JPH07120921A - 感光性樹脂組成物及びi線ステッパ用感光性樹脂組成物 - Google Patents

感光性樹脂組成物及びi線ステッパ用感光性樹脂組成物

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JPH07120921A
JPH07120921A JP6002282A JP228294A JPH07120921A JP H07120921 A JPH07120921 A JP H07120921A JP 6002282 A JP6002282 A JP 6002282A JP 228294 A JP228294 A JP 228294A JP H07120921 A JPH07120921 A JP H07120921A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光透過性が良好で、膜特性、耐熱性、接着
性、像形成性等に優れた感光性樹脂組成物及びi線ステ
ッパ用感光性樹脂組成物を提供する。 【構成】 (A)一般式(I) 【化1】 (式中、R1は 【化2】 を表し、R2は、2価の有機基を表す)で示される繰り
返し単位を有するポリアミド酸及び(B)アミノ基を有
するアクリル化合物を含む感光性樹脂組成物及びこの感
光性樹脂組成物にさらに光開始剤を含ませたi線ステッ
パ用感光性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物及びi
線ステッパ用感光性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体工業にあっては、従来より
無機材料を用いて行われていた層間絶縁材料として、主
にポリイミド樹脂等のような耐熱性に優れた有機物が、
その特性を活かして使用されてきている。
【0003】ところで、半導体集積回路やプリント基板
上の回路パターン形成は、基材表面へのレジスト材の造
膜、所定箇所への露光、エッチング等により不要箇所の
除去、基板表面の洗浄作業等の煩雑で多岐に亘る工程を
経てパターン形成が行われることから、露光、現像によ
るパターン形成後も必要な部分のレジストを絶縁材料と
してそのまま残して用いることができる耐熱感光材料の
開発が望まれている。これらの材料として、例えば感光
性ポリイミド、環化ポリブタジエン等をベースポリマと
した耐熱感光材料が提案されており、特に感光性ポリイ
ミドは、その耐熱性が優れていることや不純物の排除が
容易であること等の点から特に注目されている。このよ
うな感光性ポリイミドとしては、例えば、特公昭49−
17374号公報には、ポリイミド前駆体と重クロム酸
塩からなる系が最初に提案されたが、この材料は、実用
的な光感度を有するとともに膜形成能が高いなどの長所
を有する反面、保存安定性に欠け、またポリイミド中に
クロムイオンが残存することなどの欠点があり、実用に
は至らなかった。また他の例として、特公昭55−30
207号公報には、ポリアミド酸(ポリイミド前駆体)
に感光基をエステル結合で導入した感光性ポリイミド前
駆体が提案されているが、この材料は、感光基を導入す
る際に脱塩酸反応を含むため、最終的に塩化物が残存す
る問題がある。
【0004】このような問題を回避するために、例え
ば、特開昭54−109828号公報には、ポリイミド
前駆体に感光基を有する化合物を混合する方法、また、
特開昭56−24343号公報、特開昭60−1001
43号公報等により、ポリイミド前駆体中の官能基と感
光基を有する化合物の官能基とを反応させて感光性を付
与させる方法が提案されている。しかしながら、これら
の感光性ポリイミド前駆体は耐熱性、機械特性に優れる
芳香族系モノマーを基本骨格に用いており、そのポリイ
ミド前駆体自体の吸収のため、紫外領域での透光性が低
く、露光部における光化学反応を十分効果的に行うこと
ができず、低感度であったり、パターンの形状が悪化す
るという問題があった。特に、最近では、半導体の高集
積化に伴い、加工ルールが益々小さくなる傾向にある。
そのため、従来の平行光線を用いるコンタクト/プロキ
シミテイ露光機から、ミラープロジェクションと呼ばれ
る1:1投影露光機、さらにステッパと呼ばれる縮小投
影露光機が用いられるようになってきている。ステッパ
は超高圧水銀灯の高出力発振線、エキシマレーザのよう
な単色光を利用するものである。これまでステッパとし
ては超高圧水銀灯のg−lineと呼ばれる可視光(波長:
435nm)を使ったg線ステッパが主流であった。しか
し、さらなる加工ルール微細化の要求がある。すでに光
の回析限界に近い所で加工を行っているので、より微細
な加工を行うには使用するステッパの波長を短くするこ
とが必須である。そのために、g線ステッパ(波長:4
35nm)からi線ステッパ(波長:365nm)に移行し
つつある。しかしながら、コンタクト/プロキシミテイ
露光機、ミラープロジェクション投影露光機、g線ステ
ッパ用に設計された従来の感光性ポリイミドのベースポ
リマは、先に述べた理由により透明性が低く、特にi線
(波長:365nm)での透過率はほとんどないため、i
線ステッパではまともなパターンが得られない。また、
半導体素子の高密度実装方式であるLOC(リードオン
チップ)に対応して表面保護用ポリイミド膜はさらに厚
