JP5762205B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

Description

本発明は半導体集積回路に係り、特に、定電流回路を起動する半導体集積回路に関するものである。

定電流回路を起動する回路を備えた半導体集積回路として、例えば、特許文献１は、図５に示すように２つの第１導電型のトランジスタ（ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ）Ｍ１'，Ｍ２'により構成される第１のカレントミラー回路１０１'と、２つの第２導電型のトランジスタ（ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ）Ｍ３'，Ｍ４'により構成される第２のカレントミラー回路１０２'とからなる定電流回路部１１２、及びスタートアップ回路１１４を備えた構成を開示している。図５に示す半導体集積回路は、カレントミラー回路を構成するトランジスタとして閾値電圧Ｖｔの低いトランジスタを使用した場合、電源電圧の立ち上がりが遅いとき、定電流回路にスタートアップ電流を供給できず、定電流回路を起動できないという問題を解決する構成である。

すなわち、図５に示す半導体集積回路は、静電容量素子Ｃ１'へ電荷がチャージされる前にトランジスタＭ５'がオン状態（導通状態）となることで、トランジスタＭ５'のオン電流をスタートアップ電流として定電流回路部１１２へ供給し、定電流回路部の起動をかけている。起動後は、ノードＮ４'は電源電圧レベルまでチャージされ、トランジスタＭ５'は非導通状態となり、定電流回路部は所定の動作点で安定する。ここでは、トランジスタＭ７'として閾値電圧Ｖｔの高いトランジスタを使用することで、電源の立ち上がりが遅い場合、高温時のリーク電流によるノードＮ４'の電位上昇を防ぎ、その間にトランジスタＭ５'のゲート-ソース間電圧（Ｖｇｓ）がＶｔを超えて、定電流回路部１１２に起動電流を供給している。

特開２００９−１４０２６１号公報

しかしながら、上記従来の半導体集積回路は、電源の立ち上がりが遅い場合、一方の端子がノードＮ４'に接続された静電容量素子（コンデンサ）Ｃ１'に対して、トランジスタＭ７'のサブスレッショルド領域（弱反転領域ともいう）での電流、すなわち、トランジスタＭ７'のゲート電圧がＶｔ以下でもソース-ドレイン間に流れる電流によって充電が行われる。その結果、ノードＮ４'は、例えば、図６において二点鎖線で示すように、電源電圧ＶＤＤの立ち上がりに対して傾きは異なるが、充電により上昇する電位を持つ。図６において、Ａ点からＢ点までの間で、ＶＤＤよりノードＮ４'の電位Ｖ_Ｎ４を減じた電位（ＶＤＤ−Ｖ_Ｎ４）は、トランジスタＭ５'のゲート-ソース間電圧Ｖｇｓである。したがって、トランジスタＭ５'のゲート-ソース間電圧Ｖｇｓ（Ｖｇｓ５と記す）と、トランジスタＭ７'のゲート-ソース間電圧Ｖｇｓ（Ｖｇｓ７と記す）には、Ｖ_Ｎ４の電位差が生じる。

トランジスタＭ７'の弱反転領域でのドレイン電流は、ゲート-ソース間電圧Ｖｇｓの増加に対して指数関数的に増加する特性を有することが知られている。そのため、トランジスタＭ７'のＶｇｓ７（＝ＶＤＤ）とトランジスタＭ５'のＶｇｓ５（＝ＶＤＤ−Ｖ_Ｎ４）の差が定電流回路の起動電流の挿入に対して重要となる。上記従来の定電流回路の起動電流挿入期間は、ＶＤＤの上昇が図６のＡ点（定電流回路の動作開始点）を越えてから、トランジスタＭ７'のＶｔを超えて強反転領域のドレイン電流によってＮ４'がＶＤＤの電位に充電されるまでの期間であり、この期間の経過によって起動電流の供給が完了する。したがって、上記従来の定電流回路は、トランジスタＭ５'のＶｇｓ５がＮ４'の電位Ｖ_Ｎ４に依存するので、Ａ点からＢ点までの間に、トランジスタＭ５'のＶｇｓ５が、トランジスタＭ７'のＶｇｓ７と比べて、定電流回路の起動電流を流すだけの電圧Ｖｇｓに至ったかどうかが明確にならない場合も考えられる。

