JP2716072B2 - 溶接方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は溶接方法に係り、特に、
金属原子等のヒュームによる汚染を防止し、しかも少な
い溶接入熱量で種々の形状の溶接体に対しても溶接可能
な溶接方法に関する。本発明の溶接方法は、超高清浄半
導体装置の製造に特に好適に適用される。
金属原子等のヒュームによる汚染を防止し、しかも少な
い溶接入熱量で種々の形状の溶接体に対しても溶接可能
な溶接方法に関する。本発明の溶接方法は、超高清浄半
導体装置の製造に特に好適に適用される。
【０００２】
【従来の技術】金属部材の接合としてタングステンイナ
ートガス溶接、アークガス溶接、電子ビーム溶接等が広
く用いられている。これら従来の溶接技術においては、
溶接部の表面粗度、溶融部から発生する金属ヒュ−ムの
付着について殆ど考慮が払われていない。そのため、溶
接部において、やけの発生、表面割れ、クロム炭化物の
析出等が起こり、金属粉を中心とする不純物の発生や機
械強度の長期的な信頼性の低下という問題が生じる。
ートガス溶接、アークガス溶接、電子ビーム溶接等が広
く用いられている。これら従来の溶接技術においては、
溶接部の表面粗度、溶融部から発生する金属ヒュ−ムの
付着について殆ど考慮が払われていない。そのため、溶
接部において、やけの発生、表面割れ、クロム炭化物の
析出等が起こり、金属粉を中心とする不純物の発生や機
械強度の長期的な信頼性の低下という問題が生じる。
【０００３】従来の溶接技術では、溶接箇所である金属
溶融部から金属原子ならびにその塊となった金属ヒュー
ムの蒸発飛散がおこり、溶接部近傍で冷却されて再び付
着する。この付着金属は、腐食性ガスを流すと剥離する
ことが分かり、その結果プロセス雰囲気の汚染・劣化を
招くこと、特に高清浄度雰囲気が要求される半導体製造
装置においては大きな問題となることが分かった。
溶融部から金属原子ならびにその塊となった金属ヒュー
ムの蒸発飛散がおこり、溶接部近傍で冷却されて再び付
着する。この付着金属は、腐食性ガスを流すと剥離する
ことが分かり、その結果プロセス雰囲気の汚染・劣化を
招くこと、特に高清浄度雰囲気が要求される半導体製造
装置においては大きな問題となることが分かった。
【０００４】更に、従来の溶接技術では溶接入熱量が高
いために、溶接ビードは広く、その表面は粗くなる。ま
た、クロム炭化物の析出が著しく、粒界腐食等の問題が
生ずる。
いために、溶接ビードは広く、その表面は粗くなる。ま
た、クロム炭化物の析出が著しく、粒界腐食等の問題が
生ずる。
【０００５】以上の金属ヒュームの付着、溶接部の表面
荒れ、表面クロム炭化物の析出について図を用いて更に
詳しく述ベる。従来法における配管材料のタングステン
イナートガス溶接の構成を図１６に示す。図１６におい
て、１６０３はタングステン電極であり、１６０１は溶
接を行う配管材料である。１６０６は溶接部を示し、１
６０８はこの溶融部で発生する金属ヒュームである。こ
の金属ヒューム１６０８はアークガスやバックシールガ
スの流れにより溶接部１６０７の下流側の配管材料１６
０１の表面に付着し、付着金属１６０９となる。また従
来の溶接法では、溶接雰囲気は特に制御されていないた
め、大気が混入し溶接部表面に焼け１６０６が発生す
る。付着金属１６０９は、不活性ガスに対しては剥離と
いう問題は生じないが腐食性ガス、例えば塩化水素ガス
等を流すと剥離し、ガス雰囲気を汚染してしまう。剥離
する金属としては、金属材料に主として含まれるＦｅ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ等であり、これらがガス雰囲気中に検
出されている。これらの不純物はＬＳＩの特性を著しく
劣化させるため、半導体製造において重大な問題となっ
ている。
荒れ、表面クロム炭化物の析出について図を用いて更に
詳しく述ベる。従来法における配管材料のタングステン
イナートガス溶接の構成を図１６に示す。図１６におい
て、１６０３はタングステン電極であり、１６０１は溶
接を行う配管材料である。１６０６は溶接部を示し、１
６０８はこの溶融部で発生する金属ヒュームである。こ
の金属ヒューム１６０８はアークガスやバックシールガ
スの流れにより溶接部１６０７の下流側の配管材料１６
０１の表面に付着し、付着金属１６０９となる。また従
来の溶接法では、溶接雰囲気は特に制御されていないた
め、大気が混入し溶接部表面に焼け１６０６が発生す
る。付着金属１６０９は、不活性ガスに対しては剥離と
いう問題は生じないが腐食性ガス、例えば塩化水素ガス
等を流すと剥離し、ガス雰囲気を汚染してしまう。剥離
する金属としては、金属材料に主として含まれるＦｅ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ等であり、これらがガス雰囲気中に検
出されている。これらの不純物はＬＳＩの特性を著しく
劣化させるため、半導体製造において重大な問題となっ
