JPH05310656A - アミノ化合物の製造方法 - Google Patents

アミノ化合物の製造方法

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JPH05310656A
JPH05310656A JP4262278A JP26227892A JPH05310656A JP H05310656 A JPH05310656 A JP H05310656A JP 4262278 A JP4262278 A JP 4262278A JP 26227892 A JP26227892 A JP 26227892A JP H05310656 A JPH05310656 A JP H05310656A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 スルホン酸エステルを用いたアミノ化合物の
製造方法を提供する。 【構成】 で表わされる化合物の製造方法であって、NHRR′の
化合物を の化合物で、反転させながらアルキル化することにより
製造する。(式中、R1 は(置換)C5 〜C6 シクロア
ルキル、(置換)フェニルであり;R2 はC1 〜C7
ルキルであり;星印は分子中にS配置で存在するかまた
は分子中にR配置で存在する炭素原子を表わし、R′は
H,C1 〜C7 アルキルであり;更にRは {式中、R2 〜R4 はH,C1 〜C7 アルキル等;R7
はOH,C1 〜C7 アルコキシ、Xはオキソ、2個のH
もしくはHおよびOHである}で表わす)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なスルホン酸エステ
ルを使用したアミノ化合物の製造方法に関する。
【0002】
【発明の構成及び効果】新規スルホン酸エステルは、次
式I:
【0003】
【化12】
【0004】(式中、R1 は未置換のもしくはC1 〜C
7 アルキルにより置換されたC5 〜C6 シクロアルキル
であるか、または未置換のもしくは置換されたフェニル
であり、R2 はC1 〜C7 アルキルであり、R3 はハロ
ゲンもしくはニトロにより置換されたフェニルであり、
更に星印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまた
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子を表わ
す)を有する。
【0005】フェニル基R1 は、C1 〜C7 アルキル、
例えばメチル、ヒドロキシ、C1 〜C7 アルコキシ、例
えばメトキシ、C1 〜C7 アルカノイルオキシ、例えば
アセトキシ、フッ素、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、
例えばエチレンジオキシ、アミノ、C1 〜C7 アルキル
アミノ、例えばメチルアミノ、ジ(C1 〜C7 )アルキ
ルアミノ、例えばジメチルアミノ、C1 〜C7 アルカノ
イルアミノ、例えばアセチルアミノ、カルバモイル、C
1 〜C7 アルキルカルバモイル、例えばメチルカルバモ
イル、ジ(C1 〜C7 )アルキルカルバモイル、例えば
ジメチルカルバモイル、C1 〜C7 アルカンスルホニル
アミノ、例えばメタン−又はエタンスルホニルアミノ、
スルファモイル、C1 〜C7 アルキルスルファモイル、
例えばメチルスルファモイル、ジ(C1 〜C7 )アルキ
ルスルファモイル、例えばジメチルスルファモイル、C
1 〜C7 ハロアルキル、例えばトリフルオロメチル、C
1〜C7 ヒドロキシアルキル、例えばヒドロキシメチ
ル、及びC1 〜C7 アミノアルキル、例えばアミノメチ
ル又は2−アミノエチルから成る群から選ばれる置換基
を有することが出来る。
【0006】本明細書中で、用いられる一般的語句は以
下の意味を有し更に「C1 〜C7 」は1〜7個、好まし
くは1〜4個の炭素原子を含有する有機基を表わす。C
1 〜C7 アルキルは例えばメチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル又は第三ブチルであるが又はペン
チル、ヘキシル又はヘプチルであってもよい。
【0007】C1 〜C7 アルコキシは、例えばメトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ又は四種の
ブトキシ異性体の一種である。C1 〜C7 アルカノイル
は、例えばホルミル、アセチル、プロピオニル又はブチ
リル、更に又イソブチリルもしくはピバロイルである。
1 〜C7 アルカノイルオキシは、例えばアセトキシ、
プロピオニルオキシ、ブチリルオキシであり、更にホル
ミルオキシ又はピバロイルオキシであってもよい。
【0008】C5 〜C6 シクロアルキルは、シクロペン
チルもしくはシクロヘキシルである。C1 〜C7 アルキ
ル置換C5 〜C6 シクロアルキルは、例えばエチルシク
ロヘキシル又はメチルシクロヘキシル例えば4−メチル
シクロヘキシルである。アリールは例えばナフチル又
は、好ましくはフェニルである。1−C1 〜C7 アルア
ルキルは、例えば1−ナフチルエチル、ベンジル又は、
好ましくは1−フェニルエチルである。
【0009】ハロゲンは例えばフッ素又はヨウ素であ
り、好ましくは塩素又は臭素である。C1 〜C7 アルキ
レンジオキシは例えばエチレンジオキシ、1,3−プロ
ピレンジオキシ、2,3−ブチレンジオキシ又は1,3
−(2,2−ジメチル)プロピレンジオキシである。C
1 〜C7 アルキルアミノ又はジ(C1 〜C7 )アルキル
アミノは、例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、エチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロ
ピルアミノ又はブチルアミノである。
【0010】C1 〜C7 アルカノイルアミノは、例えば
アセチルアミノ又はプロピオニルアミノであり更に又ホ
ルミルアミノであってもよい。C1 〜C7 アルキルカル
バモイル又はジ(C1 〜C7 )アルキルカルバモイル
は、例えばメチルカルバモイル、ジメチルカルバモイ
ル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、プロ
ピルカルバモイル又はブチルカルバモイルである。
【0011】C1 〜C7 アルカンスルホニルアミノは、
例えばメタンスルホニルアミノ、エタンスルホニルアミ
ノ又はプロパンスルホニルアミノである。C1 〜C7
ルキルスルファモイル又はジ(C1 〜C7 )アルキルス
ルファモイルは、例えばメチルスルファモイル、ジメチ
ルスルファモイル、エチルスルファモイル、ジエチルス
ルファモイル、プロピルスルファモイル又はブチルスル
ファモイルである。
【0012】C1 〜C7 ハロアルキルは、例えばハロメ
チル例えばトリフルオロメチル、又は2−クロロエチル
である。C1 〜C7 ヒドロキシアルキルは、例えばヒド