膜のものが求められているが、厚膜の場合には、光透過
性が低い問題はさらに深刻になる。このため、i線ステ
ッパ用に設計された、即ちi線透過率の高い感光性ポリ
イミドが強く求められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたものであり、露光に使用する光
を十分に透過し、i線ステッパでの像形成性および膜特
性、耐熱性、接着性等に優れた感光性樹脂組成物及びi
線ステッパ用感光性樹脂組成物を提供することを目的と
するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)一般式
(I)
【化9】 (式中、R1
【化10】 を表し、R2は、2価の有機基を表す)で示される繰り
返し単位を有するポリアミド酸及び(B)アミノ基を有
するアクリル化合物を含む感光性樹脂組成物及びこの感
光性樹脂組成物にさらに光開始剤を含ませたi線ステッ
パ用感光性樹脂組成物に関する。
【0007】本発明における(A)ポリアミド酸は、例
えば、オキシジフタル酸又はオキシジフタル酸無水物と
必要に応じて用いられる他のテトラカルボン酸二無水物
とから成る酸成分とジアミンとを有機溶媒中で開環重付
加反応することにより得られる。
【0008】上記の必要に応じて用いられる他のテトラ
カルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸
二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリ
ジンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−
ペリレンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタ
ル酸無水物、m−ターフェニル−3,3′,4,4′−
テトラカルボン酸二無水物、p−ターフェニル−3,
3′,4,4′−テトラカルボン酸二無水物、1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(2,
3−又は3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無
水物、2,2−ビス(2,3−又は3,4−ジカルボキ
シフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス{4,
(2,3−又は3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェ
ニル}プロパン二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2,2−ビス{4−(2,3−又は3,
4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}プロパン二無
水物、下記一般式(II)
【化11】 (R3及びR4は一価の炭化水素基を表し、それぞれ同一
でも異なっていてもよく、sは1以上の整数である)で
示されるテトラカルボン酸無水物等の芳香族テトラカル
ボン酸無水物などが挙げられ、これらは単独で又は二種
以上を組み合わせて用いられる。
【0009】これらのテトラカルボン酸二無水物は、必
須成分のオキシジフタル酸無水物の他に必要に応じて用
いられるが、その使用量は得られるポリアミド酸の透光
性が低下しない量であることが好ましく、酸成分全体の
80mol%以下の量で使用することが好ましい。
【0010】上記のジアミンとしては、特に制限はない
が、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、2,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ジアミノジフェニルスルフォン、3,
3′−ジアミノジフェニルスルフォン及びメタフェニレ
ンジアミンが好ましく、これらは単独で又は二種以上を
組み合わせて用いられる。
【0011】これらのジアミン以外にも、得られるポリ
イミド前駆体の透光性が低下しない程度に、例えばp−
フェニレンジアミン、p−キシリレンジアミン、1,5
−ジアミノナフタレン、3,3′−ジメチルベンジジ
ン、3,3′−ジメトキシベンジジン、4,4′−(又
は3,4′−,3,3′−,2,4′−,2,2′−)
ジアミノジフェニルメタン、2,2′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、3,4′−(又は2,4′−,2,2′
−)ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−(又は
3,4′−,3,3′−,2,4′−,2,2′−)ジ
アミノジフェニルスルフィド、4,4′−ベンゾフェノ
ンジアミン、ビス{4−(4′−アミノフェノキシ)フ
ェニル}スルホン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロ−2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス{4−(4′−アミノフェノキシ)フ
ェニル}プロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラ
