のオーステナイト系ステンレス鋼
で、内表面に酸化クロム不動態膜を有する溶接用オース
テナイト系ステンレス鋼よりなる配管を溶接して構成し
た配管システムであって、溶接部下流側には、溶接時に
発生するMn,S,Cu,C,Alの付着がほとんど見
られないことを特徴とする。
【0007】本発明の接流体部品は、Mn含有量0.0
3%以下、S含有量0.001%以下、Cu含有量0.
05%以下、C含有量0.01%以下、Al含有量0.
01%以下のオーステナイト系ステンレス鋼で、内表面
に酸化クロム不動態膜を有するオーステナイト系ステン
レス鋼よりなることを特徴とする。本発明のプロセス装
置は、Mn含有量0.03%以下、S含有量0.001
%以下、Cu含有量0.05%以下、C含有量0.01
%以下、Al含有量0.01%以下のオーステナイト系
ステンレス鋼で、内表面に酸化クロム不動態膜を有する
溶接用オーステナイト系ステンレス鋼よりなる材料を溶
接して構成したことを特徴とする。
【0008】
【作用】以下に本発明の作用を、本発明をなすに際して
得た知見とともに説明する。本発明では、オーステナイ
ト系ステンレス鋼を構成する成分、特にMn、S、C
u、C及びAlの含有量を制限したことに価値がある。
例えば、配管内表面処理として酸化クロム不動態膜を表
面に形成するうえで、Mn含有量0.03%以下、S含
有量0.001%以下、Cu含有量0.05%以下、C
含有量0.01%以下及びAl含有量0.01%以下に
低減することにより、より緻密でアモルファスな膜を形
成することが可能となる。
【0009】また、溶接時においては金属を溶融した状
態で結合させるため、蒸気圧の高い元素が溶接時のバッ
クシールドガスに浮遊し溶接部下流側に再付着する。こ
れらの元素が再付着した場所において、水分を含有した
ハロゲン系ガスが流れると、著しく腐食が促進される。
これは再付着した元素と下地の金属成分との間で電池化
学反応が起こり局所的に腐食を助長させるためである。
特に、ステンレスを構成する元素の中でもMn、Cu及
びSは他の組成に比べ数桁高い蒸気圧を示す。
【0010】従って、これらの組成比を上記に示した値
に制御することで、溶接時に発生するヒュームは著しく
低減することがEACA,TRXRF及びICP−MS
等の評価結果より明かとなった。この結果、HClガス
による腐食テストにおいても、ヒューム付着による腐食
は見られなかった。なお、本発明に係るオーステナイト
系ステンレス鋼の溶接は、例えばタングステンイナート
ガス溶接、アークガス溶接等が例示される。
【0011】また、溶接方法としては、溶接部への入熱
量を600ジュール/cm以下とする溶接方法が本発明
のオーステナイト系ステンレス鋼の溶接には非常に好ま
しい。溶接速度を20cm/min以上とすることが好
ましく、また、溶接部の表面に対し垂直成分を有する磁
場を印加しながら溶接することが好ましい。また、その
磁場は50ガウス以上とすることが好ましい。溶接ビー
ド幅を1mm以下とすることが好ましい。また、管など
の場合1周(1回転)溶接を行っても十分な溶接特性が
得られる。なお、平成4年特許出願303681号(平
成4年11月13日出願)に開示されている溶接方法を
適宜本発明で適用できる。
【0012】なお、クロム不動態膜の形成方法として
は、次の方法が好ましい。すなわち、電解複合研磨等の
方法により表面に微細な加工変質層を形成し、次いで、
不活性ガス中においてベーキングを行うことにより該ス
テンレス鋼の表面から水分を除去し、次いで、不活性ガ
スと、500ppb〜2%のH2Oガスとの混合ガス雰
囲気中において、450℃〜600℃の温度で熱処理を
行うことにより最表面に非晶質のクロム酸化物からなる
層を有する酸化不動態膜を形成する方法。
【0013】また、表面を電解複合研磨などにより微細
な加工変質層を形成し、次いで、不活性ガス中において
ベーキングを行うことによりステンレス鋼の表面から水
分を除去し、次いで、不活性ガスと、4ppm〜1%の
酸素ガスとの混合ガス雰囲気中において、450℃〜6
00℃の温度で熱処理を行うことにより最表面に非晶質
のクロム酸化物からなる層を有する酸化不動態膜を形成
する方法。
【0014】さらに、上記混合ガスに水素を10%添加
することが好ましい。なお、本発明におけるプロセス装
置とは、半導体製造装置、超電導薄膜製造装置、磁性薄
膜製造装置、金属薄膜製造装置、誘電体薄膜製造装置等
であり、例えばスパッタ、真空蒸着,CVD、PCV
D、MOCVD、MBE、ドライエッチング、イオン注
入、拡散・酸化炉等の成膜装置及び処理装置、また、例
えばオージェ電子分光、XPS、SIMS、RHEE
D,TRXRF等の評価装置である。また、超純水製造
供給装置及びその供給配管系も本発明のプロセス装置に
含まれる。
【0015】
【実施例】以下本発明実施例を挙げて詳細に説明する。
なお、当然のことであるが、本発明は以下の実施例に限
定されるものではない。 (実施例1)本実施例では、試料として、図1の表1中
のサンプルAの組成を有するオーステナイト系ステンレ
ス鋼を用いた。