すなわち、従来の定電流回路では、電源電圧ＶＤＤの立ち上がり速度が遅い場合、コンデンサＣ１'への電荷量の上昇によりノードＮ４'の電位が上昇して、定電流回路部１１２が立ち上がる前にトランジスタＭ５'がＯＦＦとなることも考えられるため、さらに安定して動作する起動回路構成の提案が必要となる。

本発明は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、その目的は、電源電圧の立ち上がりが遅い場合でも、安定かつ確実に定電流回路を起動させることができる半導体集積回路を提供することである。

上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、半導体集積回路であって、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタからなる第１のカレントミラー回路と、前記第１のトランジスタからの電流が流入する第１のノードに接続された第３のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタからの電流が流入する第２のノードに接続された第４のトランジスタからなる第２のカレントミラー回路と、により構成される定電流回路と、前記第１のノードの電位を制御電圧とする第６のトランジスタと、前記第６のトランジスタからの電流が流入する第３のノードに接続され、ゲート電極を接地電位とした第７のトランジスタと、前記第７のトランジスタからの電流が流入する第４のノードに接続された静電容量素子と、前記第４のノードの電位を制御電圧とし、前記第２のノードを介して前記定電流回路へ起動電流を供給する第５のトランジスタと、により構成される始動回路と、ソース電極を電源電圧に固定するとともにゲート電極を接地電位とし、ドレイン電極より前記定電流回路及び前記始動回路に対して電源供給する第８のトランジスタにより構成される電源起動回路と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、電源電圧の立ち上がりが遅い場合でも、定電流回路が起動される前に始動回路が非導通状態となるのを回避し、従来に比べてさらに確実に定電流回路を起動できる、という効果を奏する。

本発明の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示す回路図である。 本実施形態に係る半導体集積回路の電源立ち上げ時の電圧変化を模式的に示す図である。 本実施形態における電源起動回路の変形例を示す図である。 本実施形態における電源起動回路の他の変形例を示す図である。 従来の半導体集積回路の構成を示す回路図である。 従来の半導体集積回路の電源立ち上げ時の電圧変化を模式的に示す図である。

以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示す回路図である。図１に示すように、本実施形態に係る半導体集積回路１０は、電源起動回路部１１、定電流回路部１２、及びスタートアップ回路１４を備える。半導体集積回路１０には、不図示の電源より、例えば１Ｖの電源電圧ＶＤＤ（以降において、第１の電圧ともいう）と、その第１の電圧よりも低い接地電圧ＧＮＤ（以降において適宜、第２の電圧あるいはソース電位ＶＳＳともいう）が供給される。

電源起動回路部１１は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭＰ１のソース電極Ｓを不図示の電源に接続して電源電圧ＶＤＤとし、このトランジスタＭＰ１のドレイン電極Ｄに、デプレッショントランジスタＮＤ１のドレイン電極Ｄを接続し、さらに、デプレッショントランジスタＮＤ１のソース電極Ｓが、抵抗Ｒ１を介して接地されている（つまり、ソース電位ＶＳＳとする）。また、トランジスタＭＰ１のゲート電極Ｇ、及びトランジスタＮＤ１のゲート電極Ｇは、ともに接地されて接地電圧ＧＮＤとなっている。

定電流回路部１２は、第１のカレントミラー回路１０１と、第２のカレントミラー回路１０２と、抵抗部Ｒ２とを含んで構成される。第１のカレントミラー回路１０１は、２つの第１導電型のトランジスタ（例えば、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ）Ｍ１，Ｍ２によって構成されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、ゲート電極Ｇ（制御電極ともいう）と、ソース電極Ｓ（第１の電極ともいう）と、ドレイン電極Ｄ（第２の電極ともいう）とにより構成されている。トランジスタＭ１とトランジスタＭ２のゲート電極Ｇは相互に接続され、トランジスタＭ１のゲート電極Ｇとドレイン電極Ｄとが接続（短絡）されている。トランジスタＭ１のドレイン電極Ｄは、第１のノードＮ１に接続され、トランジスタＭ２のドレイン電極Ｄは、第２のノードＮ２に接続されている。

第１のカレントミラー回路１０１は、相互に接続された、トランジスタＭ１とトランジスタＭ２のゲート電極Ｇに第１の電圧レベルの電圧が供給されると非導通状態となり、第２の電圧レベルの電圧が供給されると導通状態となる。