メチル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ビス
{4−(3′−アミノフェノキシ)フェニル}スルホ
ン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、下
記一般式(III)
【化12】 (式中、R5及びR6は二価の炭化水素基を表し、R7
びR8は一価の炭化水素基を表し、R5、R6、R7及びR
8はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、tは1以上
の整数である)で示されるジアミノポリシロキサン等の
脂肪族ジアミンを用いてもよい。
【0012】また、3,3′−ヒドロキシベンジジン、
3,4′−ジアミノ−3′,4−ジヒドロキシビフェニ
ル、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノジフ
ェニルオキシド、3,3′−ジヒドロキシ−4,4′−
ジアミノジフェニルスルホン、2,2−ビス(3−アミ
ノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス−(3−ア
ミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス−(3
−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)メタン、3,3′
−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノベンゾフェノン、
1,1−ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)
エタン、2,2−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミノ
フェニル)プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス−(3−ヒドロキシ−4−アミ
ノフェニル)プロパン、1,3−ジアミノ−4−ヒドロ
キシベンゼン、1,3−ジアミノ−5−ヒドロキシベン
ゼン、1,3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼ
ン、1,4−ジアミノ−2−ヒドロキシベンゼン、1,
4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン等のヒド
ロキシル基含有ジアミンも用いることができる。これら
は、単独で又は二種以上を組み合わせて用いられる。
【0013】上記反応に用いる有機溶媒としては、生成
するポリイミド前駆体を完全に溶解する極性溶媒が一般
に好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、
ヘキサメチルリン酸トリアミド、γ−ブチロラクトン等
が挙げられる。
【0014】その他、この極性溶媒以外に、ケトン類、
エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化
水素類、炭化水素類、例えば、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチ
ル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、エチレング
リコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、
1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、ト
リクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等も使用することができる。これらの有機
溶媒は、単独又は二種以上を組み合わせて用いられる。
【0015】本発明で用いられる(B)アミノ基を有す
るアクリル化合物は、例えば、N,N−ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、N,N−ジエチルアミノエチル
メタクリレート、N,N−ジメチルアミノプロピルメタ
クリレート、N,N−ジエチルアミノプロピルメタクリ
レート、N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート、
N,N−ジエチルアミノエチルアクリレート、N,N−
ジメチルアミノプロピルアクリレート、N,N−ジエチ
ルアミノプロピルアクリレート、N,N−ジメチルアミ
ノエチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノエチ
ルアクリルアミド等が挙げられる。これらは、単独で又
は2種類以上を組み合わせて用いられる。
【0016】(B)アミノ基を有するアクリル化合物の
使用量は、光感度、耐熱性フィルム強度等の点から
(A)一般式(I)で示される繰り返し単位を含むポリ
アミド酸に対して1〜200重量%とすることが好まし
く、5〜50重量%とすることがより好ましい。
