JPH0535350A - 定電流源 - Google Patents

定電流源

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JPH0535350A
JPH0535350A JP3186753A JP18675391A JPH0535350A JP H0535350 A JPH0535350 A JP H0535350A JP 3186753 A JP3186753 A JP 3186753A JP 18675391 A JP18675391 A JP 18675391A JP H0535350 A JPH0535350 A JP H0535350A
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JP
Japan
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transistor
circuit
constant current
power supply
source
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JP3186753A
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Inventor
Tomohito Takahashi
智仁 高橋
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NEC Yamagata Ltd
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NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
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Abstract

(57)【要約】 【目的】小規模回路で、出力電流の変動を小さくする。 【構成】電源変動に左右されない定電圧源１を設ける。
これを駆動させるスタータ回路４を設ける。トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の変動を、前記電源変動に
よらず同一比率の電流を流すことにより、除去する回路
３を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は定電流源に関し、特に電
源電圧の変動と、ベース・エミッタ間の電圧の変動分Δ
ＶＢＥとを除去する機能を必要とする定電流源に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の定電流回路は、図２に示すよう
に、定電圧源１と、電源２と、温度特性補正用のトラン
ジスタＱ１，Ｑ２と、出力電流値を決める抵抗Ｒ１を含
む電流出力回路５とを有しているか、図３に示すよう
に、定電圧源１と、負帰還増幅器６と、出力電流値を決
める抵抗Ｒ１を含む電流出力回路５とを有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した図２の従来の
定電流源では、電源２の電圧が変動すると、温特補正用
のトランジスタＱ１，Ｑ２に流れる電流のバランスが崩
れ、その結果としてトランジスタＱ１，Ｑ２のΔＶＢＥ
が変化し、出力電流が変動するという欠点があった。
【０００４】また、図３の従来の定電流源においても、
負帰還増幅器６を用いれば前記欠点は解決できるもの
の、回路規模が大きく、かつ複雑になり、過渡応答時間
も長くなるという欠点があった。さらに回路規模が大き
くなることは、集積回路化した場合にチップ面積の増加
につながり、単価的，歩留的に不利となるという欠点が
あった。
【０００５】本発明の目的は、前記諸欠点を解決し、出
力電流の変動を小さくし、回路規模を小さくした定電流
源を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の定電流源の構成
は、電源変動に左右されない定電圧源と、前記定電圧源
を駆動させるスタータ回路と、トランジスタのベース・
エミッタ間電圧の変動を、前記電源変動によらず同一比
率の電流を流すことにより、除去する回路とを備えたこ
とを特徴とする。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の一実施例の定電流源を示す回
路図である。
【０００８】図１において、本実施例の定電流源は、定
電圧源１に接続された電源変動除去回路３と、スタータ
回路４と、定電流出力回路５とが、すべて電源２に接続
されている。
【０００９】定電圧源１の高電位側にトランジスタＱ５
のエミッタが接続される。トランジスタＱ５のベースに
トランジスタＱ９のエミッタ及びトランジスタＱ６のベ
ースが接続され、トランジスタＱ５のコレクタにトラン
ジスタＱ９のベース及びトランジスタＱ３のコレクタが
接続される。
【００１０】トランジスタＱ６のエミッタに抵抗Ｒ１が
接続され、トランジスタＱ６のコレクタに、トランジス
タＱ８のベース及びトランジスタＱ４のコレクタが接続
される。トランジスタＱ８のエミッタにはトランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のベースが接続される。
【００１１】トランジスタＱ９のコレクタに抵抗Ｒ２の
一方が接続され、抵抗Ｒ２の他方が高電位柄電源に接続
される。トランジスタＱ８のコレクタが、抵抗Ｒ３の一
方に接続され、抵抗Ｒ３の他方が、低電位側電源に接続
される。トランジスタＱ３のエミッタに抵抗Ｒ４の一方
が、トランジスタＱ４のエミッタに抵抗Ｒ５の一方が接
続され、抵抗Ｒ４，Ｒ５の他方が高電位側電源に接続さ
れる。抵抗Ｒ１の他方が低電位側電源に接続される。
【００１２】以上までが、電源変動除去回路３の構成と
なる。
【００１３】次にスタータ回路４の構成を示す。トラン
ジスタＱ７のコレクタがトランジスタＱ６のコレクタ
に、ベースがダイオードＤ１のカソード側及び、ダイオ
ードＤ２のアノード側に、エミッタがトランジスタＱ６
のエミッタにそれぞれ接続される。
【００１４】ダイオードＤ２のカソート側が低電位側電
源に接続される。ダイオードＤ１のアノード側が抵抗６
の一方に接続され、抵抗Ｒ６の他方が高電位側電源に接
続される。以上がスタータ回路４の説明である。
【００１５】次に定電流出力回路５の構成を示す。トラ
ンジスタＱ１０，Ｑｎ−１，Ｑｎのベースが、トランジ
スタＱ４のベースに接続される。トランジスタＱ１０の
エミッタに抵抗Ｒ７の一方が、トランジスタＱｎ−１の
エミッタに抵抗Ｒｍ−１の一方が、トランジスタＱｎの
エミッタに抵抗Ｒｍの一方がそれぞれ接続され、抵抗Ｒ
７，Ｒｍ−１，Ｒｍの他方がすべて高電位側電源に接続
される。トランジスタＱ１０，Ｑｎ−１，Ｑｎのコレク
タが、それぞれ定電流出力端子７となる。
【００１６】次に回路動作について説明する。まず電源
２に電圧が生じると、スタータ回路４により、本実施例
の定電流回路が動作状態となる。スタータ回路はトラン
ジスタＱ６のベース電位がトランジスタＱ７のベース電
位より高くなると、トランジスタＱ７がカットオフし、
自動的に機能を停止する。
【００１７】定電流源が動作状態となったとき、抵抗Ｒ
１によって出力電流値が決められる。この電流をトラン
ジスタＱ４，Ｑ３によりトランジスタＱ５に供給し、定
電流源１の駆動電流とする。このとき、トランジスタＱ
５とＱ６，及びトランジスタＱ３とＱ４との電流密度が
同一になるように設計すれば、この２組のトランジスタ
のΔＶＢＥは０Ｖとなり、ΔＶＢＥの影響は無くするこ
とができる。
【００１８】また電源２の電圧が変動しても、抵抗Ｒ１
によって決まる電流値は一定であり、この電流がそのま
まトランジスタＱ５に帰ってくるため、電源変動の影響
も無くすことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電源変
動除去回路とスタータ回路とを付けることにより、電源
変動及びΔＶＢＥの変動による出力電流の変化を無くす
ことができるという効果がある。
【００２０】また、従来の負帰還増幅器６を用いる場合
にくらべて、回路規模を小さく、また簡略化でき、さら
に位相補償用の容量が無いため、過渡応答時間を短かく
できるという効果がある。
【００２１】また、回路規模が小さくなるということ
は、集積回路化した場合にチップ面積が少なくてすむと
いうことになり、単価的，歩留的に有利になるという効
果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の定電流源を示す回路図であ
る。
【図２】従来の定電流源の一例を示す回路図である。
【図３】従来の定電流源の他例を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 定電圧源 ２ 電源 ３ 電源変動除去回路 ４ スタータ回路 ５ 定電流出力回路 ６ 負帰還増幅器 ７ 定電流出力端子

