TWI605325B - 電流源電路 - Google Patents

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TWI605325B TW105138030A TW105138030A TWI605325B TW I605325 B TWI605325 B TW I605325B TW 105138030 A TW105138030 A TW 105138030A TW 105138030 A TW105138030 A TW 105138030A TW I605325 B TWI605325 B TW I605325B
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Description

電流源電路
本發明是有關於一種電源電路，且特別是有關於一種電流源電路。
在類比電路的設計中，都需要參考用的電壓或電流。參考電壓提供一個運作的準則，類比電路例如振盪器（oscillator）、延遲胞（delay cell）等。並且，受限於製程的影響，類比電路的特性可能會有落差，影響類比電路的設計。此外，隨著製程的演進，單位面積內所含的電晶體數目越來越多，使得電路在運作時產生的熱能越來越大，進而電路的溫度也因此越來越高。由於溫度的升高，積體電路中元件的特性可能會劣化，導致電路的表現會不穩定。因此，若在類比電路中使用穩定且不受溫度影響的偏壓電流，則可降低電路設計的困難度。
本發明提供一種電流源電路，可提供與溫度無關的偏壓電流。
本發明的電流源電路，包括一第一電流鏡、一第一接面電晶體、一第二接面電晶體、一第三接面電晶體及一第一電阻。第一電流鏡具有接收一第一電流的一第一輸入端，以及提供一第二電流的一第一輸出端，其中第二電流的電流值相同於第一電流的電流值。第一接面電晶體具有耦接第一輸出端的一第一集極、一第一基極、以及耦接一參考電壓的一第一射極。第二接面電晶體具有耦接第一輸入端的一第二集極、耦接第一基極的一第二基極、以及一第二射極。第一電阻耦接於第二射極與參考電壓之間。第三接面電晶體具有提供一第三電流的一第三集極、耦接第一輸出端的一第三基極、以及耦接第一基極的一第三射極，其中第三電流用以設定一類比電路的一偏壓電流的電流值
基於上述，本發明實施例的電流源電路，其主要是由第一電流鏡、第一接面電晶體、第二接面電晶體、第一電阻及第三接面電晶體所構成，並且基於接面電晶體的增益值的正溫度係數特性，構成有溫度補償的電流源電路。藉此，電流源電路可提供與溫度無關的偏壓電流。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為依據本發明一實施例的電流源電路的電路示意圖。請參照圖1A，在本實施例中，電流源電路100包括第一電流鏡110、第二電流鏡120、第一接面電晶體BT1、第二接面電晶體BT2、第一電阻R1及第三接面電晶體BT3。
第一電流鏡110具有接收第一電流I 1的第一輸入端TI1，以及提供第二電流I 2的第一輸出端TO1，其中第二電流I 2的電流值會相同於第一電流I 1的電流值。第一接面電晶體BT1具有耦接第一輸出端TO1的第一集極、第一基極、以及耦接參考電壓VR的第一射極，其中參考電壓VR例如為接地電壓GND。第二接面電晶體BT2具有耦接第一輸入端TI1的第二集極、耦接第一接面電晶體BT1的第一基極的第二基極、以及第二射極。第一電阻R1耦接於第二接面電晶體BT2的第二射極與參考電壓VR之間。
第三接面電晶體BT3具有提供第三電流I 3的第三集極、耦接第一輸出端TO1的第三基極、以及耦接第一接面電晶體BT1的第一基極的第三射極。第二電流鏡120具有接收第三電流I 3的第二輸入端TI2、以及提供偏壓電流I bias至類比電路10的第二輸出端TO2。在此，透過第二電流鏡120的鏡射功能，第三電流I 3可用以設定類比電路10所接收的偏壓電流I bias的電流值，亦即偏壓電流I bias的電流值會相同於第三電流I 3的電流值。