【0017】本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ
て次のような(C)光開始剤を含有してもよい。(C)
光開始剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾ
インメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベン
ゾインイソプロピルエーテル、2−t−ブチルアントラ
キノン、2−エチルアントラキノン、4,4′−ビス
(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェノン、
ベンゾフェノン、チオキサントン、2,2−ジメトキシ
−2−フェニルアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、2−メチル−[4−(メチル
チオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノ
ン、ベンジル、ジフェニルジスルフィド、フェナンスレ
ンキノン、2−イソプロピルチオキサントン、リボフラ
ビンテトラブチレート、2,6−ビス(p−ジエチルア
ミノベンザル)−4−メチル−4−アザシクロヘキサノ
ン、N−エチル−N−(p−クロロフェニル)グリシ
ン、N−エチル−N−(p−クロロフェニル)グリシ
ン、N−フェニルジエタノールアミン、2−(o−エト
キシカルボニル)オキシイミノ−1,3−ジフェニルプ
ロパンジオン、1−フェニル−2−(o−エトキシカル
ボニル)オキシイミノプロパン−1−オン、3,3′,
4,4′−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)
ベンゾフェノン、3,3′−カルボニルビス(7−ジエ
チルアミノクマリン)、ビス(シクロペンタジエニル)
−ビス[2,6−ジフルオロ−3−(ピリ−1−イル)
フェニル]チタン等が挙げられる。これらは、単独で又
は2種類以上を組み合わせて用いられる。
【0018】これらの(C)光開始剤を使用する場合、
その使用量は、光感度、フィルム強度等の点から、
(A)一般式(I)で示される繰り返し単位を有するポ
リアミド酸に対して0.01から30重量%とすること
が好ましく、0.05から10重量%とすることがより
好ましい。
【0019】本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ
て次のような(D)付加重合性化合物を含有してもよ
い。(D)付加重合性化合物としては、例えば、ジエチ
レングリコールジアクリレート、トリエチレングリコー
ルジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリ
レート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリ
エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレン
グリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパン
ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、1,4−ブタ
ンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオール
ジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレ
ート、1,6−ヘキサンジオールメタクリレート、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメ
タクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレ
ート、スチレン、ジビニルベンゼン、4−ビニルトルエ
ン、4−ビニルピリジン、N−ビニルピロリドン、2−
ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチル
メタクリレート、1,3−アクリロイルオキシ−2−ヒ
ドロキシプロパン、1,3−メタクリロイルオキシ−2
−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、
N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアク
リルアミド等が挙げられる。これらは、単独で又は2種
類以上を組み合わせて用いられる。
【0020】(D)付加重合性化合物を使用する場合、
その使用量は、現像液への溶解性も含んだ感光特性、フ
ィルム強度等の点から一般式(I)で示される繰り返し
単位を有するポリアミド酸に対して1〜200重量%と
することが好ましい。
【0021】本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じ
て次のような(E)アジド化合物を含有してもよい。
(E)アジド化合物としては、例えば、
【化13】
【化14】 等が挙げられる。これらは、単独で又は2種類以上を組
み合わせて用いられる。
【0022】これらの(E)アジド化合物を使用する場
合、その使用量は、光感度、フィルム強度等の点から、
