JP5842475B2 - 電圧生成回路およびパワーオンリセット回路 - Google Patents
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Description
以下、本発明を、基準電圧生成回路を具備したパワーオンリセット回路に適用した第1実施形態について図1および図2を参照しながら説明する。
図1は、パワーオンリセット回路の電気的構成を示している。図1に示すように、パワーオンリセット回路1は、主に、基準電圧出力回路2、スタートアップ回路3、分圧回路4、および、コンパレータ5を備える。基準電圧出力回路2は、電流生成回路(電流生成手段)6、および、基準電圧生成回路(基準電圧生成手段)7を備える。
図2は、要所の電流、電圧の時間変化を概略的に示している。下記のように各素子値を適用して考慮した例を示す。下記のうち各トランジスタMP1〜MP7、MN1〜MN3の括弧内は、(ゲート幅W[μm]/ゲート長L[μm])を示している。
MP4=(3/12)、MP5=(480/1)、MP6=(480/1)、
MP7=(1/1)
MN1=(80/20)、MN2=(900/20)、MN3=(80/20)
R2=1.5[MΩ]、R5=760[kΩ]、C1=22[pF]、
R1、R3、R4=数[kΩ]、電源電圧VDD=5[V]
<電源投入時の動作>
電源電圧VDDの投入時には、トランジスタMP4のゲートは抵抗R5を通じて接地されており、トランジスタMP4のゲート電圧は低いため、このトランジスタMP4はオンし、起動電流IsがノードN5に供給される。この起動電流Isは、トランジスタMN1およびMN2のゲート入力容量に充電されることになり、当該トランジスタMN1およびMN2のゲート電圧は上昇する。すると、トランジスタMN1およびMN2には、トランジスタMP1および抵抗R1を通じた電流が流れ、自己バイアスにより基準電流Ipが流れる。
図2に示すように、何らかの影響があり電源電圧VDDが一時的に低下した場合の動作を説明する。例えば、電源電圧VDDがトランジスタMP1およびMP2の閾値電圧Vt2未満の中間電圧(Vt2−α(所定値))[V]まで低下した場合について考慮する。
本実施形態によれば、トランジスタMP5およびMP6が第1電源線N1およびノードN6間に直列接続されており、トランジスタMP5が起動電流Isをセンシングし、トランジスタMP6が基準電流Ipをセンシングしている。このため、たとえ電源電圧VDDがトランジスタMP1およびMP2の閾値電圧Vt2未満の中間電圧(Vt2−α(所定値))[V]まで低下したとしても、両トランジスタMP5およびMP6には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられることがなくなり、充電回路8には充電電流Ioが充電されにくくなり、トランジスタMP4がオン状態を保持し続ける。
図3および図4は、本発明の第2実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、スタートアップ回路3内にトランジスタMP5およびMP6の直列回路を設けることなく、この補償回路を別途設けたところにある。前述実施形態と同一部分、同一機能、類似の機能を有する部分については同一符号を付して説明を行い、以下では、前述実施形態と異なる部分について説明する。
スタートアップ回路3の構成は、背景技術欄の図7を用いて説明した回路と同様である。このため、電源電圧VDDがトランジスタMP1およびMP2の閾値電圧Vt2未満の中間電圧(Vt2−α(所定値))[V]まで低下した後、電源が復帰して電源電圧VDDが上昇したとしても起動電流Isの立上りが遅く基準電流Ipの立上りも遅くなるため、基準電圧VREFも所望の立上りタイミングを得ることができない。したがって、基準電圧VREFに基づくリセット信号(POR)が出力されにくくなる。
本実施形態によれば、トランジスタMP5およびMP6並びに抵抗R6が第1電源線N1および第2電源線N2間に接続されており、トランジスタMP5が起動電流Isをセンシングし、トランジスタMP6が基準電流Ipをセンシングする。このため、たとえ電源電圧VDDがトランジスタMP1およびMP2の閾値電圧Vt2未満の中間電圧(Vt2−α(所定値))[V]まで低下したとしても、両トランジスタMP5およびMP6がともに閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられることがなくなる。