依據上述，本發明是以接面電晶體（bipolar junction transistor, BJT）的元件特性為基礎，透過簡單的電流鏡架構，得到有溫度補償的電流源電路100，以提供偏壓電流I bias至類比電路10由於接面電晶體的增益值β是正溫度係數（proportional to absolute temperature, PTAT），亦即流經第一電阻R1的第四電流I 4會大致與溫度呈正比。
進一步來，當電流源電路100的工作溫度上升時，第四電流I 4的電流值會增加，因此流進第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極的電流應該要增加以補充電流的不足；當電流源電路100的工作溫度下降時，則流進第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極的電流應該要變小，以控制第一電流鏡110、第一接面電晶體BT1、第二接面電晶體BT2及第三接面電晶體BT3的穩定工作點。
由於電晶體的增益值β與溫度呈正比，所以在電流源電路100的工作溫度上升時，原本應該增加的基極電流，因為第一接面電晶體BT1及第二接面電晶體BT2的增益值β的增加而不用增加。反之，在電流源電路100的工作溫度下降時，第一接面電晶體BT1及第二接面電晶體BT2的增益值β會變小，但第三接面電晶體BT3的第三集極的電流會增加，以遞補第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極所缺少的電流。藉此，在電路運作穩定後，第三接面電晶體BT3的第三集極的電流會呈現溫度補償效應，而電流值曲線會接近平坦。接著，再經由第二電流鏡120鏡射出偏壓電流I bias給類比電路10使用。
以電路分析角度來說，第一接面電晶體BT1及第二接面電晶體BT2具有一比例值n，並且構成正溫度係數的電壓差，亦即電壓差ΔV BE(BT1-BT2)=V BE1-V BE2=V Tln(n)，V BE1為第一接面電晶體BT1的第一基極與第一射極的電壓差，V BE2為第二接面電晶體BT2的第二基極與第二射極的電壓差，V T為接面電晶體的熱電壓(THERMAL VOLTAGE)，n為正整數，且其值視電路設計而定。
由於第一電流鏡110的關係，第一接面電晶體BT1的第一集極的電流會等於第二接面電晶體BT2的第二集極的電流，亦即I C1=I C2=ΔV BE(BT1-BT2)/R 1，其中I C1是第一接面電晶體BT1的第一集極的電流，I C2是第二接面電晶體BT2的第二集極的電流，R 1是第一電阻R1的電阻值。而電晶體的增益值β與溫度可以定義為β=I C/I B=I S/I B*exp(V BE/V T)，I C是接面電晶體的集極的電流，I B是接面電晶體的基極的電流，I S是接面電晶體的飽和電流，V BE是接面電晶體的基極與射極間的電壓差。
由於第三接面電晶體BT3的第三集極耦接至第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極，並且第一接面電晶體BT1的第一集極的電流會等於第二接面電晶體BT2的第二集極的電流，因此第三接面電晶體BT3的第三集極的電流I C3=I B1+I B2=2I C2/β=2ΔV BE(BT1-BT2)/(βR 1)=2V Tln(n)/(βR 1)。
依據上述，電流源電路100的溫度係數是相關於接面電晶體的基極與射極間的電壓差V BE，因此可透過調整上述參數n來消除溫度系數。
在本發明的一實施例中，第一電阻R1的類型可以與溫度正相關、溫度負相關或與溫度無關。進一步來說，由於負溫度系數的第一電阻R1可以在低n值產生較高的正溫度斜率的第四電流I 4，因此負溫度系數的第一電阻R1較佳於正溫度系數的第一電阻R1。但是，當n值夠大以使ΔV BE(BT1-BT2)的正溫度係數大於第一電阻R1的電阻值的正溫度系數時，第一電阻R1也可以是正溫度系數。