(A)一般式(I)で示される繰り返し単位を有するポ
リアミド酸に対して0.01〜30重量%とすることが
好ましく、0.05〜10重量%とすることがより好ま
しい。
【0023】本発明の感光性樹脂組成物は、保存時の安
定性を高めるためにp−メトキシフェノール、ハイドロ
キノン、ピロガロール、フェノチアジン、ニトロソアミ
ン類等のラジカル重合禁止剤またはラジカル重合抑制剤
を含有してもよい。
【0024】本発明の感光性樹脂組成物は、浸漬法、ス
プレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法等によってシ
リコンウエーハ、金属基板、ガラス基板、セラミック基
板等の基材上に塗布され、溶剤の大部分を加熱乾燥する
ことにより粘着性のない塗膜とすることが出来る。
【0025】この塗膜上に、所望のパターンが描かれた
マスクを通して活性光線または化学線を照射する。本発
明の材料は、i線ステッパ用に設計されたものである
が、照射する活性光線または化学線としてi線ステッパ
以外に、超高圧水銀灯を用いるコンタクト/プロキシミ
ティ露光機、ミラープロジェクション露光機、g線ステ
ッパ、その他の紫外・可視光源や、X線、電子線も用い
ることができる。照射後未照射部を適当な現像液で溶解
除去することにより所望のレリーフパターンを得る。
【0026】現像液としては、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−
2−ピロリドンなどの良溶媒やこれらと低級アルコール
や水または芳香族炭化水素などの貧溶媒との混合溶媒、
あるいは水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液やトリ
エタノールアミン水溶液などの塩基性溶液が用いられ
る。現像後は必要に応じて水または貧溶媒でリンスを行
い、100℃前後で乾燥しパターンを安定なものとす
る。このレリーフパターンを、耐熱性のあるものとする
ために200〜500℃、好ましくは300〜400℃
の温度で数十分から数時間加熱することによりパターン
化された高耐熱性ポリイミドが形成される。
【0027】このようにして本発明の感光性樹脂組成物
は半導体用バッファーコート膜、多層配線板の層間絶縁
膜などに変換しうるものである。
【0028】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。
【0029】合成例1 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた100mlのフラ
スコに3,4′−ジアミノジフェニルエーテル9.89
17g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン0.6462
g、水2.2484g、キシレン14.60g及びN−
メチル−2−ピロリドン58.38gを加え、窒素流通
下、室温で撹拌溶解した後、この溶液にオキシジフタル
酸無水物16.4534gを添加し、5時間撹拌し粘稠
なポリアミド酸(ポリイミド前駆体)の溶液を得た。さ
らに、この溶液を70℃で加熱し粘度を80ポイズに調
節した。このポリマ溶液をP−1と呼ぶ。
【0030】合成例2 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた500mlのフラ
スコに2,4′−ジアミノジフェニルエーテル49.4
583g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン3.2308
g、キシレン72.10g及びN−メチル−2−ピロリ
ドン288.42gを加え、窒素流通下、室温で撹拌溶
解した後、この溶液にオキシジフタル酸無水物80.6
541gを添加し、5時間撹拌し粘稠なポリアミド酸
(ポリイミド前駆体)の溶液を得た。さらに、この溶液
を70℃で加熱し粘度を80ポイズに調節した。このポ
リマ溶液をP−2と呼ぶ。
【0031】合成例3 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた500mlのフラ
スコに3,3′−ジアミノジフェニルスルフォン57.
0855g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン3.007
1g、キシレン73.09g及びN−メチル−2−ピロ
リドン292.35gを加え、窒素流通下、室温で撹拌
溶解した後、この溶液にオキシジフタル酸無水物75.
0703gを添加し、5時間撹拌し粘稠なポリアミド酸
(ポリイミド前駆体)の溶液を得た。さらに、この溶液
を70℃で加熱し粘度を80ポイズに調節した。このポ
リマ溶液をP−3と呼ぶ。
【0032】合成例4 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた500mlのフラ
スコに4,4′−ジアミノジフェニルスルフォン57.
0855g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン3.007
1g、キシレン73.09g及びN−メチル−2−ピロ
リドン292.35gを加え、窒素流通下、室温で撹拌
溶解した後、この溶液にオキシジフタル酸無水物75.
