JPH05280992A - 電子式走行距離計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 走行距離に応じたパルス信号を出力する距離
検出手段１。パルス信号に応じた走行距離を演算する距
離演算手段２。走行距離が単位走行距離に達する毎にｍ
ワード×ｎビットの不揮発性メモリ４の記憶内容を更新
するよう単位走行距離に相当するデータを不揮発性メモ
リの第１記憶領域から第ｍ×ｎ記憶領域へ記憶させかつ
データの個数がｋ個を越えると第１記憶領域から順次初
期値へ戻すよう制御する制御部３。データの個数がｋ個
以外の時はビット誤りが生じたと判断する判定手段８。 【効果】 不揮発性メモリ４で記憶されているデータの
個数が一定に保たれるため、ビット誤りの発見が容易と
なり、誤差の低減を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子式走行距離計に関
し、特に誤差の低減に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子式走行距離計を、例えば車両
のオドメータとして使用する場合、バッテリ異常（電圧
低下や外れ等）になっても過去の総走行距離を保持して
おく必要があることから、不揮発性メモリを用いている
（特開昭５７−１９８８１０号公報，同５９−１９６４
１４号公報参照）。

【０００３】この種の電子式走行距離計における走行距
離の記憶方法としては、単位走行距離毎に不揮発性メモ
リの連続するビットの内容を順次反転していくもの（特
開昭６０−１７３１５号公報参照、以下「従来例１」と
言う）や、不揮発性メモリを下位桁用カウンタと上位桁
用カウンタとで構成し、前者の全記憶領域が埋まると後
者をカウントアップするもの（特公平１−２９４０７号
公報参照、以下「従来例２」と言う）等がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来例１では、不揮発
性メモリの最後の記憶領域（ビット）がノイズ等の影響
でビット誤りとなり反転しても分からない。また、従来
例２では、不揮発性メモリがｍワード×ｎビットで構成
され記憶内容の更新（書込／消去）はワード単位で行わ
れるため、同一ワード内の更新対象ビット以外のビット
も更新（現記憶内容と同一内容で上書き）することとな
って不揮発性メモリはエンデュランス特性により更新回
数の制約（約１万回）を有することから、かかる記憶方
法による仕様では使用に限界がある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題に着
目し、走行距離に応じたパルス信号を出力する距離検出
手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演算する距
離演算手段と、前記走行距離が単位走行距離に達する毎
にｍワード×ｎビットの不揮発性メモリの記憶内容を更
新するよう前記単位走行距離に相当するデータを前記不
揮発性メモリの第１記憶領域から第ｍ×ｎ記憶領域へ記
憶させかつ前記データの個数がｋ個を越えると第１記憶
領域から順次初期値へ戻すよう制御する制御手段と、前
記記憶内容に応じて総走行距離を表示する表示器と、前
記データの個数がｋ個以外の時はビット誤りが生じたと
判定する判定手段と、を有するものである。

【０００６】

【作用】データの個数が一定に保たれるため、ビット誤
りの発見が容易となる。また、不揮発性メモリに加えら
れるストレスを抑えることができる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明について、添付図面の実施例に
基づいて説明する。

【０００８】図１は、本発明に係る電子式走行距離計を
車両のオドメータとして用いたブロック図を示してお
り、距離検出手段１は車両の車輪あるいは車軸に設けら
れ、回転数毎にパルス信号を出力し、距離演算手段２の
距離入力とする。

【０００９】距離演算手段２は距離入力を受けてそのパ
ルス数をカウントし、所定の単位走行距離（例えば１k
m）毎に制御手段３へ制御信号を出力する。

【００１０】制御手段３は制御信号を受けて第１，第２
不揮発性メモリ４，５の記憶内容を読み出して１つ前の
総走行距離を求め、その値に単位走行距離を加えたもの
を最新の総走行距離として第１，第２不揮発性メモリ
４，５の記憶内容を更新する。同時に、ドライバ６を介
して表示器７の表示内容を更新するよう表示信号を出力
する。なお、１つ前の総走行距離の求め方として、必ず
しも第１，第２不揮発性メモリ４，５の記憶内容を読み
出す必要はなく、バッテリ（図示しない）接続時であれ
ば距離演算手段２内に記憶されているカウント値を制御
手段３で読み出して求めても良い。なお、８は後述する
ビット誤りを検出するための判定手段である。

【００１１】次に、図２〜図３の第１，第２不揮発性メ
モリ４，５の割付図を用いながら記憶方法を具体的に説
明する。この実施例では、第１，第２不揮発性メモリ
４，５の許容更新回数を１万回、単位走行距離を１km、
許容層走行距離を10万kmの前提でビット数を決めてい
る。

【００１２】第１不揮発性メモリ４は４ワード×１６ビ
ット、第２不揮発性メモリ５は１ワード×１１ビットの
夫々記憶領域を有し、初期値は第１，第２不揮発性メモ
リ４，５とも消去状態（本実施例ではオール初期値
「１」とする（図２（ａ）参照）。従って、以下の説明
では前記単位相応距離に応じて書込まれるデータとして
「０」を用いる。「０」と「１」の意味付けは逆でも良
い。）とする。

【００１３】車両が１km走行すると、制御手段３は第１
不揮発性メモリ４の記憶内容を全て読み出す。一般にワ
ード単位でアクセスすることから実際には４回の読み出
しで完了する。その結果、制御手段３は記憶内容がオー
ル初期値「１」であることから１つ前の総走行距離を０
kmと判断し、ビットａ１にデータ「０」を記憶する（図
２（ｂ）参照）。以下同様に４kmまでワード方向へ順次
データ「０」を記憶する（図２（ｃ）参照）。