由於電晶體的增益值β是製程參數，且從矽測量資料中取得，亦即可直接由元件模式檔案中擷取。電晶體的增益值β可以定義為β F(T)=β F0(T/Tr)^X TB，其中β F(T)為順向增益值，β F0(T/Tr)為計算額定增益值的函數，X TB為順向及逆向的增益值溫度指數。在本發明的一實施例中，當X TB=0.0001(亦即1e-4)時，n值及第一電阻R1是需要調整以最佳化溫度補償，事實上，n值可以設定為8，亦即第一接面電晶體BT1與第二接面電晶體BT2的飽和電流比值約為1:8。
在本實施例中，第一電流鏡110包括第一金氧半電晶體M1及第二金氧半電晶體M2。第一金氧半電晶體M1具有接收系統電壓VDD的源極（對應第一源/汲極）、第一閘極、以及耦接第一閘極及第一輸入端TI1的汲極（對應第二源/汲極）。第二金氧半電晶體M2具有接收系統電壓VDD的源極（對應第三源/汲極）、耦接第一金氧半電晶體M1的閘極的第二閘極、以及耦接第一輸出端TO1的汲極（對應第二源/汲極）。
在本實施例中，第二電流鏡120包括第三金氧半電晶體M3及第四金氧半電晶體M4。第三金氧半電晶體M3具有接收系統電壓VDD的源極（對應第五源/汲極）、第三閘極、以及耦接第三閘極及第二輸入端TI2的汲極（對應第六源/汲極）。第四金氧半電晶體M4具有接收系統電壓VDD的源極（對應第七源/汲極）、耦接第三金氧半電晶體M3的第三閘極的第四閘極、以及耦接第二輸出端TO2的汲極（對應第八源/汲極）。
圖1B為依據本發明一實施例的偏壓電流、電晶體增益值與第四電流相對於溫度的曲線示意圖。請參照圖1A及圖1B，在本實施例中，曲線S111為偏壓電流I bias的溫度曲線，曲線S113為第四電流I 4隨溫度上升的速率，曲線S115為第二接面電晶體BT2的增益值β隨溫度上升的速率。當電流源電路100的工作溫度較高時，第二接面電晶體BT2的增益值β隨溫度上升的速率會大於第四電流I 4隨溫度上升的速率，因此第二接面電晶體BT2的第二基極的電流會變小；當電流源電路100的工作溫度較低時，第二接面電晶體BT2的增益值β隨溫度上升的速率會小於第四電流I 4隨溫度上升的速率，因此第二接面電晶體BT2的第二基極的電流會變大。
請參照圖1B，為了使偏壓電流I bias呈現平坦，曲線S113（亦即第四電流I 4隨溫度上升的速率）與曲線S115（亦即第二接面電晶體BT2的增益值β隨溫度上升的速率）會出現交叉點，因此曲線S113的斜率要低於曲線S115的斜率，亦即流經第一電阻R1的第四電流I 4隨溫度上升的速率小於第二接面電晶體BT2的增益值隨溫度上升的速率。
圖1C為依據本發明一實施例的不同製程變數(TT, FF, SS, FS, SF)的偏壓電流相對於溫度的模擬示意圖。請參照圖1A及圖1C，在本實施例中，所模擬偏壓電流I bias的電流值大致為7.5nA（奈安培）、8.5nA、12nA。透過電路模擬，偏壓電流I bias在溫度-40~125℃之間，電流波形會呈現平坦狀，而電流的擺盪大致為1nA，亦即電流的擺盪比例為10％。其中，TT代表typical-typical，FF代表fast-fast，SS代表slow-slow，FS代表fast-slow，以及SF代表slow-fast。
圖2A為依據本發明另一實施例的電流源電路的電路示意圖。請參照圖2A與圖1A，電流源電路200大致相同於電流源電路100，其不同之處在於電流源電路200更包括啟動電路210，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，啟動電路210耦接第一接面電晶體BT1的第一基極且接收啟動信號EN。當啟動信號EN致能時，於預設時間內提供啟動電流I st至第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極，並且在電流源穩定後自行停止提供啟動電流I st。
進一步來說，啟動電路210包括第五金氧半電晶體M5、第六金氧半電晶體M6、第一電容C1、控制邏輯電路211及第一開關213。第五金氧半電晶體M5具有耦接第一輸入端TI1的源極（對應第九源/汲極）、第五閘極、以及耦接第一接面電晶體BT1的第一基極的汲極（對應第十源/汲極）。第六金氧半電晶體M6具有接收系統電壓VDD的源極（對應第十一源/汲極）、耦接第一電流鏡110的第一金氧半電晶體M1的第一閘極的第六閘極、以及汲極（對應第十二源/汲極）。