図5および図6は、本発明の第3実施形態を示すもので、第1実施形態と異なるところは、基準電圧出力回路2を構成するカレントミラー回路として、カスコードカレントミラー回路を用いたところにある。前述実施形態と同一または類似部分については同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明する。
前述の実施形態では、特にパワーオンリセット回路1に適用したが、基準電圧VREFを素早く出力するための電圧生成回路を単独で適用できる。
Claims (5)
- 起動電流入力手段(MN1)および電流出力トランジスタ(MP1)を備え前記起動電流入力手段を通じて起動されると第1および第2電源線間に与えられる電源電圧に応じて前記電流出力トランジスタを用いて基準電流を生成する電流生成手段(6)と、
前記電流生成手段(6)の生成電流に応じて基準電圧を生成する基準電圧生成手段(7)と、
前記電流生成手段の起動電流入力手段(MN1)に起動電流を印加する起動電流印加手段(MP4)と、
前記電流出力トランジスタ(MP1)より閾値電圧の低い第1センシングトランジスタ(MP6)を備えて構成され、前記電流生成手段(6)の生成電流をセンシングする結果に応じて前記第1センシングトランジスタのソースドレイン間又はエミッタコレクタ間を通電する第1センシング手段(MP6)と、
第2センシングトランジスタ(MP5)を備え、前記起動電流印加手段(MP4)によって前記起動電流入力手段(MN1)に印加された起動電流をセンシングする結果に応じて前記第2センシングトランジスタのソースドレイン間又はエミッタコレクタ間を通電する第2センシング手段(MN3,MP7,MP5)と、
前記第1センシング手段(MP6)の第1センシングトランジスタ(MP6)のソースドレイン間又はエミッタコレクタ間、および、前記第2センシング手段(MN3,MP7,MP5)の第2センシングトランジスタ(MP5)のソースドレイン間又はエミッタコレクタ間の直列接続を通じて充電する充電手段(8)と、を備え、
前記起動電流印加手段(MP4)は、前記充電手段(8)の充電電圧が低いことに応じて起動電流を多く起動電流入力手段(MN1)に印加することを特徴とする電圧生成回路。 - 前記電流生成手段(6)は、第1電源線にダイオード接続された第1導電型の第1トランジスタ(MP1)、前記第1トランジスタにカレントミラー接続された第1導電型の第2トランジスタ(MP2)、第2電源線にダイオード接続された第2導電型の第3トランジスタ(MN1)、前記第3トランジスタにカレントミラー接続された第2導電型の第4トランジスタ(MN2)、および、抵抗(R1)を備え、前記第2および第3トランジスタ(MP2,MN1)は前記第1電源線および前記第2電源線間に直列接続されると共に前記第1および第4トランジスタ(MP1,MN2)は前記抵抗(R1)と共に前記第1電源線および前記第2電源線間に直列接続され、
前記起動電流印加手段(MP4)は、その出力端子が前記電流生成手段の第3および第4トランジスタ(MN1,MN2)の共通接続制御端子に接続され、前記第3トランジスタ(MN1)の制御端子に前記第1電源線から起動電流を印加する第1導電型の第5トランジスタ(MP4)を備えて構成され、
前記第1センシング手段(MP6)は、その制御端子が前記第1トランジスタ(MP1)の制御端子に接続され、前記第1および第2トランジスタ(MP1,MP2)の閾値電圧より低い閾値電圧のトランジスタであり前記第1トランジスタ(MP1)の通電電流をセンシングする第1導電型の第6トランジスタ(MP6)を備えて構成され、
前記第2センシング手段(MN3,MP7,MP5)は、前記第5トランジスタ(MP4)の出力電流の供給ノードに制御端子が接続され当該起動電流をセンシングする第2センシングトランジスタ(MN3)と、この第2センシングトランジスタ(MN3)のセンシング電流をカレントミラーする第7トランジスタ(MP5)であり、前記第1電源線から前記第6トランジスタ(MP6)に直列接続された第1導電型の第7トランジスタ(MP5)を備えて構成され、