0703gを添加し、5時間撹拌し粘稠なポリアミド酸
(ポリイミド前駆体)の溶液を得た。さらに、この溶液
を70℃で加熱し粘度を80ポイズに調節した。このポ
リマ溶液をP−4と呼ぶ。
【0033】合成例5 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた100mlのフラ
スコにメタフェニレンジアミン6.3697g、1,3
−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テト
ラメチルジシロキサン0.7704g、水2.6808
g、キシレン14.47g及びN−メチル−2−ピロリ
ドン57.88gを加え、窒素流通下、室温で撹拌溶解
した後、この溶液にオキシジフタル酸無水物19.61
76gを添加し、5時間撹拌し粘稠なポリアミド酸(ポ
リイミド前駆体)の溶液を得た。さらに、この溶液を7
0℃で加熱し粘度を80ポイズに調節した。このポリマ
溶液をP−5と呼ぶ。
【0034】合成例6 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた200mlのフラ
スコに4,4′−ジアミノジフェニルエーテル19.5
931g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン1.2799
g、水4.4536g、γ−ブチロラクトン29.26
g及びN−メチル−2−ピロリドン117.02gを加
え、窒素流通下、室温で撹拌溶解した後、この溶液にオ
キシジフタル酸無水物33.2295gを添加し、5時
間撹拌し粘稠なポリアミド酸(ポリイミド前駆体)の溶
液を得た。さらに、この溶液を70℃で加熱し粘度を8
0ポイズに調節した。このポリマ溶液をP−6と呼ぶ。
【0035】合成例7 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた100mlのフラ
スコに4,4′−ジアミノジフェニルエーテル11.9
841g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン0.7829
g、水2.7240g、キシレン14.48g及びN−
メチル−2−ピロリドン57.93gを加え、窒素流通
下、室温で撹拌溶解した後、この溶液にピロメリット酸
二無水物14.0161gを添加し、5時間撹拌し粘稠
なポリアミド酸(ポリイミド前駆体)の溶液を得た。さ
らに、この溶液を70℃で加熱し粘度を80ポイズに調
節した。このポリマ溶液をP−7と呼ぶ。
【0036】合成例8 撹拌機、温度計及び窒素導入管を備えた100mlのフラ
スコに4,4′−ジアミノジフェニルエーテル10.0
819g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサン0.6586
g、水2.2916g、キシレン14.41g及びN−
メチル−2−ピロリドン90.05gを加え、窒素流通
下、室温で撹拌溶解した後、この溶液にビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物15.9049gを添加し、5時
間撹拌し粘稠なポリアミド酸(ポリイミド前駆体)の溶
液を得た。さらに、この溶液を70℃で加熱し粘度を8
0ポイズに調節した、このポリマ溶液をP−8と呼ぶ。
【0037】合成例1〜8で得られたポリアミド酸(ポ
リイミド前駆体)の溶液P−1〜P−8の塗膜状態で
の、365nmにおける透過率を表1に示した。ポリアミ
ド酸の透過率は、ガラス基板上にポリアミド酸(ポリイ
ミド前駆体)の樹脂溶液をスピンコートし、85℃で3
分、さらに105℃で3分乾燥して得られた塗膜を、分
光光度計を用いて測定した。
【0036】
【表1】
【0039】実施例1〜6 合成例1〜6で得られたポリアミド酸(ポリイミド前駆
体)の溶液P−1〜P−6の各々10gに対して、表2
に示したように、MDAP、CA、EAB及びPDOを
所定量ずつ加え、撹拌混合して実施例1〜6に供する均
一な感光性樹脂組成物溶液を得た。
【0040】比較例1及び2 合成例7及び8で得られたポリアミド酸(ポリイミド前
駆体)の溶液P−7及びP−8各々10gに対して、表
2に示したようにMDAP、CA、EAB及びPDOを
所定量ずつ加え、撹拌混合して比較例1及び2に供する
均一な感光性樹脂組成物溶液を得た。
【0041】
【表2】
【0042】
【化15】
【0043】これらの各溶液をフィルタ濾過し、それぞ
れシリコンウエハ上に滴下スピンコートした。次にホッ
トプレートを用いて100℃、150秒加熱し20μm
の塗膜を形成した後、パターンマスクし、i線ステッパ
(i−lineステッパ)で露光した。これを、さらに11
0℃、50秒間、加熱し、N−メチル−2−ピロリドン
/水(重量比75/25)混合溶液を用いてパドル現像
した。これを、100℃で30分、200℃で30分、
窒素雰囲気下350℃で60分加熱してポリイミドのレ
リーフパターンを得た。
【0044】これらの評価結果を表3に示した。尚、解
像度、現像残膜率及び接着性は、以下の方法により評価
した。
【0045】解像度は、スルホールテストパターンを用
いて、現像可能なスルホールの最小の大きさとして評価
した。
【0046】現像残膜率は、現像前及び現像後の膜厚を
測定し、(現像後の膜厚/現像前の膜厚)×100
(%)で求めた。膜厚はスローン社製膜厚計Dektak−3
030を用いて測定した。
【0047】接着性は、感光性樹脂組成物をシリコンウ
エハ上に塗布し、100℃で30分、200℃で30
分、窒素雰囲気下350℃で60分加熱して得た塗膜
(膜厚:5μm)について、プレッシャクッカー試験
(条件:121℃、2気圧、100時間)を行った後の
碁盤目試験で評価した。
【0048】碁盤目試験は、カッタナイフで1mmで10
0個のます目ができるように碁盤目状の傷をつけ、これ