ロキシメチル即ち1−ヒドロキシメチル又は、好ましく
は2−ヒドロキシエチルである。C1 〜C7 アミノアル
キルは例えばアミノメチル即ち1−もしくは2−アミノ
エチルである。
【0013】ニトロ置換フェニルとしてのR3 は、例え
ばモノ−もしくはジニトロフェニル例えば2−,3−も
しくは4−ニトロフェニル又は2,4−ジニトロフェニ
ルである。ハロゲン置換フェニルとしてのR3 は、例え
ばフッ素、塩素又は臭素の如きハロゲン原子1〜5個に
より置換されたフェニルであり、更に例えばブロムフェ
ニル、トリクロロフェニルもしくはペンタフルオロフェ
ニルである。
【0014】圧倒的数の分子中にS配置で存在するか又
は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子を示す
星印は、該炭素原子に関し式Iの化合物が実質的に純粋
な光学的対掌体として得られかつラセミ体としては得ら
れないことを意味する。語句「実質的に純粋」とは、式
Iに関し、等モル比のラセミ体とは異なる光学的対掌体
の割合を意味し、例えばその割合が少なくとも90:1
0、好ましくは少なくとも95:5更に最も好ましくは
98:2ないし100:0であり、R形又はS形が優先
する。式Iの好ましい化合物において、先に定義した如
き割合でR配置が優先するであろう。
【0015】式Iの好ましい化合物は又、R1 がC5
6 シクロアルキル、フェニル又はC1 〜C7 アルキ
ル、ヒドロキシ、C1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7
ルカノイルオキシ、フッ素、トリフルオロメチルもしく
はC1 〜C7 アルキルジオキシにより置換されたフェニ
ルであり更にR2 ,R3 及び星印は先に与えた意味を有
する化合物でもある。
【0016】更に好ましい式Iの化合物は、R1 がC5
〜C6 シクロアルキル、フェニル又はC1 〜C4 アルキ
ル、ヒドロキシ、C1 〜C4 アルコキシもしくはフッ素
により置換されたフェニルでありR2 がC1 〜C4 アル
キルであり、R3 が2−,3−もしくは4−ニトロフェ
ニル、2,4−ジニトロフェニル又はペンタフルオロフ
ェニルであり、更に星印は圧倒的数の分子中にS配置で
存在するか又は圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭
素原子を表わすがR配置が好ましいような化合物であ
る。
【0017】特に好ましい式Iの化合物は、R1 がシク
ロヘキシル、フェニル、C1 〜C4アルキルフェニルも
しくはC1 〜C4 アルコキシフェニルであり、R2 はC
1 〜C4 アルキルであり、R3 は4−ニトロフェニルも
しくは2,4−ジニトロフェニルであり更に星印は圧倒
的数の分子中にR配置が存在する炭素原子を表わすよう
な化合物である。
【0018】最も好ましい式Iの化合物は、R1 がフェ
ニルであり、R2 がC1 〜C4 アルキルであり、R3
4−ニトロフェニルもしくは2,4−ジニトロフェニル
であり更に星印が圧倒的数の分子中にR配置で存在する
化合物であり;更にこれ等の化合物のうちとりわけ、第
一の更に主要な化合物はR2 がエチルであるような化合
物である。
【0019】式Iの化合物は、次式II:
【0020】
【化13】
【0021】(式中、R1 ,R2 および星印は式Iで定
義した意味と同じである)で表されるα−ヒドロキシエ
ステルを−OH置換基を式−OSO2 −R3 (式中、R
3 は式Iに対し定義した意味と同じである)の基に変換
する化合物と反応させることにより製造することができ
る。−OH置換基を基−OSO2 −R3 に変換する化合
物は、例えば混合無水物の如きR3 −スルホン酸無水
物、例えばヒドロハリック酸との混合無水物、即ちハロ
ゲン化R3 −スルホニル、例えば塩化もしくは臭化R3
−スルホニル、並びに各々のR3 −スルホン酸それ自身
の無水物、即ちR3 −SO2 −O−SO2 −R 3 タイプ
の化合物である。反応は不活性溶剤中並びに塩基の存在
中で好都合に行われる。適当な溶剤の例はハロゲン化炭
化水素例えばジクロルメタン、クロロホルム又は四塩化
炭素、更にトルエン、ベンゼンもしくはヘキサンの如き
炭化水素である。適当な塩基は無機もしくは有機塩基、
例えば塩基性アルカリ金属塩もしくはアルカリ土類金属
塩例えばアルカリ金属炭酸化物、例えば炭酸カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、更に又第三アミ
ン例えばピリジン又はトリアルキルアミン、例えばトリ
エチルアミンである。
【0022】反応は−50℃〜+110℃の温度範囲
で、所望により不活性ガス雰囲気中、例えば窒素又はア
ルゴン中で好都合に行われる。反応経路は、星印により
示される炭素原子の配置が保持されるように立体化学的
に均一である。従って、式IIの星印は式Iに対し定義さ
れた光学対掌体の割合を示すが、光学対掌体の割合は少
なくとも80:20、好ましくは少なくとも85:15
である。
【0023】式IIの出発化合物は公知であるか、それ自
身公知の方法により調製出来る。ラネーニッケル及び水
素による対応するα−ケトエステルの還元、又は対応す
るα−ヒドロキシニトリルの酸のケン化及びその後のエ
ステル化の如き多数の公知の調製方法(例えばヨーロッ
パ特許出願126986参照)により、ラセミα−ヒド
ロキシエステルに至らしめ、これは引き続きその後の工
程において、例えばジアステレオマー異性体を経由し、
クロマトグラフィー法又は分別結晶法により分離すべき
である。この分離工程は、少なくとも50%のラセミ混
合物の規則的損失を伴う。従ってこのような異性体の不
経済な分離を避けるプロセスが必要となる。
【0024】本発明の範囲内において以下の内容が見い
出された。即ちある種のα−ケトエステルの不整還元に
対する公知方法(例えば米国特許4,329,487又
は日本特許公開公報第55−35060号を参照)が、
式III :
【0025】
【化14】
【0026】(式中R1 及びR2 は式Iに対し定義され
た意味と同じである)で表わされる化合物に成功裏に適
用出来る。従って、前記式Iの化合物は、担体に担持し
た白金触媒並びにキナアルカロイドの存在下、次式III
【0027】
【化15】
【0028】(式中、R1 およびR2 は式Iに対して定
義された意味と同じである)で表わされる化合物を選択
的に光学対掌体とする還元に委ね次式II:
【0029】
【化16】
【0030】(式中、R1 およびR2 は先に定義した意
味と同じである)で表わされる化合物を得、次いで該式
IIの化合物を、−OH置換基を式−OSO 2 −R3 (式
中、R3 は先に定義した意味と同じである)の基に変換
する化合物と反応させることにより調製することができ
る。式III の化合物の還元は、もしも光学的収率が60
%又はそれ以上、好ましくは70%又はそれ以上、最も
好ましくは80%又はそれ以上である場合光学的に選択