第２のカレントミラー回路１０２は、２つの第２導電型のトランジスタ（例えば、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ）Ｍ３，Ｍ４により構成されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４は、ゲート電極Ｇ（制御電極ともいう）と、ソース電極Ｓ（第１の電極ともいう）と、ドレイン電極Ｄ（第２の電極ともいう）とにより構成されている。トランジスタＭ３とトランジスタＭ４は、ゲート電極Ｇ同士が相互に接続されている。トランジスタＭ３のソース電極Ｓは、抵抗部Ｒ２の一方の端子と接続され、ドレイン電極Ｄは第１のノードＮ１と接続されている。また、トランジスタＭ４のゲート電極Ｇとドレイン電極Ｄとが接続（短絡）されている。

抵抗部Ｒ２の他方の端子には第２の電圧、すなわち、接地電圧ＧＮＤが供給される。第１のノードＮ１と第２のノードＮ２とに流れる電流は、第２のカレントミラー回路１０２の電流利得により定まり、抵抗部Ｒ２によって決定される。なお、第２のカレントミラー回路１０２は、ゲート電極Ｇが相互に接続されたトランジスタＭ３とトランジスタＭ４のゲート電極Ｇに、第１の電圧レベルの電圧が供給されると導通状態となり、第２の電圧レベルの電圧が供給されると非導通状態となる。

スタートアップ回路部１４は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ５と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ６と、ゲート電極Ｇを接地電圧ＧＮＤとしたＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ７と、静電容量素子（例えば、コンデンサ）Ｃ１と、ラッチ回路部１０５とにより構成されている。ここでは、トランジスタＭ７のドレイン電極Ｄと静電容量素子Ｃ１の一方の端子とがノードＮ４に接続され、静電容量素子Ｃ１の他方の端子には、接地電圧ＧＮＤ（第２の電圧）が供給される。なお、トランジスタＭＰ１のＶｔは、トランジスタＭ７と同じか、あるいはトランジスタＭ７よりも絶対値で大きくなるように設定されている。

本実施形態に係る半導体集積回路１０では、トランジスタＭＰ１のドレイン電極ＤとトランジスタＮＤ１のドレイン電極Ｄとの接続点と、第１のカレントミラー回路１０１を構成するトランジスタＭ１とトランジスタＭ２各々のソース電極Ｓとが接続され、さらに、スタートアップ回路部１４のトランジスタＭ５及びトランジスタＭ６各々のソース電極Ｓが接続されている。ここでは、電源起動回路部１１と、定電流回路部１２と、スタートアップ回路部１４との相互接続点を第５のノードＮ５とし、このノードＮ５を介して、定電流回路部１２、及びスタートアップ回路部１４に電源電圧が供給される。

トランジスタＭ５のドレイン電極ＤはノードＮ２と接続されている。また、トランジスタＭ６のゲート電極Ｇは、第１のカレントミラー回路１０１を構成するトランジスタＭ１とトランジスタＭ２のゲート電極Ｇ（ノードＮ１でもある）に接続され、トランジスタＭ１とトランジスタＭ６とは、カレントミラー回路を構成している。トランジスタＭ６のソース電極Ｓは、上記のノードＮ５に接続され、ドレイン電極ＤはノードＮ３に接続されている。また、上述したように、トランジスタＭ７のソース電極ＳはノードＮ３に、ドレイン電極ＤはノードＮ４にそれぞれ接続され、ゲート電極Ｇには接地電圧ＧＮＤが供給されている。トランジスタＭ５，Ｍ６は、それらの制御電圧として、そのゲート電極Ｇに第１の電圧レベルの電圧が供給されると非導通状態となり、第２の電圧レベルの電圧が供給されると導通状態となる。

次に、本発明の実施の形態の半導体集積回路の動作について説明する。半導体集積回路１０の電源立ち上げ時において、その電源立ち上り速度が遅い場合、電源起動回路部１１のＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭＰ１は、電源電圧ＶＤＤが上昇して、電源電圧ＶＤＤと接地電圧ＧＮＤ間の電圧がＭＰ１のＶｔを超えると、ＭＰ１のソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れる。なお、ＭＰ１のソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れるまでの間は、デプレッショントランジスタＮＤ１を介して接地された抵抗Ｒ１により、ノードＮ５は接地電圧ＧＮＤの電圧レベルに引き込まれる。