をJISに規定された(JIS K5400)セロテー
プで剥離し、100個のます目に対する残存したます目
の個数で表す方法である。
【0049】
【表3】
【0050】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物及びi線ステ
ッパ用感光性樹脂組成物は、光透過性が良好なポリアミ
ド酸を使用しているため、像形成性に優れ、特にi線に
よるパターン化に適している。また、これらから得られ
るポリイミドは、膜の機械特性、耐熱性、接着性等に優
れたものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 21/312 B 7352−4M

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)一般式(I) 【化1】 (式中、R1は 【化2】 を表し、R2は、2価の有機基を表す)で示される繰り
    返し単位を有するポリアミド酸及び(B)アミノ基を有
    するアクリル化合物を含む感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 一般式(I)において、R2が 【化3】 及び 【化4】 からなる群より選択される基である請求項1記載の感光
    性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 一般式(I)において、R2が 【化5】 である請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 一般式(I)において、R2が 【化6】 である請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 一般式(I)において、R2が 【化7】 である請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  6. 【請求項6】 一般式(I)において、R2が 【化8】 である請求項1記載の感光性樹脂組成物。
  7. 【請求項7】 さらに、光開始剤を含む請求項1、2、
    3、4、5及び6記載の感光性樹脂組成物。
  8. 【請求項8】 さらに、光開始剤及びアジド化合物を含
    む請求項1、2、3、4、5及び6記載の感光性樹脂組
    成物。
  9. 【請求項9】 さらに、光開始剤を含む請求項1、2、
    3、4、5及び6記載のi線(365nm)ステッパ用感
    光性樹脂組成物。
  10. 【請求項10】 さらに、光開始剤及びアジド化合物を
    含む請求項1、2、3、4、5及び6記載のi線(36
    5nm)ステッパ用感光性樹脂組成物。
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EP94306413A EP0642057B1 (en) 1993-09-03 1994-08-31 Photosensitive resin composition
DE69414787T DE69414787T2 (de) 1993-09-03 1994-08-31 Photoempfindliche Harzzusammensetzung
TW083108040A TW340913B (en) 1993-09-03 1994-09-01 Photosensitive resin composition particularly suitable for I-line exposure
TW087105520A TWI221945B (en) 1993-09-03 1994-09-01 A process for preparing a relief pattern
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US08/664,515 US5856059A (en) 1993-09-03 1996-06-17 Photosensitive resin composition
US09/136,610 US6194126B1 (en) 1993-09-03 1998-08-20 Pattern-forming process using photosensitive resin composition
US09/482,859 US20020004177A1 (en) 1993-09-03 2000-01-14 Photosensitive resin composition
US10/713,036 US7153631B2 (en) 1993-09-03 2003-11-17 Pattern-forming process using photosensitive resin composition

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160114085A (ko) * 2014-01-31 2016-10-04 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 신규 폴리이미드 조성물

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3687988B2 (ja) * 1993-09-03 2005-08-24 日立化成工業株式会社 i線ステッパ用感光性樹脂組成物
ES2146128B1 (es) * 1995-03-31 2001-03-16 Consejo Superior Investigacion Procedimiento de fotoenmascaramiento de poliimidas fotosensibles con compuestos organometalicos para procesos fotolitograficos en tecnologia de silicio.