的であると言われる。従って星印により示される炭素原
子における配置の優位性は、式IIにおいて少なくとも8
0:20、好ましくは少なくとも85:15更に最も好
ましくは少なくとも90:10の光学対掌体の割合につ
いて言及しており、R又はS形が優先する。
【0031】選択的に光学対掌体とする還元は、それ自
身公知の方法により行われる。使用する白金触媒を、不
活性担体、例えば炭素、アルミナ、炭酸カルシウム又は
硫酸バリウムに適用するが、アルミナが好ましい担体で
ある。触媒を公知の方法により水素を用い200゜〜4
00℃で活性化し次いでキナアルカロイドの溶液を用い
て変性する(含浸する)、更に/又はキナアルカロイド
を還元中直接添加する。キナアルカロイドは、キナおよ
びレミジア種の木の樹皮から特に単離出来る一群のキナ
植物主成分を意味するものと理解されたい。特にそれ等
にはアルカロイド(−)−キニン、(+)−キニジン、
(+)−シンコニン及び(−)−シンコニジンが含まれ
る。(−)−キニン及び(−)−シンコニジンを用いる
と、R形の式IIの化合物となり、一方S形の式IIの化合
物は、(+)−キニジン及び(+)−シンコニンにより
得られる。(−)−シンコニジンを用いることが好まし
い。好都合には、水素化は、例えばオートクレーブの如
き加圧反応器中、10〜170バール、好ましくは50
〜150バールの水素圧のもとで、室温±30℃で好ま
しくは0〜30℃の範囲内で行われる。含浸用の好まし
い溶剤は、用いるキナアルカロイドを溶解する溶剤、特
にC1 〜C7 アルカノール例えばメタノール、又はエー
テル例えばテトラヒドロフランである。水素化用の好ま
しい溶剤の例は、芳香族炭化水素、例えばベンゼン又は
トルエンであり、更に又ハロゲン化炭化水素例えばシク
ロメタン、エーテル例えば第三ブチルメチルエーテル、
又は低沸点カルボキシレート例えば酢酸エチルである。
【0032】式IIの星印の定義から推察出来るように、
式IIの化合物は上述の方法により少なくとも60%、好
ましくは70%更に最も好ましくは少なくとも80%の
光学的収率で得ることが出来る。上述の如く式Iのスル
ホン酸エステルに更に反応せしめる経過において、光学
的収率は式Iの化合物が実質的に純粋な形体で、即ち少
なくとも95%、好ましくは少なくとも97.5%更に
最も好ましくは少なくとも99〜100%の光学的収率
で得られる程度に増加し得る。
【0033】式Iの化合物はACE抑制剤又はその前駆
物質の調製に対し価値ある中間体である。この種の化合
物は最近その興味が増加している。該化合物は有用な抗
高血圧薬の可能性を拡大し従って高血圧症を治療する可
能性を拡大している。多数の有効なACE抑制剤(例え
ばヨーロッパ特許出願50850及び72352参照)
において、重要な点が部分式IV:
【0034】
【化17】
【0035】(式中、R1 及びR2 は式Iに対し定義し
た意味であり更に星印はS配置の炭素原子を示す)で表
わされる構造単位に対し向けられる。部分式IVの窒素原
子および隣接炭素原子との間の結合は、これまで公知の
方法により、例えば式III の化合物を、還元的アルキル
化の条件下、第一又は第二アミンと反応させることによ
り(反応1)、
【0036】
【化18】
【0037】又は式Vaのα−ブロモエステルを用いる
ことにより、(反応2)
【0038】
【化19】
【0039】又は式Vbの不飽和化合物を用いることに
より、(反応3)
【0040】
【化20】
【0041】形成してきている。尚、前記式中、R1
よびR2 は先に定義した意味である。反応1及び反応2
において、部分式IVのS配置を有する目的化合物は直接
得ることは出来ない。その代り、得られたラセミ混合物
を分離する必要があり、これは少なくとも50%の該混
合物の損失をもたらす。反応1又は2が起こる際、部分
式IVの窒素原子は通常それ自身複雑なキラール分子の成
分であるので、ACE抑制剤の全合成のこの後の工程に
おいて少なくとも50%の生成物の損失は許容出来ない
ものとして認めざるを得ない。
【0042】反応3においては、ラセミ体の割合よりも
幾分よりよい異性体の割合即ち2:1までを得ることが
可能であるけれども、それにもかかわらず更に反応工程
即ち還元を行う必要がある。式Iの化合物を用いると、
先に述べた欠点を除去出来る。式III の化合物から出発
すると、部分式IVを有する化合物を化学的収率50%以
上で得ることが可能となる。
【0043】特に、式Iの化合物を用いる利点は以下の
事実から由来する。即ち特に、式Iの化合物は、かなり
のラセミ化又は脱離生成物の形成を伴うことなく第一又
は第二アミンと反応することが出来る。かくして部分式
IVを有する化合物が、式I(式中星印は圧倒的多数の分
子中にR配置で存在する炭素原子を示す)の化合物を用
いることにより、反転しながら高い化学的及び光学的収
率で得られる。同様に、式I(式中星印は圧倒的多数の
分子中にS配置で存在する炭素原子を示す)の化合物か
ら出発し、部分式IV(式中星印はR配置で存在する炭素
原子を示す)に相当する構造を有する化合物を得ること
が可能となる。
【0044】この結果は予期しないことでありかつ驚く
べきことである。何故ならば従来技術からは第二の反応
とラセミ化を期待せしめるであろうし、この両方は化学
的収率を50%以下と認められるほど低下せしめること
となるからである。F.エッヘンベルガー等 (Angew.Ch
em. 95, 50, (1983)) は、α−ヒドロキシカルボキシレ
ートから出発して、ラセミ化することなくN−置換α−
アミノ酸の合成に適当な脱離基を記載している。この脱
離基はα−トリフルオロメタンスルホニルオキシ基であ
る。しかし、同じ刊行物において、著者は他の除去基の
使用に対し忠告している。というのはα−メタンスルホ
ニルオキシカルボン酸誘導体及びα−トルエンスルホニ
ルオキシカルボン酸誘導体の使用は強烈な反応条件の為
特にラセミ化及び脱離生成物の形成を伴うからである。
更に、α−ブロモ−、α−メタンスルホニルオキシ−、
α−トルエンスルホニルオキシ−及びα−クロロプロピ
オン酸のエチルエステルの使用は、22時間後それぞれ
40,10,5及び1%の収率を与え、一方提案された
α−トリフルオロメタンスルホニルオキシ化合物との反
応は20分後100%である。
【0045】芳香族スルホニルオキシ化合物がラセミ化
することなくα−アミノ酸の合成に対し極めて適当であ
るという本質的に予期しない結果の他に、本発明方法に
おいて用いられる基R3 を有する化合物は、CF3 SO
2 −O−基を含有する従来技術の化合物と比較して永続
した諸利点を有する:即ち該化合物は相当により安価で
あり、生態学的により安全であり更に非常に毒性が少な
い。
【0046】本発明は次式VII :
【0047】
【化21】
【0048】で表わされる化合物を、次式I:
【0049】
【化22】
【0050】で表わされる化合物で、反転させながらア
ルキル化することを含んでなる次式VI:
【0051】
【化23】
【0052】で表わされる化合物を調製する方法に関す