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明は、溶接部表面近傍への金属付着の防止、溶接部表面
の平坦性向上、入熱量の低減によるクロム炭化物の析出
量の低減することを可能にする溶接方法を提供すること
を目的とする。
明は、溶接部表面近傍への金属付着の防止、溶接部表面
の平坦性向上、入熱量の低減によるクロム炭化物の析出
量の低減することを可能にする溶接方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、複数の
部材のそれぞれの所定の部分（溶接部）を溶融すること
により前記複数の部材を接続する溶接方法において、内
部にバックシールドガスを流しながら前記溶接部の突き
合わせ面に対し垂直な成分が５０ガウス以上の磁場を印
加して溶接を行うことを特徴とする溶接方法に存在す
る。
部材のそれぞれの所定の部分（溶接部）を溶融すること
により前記複数の部材を接続する溶接方法において、内
部にバックシールドガスを流しながら前記溶接部の突き
合わせ面に対し垂直な成分が５０ガウス以上の磁場を印
加して溶接を行うことを特徴とする溶接方法に存在す
る。
【０００８】
【作用】電磁石または永久磁石等を用いて突き合わせ面
に対し垂直な成分を有する磁場を形成することにより、
溶接時に発生する金属ヒュームを溶融部にとどめ、溶接
施工部の下流側への流れを防止し、被溶接部材上に金属
ヒュームが析出するのを防止する。また、金属溶融物は
電気伝導が大きいため、上記磁場により溶接部の平坦性
は向上する。
に対し垂直な成分を有する磁場を形成することにより、
溶接時に発生する金属ヒュームを溶融部にとどめ、溶接
施工部の下流側への流れを防止し、被溶接部材上に金属
ヒュームが析出するのを防止する。また、金属溶融物は
電気伝導が大きいため、上記磁場により溶接部の平坦性
は向上する。
【０００９】また、前記磁場は、溶融手段にて発生した
イオンまたは電子を収束させることが可能なため、ビー
ムを絞り込むことができ、溶接ビード幅を狭く仕上げる
ことが可能である。同時に、溶接入熱量を低減すること
が可能となり、クロム炭化物の析出量は大きく低減さ
れ、粒界腐食は著しく低減される。
イオンまたは電子を収束させることが可能なため、ビー
ムを絞り込むことができ、溶接ビード幅を狭く仕上げる
ことが可能である。同時に、溶接入熱量を低減すること
が可能となり、クロム炭化物の析出量は大きく低減さ
れ、粒界腐食は著しく低減される。
【００１０】本発明における好適な磁場の強さは、溶接
部表面で５０ガウス以上である。より好ましくは３００
ガウス以上である。３００ガウス以上でヒューム飛散防
止効果はより向上する。
部表面で５０ガウス以上である。より好ましくは３００
ガウス以上である。３００ガウス以上でヒューム飛散防
止効果はより向上する。
【００１１】磁場を印加する手段は、例えば永久磁石ま
たは電磁石が用いられる。永久磁石としては、通常アル
ニコ系の磁石が用いられるが、透磁率の高い材料の溶接
をする場合にはサマリウム・コバルト系の磁石が用いら
れる。
たは電磁石が用いられる。永久磁石としては、通常アル
ニコ系の磁石が用いられるが、透磁率の高い材料の溶接
をする場合にはサマリウム・コバルト系の磁石が用いら
れる。
【００１２】溶接部を溶融する手段は、例えば放電、電
子ビーム、レーザーを用いたものがあるが、放電を用い
たものとして、例えばタングステンイナートガス溶接、
アークガス溶接等が例示される。
子ビーム、レーザーを用いたものがあるが、放電を用い
たものとして、例えばタングステンイナートガス溶接、
アークガス溶接等が例示される。
【００１３】
【実施例】以下本発明実施例を挙げて詳細に説明する。
【００１４】（実施例１） 第１の実施例を図１に示す。
【００１５】本実施例は、２本の３／８インチＳＵＳ３
１６Ｌ配管をタングステンイナートガス溶接する場合で
あり、図に示すように、溶接を行う２つの配管材料１０
１、１０１’を円筒上のアルニコ系の永久磁石１０２、
１０２’で囲み、溶接部表面に３００ガウスの垂直磁場
を形成した。図中、１０３はタングステン電極、１０４
は磁石と配管材料とを絶縁するための絶縁体であり、例
えばＰＦＡ等が用いられる。
１６Ｌ配管をタングステンイナートガス溶接する場合で
あり、図に示すように、溶接を行う２つの配管材料１０
１、１０１’を円筒上のアルニコ系の永久磁石１０２、
１０２’で囲み、溶接部表面に３００ガウスの垂直磁場
を形成した。図中、１０３はタングステン電極、１０４
は磁石と配管材料とを絶縁するための絶縁体であり、例
えばＰＦＡ等が用いられる。
【００１６】配管内にＡｒを流しながら上記２つの配管
を溶接した後、従来法で溶接した配管及び溶接部のない
配管と共に以下の評価実験を行った。
を溶接した後、従来法で溶接した配管及び溶接部のない
配管と共に以下の評価実験を行った。
【００１７】配管内部に１．４ｐｐｍの水分を含むＨＣ
ｌガスを２．５ｋｇ／ｃｍ2で封入して１２時間放置
し、その後超高純度Ａｒガスを流し、配管内部から発生
した金属元素を配管出口でシリコンウエハ上に補収し、