【００１４】車両が５kmに達すると、ビットａ５にデー
タ「０」を記憶するとともにビットａ１は初期値「１」
に戻す（図２（ｄ）参照）。ビットａ１，ａ５は同一ワ
ードであるので１回の更新動作で行われる。

【００１５】以下順次繰返し64kmに達するとビットａ61
〜ａ64にデータ「０」が記憶される（図２（ｅ）参
照）。

【００１６】65kmに達すると先頭に戻り、ビットａ１を
データ「０」、ビットａ61を初期値「１」に更新する。
その際、制御手段３は第２不揮発性メモリ５の記憶内容
をカウントアップさせる（図２（ｆ）参照）。ここでは
「１」カウントアップして２進数で記憶しているが、
「ｐ（ｐは整数）」のカウントアップ又はＢＣＤ等によ
る記憶でも良い。なお、図２（ｇ），同図（ｈ）は夫々
車両の129 km，193 km走行時の記憶状態を示している。

【００１７】従って、総走行距離は、｛（第２不揮発性
メモリ５の記憶内容×６４）＋第１不揮発性メモリ４の
データ「０」の最上位ビット位置｝×１kmで求める。

【００１８】ここで、例えば図３（ａ）又は同図（ｂ）
で示すように、車両の５km走行時に第１不揮発性メモリ
４のビットａ５又はａ６にビット誤りが生じても、デー
タ「０」の個数がｋ＝４個でないことを判定手段８で検
出してビット誤りを発見する。この結果、制御手段３は
バッテリが接続されていれば距離演算手段２内に記憶さ
れているカウント値より走行距離を求め、これにより第
１，第２不揮発性メモリ４，５の記憶内容を更新するこ
とにより、修正して誤差を生じさせなくすることができ
る。

【００１９】また、この実施例では、常に第１不揮発性
メモリ４の各ワード内のデータ「０」の個数は１個であ
り、各ワードに対する更新時にストレスが加わるビット
は常に１個となり、第１不揮発性メモリ４の寿命を延ば
すことができる。

【００２０】第２不揮発性メモリ５は、64km走行毎の更
新であり、ストレスは第１不揮発性メモリ４に比べては
るかに少ない。

【００２１】なお、第２不揮発性メモリ５のビット誤り
対策として、同一記憶内容を複数組持ち、多数決を採る
構成としても良い。

【００２２】図４は本発明の他の実施例を示しており、
図１のブロック図において、初期状態においても第１不
揮発性メモリ４のビットａ61〜ａ64に「０」を記憶して
おき（図４（ａ）参照）１km走行するとビットａ１にデ
ータ「０」、ビットａ61に初期値「１」で更新すれば
（図４（ｂ）参照）、常に第１不揮発性メモリ４で記憶
されているデータ「０」の個数を４個に保つことも可能
である。但し、64km走行時の記憶状態（図２（ｅ）参
照）と区別するため、第２不揮発性メモリ５にはオール
「０」を記憶しておく。

【００２３】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、第１不揮発性メモリ４の記憶領域が十分大
きな場合には第２不揮発性メモリ５を設けなくても良
い。

【００２４】

【発明の効果】本発明は、走行距離に応じたパルス信号
を出力する距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走
行距離を演算する距離演算手段と、前記走行距離が単位
走行距離に達する毎にｍワード×ｎビットの不揮発性メ
モリの記憶内容を更新するよう前記単位走行距離に相当
するデータを前記不揮発性メモリの第１記憶領域から第
ｍ×ｎ記憶領域へ記憶させかつ前記データの個数がｋ個
を越えると第１記憶領域から順次初期値へ戻すよう制御
する制御手段と、前記記憶内容に応じて総走行距離を表
示する表示器と、前記データの個数がｋ個以外の時はビ
ット誤りが生じたと判定する判定手段と、を有するもの
であり、不揮発性メモリに記憶されるデータの個数を一
定のｋ個に保ち、このデータの個数を監視することによ
りビット誤りの発見が容易となるため、誤差の低減を図
ることができる。

【００２５】また、不揮発性メモリの同一ワード内のス
トレスの加わるビット数が少なくなり、更新回数の軽減
が図られることから、不揮発性メモリの寿命を延ばすこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を車両のオドメータとして使用
する場合のブロック図。

【図２】同上実施例の不揮発性メモリの割付図。

【図３】同上実施例の不揮発性メモリの割付図。

【図４】本発明の他の実施例の不揮発性メモリの割付
図。

【符号の説明】

１ 距離検出手段 ２ 距離演算手段 ３ 制御手段 ４ 第１不揮発性メモリ ５ 第２不揮発性メモリ ６ ドライバ ７ 表示器 ８ 判定手段

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 走行距離に応じたパルス信号を出力する
   距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演
   算する距離演算手段と、前記走行距離が単位走行距離に
   達する毎にｍワード×ｎビットの不揮発性メモリの記憶
   内容を更新するよう前記単位走行距離に相当するデータ
   を前記不揮発性メモリの第１記憶領域から第ｍ×ｎ記憶
   領域へ記憶させかつ前記データの個数がｋ個を越えると
   第１記憶領域から順次初期値へ戻すよう制御する制御手
   段と、前記記憶内容に応じて総走行距離を表示する表示
   器と、前記データの個数がｋ個以外の時はビット誤りが
   生じたと判定する判定手段と、を有することを特徴とす
   る電子式走行距離計。