るものであり、R3 は先に定義した意味と同じであり、
各々の場合においてR1 およびR2 は先の式Iで定義さ
れる意味であり、星印は圧倒的数の分子中にS配置で存
在するかまたは圧倒的数の分子中にR配置で存在する炭
素原子を表わし、更にR′は水素もしくはC1 〜C7
ルキルであり更にRは部分式VIII :
【0053】
【化24】
【0054】(式中、R2 ,R3 ,R4 ,R7 は次の式
IXにおけるR2 ,R3 ,R4 、およびR7 と同じ意味で
あり、Xはオキソ、2個の水素原子又は1個の水素原子
と1個のヒドロキシ基である)の基であるか、又はR′
は水素、もしくはC1 〜C7アルキルであり更にRは部
分式IX:
【0055】
【化25】
【0056】{式中、R2 は水素またはC1 〜C7 アル
キルであり;R3 およびR4 は各々独立に水素、C1
7 アルキル、C1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7 アル
カノイルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンまたはトリフル
オロメチルであるか又は、R 3 とR4 は共に一緒になっ
てC1 〜C7 アルキレンジオキシを形成し;さらにR 7
はヒドロキシ、C1 〜C7 アルコキシ、(アミノ、モノ
−もしくはジ−C1 〜C7 アルキルアミノ)置換C1
7 アルコキシ、カルボキシ置換C1 〜C7 アルコキ
シ、C1 〜C7 アルコキシ−カルボニル置換C1 〜C7
アルコキシ、アリール置換C1 〜C7 アルコキシ、フェ
ニル−C1 〜C7 アルコキシ(これは、C 1 〜C7 アル
キル、C1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7 アルキレンジ
オキシ、C 1 〜C7 アルカノイルオキシ、ヒドロキシ、
ハロゲンもしくはトリフルオロメチルによりモノ−もし
くはジ置換される)、(ヒドロキシ、C1 〜C7 アルカ
ノイルオキシもしくはC1 〜C7 アルコキシ)置換C1
〜C7 アルコキシ、(ヒドロキシ、C1 〜C7 アルカノ
イルオキシもしくはC1 〜C7 アルコキシ)置換C1
7 アルコキシメトキシ、ビシクロアルコキシカルボニ
ル置換C1 〜C7 アルコキシ、3−フタリドキシ、(C
1 〜C7 アルキル、C1 〜C7 アルコキシ、ハロ)置換
3−フタリドキシ、アミノ、C1 〜C7 アルキルアミ
ノ、ジ−C1 〜C 7 アルキルアミノ、ジC1 〜C7 アル
キルアミノ(ここにおいて、2個のアルキル部分は炭素
−炭素結合によって結合されており、更にアミノ窒素と
一緒になって5員、6員、もしくは7員の複素環式環を
形成する)、(アミノもしくはアシルアミノ)置換C1
〜C7 アルキルアミノ、α−(カルボキシもしくはC1
〜C 7 アルコキシカルボニル)置換C1 〜C7 アルキル
アミノ、アリール置換C1 〜C7 アルキルアミノ(これ
は、α炭素原子でカルボキシ、もしくはC1 〜C7 アル
コキシカルボニルにより、又はC1 〜C7 アルキル、C
1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、
1 〜C7 アルカノイルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲン
もしくはトリフルオロメチルによりモノ置換もしくはジ
置換されているフェニル−C1 〜C7 アルキルアミノに
より置換されることができ更にこれはα−炭素原子でカ
ルボニルもしくはC1 〜C7 アルコキシカルボニルによ
り置換され得る)}で表わされる基であるか;又はR1
は水素でありさらにRは1−C1 〜C7 アルアルキルで
あるか、又はR′およびRは水素である。
【0057】上記置換アルキル化は、通常の一般的条件
のもと約0℃ないし反応混合物の沸点温度範囲で、好ま
しくは室温ないし約100℃の範囲で行われる。反応は
反応成分に不活性な溶剤の存在下、例えばクロロホルム
又は塩化メチレンの如きクロル化低級アルカン、ジエチ
ルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ジオキサン又
はテトラヒドロフランの如き非環状もしくは環状エーテ
ル、アセトニトリルの如き低級アルカンカルボニトリ
ル、例えば酢酸エチルの如き低級アルカン酸の低沸点低
級アルキルエステル、例えばN,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロ
リドン、N−エチルピペリドン及びヘキサメチルホスホ
ラミドの如き低分子量の第三アミドの存在下で好都合に
行われる。反応中に生じた強酸HOSO2 −R3 を、酸
受容体、好ましくはアルカリ金属の炭酸水素塩、炭酸塩
もしくは水酸化物の如き無機塩基、例えばテトラブチル
アンモニウム塩の如き有機第四級アンモニウム塩、又は
トリエチルアミン、N−エチルピペリジン、N−メチル
モルホリン、ピリジン又はキノリンの如き有機第三塩基
を添加することにより中和するのが好都合である。
【0058】反応は、反転しながら即ち星印によって示
される炭素の配置が反転するように、立体化学的に均一
で進行する。従ってもしも式1の化合物において星印が
圧倒的数の分子中でR配置で存在する炭素原子を示す場
合、星印は式Iの該化合物から得られた式VIの化合物に
おいて圧倒的数の分子中にS配置で存在する炭素原子を
示すであろうし、更にその逆を示すであろう。式VIに関
する表現「圧倒的数の分子中に−の配置で」は、式Iに
対して与えられた意味と同じ意味を有する。
【0059】もしも式VII においてR及びR′が水素で
ある場合、即ちもしも式Iの化合物をアンモニアと反応
させる場合、反応はアセトニトリルの如き不活性溶剤
中、高圧下例えば10〜20バールのもとで好都合に行
われるであろう。式VII の出発化合物は公知であるか又
はそれ自身公知の方法により(例えばヨーロッパ特許出
願72352参照)により調製出来る。
【0060】式VIの化合物は、式VIa:
【0061】
【化26】
【0062】(式中、R1 ,R2 ,R′星印および
2 ,R3 ,R4 ,R7 およびXは先に定義した意味と
同じである)で表わされるACE抑制剤であるか、又は
それは式VIb:
【0063】
【化27】
【0064】(式中、R1 ,R2 ,R′、星印およびR
2 ,R3 ,R4 およびR7 は先に定義した意味である)
のACE抑制剤の前駆物質のいずれかであるか、又はそ
れらは式VIc:
【0065】
【化28】
【0066】(式中、R1 ,R2 および星印は先に定義
した意味であり、更にRは1−C1〜C7 アルアルキ
ル、例えばベンジル、1−フェニルエチルもしくは1−
ナフチルエチルである)のACE抑制剤の前駆物質であ
るか、又はもしもRが水素である場合、それらは式VI
d:
【0067】
【化29】
【0068】(式中、R1 ,R2 および星印は先に定義