金属原子量の測定をＴＲ−ＸＲＦ法（Total Reflectio
n X-ray Fluorescence Spectroscopy）により行っ
た。従来法で溶接した配管からは、Ｆｅ；２．４×１０
14ａｔｏｍ／ｃｍ2，Ｃｒ；６．５×１０11ａｔｏｍ／
ｃｍ2，Ｎｉ；２．３×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ2，Ｍｎ：
１．５×１０12ａｔｏｍ／ｃｍ2が検出されたのに対
し、本実施例及び溶接部のない配管は、いずれの金属元
素もＴＲ−ＸＲＦ法の検出限界（１×１０10ａｔｏｍ／
ｃｍ2）以下であった。
ｌガスを２．５ｋｇ／ｃｍ2で封入して１２時間放置
し、その後超高純度Ａｒガスを流し、配管内部から発生
した金属元素を配管出口でシリコンウエハ上に補収し、
金属原子量の測定をＴＲ−ＸＲＦ法（Total Reflectio
n X-ray Fluorescence Spectroscopy）により行っ
た。従来法で溶接した配管からは、Ｆｅ；２．４×１０
14ａｔｏｍ／ｃｍ2，Ｃｒ；６．５×１０11ａｔｏｍ／
ｃｍ2，Ｎｉ；２．３×１０13ａｔｏｍ／ｃｍ2，Ｍｎ：
１．５×１０12ａｔｏｍ／ｃｍ2が検出されたのに対
し、本実施例及び溶接部のない配管は、いずれの金属元
素もＴＲ−ＸＲＦ法の検出限界（１×１０10ａｔｏｍ／
ｃｍ2）以下であった。
【００１８】このことから、本実施例において溶接した
配管は、ヒュームによる汚染はなく、高清浄装置に適用
できることが分かった。
配管は、ヒュームによる汚染はなく、高清浄装置に適用
できることが分かった。
【００１９】また、配管を切断し内表面を観察したとこ
ろ、従来法の溶接部は粒界腐食がみられたのに対し、本
実施例の溶接部に腐食は全く起こっておらず、しかも溶
接部は平坦であることが確認された。
ろ、従来法の溶接部は粒界腐食がみられたのに対し、本
実施例の溶接部に腐食は全く起こっておらず、しかも溶
接部は平坦であることが確認された。
【００２０】（実施例２） 実施例１の永久磁石の代わりに、図２に示す電磁石を用
いた溶接装置を作製し、実施例１と同様にして配管の溶
接を行った。ここで、電磁石は配管２０１の外周を絶縁
チューブ２０４で包み、更にその外周をコイル２０２で
巻き付けたものである。溶接部に垂直磁場が３００ガウ
スとなるようにコイルに電流を流した。
いた溶接装置を作製し、実施例１と同様にして配管の溶
接を行った。ここで、電磁石は配管２０１の外周を絶縁
チューブ２０４で包み、更にその外周をコイル２０２で
巻き付けたものである。溶接部に垂直磁場が３００ガウ
スとなるようにコイルに電流を流した。
【００２１】実施例１と同様の評価を行ったところ、Ｈ
Ｃｌによる金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保って
いることが確認された。
Ｃｌによる金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保って
いることが確認された。
【００２２】（参考例１） 参考例を図３に示す。
【００２３】本参考例は、配管用自動溶接機に適用した
例であり、タングステン電極３０３保持部にアルニコ系
永久磁石３０２を設け、溶接部に対し３００ガウスの垂
直磁場を形成した。
例であり、タングステン電極３０３保持部にアルニコ系
永久磁石３０２を設け、溶接部に対し３００ガウスの垂
直磁場を形成した。
【００２４】この溶接装置を用い、配管を溶接した後、
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。実施例１と同様、ＨＣｌによ
る金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保っていること
が確認された。
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。実施例１と同様、ＨＣｌによ
る金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保っていること
が確認された。
【００２５】また、図４に示すように、永久磁石の代わ
りにタングステン電極４０３の周辺に絶縁チューブ４０
４を介しコイルを配した溶接装置を用いた場合も同様な
結果が得られた。
りにタングステン電極４０３の周辺に絶縁チューブ４０
４を介しコイルを配した溶接装置を用いた場合も同様な
結果が得られた。
【００２６】（参考例２） 参考例を図５に示す。
【００２７】本実施例で用いてる溶接装置は、配管用自
動溶接機のタングステン電極５０３の周囲にアルニコ系
永久磁石５０２を設けたものである。この例では、溶接
部の磁場の強さは３００ガウスであった。
動溶接機のタングステン電極５０３の周囲にアルニコ系
永久磁石５０２を設けたものである。この例では、溶接
部の磁場の強さは３００ガウスであった。
【００２８】この溶接装置を用い、配管を溶接した後、