第一電容C1耦接於第六金氧半電晶體M6的汲極與參考電壓VR之間，以提供電容電壓VC。控制邏輯電路210耦接收第一電容C1以提供電容電壓VC，且耦接第五金氧半電晶體M5的第五閘極以提供開關信號SSW至第五金氧半電晶體M5的第五閘極，其中當電容電壓VC小於啟動臨界值時，控制邏輯電路210致能開關信號SSW，當電容電壓VC大於等於啟動臨界值時，禁能開關信號SSW。第一開關213具有耦接第一電容C1的第一端T1、接收啟動信號EN的控制端TC、以及接收參考電壓VR的第二端T2。其中，啟動臨界值例如是1/2VDD。
在本實施例中，控制邏輯電路211包括反相器INV1及反互斥或閘XNOR1。反相器INV1的輸入端接收電容電壓VC。反互斥或閘XNOR1的輸入端耦接反相器INV1的輸出端及接收啟動信號EN的反相信號ENB，反互斥或閘XNOR的輸出端提供開關信號SSW。其中，反相信號ENB可以由電流源電路200外部的電路所提供，也可以在電流源電路200內部配置反相電路或反相器來產生，此可依據電路設計而定，本發明實施例不以此為限。
在本實施例中，第一開關213包括第七金氧半電晶體M7。第七金氧半電晶體M7具有耦接第一電容C1的汲極（對應第十三源/汲極）、接收啟動信號EN的反相信號ENB的第七閘極、以及接收參考電壓VR的源極（對應第十四源/汲極）。
依據上述，啟動電路210的預設時間等於電容電壓VC由參考電壓VR上升至高準位電壓範圍（例如1/2VDD以上）的充電時間，亦即啟動電路210的預設時間正比於第一電容C1的電容值且反比於第一電流I 1的電流值。
進一步來說，在啟動信號EN致能前，亦即啟動信號EN為禁能，在此例如啟動信號EN為低電壓準位，而反相信號ENB為高電壓準位。此時，第七金氧半電晶體M7會呈現導通，以致於電容電壓VC會為0（視為低電壓準位）。並且，反相器INV1會輸出高電壓準位，反互斥或閘XNOR1會輸出高電壓準位的開關信號SSW，以關閉第五金氧半電晶體M5。
在啟動信號EN致能時，在此例如啟動信號EN為高電壓準位，而反相信號ENB為低電壓準位。此時，第七金氧半電晶體M7會呈現截止，而第六金氧半電晶體M6的汲極的電流會對第一電容C1進行充電，以致於電容電壓VC會上升，其中第六金氧半電晶體M6的汲極的電流會鏡射第一電壓I 1。
在電容電壓VC上升至高準位電壓範圍前，電容電壓VC可視為低電壓準位。此時，反相器INV1會輸出高電壓準位，反互斥或閘XNOR1會輸出低電壓準位的開關信號SSW，以導通第五金氧半電晶體M5。當第五金氧半電晶體M5導通時，部分的第一金氧半電晶體M1的汲極的電流會流至第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極，以使第三接面電晶體BT3的第三射極的電流會快速上升。
當電容電壓VC上升至高準位電壓範圍時，電容電壓VC可視為高電壓準位。此時，反相器INV1會輸出低電壓準位，反互斥或閘XNOR1會輸出高電壓準位的開關信號SSW，以截止第五金氧半電晶體M5。
圖2B為依據本發明一實施例的偏壓電流在製程變數與高低溫度相對於工作時間的曲線示意圖。圖2C為依據本發明另一實施例的偏壓電流在製程變數與高低溫度相對於工作時間的曲線示意圖。請參照圖1A、圖2A至圖2C，當電流源電路沒有啟動電路時（如電流源電路100），電流源電路100的第一接面電晶體BT1、第二接面電晶體BT2及第三接面電晶體BT3的電流靠著增益迴路逐漸上升。進一步來說，第三接面電晶體BT3的第三基極的電流增益後產生第三接面電晶體BT3的第三射極的電流，而第三接面電晶體BT3的第三射極的電流等於第一接面電晶體BT1的第一基極的電流及第二接面電晶體BT2的第二基極的電流，以致於第二接面電晶體BT2的第二射極的電流（大致等於第一電流I 1）會上升，進而第二電流I 2會上升。