した意味と同じである)のACE抑制剤である。式VIb
の化合物はそれ自身公知の方法で還元(水素添加)によ
り式VIa(式中Xは2個の水素原子を表わす)の化合物
に変換出来る。この方法は、もしも式VIbにおいてR7
が1−C1 〜C7 アルアルコキシ例えばベンジルオキシ
である場合特に有利であり従って好ましいものである。
何故ならばこの場合においてC−C二重結合の還元及び
ベンジルオキシカルボニル基COR7 のカルボキシル基
COR7 の変換が同時に行うことが出来るからである。
【0069】直接のルート(式Iの化合物+アンモニ
ア)とは別に、式VIdの化合物は又、化学的もしくは光
学的収率に対し何等悪影響を与えることなく二工程のル
ートで得ることも出来る。従ってVIcの化合物はそれ自
身公知の方法により、穏やかな条件(水素添加)のもと
式VIdの化合物に変換することが出来、これにより星印
により示される炭素原子で立体配置を保持することが出
来る。
【0070】一方、式VIdのアミノ酸エステルは、AC
E抑制剤を合成する為の必須の成分として好都合に使用
出来る。何故ならばそれ等は部分式IVの重要な構造単位
を有しているからである。要約すれば、式Iの新規化合
物は、式Iから式VIaの直接ルートにより、式VIbを経
由して式Iから式VIaのルートにより、或いは式VIdを
経由して式Iから出発するルートによりACE抑制剤を
合成する為の重要な化合物となり得る。前記場合におい
て得られた式VIcの化合物は単離することなく直接処理
出来る。合成は高い化学的及び光学的収率により特徴づ
けられる。
【0071】本発明を次の実施例により非制限的に説明
する。「ee」により付加的に限定されたパーセンティ
ジは光学的収率を示す。温度は摂氏度で表わされる。
【0072】
【実施例】
例1 触媒の調製及び水素添加は、米国特許4,329,48
7明細書の記載に従って行うことが出来る: 触媒の調製:5%のPt/C(例えばデグサタイプF1
01R)1gを、弱流の水素中に300℃に3時間加熱
す。アルゴン雰囲気下で冷却した後、触媒を、シンコニ
ジンの1%エタノール性溶液80ml中で還流し、濾過し
て単離し、少量のエタノールで洗浄し更に引き続き水素
添加に用いた溶剤で洗浄する。
【0073】水素添加:20gのエチル4−フェニル−
2−オキソブチラートを、100mlのベンゼンに溶解し
次いで攪拌機を備えた300mlのオートクレーブ中にフ
ラッシュする。次いで0.1gのシンコニジン及び調製
した触媒を添加し、通常の方法で水素添加を150バー
ル及び20゜〜30℃で行う。水素の吸収が終了した
ら、触媒を濾別し次いで溶剤を回転蒸発機で除去する。
エチル2−ヒドロキシ−4−フェニルブチラートの化学
収率は約95%でありR形の光学的収率は70%であ
る。 例2 例1の手順を繰り返すが、但し5%のPt//Al2
3 (例えばエンゲルハルト タイプ4759b)1gを
用い更に水素添加を400℃で2時間行う。化学的収率
は約95%であり、光学的収率は72%である。 例3 例2の手順を繰り返すが、但し触媒はシンコニジン溶液
で予め処理しない。化学的収率は約95%であり、光学
的収率は68%である。 例4 例2の手順を繰り返すが、但し水素添加用に次の触媒を
用いる:a)トルエン、b)ジクロルメタン、c)酢酸
エチル、d)t−ブチルメチルエーテル。化学的収率は
約95%であり、光学的収率は60%と70%の間にあ
る。 例5 反応を例3における如く行うが、5℃の温度で反応を行
う。化学収率は約95%であり、光学的収率は80%で
ある。 例6 〔α〕20 D =−17.0゜(82%ee)を有するエチ
ル(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチラー
ト104.16g及び塩化4−ニトロベンゼンスルホニ
ル121.89gを、室温で500mlのトルエンに溶解
する。0℃で、66.8gのトリエチルアミンを1時間
に亘って滴下する。次いでバッチを室温で1時間攪拌す
る。水で処理し次いでトルエン相を1N塩酸で抽出した
後、一緒にしたトルエン相を少量のシリカゲルで濾過し
次いで回転蒸発機で濃縮させる。残留オイルを、シクロ
ヘキサン対酢酸エチル4:1混合物100mlに吸収さ
せ、溶液を室温で48時間攪拌し、次いで0℃で8時間
攪拌し最後に濾過する。濾過残留物を乾燥し、融点68
゜〜70℃を有するラセミ体エチル2−(4−ニトロベ
ンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニルブチラート4
1.5gを得る。濾液を回転蒸発機で蒸発させることに
より濃縮し次いで高真空圧のもと45℃で脱気すること
により、〔α〕20 D =+10.6゜(3%、無水エタノ
ール)を有するエチル(+)−R−2−(4−ニトロベ
ンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニルブチラートに
富んだ146.5gを得る。かくして得られた生成物は
90%を超える光学対掌体を有し、HPLCによれば純
度95%である。
【0074】この実施例の詳細に従って純粋なエチル
(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチラート
(〔α〕20 D =−20.8゜、1%、クロロホルム)か
ら得られたエチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼ
ンスルホニルオキシ)−4−フェニルブチラートは回転
角度〔α〕20 D =+13.2゜(3%、無水エタノー
ル)を有する。 例7 例6の手順に従い、対応するエチル(−)−R−2−
(2−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニ
ルブチラートが、塩化2−ニトロベンゼンスルホニルと
エチル(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フェニルブチ
ラート(82%ee)から得られる。95%の収率でオ
イルとして得られたエステルは、回転角度〔α〕20 D
−9.6゜(3%、無水エタノール)を有する。 例8 例6の手順に従い、エチル(+)−R−2−(3−ニト
ロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニルブチラー
トを、エチル(−)−R−2−ヒドロキシ−4−フェニ
ルブチラート(82%ee)と3−ニトロベンゼンスル
ホニルクロリドから得る。生成物は回転角度〔α〕20 D
=+6.9゜(3%、無水エタノール)を有する。 例9 例6の手順に従い、融点64゜〜65℃(エーテル/シ
クロヘキサンから再結晶)を有するエチル(−)−R−
2−(ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ)−4
−フェニルブチラートを、エチル(−)−R−2−ヒド
ロキシ−4−フェニルブチラート(84%ee)及び塩