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。ＨＣｌによる金属の剥離等が
なく、清浄な内表面を保っていることが確認された。
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。ＨＣｌによる金属の剥離等が
なく、清浄な内表面を保っていることが確認された。
【００２９】なお、図６に示すように永久磁石を電磁石
に変えた場合も同様な結果が得られた。
に変えた場合も同様な結果が得られた。
【００３０】（実施例３） 本発明の第３の実施例を図７に示す。
【００３１】本実施例で用いる溶接装置は、溶接を行う
２本の配管７０１、７０１’を永久磁石７０２、７０
２’で囲み、さらにタングステン電極７０３の保持部に
も永久磁石７０５、７０５’を設けてある。この溶接装
置により溶接部に垂直な磁場を発生させた。
２本の配管７０１、７０１’を永久磁石７０２、７０
２’で囲み、さらにタングステン電極７０３の保持部に
も永久磁石７０５、７０５’を設けてある。この溶接装
置により溶接部に垂直な磁場を発生させた。
【００３２】この溶接装置を用い、配管を溶接した後、
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。ＨＣｌガスによる金属の剥離
等がなく、清浄な内表面を保っていることが確認され
た。更に、本実施例では実施例１の場合に比べ、一層狭
い溶接ビード幅が得られしかも溶接部の平坦性も一層向
上した。
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。ＨＣｌガスによる金属の剥離
等がなく、清浄な内表面を保っていることが確認され
た。更に、本実施例では実施例１の場合に比べ、一層狭
い溶接ビード幅が得られしかも溶接部の平坦性も一層向
上した。
【００３３】また、永久磁石を電磁石に代えた図８、
９、１０に示した溶接装置を用いた場合も同様な効果が
確認された。
９、１０に示した溶接装置を用いた場合も同様な効果が
確認された。
【００３４】（実施例４） 本発明の第４の実施例を図１１に示す。
【００３５】本実施例では溶接を行う２つの配管材料１
１０１、１１０１’を永久磁石１１０２、１１０２’
で、またタングステン電極１１０３の周囲に永久磁石１
１０５を設け、溶接部に垂直な磁場を発生させた。
１０１、１１０１’を永久磁石１１０２、１１０２’
で、またタングステン電極１１０３の周囲に永久磁石１
１０５を設け、溶接部に垂直な磁場を発生させた。
【００３６】実施例１と同様の評価を行ったところ、Ｈ
Ｃｌによる金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保って
いることが確認された。更に、本実施例では実施例５と
同様狭い溶接ビード幅が得られた。
Ｃｌによる金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保って
いることが確認された。更に、本実施例では実施例５と
同様狭い溶接ビード幅が得られた。
【００３７】また、永久磁石を電磁石に代えた図１２、
１３、１４の溶接方法も同様な効果が確認された。
１３、１４の溶接方法も同様な効果が確認された。
【００３８】（実施例５） 溶接部の近傍に障害物がある場合の実施例を図１５に示
す。図は、バルブと配管を溶接するための溶接装置の構
成を示したものであり、タングステン電極ｌ５０２の周
囲に、絶縁チューブ１５０４を介してコイル１５０３を
長手方向にスライドできるようにして設けたものであ
る。
す。図は、バルブと配管を溶接するための溶接装置の構
成を示したものであり、タングステン電極ｌ５０２の周
囲に、絶縁チューブ１５０４を介してコイル１５０３を
長手方向にスライドできるようにして設けたものであ
る。
【００３９】尚、電磁石を永久磁石に代えた場合も同様
な効果が得られることを確認した。 （実施例６） 本実施例では、溶接手段として、炭酸ガスレーザーを用
いた以外は実施例１と同様にして配管の溶接を行った。
な効果が得られることを確認した。 （実施例６） 本実施例では、溶接手段として、炭酸ガスレーザーを用
いた以外は実施例１と同様にして配管の溶接を行った。
【００４０】配管を溶接した後、ヒュームによる配管内
表面の状態を調べるため、実施例１と同様の評価を行っ
た。実施例１と同様、ＨＣｌによる金属の剥離等がな
く、清浄な内表面を保っていることが確認された。
表面の状態を調べるため、実施例１と同様の評価を行っ
た。実施例１と同様、ＨＣｌによる金属の剥離等がな
く、清浄な内表面を保っていることが確認された。
【００４１】（実施例７） 本実施例では、溶接手段として電子ビームを用い、溶接
部に３００ガウスの磁場を印加して配管の溶接を行い、
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。実施例１と同様、ＨＣｌによ
る金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保っていること
が確認された。