US6071667A (en) * 1995-04-13 2000-06-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition containing a photosensitive polyamide resin
US6124074A (en) * 1999-03-11 2000-09-26 International Business Machines Corporation Photoresist compositions with cyclic olefin polymers and hydrophobic non-steroidal multi-alicyclic additives
US7169752B2 (en) * 2003-09-30 2007-01-30 New River Pharmaceuticals Inc. Compounds and compositions for prevention of overdose of oxycodone
JP4242597B2 (ja) * 2002-02-28 2009-03-25 株式会社日本触媒 不飽和アルデヒド合成用触媒とその製造方法、およびその触媒を用いた不飽和アルデヒドの製造方法
US7083195B2 (en) * 2002-10-25 2006-08-01 Invacare Corporation Suspension with releasable locking system
US7524617B2 (en) * 2004-11-23 2009-04-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Low-temperature curable photosensitive compositions
JP7367699B2 (ja) * 2018-11-28 2023-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 ポリイミド樹脂、ポリイミドワニス及びポリイミドフィルム

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952822B2 (ja) 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
GB2092164B (en) 1980-12-17 1984-12-05 Hitachi Ltd Loght or radiation-sensitive polymer composition
JPS57168942A (en) 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Photosensitive polymer composition
US4548891A (en) * 1983-02-11 1985-10-22 Ciba Geigy Corporation Photopolymerizable compositions containing prepolymers with olefin double bonds and titanium metallocene photoinitiators
DE3463576D1 (en) 1983-03-03 1987-06-11 Toray Industries Radiation sensitive polymer composition
JPS59160139A (ja) * 1983-03-04 1984-09-10 Hitachi Ltd 感光性重合体組成物
JPS6042425A (ja) * 1983-08-17 1985-03-06 Toray Ind Inc 化学線感応性重合体組成物
US5106720A (en) 1987-07-21 1992-04-21 Hoechst Celanese Corporation Base developable negative acting photoresists
JPH01172454A (ja) * 1987-12-28 1989-07-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 放射線感応組成物
JPH0336861A (ja) 1989-07-03 1991-02-18 Nec Corp 着信規制方式
JP2949813B2 (ja) * 1989-09-19 1999-09-20 東レ株式会社 化学線感応性重合体組成物
US5238784A (en) 1989-11-30 1993-08-24 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition with polyamic acid polymer
US5122436A (en) * 1990-04-26 1992-06-16 Eastman Kodak Company Curable composition
US5399460A (en) * 1991-12-04 1995-03-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Negative photoresists containing aminoacrylate salts
JP3084585B2 (ja) * 1991-12-09 2000-09-04 チッソ株式会社 ポリイミド系感光性カバーコート剤
US5472823A (en) 1992-01-20 1995-12-05 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition
DE4217688A1 (de) 1992-05-29 1993-12-02 Basf Lacke & Farben Durch Einwirkung von Strahlung vernetzendes Gemisch und dessen Verwendung zur Herstellung hochtemperaturbeständiger Reliefstrukturen
EP0718696B1 (en) 1992-07-22 2002-01-16 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Photosensitive polyimide precursor composition
EP0624826B1 (de) 1993-05-14 1997-07-16 OCG Microelectronic Materials Inc. Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen durch i-Linien-Bestrahlung
US5811218A (en) 1993-07-28 1998-09-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photoinitiator compositions including amino acids, coumarin and titanocene and photosensitive materials using the same
JP3687988B2 (ja) * 1993-09-03 2005-08-24 日立化成工業株式会社 i線ステッパ用感光性樹脂組成物
US5399655A (en) * 1993-10-29 1995-03-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive-working photodefinable polyimide precursors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160114085A (ko) * 2014-01-31 2016-10-04 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 신규 폴리이미드 조성물

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