化ペンタフルオロベンゼンスルホニルから98%の収率
で得る。生成物は回転角度〔α〕20 D =−2.5゜±
0.2゜;α20 436 =−12.4゜(5%、クロロホル
ム)を有する。 例10 例6の手順に従い、エチル(−)−R−2−(2,4−
ジニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェニルブ
チラートを、エチル(−)−R−2−ヒドロキシ−4−
フェニルブチラート(100%ee)及び2,4−ジニ
トロベンゼンスルホニルクロリドから95%収率でオイ
ルとして得る。オイルを、酢酸エチル対シクロヘキサン
1:4混合物から結晶化せしめ、殆んど白色の結晶性固
体を83.7%の収率で得る;融点69゜〜71℃;
〔α〕20 D =−10.6゜(3%、無水エタノール)。 例11 エチル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼンスルホニ
ルオキシ)−4−フェニルブチラート(90%ee)に
富む393.4gを、600mlのアセトニトリルに溶解
し、この溶液に室温で121.4gのトリエチルアミン
を添加する。70℃に加熱後、210gの(+)−R−
1−フェニルエチルアミンを2時間に亘って添加する。
次いで反応混合物を70℃で16時間攪拌する。反応が
完結したら、混合物を冷却し、沈殿したアンモニウム塩
を濾過して除去し次いで濾液を蒸発により濃縮する。残
留物を水とジクロルメタンの間に分け次いで水相を、2
N塩酸でpH6に調節する。一緒にした有機相を回転蒸発
機で濃縮し次いで残留オイルを引き続き100mlのジエ
チルエーテル及び250mlのジクロルメタン混合物中に
溶解し次いで得られた溶液を、塩化水素ガスで攪拌しな
がら飽和する。沈殿した結晶性サスペンションを、70
0mlのシクロヘキサンを用いて0℃で希釈し次いで−1
2℃で濾過する。濾過生成物をシクロヘキサンで洗浄し
次いで高真空下一定重量に乾燥する。収率は287.5
gである。HPLCにより測定した光学対掌体の割合
は、SR:SS=98.5:1.5である。一回の再結
晶により純粋なSR異性体としてN−(R−1−フェニ
ルエチル)−S−ホモフェニルアニリンエチルエステル
塩酸塩を得る。融点:181.5゜〜182.5℃;
〔α〕20 D =+52.5゜(1%、メタノール) 例12 +52.5゜の回転角を有する86.88gのN−(R
−1−フェニルエチル)−S−ホモフェニルアラニンエ
チルエステル塩酸塩を、870mlのエタノール及び87
mlの脱イオン水に溶解し次いで溶液を、Pd/C(5
%)17gを用い常圧で1時間水素化する。109%の
水素吸収の後水素化を中止する。濾過した後、濾液を約
200mlの容量まで濃縮する。攪拌しながら、750ml
のジエチルエーテルを滴下し、次いで得られた結晶性サ
スペンションを0℃に冷却し次いで濾過する。濾過生成
物を氷冷エーテルで洗浄し次いで高真空下で乾燥し、回
転角〔α〕20 D =+41.1゜(1%エタノール)を有
する(+)−S−ホモフェニルアラニンエチルエステル
塩酸塩55.23gを得る。母液を濃縮することにより
比較的高純度で更に3.96gの生成物を得た。 例13 例12から得られる濃エタノール性水素化溶液(0.7
モルバッチ)を、500mlのメタノールで希釈し次いで
58.8gの水酸化ナトリウム及び58.8gの水の溶
液と共に室温で攪拌する。沈殿した塩化ナトリウムを濾
過して除去し次いで濾液を約300mlの容量まで濃縮
し、その後ホモフェニルアラニンナトリウム塩が沈殿し
始める。攪拌しながら1000mlのアセトニトリルを滴
下し引き続き0℃に冷却することにより結晶化を完結さ
せる。生成物を濾過して単離し、冷アセトニトリルで洗
浄し次いで高真空で一定重量に乾燥する。単離したナト
リウム塩は回転角〔α〕20 D =+37.2゜(1%、1
N塩酸)を有する。 例14 10.0gのホモフェニルアラニンナトリウム塩を、6
0mlの脱イオン水に溶解し次いで溶液を2N塩酸24ml
に1時間に亘って滴下し、白色の、かすかに光沢のある
結晶性サスペンションを得る。このサスペンションを1
N水酸化ナトリウム溶液でpH4.0に調節し、次いで室
温で2時間攪拌し更に濾過する。濾過生成物を脱イオン
水で洗浄し次いで高真空下室温で乾燥し、回転角〔α〕
20 D =+45.6゜(1%、1N塩酸)を有する純粋な
(+)−S−ホモフェニルアラニンを得る。融点:28
7゜〜290℃、収率:89.6% 例15 オートクレーブ中、78.7gのエチル(+)−R−2
−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシ)−4−フェ
ニルブチラートを、40mlのアセトニトリルに添加し次
いで12〜18バールの圧力下60℃で7.5gのアン
モニアとの反応に供する。6〜7時間後反応は完結す
る。反応溶液を蒸発により濃縮し次いで残留物を200
mlのジエチルエーテルに吸収させる。エーテル性溶液
に、酢酸エチル(1.7N)に溶解した塩酸130mlを
添加し、しかる後回転角〔α〕20 D =+37.8゜を有
する殆んど白色の結晶性(+)−S−ホモフェニルアラ
ニンエチルエステルが沈殿する。収率:95.6%+3
7.8゜(1%、エタノール)の回転角は93%eeに
相当する。 例16 1−第三−ブトキシ−カルボキシメチル−3S−アミノ
−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−〔1〕−ベン
ズアゼピン−2−オン 46.1gの第三ブチル3−(S)−アミノベンズアゼ
ピン−2−オン−1N−アセテート、84.3gのエチ
ル(+)−R−2−(4−ニトロベンゼンスルホニルオ
キシ)−4−フェニルブチラート(90%ee)に富
む)及び19.53gのN−メチルモルホリンを、溶剤
なしで75゜〜80℃で9時間反応させる。沈殿した4
−ニトロベンゼンスルホン酸のN−メチルホルホリン塩
を、250mlの酢酸エチル及び150mlの水を添加して
溶解する。150mlの2N炭酸ナトリウム溶液でpHを
8.8に調節し、次いで酢酸エチル相を分離し更に水で
二回洗浄する。HPLCによる分析により、酢酸エチル
を留去した後得られた残留オイル(98g)が、SS:
SRのジアステレオマー割合が96:4を有することを
示している。
【0075】粗製生成物の調製は、200mlの酢酸エチ
ルに溶解した上記オイル96gの溶液に、0゜〜10℃
で塩化水素ガス54gを導入することにより行われる。
第三ブチルエステルの完全な加溶媒分解の後、粗製生成
物が微細な結晶性サスペンションとして得られる。過剰
の塩化水素を、真空下酢酸エチルを繰り返し留去するこ
とにより完全に除去する。次いで高濃度の結晶性サスペ
ンションを200mlのアセトンで希釈し次いで15℃で
濾過する。フィルターケイクを、50mlの酢酸エチルで
二回洗浄し次いで真空下60℃で一定重量に乾燥し、S
S:SRのジアステレオマー異性体の割合99.1:
0.9を有する殆んど白色の生成物62.5g(85.