部に３００ガウスの磁場を印加して配管の溶接を行い、
ヒュームによる配管内表面の状態を調べるため、実施例
１と同様の評価を行った。実施例１と同様、ＨＣｌによ
る金属の剥離等がなく、清浄な内表面を保っていること
が確認された。
【００４２】（実施例８） 実施例２で用いた溶接装置を用い、溶接部の磁場の強さ
を変えて溶接を行い、実施例１と同様の評価方法で磁場
の強さとヒュームによる配管の汚染との関係を調べた。
結果を表１に示す。
を変えて溶接を行い、実施例１と同様の評価方法で磁場
の強さとヒュームによる配管の汚染との関係を調べた。
結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】表から明らかなように、５０ガウス以上の
磁場を印加することにより、ヒュームの飛散防止効果は
一層向上することが分かる。
磁場を印加することにより、ヒュームの飛散防止効果は
一層向上することが分かる。
【００４５】以上の実施例では、配管材料を用いた場合
について説明したが、本発明は配管に限らずバックシー
ルドガスを内部に流すような形状の材料にも適用するこ
とができることは言うまでもない。
について説明したが、本発明は配管に限らずバックシー
ルドガスを内部に流すような形状の材料にも適用するこ
とができることは言うまでもない。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、溶
融部から発生した金属フュームによる溶接部表面近傍の
付着金属の汚染が低減でき、溶接部表面の平坦性向上並
びに溶接ビード幅の縮小化、入熱量の低減によるクロム
炭化物の析出量の低減することを可能にした溶接方法を
提供することが可能となる。
融部から発生した金属フュームによる溶接部表面近傍の
付着金属の汚染が低減でき、溶接部表面の平坦性向上並
びに溶接ビード幅の縮小化、入熱量の低減によるクロム
炭化物の析出量の低減することを可能にした溶接方法を
提供することが可能となる。
【００４７】即ち、電磁石または永久磁石等を用いて溶
融部表面に対し垂直な成分を有する磁場を設け、溶接時
に溶融部から発生する金属原子を溶融部に付着させ溶接
施工下流部に流れ込まないようにし汚染を防止すること
が可能となる。
融部表面に対し垂直な成分を有する磁場を設け、溶接時
に溶融部から発生する金属原子を溶融部に付着させ溶接
施工下流部に流れ込まないようにし汚染を防止すること
が可能となる。
【００４８】また、比較的電気伝導の低い溶融表面の平
坦性を著しく向上することが可能となる。
坦性を著しく向上することが可能となる。
【００４９】更に、溶融手段にて発生するイオンまたは
電子を収束させビームを絞り込むことで、溶接ビード幅
を狭く仕上げることが可能であると同時に、溶接入熱量
を低減することが可能なためクロム炭化物の析出量が低
減され粒界腐食が著しく低減することが可能となる。
電子を収束させビームを絞り込むことで、溶接ビード幅
を狭く仕上げることが可能であると同時に、溶接入熱量
を低減することが可能なためクロム炭化物の析出量が低
減され粒界腐食が著しく低減することが可能となる。
【図１】実施例１で用いた溶接装置を示す概略図。
【図２】実施例２で用いた溶接装置を示す概略図。
【図３】参考例３で用いた溶接装置を示す概略図。
【図４】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図５】参考例４で用いた溶接装置を示す概略図。
【図６】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図７】実施例３で用いた溶接装置を示す概略図。
【図８】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図９】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図１０】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図１１】実施例４で用いた溶接装置を示す概略図。
【図１２】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図１３】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図１４】溶接装置の他の例を示す概略図。
【図１５】実施例５で用いた溶接装置を示す概略図。
【図１６】従来の溶接装置を示す概略図。
１０１，１０１'，２０１，２０１'，３０１，３０
１'，４０１，４０１'，５０１，５０１'，６０１，６
０１'，７０１，７０１'，８０１，８０１'，９０１，
９０１'，１００１，１００１'，１１０１，１１０
１'，１２０１，１２０１'，１３０１，１３０１'，１
４０１，１４０１'，１５０１，１６０１ 溶接管、１
０２，１０２'，３０２，３０２'，５０２，７０２，７
０２'，７０５，７０５'，８０２，８０２'，９０５，
１１０２，１１０２'，１１０５，１２０２，１２０
２'，１３０５ 永久磁石、１０３，２０３，３０３，