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 電源変動に左右されない定電圧源と、前
    記定電圧源を駆動させるスタータ回路と、トランジスタ
    のベース・エミッタ間電圧の変動を、前記電源変動によ
    らず同一比率の電流を流すことにより、除去する回路と
    を備えたことを特徴とする定電流源。
JP3186753A 1991-07-26 1991-07-26 定電流源 Pending JPH0535350A (ja)

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JP3186753A JPH0535350A (ja) 1991-07-26 1991-07-26 定電流源
EP92111678A EP0524498B1 (en) 1991-07-26 1992-07-09 Constant-current source
DE69203169T DE69203169T2 (de) 1991-07-26 1992-07-09 Konstantstromquelle.
US07/917,422 US5293112A (en) 1991-07-26 1992-07-23 Constant-current source

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2670338B1 (fr) * 1990-12-07 1993-03-26 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de protection programmable et sa realisation monolithique.
JPH0575386A (ja) * 1991-09-18 1993-03-26 Fujitsu Ltd 遅延回路
GB9223338D0 (en) * 1992-11-06 1992-12-23 Sgs Thomson Microelectronics Low voltage reference current generating circuit
JP3091801B2 (ja) * 1993-02-09 2000-09-25 松下電器産業株式会社 電流発生装置
JP3318105B2 (ja) * 1993-08-17 2002-08-26 三菱電機株式会社 起動回路
EP0645686B1 (de) * 1993-09-21 2000-03-22 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum Versorgen von elektrischen Verbrauchern mit einer konstanten Spannung
DE4344447B4 (de) * 1993-12-24 2009-04-02 Atmel Germany Gmbh Konstantstromquelle
DE19529059A1 (de) * 1995-08-08 1997-02-13 Philips Patentverwaltung Stromspiegelanordnung
US5760639A (en) * 1996-03-04 1998-06-02 Motorola, Inc. Voltage and current reference circuit with a low temperature coefficient
US5815028A (en) * 1996-09-16 1998-09-29 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for frequency controlled bias current
DE10011670A1 (de) * 2000-03-10 2001-09-20 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung, insbesondere Bias-Schaltung
FR2821443B1 (fr) 2001-02-26 2003-06-20 St Microelectronics Sa Source de courant apte a fonctionner sous faible tension d'alimentation et a variation de courant avec la tension d'alimentation quasi nulle
US7671667B2 (en) * 2007-04-20 2010-03-02 Texas Instruments Incorporated Rapidly activated current mirror system
JP5762205B2 (ja) * 2011-08-04 2015-08-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体集積回路
KR20130036554A (ko) * 2011-10-04 2013-04-12 에스케이하이닉스 주식회사 레귤레이터 및 고전압 발생기
TWI605325B (zh) * 2016-11-21 2017-11-11 新唐科技股份有限公司 電流源電路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58144920A (ja) * 1982-02-23 1983-08-29 Toshiba Corp 定電流回路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4051392A (en) * 1976-04-08 1977-09-27 Rca Corporation Circuit for starting current flow in current amplifier circuits
US4525683A (en) * 1983-12-05 1985-06-25 Motorola, Inc. Current mirror having base current error cancellation circuit
US4618816A (en) * 1985-08-22 1986-10-21 National Semiconductor Corporation CMOS ΔVBE bias current generator
GB2186452B (en) * 1986-02-07 1989-12-06 Plessey Co Plc A bias current circuit,and cascade and ring circuits incorporating same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58144920A (ja) * 1982-02-23 1983-08-29 Toshiba Corp 定電流回路

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Publication number Publication date
US5293112A (en) 1994-03-08
EP0524498B1 (en) 1995-06-28
DE69203169D1 (de) 1995-08-03
EP0524498A2 (en) 1993-01-27
EP0524498A3 (en) 1993-07-14
DE69203169T2 (de) 1996-03-14

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