4%)を得る。更に精製する為、この62.5g粗製生
成物を250mlの酢酸エチルに懸濁させ次いでサスペン
ションをリフラックスさせながら6時間加熱し次いで1
5℃で濾過する。濾過生成物を洗浄し次いで高真空下6
0℃で乾燥する。収率:61.15g(83.6%);
SS:SRの割合=99.7:0.3;〔α〕20 D =−
137.3゜(1%、無水エタノール);融点181℃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 223/16 A // A61K 31/55 AAN AAR ABU 7252−4C AEQ 7252−4C B01J 31/02 102 7821−4G C07B 53/00 C 7419−4H 55/00 B 7419−4H 61/00 300 C07C 69/675 9279−4H 309/73 7419−4H (72)発明者 ハンス−ペーター ヤレット スイス国,4052 バーゼル,ゼホゲルシュ トラーセ 70/3 (72)発明者 ゴットフリート ゼーデルマイアー ドイツ連邦共和国,7801 シャルシュタッ ト,エルレンベーク 11

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次式VI: 【化1】 (式中、R1 は未置換のもしくはC1 〜C7 アルキルに
    より置換されたC5 〜C6 シクロアルキルであるか、ま
    たは未置換のもしくは置換されたフェニルであり(この
    置換フェニルは、C1 〜C7 アルキル、ヒドロキシ、C
    1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7 アルカノイルオキシ、
    フッ素、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、アミノ、C1
    〜C7 アルキルアミノ、ジ(C1 〜C7 )アルキルアミ
    ノ、C1〜C7 アルカノイルアミノ、カルバモイル、C
    1 〜C7 アルキルカルバモイル、ジ(C1 〜C7 )アル
    キルカルバモイル、C1 〜C7 アルカンスルホニルアミ
    ノ、スルファモイル、C1 〜C7 アルキルスルファモイ
    ル、ジ(C1 〜C7 )アルキルスルファモイル、C1
    7 ハロアルキル、C1 〜C7 ヒドロキシアルキルおよ
    びC1 〜C7 アミノアルキルから成る群から選ばれた1
    種又はそれ以上の置換基により置換されている)、 R2 はC1 〜C7 アルキルであり、 星印は圧倒的数の分子中にS配置で存在するかまたは圧
    倒的数の分子中にR配置で存在する炭素原子を表わし、 R′は水素であるかまたはC1 〜C7 アルキルであり、 更にRは部分式VIII: 【化2】 {式中、R2 は水素またはC1 〜C7 アルキルであり;
    3 およびR4 は各々独立に水素、C1 〜C7 アルキ
    ル、C1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7 アルカノイルオ
    キシ、ヒドロキシ、ハロゲンまたはトリフルオロメチル
    であるか又は、R3 とR4 は共に一緒になってC1 〜C
    7 アルキレンジオキシを形成し;R7 はヒドロキシ、C
    1 〜C7 アルコキシ、(アミノ、モノ−もしくはジ−C
    1 〜C7 アルキルアミノ)置換C1 〜C7 アルコキシ、
    カルボキシ置換C1 〜C 7 アルコキシ、C1 〜C7 アル
    コキシ−カルボニル置換C1 〜C7 アルコキシ、アリー
    ル置換C1 〜C7 アルコキシ、フェニル−C1 〜C7
    ルコキシ(これは、C1 〜C7 アルキル、C1 〜C7
    ルコキシ、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、C1 〜C7
    アルカノイルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンまたはトリ
    フルオロメチルによりモノ−もしくはジ置換される)、
    (ヒドロキシ、C1 〜C7 アルカノイルオキシもしくは
    1 〜C7 アルコキシ)置換C1 〜C7 アルコキシ、
    (ヒドロキシ、C1 〜C7 アルカノイルオキシもしくは
    1 〜C7 アルコキシ)置換C 1 〜C7 アルコキシメト
    キシ、ビシクロアルコキシカルボニル置換C1 〜C7
    ルコキシ、3−フタリドキシ、(C1 〜C7 アルキル、
    1 〜C7 アルコキシ、ハロ)置換3−フタリドキシ、
    アミノ、C1 〜C7 アルキルアミノ、ジ−C1 〜C7
    ルキルアミノ、ジC1 〜C7 アルキルアミノ(ここにお
    いて、2個のアルキル部分は炭素−炭素結合によって結
    合されており、更にアミノ窒素と一緒になって5員、6
    員、もしくは7員の複素環式環を形成する)、(アミノ
    もしくはアシルアミノ)置換C1 〜C7 アルキルアミ
    ノ、α−(カルボキシもしくはC1 〜C7 アルコキシカ
    ルボニル)置換C1 〜C7 アルキルアミノ、アリール置
    換C1〜C7 アルキルアミノ(これは、α炭素原子でカ
    ルボキシ、もしくはC1 〜C7アルコキシカルボニルに
    より、又はC1 〜C7 アルキル、C1 〜C7 アルコキ
    シ、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、C1 〜C7 アルカ
    ノイルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンもしくはトリフル
    オロメチルによりモノ置換もしくはジ置換されているフ
    ェニル−C1 〜C7 アルキルアミノにより置換されるこ
    とができ更にこれはα−炭素原子でカルボニルもしくは
    1 〜C7 アルコキシカルボニルにより置換され得
    る);さらにXはオキソ、2個の水素原子もしくは水素
    原子およびヒドロキシ基である}で表わされる基である
    か;又はR′は水素もしくはC1 〜C7 アルキルであり
    更にRは部分式IX: 【化3】 {式中、R2 は水素またはC1 〜C7 アルキルであり;
    3 およびR4 は各々独立に水素、C1 〜C7 アルキ
    ル、C1 〜C7 アルコキシ、C1 〜C7 アルカノイルオ
    キシ、ヒドロキシ、ハロゲンまたはトリフルオロメチル
    であるか又は、R3 とR4 は共に一緒になってC1 〜C
    7 アルキレンジオキシを形成し;さらにR7 はヒドロキ
    シ、C1 〜C7 アルコキシ、(アミノ、モノ−もしくは
    ジ−C 1 〜C7 アルキルアミノ)置換C1 〜C7 アルコ
    キシ、カルボキシ置換C1 〜C 7 アルコキシ、C1 〜C
    7 アルコキシ−カルボニル置換C1 〜C7 アルコキシ、
    アリール置換C1 〜C7 アルコキシ、フェニル−C1