【0016】この試料をあらかじめ電解複合研磨処理
し、その後精密洗浄し、酸化クロム処理用チャンバーの
中で表面処理を行った。酸化クロム処理に用いたガスは
10%H2と100ppmH2OをArガスで希釈を行
い、500℃で1時間の熱処理を行った。処理後のサン
プルをESCAを用いて深さ方向への組成を評価した。
この結果を図2に示す。最表面から深さ約15nmにわ
たり100%Cr23不動態膜が形成された。
【0017】(実施例2)表1中のサンプルAを用いて
溶接時に発生する金属ヒュームの評価を行った。1/4
インチ径で内面に電解研磨処理を施したサンプルチュー
ブを端面で突き合わせてTIG溶接した。下記の2種類
の溶接条件で溶接した。 溶接条件1 溶接速度:7.5rpm 溶接回数:2周溶接 ビード幅:2mm 溶接条件2 溶接速度:30rpm 溶接回数:1周溶接 ビード幅:2mm 溶接後、ビード部近傍の最表面をESCAを用いFe、
Cr、Ni、Mnに関して評価を行った。その結果を図
3に示す。溶接条件の場合を○、溶接条件2の場合を□
で示す。どちらの溶接条件においてもMnはビード部近
傍で検出されなかった。従って、母材のMn含有量を
0.03%以下に低減することにより、溶接時に発生す
るMnヒュームは入熱量の如何に係わらず発生しないこ
とが分かる。
【0018】比較のために、表1のサンプルBを用いて
溶接条件2で溶接を行った。その結果を図3に実線
(●)で示す。 (実施例3)実施例2の別の評価方法として溶接後のサ
ンプルを超純水で洗浄を行い、この超純水をICP−M
Sを用いて溶出した金属を測定した。溶接サンプルは外
径1/4インチ、長さ500mmのチューブの中に9個
所の突き合わせ溶接部を含んでいる。超純水洗浄の流量
は250cc/minで4分間、計1リットルをボトル
に受け、これを連続5回行った。
【0019】ここで使用した試料と表1のサンプルとの
組合は次ぎの通りである。 サンプルA 溶接条件3 溶接速度:30rpm 溶接回数:1周溶接 ビード幅:1mm サンプルC 溶接条件2 溶接速度:30rpm 溶接回数:1周溶接 ビード幅:2mm サンプルB 溶接条件1 溶接速度:7.5rpm 溶接回数:2周溶接 ビード幅:2mm Mnについてまとめた結果を図4に示す。
【0020】、ではMn発生量が著しく多いのに対
し、本発明にかかるサンプルAを用いた高速1周ナロー
ビード溶接ではICP−MSの測定結果からトータル1
ng検出されただけであり、これはほとんど無視できる
数値である。つまり、この溶接手法を用いれば溶接時に
おけるMnヒュームの発生は無くなる。これは実施例2
に示すESCAの結果を裏付けている。
【0021】ここで注意を要することは、母材中のMn
と付着Mn量とは比例関係にはないということである。
サンプルAとサンプルCとを比較して説明する。サンプ
ルAの含有Mn量は表1に示す通り0.01%であり、
サンプルCのMn量は0.23%である。すなわち、サ
ンプルAのMn量はサンプルCのMn量の約20分の1
である。本実施例では上記のようにサンプルAとサンプ
ルCとは同じ溶接条件である。同じ溶接条件で溶接後の
Mn付着量は図4からサンプルAは1.0ng、サンプ
ルCは0.2μgである。すなわち、付着量は、サンプ
ルAはサンプルCの200分の1である。このような付
着量が減少母材含有量に比例せず、激減する減少はMn
が0.03%以下の範囲で起こることが確かめられてい
る。従って、Mn:0.03%には重要な臨界的意義が
存在するのである。
【0022】(実施例4)溶接時に発生するヒュームの
定量及び定量を評価するために、溶接時のバックシール
ドガスをSiウェハに吹き付け、そのSi表面に付着し
た元素をTRXRFを用いて評価を試みた。実験方法を
図5に示す。評価するサンプルチューブの末端にあらか
じめ自然酸化膜を除去した5インチSiウェハをセツト
し、上流から5%H2/Arのバックシールドガスを流
量6リットル/minで流しながら溶接を行い、このバ
ツクシールドガスをSiウェハに吹き付けた。この時、
Siウエハには十2kvを印加しなるべくヒュームが付
着し易くさせた。
【0023】表1に示す3種類のサンプルにつき、次ぎ
の溶接条件で溶接を行った。 溶接条件3 溶接速度:30rpm 溶接回数:1周溶接 ビード幅:1mm また、TRXRFの結果をまとめて図6に示す。
【0024】サンプルA材においてはTRXRFの検出
限界(1.0×1010atoms/cm2)以下であっ
た。また、Sに関しても1×1011atoms/cm2
以下であった。これは従来の化学組成をもつサンプルB
材に比ベ非常に少ない。さらに、C,Cu,S,Alに
ついても激減していた。ここで、注目すべき現象は、S
の含有量は、サンプルA、サンプルB、サンプルCとも
ほぼ同じであるにもかかわらず付着量は、サンプルAが
著しく少ないことである。その理由は明かではない。
【0025】S,Cu,CについてもMnについて述べ
たと同様、Sについては0.001、Cuについては
0.05%、Cについては0.01%、Alについえは