４０３，５０３，６０３，７０３，８０３，１００３，
１１０３，１２０３，１３０３，１４０３，１５０３，
１６０３ 電極、１０４，４０４，８０４，９０４，１
００４，１３０４，１４０４，１５０４絶縁体、２０
２，２０２'，４０２，４０２'，６０２，８０５，８０
５'，９０２，９０２'，１００２，１００２'，１００
５，１００５'，１２０５，１３０２，１３０２'，１４
０２，１４０２'，１４０５，１５０２ コイル、１５
０８ バルブ等の障害物、１６０６ 焼け、１６０７
溶接部、１６０８ ヒューム、１６０９ 金属付着物。
１'，４０１，４０１'，５０１，５０１'，６０１，６
０１'，７０１，７０１'，８０１，８０１'，９０１，
９０１'，１００１，１００１'，１１０１，１１０
１'，１２０１，１２０１'，１３０１，１３０１'，１
４０１，１４０１'，１５０１，１６０１ 溶接管、１
０２，１０２'，３０２，３０２'，５０２，７０２，７
０２'，７０５，７０５'，８０２，８０２'，９０５，
１１０２，１１０２'，１１０５，１２０２，１２０
２'，１３０５ 永久磁石、１０３，２０３，３０３，
４０３，５０３，６０３，７０３，８０３，１００３，
１１０３，１２０３，１３０３，１４０３，１５０３，
１６０３ 電極、１０４，４０４，８０４，９０４，１
００４，１３０４，１４０４，１５０４絶縁体、２０
２，２０２'，４０２，４０２'，６０２，８０５，８０
５'，９０２，９０２'，１００２，１００２'，１００
５，１００５'，１２０５，１３０２，１３０２'，１４
０２，１４０２'，１４０５，１５０２ コイル、１５
０８ バルブ等の障害物、１６０６ 焼け、１６０７
溶接部、１６０８ ヒューム、１６０９ 金属付着物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−96947（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−95876（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−107885（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−293673（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−31471（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の部材のそれぞれの所定の部分（溶
接部）を溶融することにより前記複数の部材を接続する
溶接方法において、内部にバックシールドガスを流しな
がら前記溶接部の突き合わせ面に対し垂直な成分が５０
ガウス以上の磁場を印加して溶接を行うことを特徴とす
る溶接方法。 - 【請求項２】 前記溶接部を溶融する手段として、不活
性ガス中での放電を用いることを特徴とする請求項１記
載の溶接方法。 - 【請求項３】 前記溶接部を溶融する手段として、電子
ビームの照射を用いることを特徴とする請求項１または
２記載の溶接方法。 - 【請求項４】 前記溶接部を溶融する手段として、レー
ザー光の照射を用いることを特徴とする請求項１または
２記載の溶接方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331350A JP2716072B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 溶接方法 |
| PCT/JP1992/001521 WO1993009905A1 (en) | 1991-11-20 | 1992-11-20 | Welder |
| EP19920923992 EP0613748A4 (en) | 1991-11-20 | 1992-11-20 | WELDER. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331350A JP2716072B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 溶接方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11837093A Division JP3214675B2 (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | ウェルドヘッド及び溶接装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06106348A JPH06106348A (ja) | 1994-04-19 |