図２は、本実施形態に係る半導体集積回路の電源立ち上げ時の電圧変化を模式的に示す図である。図２において、電源の立ち上り時、電源電圧ＶＤＤが上昇を始め、電源電圧ＶＤＤがトランジスタＭＰ１のＶｔに達するまでは、図２の線分ａ-ｂで示すように、ノードＮ５の電位レベル（Ｖ_Ｎ５）は、ほぼ接地電圧ＧＮＤの電圧レベル（ＶＳＳ）にある。これは、ＶＤＤの立ち上りが遅いと、トランジスタＭＰ１のサブスレッショルド領域での電流（トランジスタＭＰ１のゲート電圧がＶｔ以下のときソース-ドレイン間に流れる漏れ電流）が、抵抗Ｒ１によって接地ＧＮＤ側（ＶＳＳ側）へと逃がされ、ノードＮ５がＶＳＳのレベルを維持するからである。

電源電圧ＶＤＤがトランジスタＭＰ１のＶｔを超えると、ＭＰ１がＯＮとなって、ＭＰ１のソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れる。その結果、図２の線分ｂ-ｃで示すように、ノードＮ５の電位レベル（Ｖ_Ｎ５）がトランジスタＭＰ１によって急峻な上昇を始め、ＶＤＤレベルまで増加する。その後、ノードＮ５の電位レベル（Ｖ_Ｎ５）は、電源電圧ＶＤＤに追随して上昇する。

半導体集積回路１０の定電流回路部１２及びスタートアップ回路部１４は、ノードＮ５を電源ノードとするので、これら定電流回路部１２及びスタートアップ回路部１４は、ノードＮ５の電圧レベルの立ち上りを受けて起動動作を行う。また、上述のようにトランジスタＭＰ１のＶｔは、トランジスタＭ７と同等か、あるいはトランジスタＭ７よりも絶対値で大きくなるように設定されているため、トランジスタＭＰ１による電位が急峻な上昇を始めると、トランジスタＭ７も定電流回路部１２の起動動作を急速に開始する。

電源が立ち上がると、ノードＮ１はノードＮ５の電位レベル、すなわち、ほぼ電源電圧ＶＤＤ（第１の電圧レベル）であり、トランジスタＭ６のゲート電極Ｇには、ノードＮ１と同電位の電圧が供給されるため、トランジスタＭ６は非導通状態にある。また、ノードＮ２及びノードＮ４は、ほぼ接地電圧ＧＮＤ（第２の電圧レベル）の電圧レベルである。その結果、トランジスタＭ５のゲート電極Ｇには、制御電圧としてノードＮ４の電圧レベル、すなわち、ほぼ接地電圧ＧＮＤの電圧レベルが供給される。

したがって、トランジスタＭ５は導通状態となり、トランジスタＭ５を介して、ノードＮ２に電流が流れる。これにより、ノードＮ２の電圧レベルが上昇し、第２のカレントミラー回路１０２のトランジスタＭ３及びトランジスタＭ４は導通状態になる。トランジスタＭ３，Ｍ４が導通状態となることでノードＮ１に電流が流れ、ノードＮ１の電圧レベルが下がる。そして、ノードＮ１の電圧レベルが下がり、第１のカレントミラー回路１０１のトランジスタＭ１及びトランジスタＭ２それぞれのゲート-ソース間電圧（Ｖｇｓ）が閾値電圧Ｖｔを超えると、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ２は導通状態となる。

よって、トランジスタＭ１を介してノードＮ１に電流が流れ、トランジスタＭ２を介してノードＮ２に電流が流れる。このとき、トランジスタＭ６は非導通状態にあるが、トランジスタＭ６のサブスレッショルド領域での電流と、トランジスタＭ７から流れ出たサブスレッショルド電流とによって、静電容量素子Ｃ１が充電される。その結果、ノードＮ４の電位レベルは、徐々に上昇する。