前記充電手段(8)は、前記第1センシング手段(MP6)の第6トランジスタ(MP6)、および、前記第2センシング手段(MN3,MP7,MP5)の第7トランジスタ(MP5)の直列接続に応じて充電することを特徴とする請求項1記載の電圧生成回路。 - 電源電圧瞬断した後にリセット信号を発生するパワーオンリセット回路において、
請求項1または2記載の電圧生成回路を備え、
前記電圧生成回路の基準電圧生成手段(7)が生成する基準電圧をリセット信号の生成に用いることを特徴とするパワーオンリセット回路。
- 電源電圧瞬断した後にリセット信号を出力するパワーオンリセット回路において、
起動電流入力手段(MN1)および電流出力トランジスタ(MP1)を備え当該起動電流入力手段を通じて起動されると第1および第2電源線間に与えられる電源電圧に応じて前記電流出力トランジスタ(MP1)を用いて基準電流を生成する電流生成手段(6)と、
前記電流生成手段(6)の生成電流に応じて基準電圧を生成する基準電圧生成手段(MP3,R2,D1)と、
前記電流生成手段(6)の起動電流入力手段(MN1)に起動電流を印加する起動電流印加手段(MP4)と、
前記電流出力トランジスタ(MP1)より閾値電圧の低いセンシングトランジスタ(MP6)を備えて構成され、前記電流生成手段(6)の生成電流をセンシングする第3センシング手段(MP6)と、
前記起動電流印加手段(MP4)により前記起動電流入力手段(MN1)に印加する起動電流をセンシングする第4センシング手段(MN3,MP7,MP5)と、を備え、
前記第1電源線および前記第2電源線間に接続された前記第3センシング手段(MP6)のセンシングトランジスタ(MP6)、前記第4センシング手段(MN3,MP7,MP5)のセンシングトランジスタ(MP5)、および、抵抗を直列接続した前記抵抗に生じる電圧の反転信号をリセット信号のマスク信号として出力することを特徴とするパワーオンリセット回路。 - 前記電流生成手段(6)は、第1電源線にダイオード接続された第1導電型の第1トランジスタ(MP1)、前記第1トランジスタにカレントミラー接続された第1導電型の第2トランジスタ(MP2)、第2電源線にダイオード接続された第2導電型の第3トランジスタ(MN1)、および、前記第3トランジスタにカレントミラー接続された第2導電型の第4トランジスタ(MN2)、抵抗(R1)を備え、前記第2および第3トランジスタ(MP2,MN1)は前記第1電源線および前記第2電源線間に直列接続されると共に前記第1および第4トランジスタ(MP1,MN2)は前記抵抗(R1)と共に前記第1電源線および前記第2電源線間に直列接続され、
前記起動電流印加手段(MP4)は、その出力端子が前記電流生成手段の第3および第4トランジスタ(MN1,MN2)の共通接続制御端子に接続され、前記第3および第4トランジスタ(MN1,MN2)の共通接続制御端子に前記第1電源線から起動電流を印加する第1導電型の第5トランジスタ(MP4)を備えて構成され、
前記第3センシング手段(MP6)は、その制御端子が前記第1トランジスタ(MP1)の制御端子に接続され、その閾値電圧が第1および第2トランジスタ(MP1,MP2)の閾値電圧よりも低く、第1トランジスタ(MP1)の通電電流をセンシングする第1導電型の第8トランジスタ(MP6)を備えて構成され、
前記第4センシング手段(MP5)は、前記第5トランジスタ(MP4)の起動電流の供給ノードに制御端子が接続され当該起動電流をセンシングするセンシングトランジスタ(MN3)と、このセンシングトランジスタ(MN3)にカレントミラー接続する第9トランジスタ(MP5)であり前記第1電源線から前記第8トランジスタ(MP6)に直列接続された第1導電型の第9トランジスタ(MP5)を備えて構成され、
前記第3センシング手段(MP6)の第8トランジスタ(MP6)、および、前記第4センシング手段(MN3,MP7,MP5)の第9トランジスタ(MP5)を抵抗に直列接続した前記抵抗に生じる電圧の反転信号をリセット信号のマスク信号として出力することを特徴とする請求項4記載のパワーオンリセット回路。
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