| JP2716072B2 true JP2716072B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=18242704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3331350A Expired - Lifetime JP2716072B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 溶接方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0613748A4 (ja) |
| JP (1) | JP2716072B2 (ja) |
| WO (1) | WO1993009905A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH10314978A (ja) | 1997-03-20 | 1998-12-02 | Tadahiro Omi | 長寿命の溶接電極及びその固定構造、溶接ヘッド並びに溶接方法 |
| US8420974B2 (en) | 1997-03-20 | 2013-04-16 | Tadahiro Ohmi | Long life welding electrode and its fixing structure, welding head, and welding method |
| JP4125406B2 (ja) | 1997-08-08 | 2008-07-30 | 忠弘 大見 | フッ化不働態処理が施された溶接部材の溶接方法および再フッ化不働態処理方法ならびに溶接部品 |
| US8985130B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-03-24 | Edgewater International, Inc. | Magnetically assisted coupling for segmented shaft |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5296947A (en) * | 1976-02-10 | 1977-08-15 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Welding method of preventing cracks on weld zone |
| GB1600894A (en) * | 1977-03-23 | 1981-10-21 | Nat Res Inst Metals | Method and apparatus for removing burrs from products fabricated from metal stock |
| JPS5731471A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | Automatic welding |
| JPS6138780A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 磁気撹拌溶接装置 |
| JPS61293673A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-24 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 磁気撹拌溶接方法 |
| JPS62107885A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 磁気撹拌溶接方法 |
| JPH0195876A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | オーステナイト系合金等の溶接方法 |
| JPH0829425B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1996-03-27 | トヨタ自動車株式会社 | レーザ溶接方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP3331350A patent/JP2716072B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-20 WO PCT/JP1992/001521 patent/WO1993009905A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1992-11-20 EP EP19920923992 patent/EP0613748A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06106348A (ja) | 1994-04-19 |
| EP0613748A4 (en) | 1994-10-26 |
| WO1993009905A1 (en) | 1993-05-27 |
| EP0613748A1 (en) | 1994-09-07 |
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