一方、ノードＮ１の電圧レベルの降下により、スタートアップ回路部１４のトランジスタＭ６のゲート電極Ｇへ印加される電圧レベルも下がる。そして、ノードＮ１の電圧レベルが下がり、トランジスタＭ６のゲート-ソース間電圧（Ｖｇｓ）が閾値電圧Ｖｔを超えると、トランジスタＭ６は導通状態となる。その結果、トランジスタＭ６と、初期状態で導通状態となっているトランジスタＭ７とを介してノードＮ４に電流が流れ、その電流により静電容量素子Ｃ１に蓄積される電荷が徐々に増加する。静電容量素子Ｃ１への充電が完了すると、ノードＮ４の電位レベルがほぼ電源電圧ＶＤＤとなっているため、スタートアップ回路部１４のトランジスタＭ５が非導通状態となり、定電流回路部１２に対する起動電流の供給が完了する。トランジスタＭ５が非導通状態となっても、ノードＮ１及びノードＮ２には、すでに電流が流れているため、定電流回路部１２は、以降、安定して動作する。

なお、本実施形態に係る半導体集積回路１０を構成するトランジスタの閾値電圧Ｖｔは、例えば、トランジスタＭ７，ＭＰ１がトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ５，Ｍ６よりも大きいＶｔを有し、かつ、トランジスタＭ７，ＭＰ１が、トランジスタＭ３，Ｍ４よりも絶対値で大きいＶｔを有するように設定されている。また、トランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３及びＭ４各々の相互コンダクタンスｇｍを、それぞれｇｍ１，ｇｍ２，ｇｍ３及びｇｍ４とした場合、ノードＮ１を流れる電流Ｉ１と、ノードＮ２を流れる電流Ｉ２は、以下のようになる。
Ｉ１＝ｋ＊Ｔ／ｑ＊｛ｌｎ（ｇｍ１＊ｇｍ２／ｇｍ３＊ｇｍ４）｝
Ｉ２＝ｇｍ２／ｇｍ１＊Ｉ１
ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷量であり、＊は乗算記号を表す。

本実施形態に係る半導体集積回路１０では、デプレッショントランジスタＮＤ１のソース電極Ｓが、抵抗Ｒ１を介して接地されて（電位ＶＳＳ）、デプレッショントランジスタＮＤ１のゲート電極Ｇが電位ＶＳＳに固定されている。したがって、定電流回路部１２が通常の動作をしているとき、デプレッショントランジスタＮＤ１は、一定のソース−ドレイン電流を流し、その電流が抵抗Ｒ１を流れるので、電源起動回路部１１における消費電流は、電源電圧ＶＤＤに依存せず一定となる。

以上説明したように、本実施形態に係る半導体集積回路は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのソース電極Ｓを電源電圧ＶＤＤに接続するとともにゲート電極Ｇを接地電位とし、ドレイン電極Ｄを定電流回路及びスタートアップ回路の電源供給端に接続する構成とする。これにより、電源の立ち上がり時、電源電圧ＶＤＤがＰチャンネルＭＯＳトランジスタのＶｔを超えると、当該トランジスタがＯＮとなってソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れ、ドレイン電極Ｄと定電流回路とスタートアップ回路との相互接続点のノード電位レベルが急峻に上昇し始め、ＶＤＤレベルまで増加する。その結果、スタートアップ回路部内の静電容量に対してサブスレッシュ電流による未起動状態をなくすことができ、起動トランジスタが定電流回路部の起動前にＯＦＦとなることを回避できる。

また、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのソース電極Ｓを電源（電圧ＶＤＤ）に接続し、ドレイン電極Ｄにデプレッショントランジスタのドレイン電極Ｄを接続し、さらに、デプレッショントランジスタのソース電極Ｓを、抵抗Ｒ１を介して電位ＶＳＳとするとともに、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタとデプレッショントランジスタ双方のゲート電極Ｇを電位ＶＳＳとする電源起動回路部を設け、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのドレイン電極ＤとデプレッショントランジスタＮＤ１のドレイン電極Ｄの相互接続点を定電流回路部及びスタートアップ回路部の電源ノードとして、定電流回路部及びスタートアップ回路部に動作電源を供給する構成とする。

このような構成とすることで、電源の立ち上がりが遅い時、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのサブスレッショルド領域での電流が、抵抗Ｒ１によってＶＳＳ側へと逃がされ、上記相互接続点であるノードがＶＳＳのレベルを維持し、電源電圧ＶＤＤがＰチャンネルＭＯＳトランジスタのＶｔを超えると、そのトランジスタがＯＮとなってソース電極Ｓとドレイン電極Ｄ間に電流が流れ、上記相互接続点のノード電位レベルが急峻に上昇し始めて、ＶＤＤレベルまで増加する。その結果、スタートアップ回路部内の静電容量に対してサブスレッシュ電流による未起動状態をなくす、つまり、静電容量に不要な電荷が蓄積されるのを抑え、起動トランジスタが定電流回路部の起動前にＯＦＦとなることを回避できる。