0.01%を境にとして付着量は激減する。従って、そ
れぞれの値には臨界的意義を認めることができる。 (実施例5)表1のサンプルA材を用いて溶接サンプル
を作成し、HClガスを用いて腐食テストを行った。溶
接条件は、30rpm×1回転、ビード幅1mm(溶接
条件)である。
【0026】HClガスの封止は温度100℃、圧力5
kg/cm2で24時間の加速テストを行った。封止
後、Arガスで十分パージを行い、ビード部及びビード
部下流5mmのSEM観察(倍率3000)を行った。
その結果を図7(a)に示す。比較のために、サンプル
Bを、回転速度7.5rpm、回転数:2周溶接、ビー
ド幅1mmなる溶接条件で溶接して作製した場合のサン
プルを図7(b)に示す。
【0027】サンプルAの場合は劇的に腐食は低減して
いることが分かる。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、金属汚染フリー、放出
ガス特性、非触媒性及び耐腐食性に優れたオーステナイ
ト系ステンレスを提供することができる。また、溶接を
行っても腐食の原因となるヒュームの発生がほとんどな
く、溶接状態のままで、十分な耐食性を有する溶接用の
オーステナイト系ステンレス鋼を提供することができ
る。
【0029】上記オーステナイト系ステンレス鋼を用い
て、配管、接流体部品、プロセス装置、流体供給システ
ムを構成すれば、超高純度のガス、液をプロセス装置に
供給することができるとともに、超高純度の雰囲気中で
成膜等を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例で用いたサンプルの組成を示す表であ
る。
【図2】表面に形成された酸化不動態膜の組成を示すE
SCA分析グラフである。
【図3】溶接後における表面の付着物の状態を示すグラ
フである。
【図4】溶接後におけるヒューム発生量を示すグラフで
ある。
【図5】図4に示すヒューム発生量を測定するための装
置概念図である。
【図6】TRXRFによるヒューム分析結果を示すグラ
フである。
【図7】耐腐食性を示すための写真である。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Mn含有量0.03%以下、S含有量
    0.001%以下、Cu含有量0.05%以下、C含有
    量0.01%以下、Al含有量0.01%以下であるこ
    とを特徴とするオーステナイト系ステンレス鋼。
  2. 【請求項2】 内表面に酸化クロム不動態膜を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載のオーステナイト系ステン
    レス鋼。
  3. 【請求項3】 前記オーステナイト系ステンレス鋼は溶
    接用オーステナイト系ステンレス鋼であることを特徴と
    する請求項1又は2記載のオーステナイト系ステンレス
    鋼。
  4. 【請求項4】 前記クロム不動態膜は、微結晶化した加
    工変質層を有す表面上に形成されたことを特徴とする請
    求項2又は3記載のオーステナイト系ステンレス鋼。
  5. 【請求項5】 前記加工変質層は、研磨材を用いた機械
    研磨、バフ研磨、電解複合研磨あるいは流動砥粒研磨に
    より形成されたことを特徴とする請求項4記載のオース
    テナイト系ステンレス鋼。
  6. 【請求項6】 Mn含有量0.03%以下、S含有量
    0.001%以下、Cu含有量0.05%以下、C含有
    量0.01%以下、Al含有量0.01%以下のオース
    テナイト系ステンレス鋼で、内表面に酸化クロム不動態
    膜を有する溶接用オーステナイト系ステンレス鋼よりな
    る配管を溶接して構成した配管システムであって、溶接
    部下流側には、溶接時に発生するMn,S,Cu,C,
    Alの付着がほとんど見られないことを特徴とする配管
    システム。
  7. 【請求項7】 Mn含有量0.03%以下、S含有量
    0.001%以下、Cu含有量0.05%以下、C含有
    量0.01%以下、Al含有量0.01%以下のオース
    テナイト系ステンレス鋼で、内表面に酸化クロム不動態
    膜を有するオーステナイト系ステンレス鋼よりなる接流
    体部品。
  8. 【請求項8】 前記接流体部品は、チューブ、バルブ、
    マスフローコントローラ、継ぎ手、フィルター、レギュ
    レータであることを特徴とする請求項7記載の接流体部
    品。
  9. 【請求項9】 Mn含有量0.03%以下、S含有量
    0.001%以下、Cu含有量0.05%以下、C含有
    量0.01%以下、Al含有量0.01%以下のオース
    テナイト系ステンレス鋼で、内表面に酸化クロム不動態
    膜を有する溶接用オーステナイト系ステンレス鋼よりな
    る材料を溶接して構成したことを特徴とするプロセス装
    置。
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