在同一製程下，電流源電路100透過第一接面電晶體BT1、第二接面電晶體BT2及第三接面電晶體BT3所形成的增益迴路，偏壓電流I bias會逐漸上升至目標電流值（在此以5nA為例），而電流源電路100花費的時間約為260ms（毫秒）；而電流源電路200透過啟動電路210提供啟動電流I st至第一接面電晶體BT1的第一基極及第二接面電晶體BT2的第二基極，可加速偏壓電流I bias上升至目標電流值的速度，而電流源電路200花費的時間約為130ms（毫秒），亦即電流源電路200花費的時間約為電流源電路100花費的時間的一半。
綜上所述，本發明實施例的電流源電路，其主要是由第一電流鏡、第一接面電晶體、第二接面電晶體、第一電阻及第三接面電晶體所構成，並且基於接面電晶體的增益值的正溫度係數特性，構成有溫度補償的電流源電路。藉此，電流源電路可提供與溫度無關的偏壓電流。而且，本發明的電流源電路只有第一電阻的其中一端與第一接面電晶體的第一射極共兩個接腳耦接參考電壓(例如為接地電壓)，故可減少操作電流。並且，透過啟動電路提供額外的啟動電流至第一接面電晶體及第二接面電晶體的基極，以加速偏壓電流的上升。此外，本發明可藉由關閉第五金氧半電晶體來關閉啟動電路，故啟動電路不會持續產生啟動電流。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧類比電路
100、200‧‧‧電流源電路
110‧‧‧第一電流鏡
120‧‧‧第二電流鏡
210‧‧‧啟動電路
211‧‧‧控制邏輯電路
213‧‧‧第一開關
BT1‧‧‧第一接面電晶體
BT2‧‧‧第二接面電晶體
BT3‧‧‧第三接面電晶體
C1‧‧‧第一電容
EN‧‧‧啟動信號
ENB‧‧‧反相信號
GND‧‧‧接地電壓
I1‧‧‧第一電流
I2‧‧‧第二電流
I3‧‧‧第三電流
I4‧‧‧第四電流
Ibias‧‧‧偏壓電流
INV1‧‧‧反相器
Ist‧‧‧啟動電流
M1‧‧‧第一金氧半電晶體
M2‧‧‧第二金氧半電晶體
M3‧‧‧第三金氧半電晶體
M4‧‧‧第四金氧半電晶體
M5‧‧‧第五金氧半電晶體
M6‧‧‧第六金氧半電晶體
M7‧‧‧第七金氧半電晶體
R1‧‧‧第一電阻
S111、S113、S115‧‧‧曲線
SSW‧‧‧開關信號
T1‧‧‧第一端
T2‧‧‧第二端
TC‧‧‧控制端
TI1‧‧‧第一輸入端
TI2‧‧‧第二輸入端
TO1‧‧‧第一輸出端
TO2‧‧‧第二輸出端
VC‧‧‧電容電壓
VDD‧‧‧系統電壓
VR‧‧‧參考電壓
XNOR1‧‧‧反互斥或閘
圖1A為依據本發明一實施例的電流源電路的電路示意圖。 圖1B為依據本發明一實施例的偏壓電流、電晶體增益值與第四電流相對於溫度的曲線示意圖。 圖1C為依據本發明一實施例的不同製程變數(TT, FF, SS, FS, SF)的偏壓電流相對於溫度的模擬示意圖。 圖2A為依據本發明另一實施例的電流源電路的電路示意圖。 圖2B為依據本發明一實施例的偏壓電流在製程變數與高低溫度相對於工作時間的曲線示意圖。 圖2C為依據本發明另一實施例的偏壓電流在製程變數與高低溫度相對於工作時間的曲線示意圖。
10‧‧‧類比電路
100‧‧‧電流源電路
110‧‧‧第一電流鏡
120‧‧‧第二電流鏡
BT1‧‧‧第一接面電晶體
BT2‧‧‧第二接面電晶體
BT3‧‧‧第三接面電晶體
GND‧‧‧接地電壓
I1‧‧‧第一電流
I2‧‧‧第二電流
I3‧‧‧第三電流
I4‧‧‧第四電流
Ibias‧‧‧偏壓電流
M1‧‧‧第一金氧半電晶體
M2‧‧‧第二金氧半電晶體
M3‧‧‧第三金氧半電晶體
M4‧‧‧第四金氧半電晶體
R1‧‧‧第一電阻
TI1‧‧‧第一輸入端
TI2‧‧‧第二輸入端
TO1‧‧‧第一輸出端
TO2‧‧‧第二輸出端
VDD‧‧‧系統電壓
VR‧‧‧參考電壓

Claims (10)