また、電源起動回路部にデプレッショントランジスタＮＤ１を配した構成とすることで、定電流回路部の通常動作時、デプレッショントランジスタが一定のソース−ドレイン電流を流し、その電流が抵抗Ｒ１を流れるので、電源起動回路部における消費電流が電源電圧ＶＤＤに依存せず一定となる。そのため、抵抗Ｒ１への印加電圧を小さくすることができ、消費電流値がデプレッショントランジスタのＶｔに対する抵抗値で決まるので、電流を小さく設定したい場合、抵抗値も小さくすることができ、半導体集積回路において抵抗Ｒ１の面積を小さくできる。

さらに、上記実施形態に係る半導体集積回路では、スタートアップ回路部にＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭ７を配したことで、ノードＮ５の立ち上がりを受けてトランジスタＭ７が動作する。そのため、電源電圧ＶＤＤの起動が速くても起動時間を確保することができ、静電容量素子Ｃ１の容量を小さくすることができる。なお、スタートアップ回路部からトランジスタＭ７を削除した構成とした場合、電源の立ち上がりが速いときには、ノードＮ４とＮ５が同時に立ち上がり起動時間を取れなくなる可能性があり、それを回避するために静電容量素子Ｃ１の容量を大きくする必要はあるが、半導体集積回路１０の素子数を減らすことができる。

上記実施形態に係る半導体集積回路では、電源起動回路部にＰチャンネルＭＯＳトランジスタを配し、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタとデプレッショントランジスタのドレイン電極Ｄ同士を接続する例について説明したが、これに限定されない。例えば、図３に示すように、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタに代えて、ダイオード素子Ｄを配した構成としてもよい。

また、上記実施形態に係る半導体集積回路において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのドレイン電極Ｄにデプレッショントランジスタを接続する構成としたが、図４に示すように、デプレッショントランジスタに代えて、ダイオード接続したエンハンスメントＮトランジスタＮＥ１を配してもよい。

１０ 半導体集積回路
１１ 電源起動回路部
１２ 定電流回路部
１４ スタートアップ回路
１０１ 第１のカレントミラー回路
１０２ 第２のカレントミラー回路
１０５ ラッチ回路部
Ｍ１〜Ｍ８，Ｍ３１，Ｍ３２，ＭＰ１ ＭＯＳトランジスタ
ＮＤ１ デプレッショントランジスタ

Claims (5)

1. 第１のトランジスタ及び第２のトランジスタからなる第１のカレントミラー回路と、前記第１のトランジスタからの電流が流入する第１のノードに接続された第３のトランジスタ、及び前記第２のトランジスタからの電流が流入する第２のノードに接続された第４のトランジスタからなる第２のカレントミラー回路と、により構成される定電流回路と、
   前記第１のノードの電位を制御電圧とする第６のトランジスタと、前記第６のトランジスタからの電流が流入する第３のノードに接続され、ゲート電極を接地電位とした第７のトランジスタと、前記第７のトランジスタからの電流が流入する第４のノードに接続された静電容量素子と、前記第４のノードの電位を制御電圧とし、前記第２のノードを介して前記定電流回路へ起動電流を供給する第５のトランジスタと、により構成される始動回路と、
   ソース電極を電源電圧に固定するとともにゲート電極を接地電位とし、ドレイン電極より前記定電流回路及び前記始動回路に対して電源供給する第８のトランジスタにより構成される電源起動回路と、
   を備えた半導体集積回路。
2. 前記第８のトランジスタが非導通時に該第８のトランジスタのドレイン電極を接地電位に引き込む電圧引込手段をさらに備える
   請求項１記載の半導体集積回路。
3. 前記電圧引込手段は、一端が前記第８のトランジスタのドレイン電極に接続され、他端を接地電位とした抵抗である
   請求項２記載の半導体集積回路。
4. 前記電圧引込手段は、ドレイン電極が前記第８のトランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極を接地電位とするとともに、ソース電極が抵抗の一端に接続された第９のトランジスタと、他端を接地電位とした前記抵抗と、により構成される
   請求項２記載の半導体集積回路。
5. 前記第９のトランジスタはデプレッショントランジスタである
   請求項４記載の半導体集積回路。

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