    7 アルコキシ(これは、C1 〜C7 アルキル、C1
    7 アルコキシ、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、C1
    〜C7 アルカノイルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンまた
    はトリフルオロメチルによりモノ−もしくはジ置換され
    る)、(ヒドロキシ、C1 〜C7 アルカノイルオキシも
    しくはC1 〜C7 アルコキシ)置換C1 〜C7 アルコキ
    シ、(ヒドロキシ、C1 〜C7 アルカノイルオキシもし
    くはC1 〜C7 アルコキシ)置換C 1 〜C7 アルコキシ
    メトキシ、ビシクロアルコキシカルボニル置換C1 〜C
    7 アルコキシ、3−フタリドキシ、(C1 〜C7 アルキ
    ル、C1 〜C7 アルコキシ、ハロ)置換3−フタリドキ
    シ、アミノ、C1 〜C7 アルキルアミノ、ジ−C1 〜C
    7 アルキルアミノ、ジC1 〜C7 アルキルアミノ(ここ
    において、2個のアルキル部分は炭素−炭素結合によっ
    て結合されており、更にアミノ窒素と一緒になって5
    員、6員、もしくは7員の複素環式環を形成する)、
    (アミノもしくはアシルアミノ)置換C1 〜C7 アルキ
    ルアミノ、α−(カルボキシもしくはC1 〜C7 アルコ
    キシカルボニル)置換C1 〜C7 アルキルアミノ、アリ
    ール置換C1〜C7 アルキルアミノ(これは、α炭素原
    子でカルボキシ、もしくはC1 〜C7アルコキシカルボ
    ニルにより、又はC1 〜C7 アルキル、C1 〜C7 アル
    コキシ、C1 〜C7 アルキレンジオキシ、C1 〜C7
    ルカノイルオキシ、ヒドロキシ、ハロゲンもしくはトリ
    フルオロメチルによりモノ置換もしくはジ置換されてい
    るフェニル−C1 〜C7 アルキルアミノにより置換され
    ることができ更にこれはα−炭素原子でカルボニルもし
    くはC1 〜C7 アルコキシカルボニルにより置換され得
    る)}で表わされる基であるか;又はR′は水素であり
    さらにRは1−C1 〜C7 アルキルであるか、又はR′
    およびRは水素であるで表される化合物の製造方法であ
    って、 次式VII : 【化4】 (式中、RおよびR′は式VIで定義された意味と同じで
    ある)で表わされる化合物を、次式I: 【化5】 (式中、R1 ,R2 および星印は式VIで定義された意味
    であり、R3 はハロゲンもしくはニトロにより置換され
    たフェニルである)で表わされる化合物で、反転させな
    がらアルキル化することを含んでなる、前記方法。
  2. 【請求項2】前記式VII (式中、R′は水素またはC1
    〜C7 アルキルであり更にRは前記基VIIIである)の化
    合物を、前記式I(式中、R1 ,R2 ,R3 および星印
    は請求項1で定義された意味と同じである)の化合物
    で、反転させながら、アルキル化することを含んでなる
    次式VIa: 【化6】 (式中、R1 ,R2 、星印、R2 ,R3 ,R4 ,R7
    びXは式VIで定義された意味と同じであり、R′は水素
    又はC1 〜C7 アルキルである)で表わされる化合物を
    調製する、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記式VII (式中、R′は水素またはC
    1 〜C7 アルキルであり更にRは前記基IXである)の化
    合物を、前記式I(式中、R1 ,R2 ,R3および星印
    は請求項1で定義された意味と同じである)の化合物
    で、反転させながら、アルキル化することを含んでなる
    次式VIb: 【化7】 (式中、R1 ,R2 、星印、R2 ,R3 ,R4 およびR
    7 は式VIで定義された意味と同じであり、R′は水素又
    はC1 〜C7 アルキルである)で表わされる化合物を調
    製する、請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記式VIの化合物が、次式VIa 【化8】 (式中、R1 ,R2 、星印、R2 ,R3 ,R4 、及びR
    7 は前記式VIで定義された意味と同じであり、R′は水
    素又はC1 〜C7 アルキルであり、さらにXは2個の水
    素原子である)で表わされる化合物であり、 次式VIb 【化9】 (式中、R1 ,R2 、星印、R2 ,R3 ,R4 ,R7
    びR′は、請求項1で定義された意味である)で表わさ
    れる化合物を水素化分解することを含んでなる、請求項
    1記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記式VII (式中、R′は水素であり更
    にRは1−C1 〜C 7 アルアルキルである)の化合物
    を、前記式I(式中、R1 ,R2 ,R3 および星印は請
    求項1で定義された意味と同じである)の化合物で、反
    転させながら、アルキル化することを含んでなる次式VI
    c: 【化10】 (式中、R1 ,R2 及び星印は式VIに対して定義した意
    味と同じである)で表わされる化合物を調製する請求項
    1記載の方法。
  6. 【請求項6】アンモニアを、前記式I(式中、R1 ,R
    2 ,R3 および星印は請求項1で定義された意味と同じ
    である)の化合物を、反転させながら、アルキル化する
    ことを含んでなる次式VId: 【化11】 (式中、R1 ,R2 及び星印は式VIに対して定義した意
    味と同じである)で表わされる化合物を調製する請求項
    1記載の方法。
  7. 【請求項7】 1−第三−ブトキシカルボニルメチル−
    3S−アミノ−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−
    〔1〕−ベンズアゼピン−2−オンを、反転させなが
    ら、前記式I(式中、R1 ,R2 およびR3 は請求項1
    で定義された意味と同じであり、更に星印は圧倒的数の
    分子中にR配置で存在する炭素原子を示す)の化合物を
    用いてアルキル化し、引き続き得られた主生成物中の複
    素環式環の1位にある保護されたカルボキシメチル置換
    基(すなわち、第三ブトキシカルボニルメチル基をハロ
    ゲン化水素を用いて処理して遊離カルボキシメチル置換
    基に変換することを含んでなる、1−カルボキシメチル
    −3S−〔(1S−エトキシカルボニル−3−フェニル
    プロピル)−アミノ〕−2,3,4,5−テトラヒドロ
    −1H−〔1〕−ベンズアゼピン−2−オンを調製する
    請求項1記載の方法。
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