  1. 一種電流源電路，包括：一第一電流鏡，具有接收一第一電流的一第一輸入端，以及提供一第二電流的一第一輸出端，其中該第二電流的電流值相同於該第一電流的電流值；一第一接面電晶體，具有耦接該第一輸出端的一第一集極、一第一基極、以及耦接一參考電壓的一第一射極；一第二接面電晶體，具有耦接該第一輸入端的一第二集極、耦接該第一基極的一第二基極、以及一第二射極；一第一電阻，耦接於該第二射極與該參考電壓之間；以及一第三接面電晶體，具有提供一第三電流的一第三集極、耦接該第一輸出端的一第三基極、以及耦接該第一基極的一第三射極，其中該第三電流用以設定一類比電路的一偏壓電流的電流值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電流源電路，其中該第一電流鏡包括：一第一金氧半電晶體，具有接收一系統電壓的一第一源極、一第一閘極、以及耦接該第一閘極及該第一輸入端的一第一汲極；以及一第二金氧半電晶體，具有接收該系統電壓的一第二源極、耦接該第一閘極的一第二閘極、以及耦接該第一輸出端的一第二汲極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電流源電路，更包括： 一第二電流鏡，具有接收該第三電流的一第二輸入端、以及提供該偏壓電流至該類比電路的一第二輸出端。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電流源電路，其中該第二電流鏡包括：一第三金氧半電晶體，具有接收一系統電壓的一第三源極、一第三閘極、以及耦接該第三閘極及該第二輸入端的一第三汲極；以及一第四金氧半電晶體，具有接收該系統電壓的一第四源極、耦接該第三閘極的一第四閘極、以及耦接該第二輸出端的一第四汲極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電流源電路，更包括一啟動電路，耦接該第一基極且接收一啟動信號，當該啟動信號致能時，於一預設時間內提供一啟動電流至該第一基極，並且在該預設時間後停止提供該啟動電流。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的電流源電路，其中該啟動電路包括：一第五金氧半電晶體，具有耦接該第一輸入端的一第五源極、一第五閘極、以及耦接該第一基極的一第五汲極；一第六金氧半電晶體，具有接收一系統電壓的一第六源極、耦接該第一電流鏡的一第六閘極、以及一第六汲極；一第一電容，耦接於該第六汲極與該參考電壓之間，以提供一電容電壓； 一控制邏輯電路，耦接該第一電容以提供該電容電壓，且耦接該第五閘極以提供一開關信號至該第五閘極，其中當該電容電壓小於一啟動臨界值時，致能該開關信號，當該電容電壓大於等於該啟動臨界值時，禁能該開關信號；以及一第一開關，具有耦接該第一電容的一第一端、接收該啟動信號的一控制端、以及接收該參考電壓的一第二端。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電流源電路，其中該控制邏輯電路包括：一反相器，該反相器的輸入端接收該電容電壓；以及一反互斥或閘，該反互斥或閘的輸入端耦接該反相器的輸出端及接收該啟動信號的反相信號，該反互斥或閘的輸出端提供該開關信號。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電流源電路，其中該預設時間正比於該第一電容的電容值且反比於該第一電流的電流值。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的電流源電路，其中VBE1-VBE2=VTln(n)，VBE1為該第一基極與該第一射極的電壓差，VBE2為該第二基極與該第二射極的電壓差，VT為接面電晶體的熱電壓(thermal voltage)，n為正整數。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的電流源電路，其中流經該第一電阻的一第四電流隨溫度上升的速率小於該第二接面電晶體的增益值隨溫度上升的速率。
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