JPH05296782A - 電子式走行距離計 - Google Patents

電子式走行距離計

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JPH05296782A
JPH05296782A JP12565792A JP12565792A JPH05296782A JP H05296782 A JPH05296782 A JP H05296782A JP 12565792 A JP12565792 A JP 12565792A JP 12565792 A JP12565792 A JP 12565792A JP H05296782 A JPH05296782 A JP H05296782A
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JP
Japan
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bit
memory
error
main memory
distance
Prior art date
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Pending
Application number
JP12565792A
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English (en)
Inventor
Shigeaki Tamura
繁明 田村
Yoichi Shimazu
陽一 島津
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Nippon Seiki Co Ltd
Original Assignee
Nippon Seiki Co Ltd
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Publication date
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  • Measurement Of Distances Traversed On The Ground (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 距離検出手段1は走行距離に応じたパルス信
号を出力する。距離演算手段2はパルス信号に応じた走
行距離を演算する。制御手段3は走行距離が単位走行距
離に達する毎に不揮発性メモリから成る主メモリ4の記
憶内容を更新する。表示器6は主メモリ4の記憶内容に
応じて走行距離を表示する。誤り訂正符号手段7は主メ
モリ4の上位桁用記憶領域42に書き込まれるデ−タに
応じて記憶内容のビット誤りを検出するための検査ビッ
トを生成しビット誤りを検出した場合には訂正する。 【効果】 主メモリ4の記憶内容にビット誤りが生じて
も、検出及び訂正することができるため、誤差を抑える
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子式走行距離計に関
し、特に誤差の低減に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の電子式走行距離計を、例えば車両
のオドメータとして使用する場合、バッテリ異常(電圧
低下や外れ等)になっても過去の総走行距離を保持して
おく必要があることから、不揮発性メモリを用いている
(特開昭57−198810号公報,同59−1964
14号公報参照)。
【0003】この種の電子式走行距離計における走行距
離の記憶方法としては、例えば不揮発性メモリの3個所
の書き込み部にそれぞれ全く同じようにデ−タを書き込
み、3個所での記憶内容に差が生じた場合には多数決を
とり間違いをなくするようにしたものがある(特公平1
−46005号公報参照)がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の技術では、
同一デ−タを3個所で記憶する必要があるため、不揮発
性メモリの記憶領域(メモリ容量)が1個所で記憶する
場合の3倍必要となり、不揮発性メモリが大型化してし
まう。
【0005】また、不揮発性メモリのビット誤り対策と
して、前記従来の技術では、最上位の1ビットをパリテ
イ(正誤判定)ビットとして用いているが、かかる構成
では1ビット誤りについては有効であるが、2ビット誤
りの検出はできない。同様に多数決についても、例えば
3個所の多数決では2個所の各々に1ビットずつ誤りが
発生すると、正対誤は1対2となり誤デ−タで書き換え
られることがある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題に着
目し、走行距離に応じたパルス信号を出力する距離検出
手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演算する距
離演算手段と、前記走行距離が単位走行距離に達する毎
に不揮発性メモリから成る主メモリの記憶内容を更新す
る制御手段と、前記記憶内容に応じて総走行距離を表示
する表示器と、前記主メモリに書き込まれるデ−タに応
じて前記記憶内容のビット誤りを検出するための検査ビ
ットを生成し前記ビット誤りを検出した場合には訂正す
る誤り訂正符号手段を設けたものである。
【0007】
【作用】主メモリの記憶内容にビット誤りが生じても、
検出及び訂正することができるため、誤差を抑えること
ができる。
【0008】
【実施例】以下、本発明について、添付図面の実施例に
基づいて説明する。
【0009】図1は、本発明に係る電子式走行距離計を
車両のオドメータとして用いたブロック図を示してお
り、距離検出手段1は車両の車輪あるいは車軸に設けら
れ、回転数毎にパルス信号を出力し、距離演算手段2の
距離入力とする。
【0010】距離演算手段2は距離入力を受けてそのパ
ルス数をカウントし、所定の単位走行距離毎に制御手段
3へ制御信号を出力する。
【0011】制御手段3は制御信号を受けてmワ−ド×
nビットの下位桁用記憶領域41とiワ−ド×jビット
の上位桁用記憶領域42とを有する主メモリ4の記憶内
容を読み出して1つ前の総走行距離を求め、その値に単
位走行距離を加えたものを最新の総走行距離として主メ
モリ4の記憶内容を更新する。同時に、ドライバ5を介
して表示器6の表示内容を更新するように表示信号を出
力する。なお、1つ前の総走行距離の求め方として、バ
ッテリ(図示しない)接続時であれば距離演算手段2内
に記憶されているカウント値を制御手段3で読み出して
求めても良い。
【0012】本発明の特徴は、主メモリ4の上位桁用記
憶領域42のビット誤りの検出及び訂正のため、誤り訂
正符号手段7を付加したことにある。即ち、主メモリ4
の記憶内容を更新する時、制御手段3からのデ−タを第
1検査ビット生成手段71へ出力して第1検査ビットを
生成し、iワ−ド×kビットの検査ビット領域を有する
補助メモリ72へ記憶させる。主メモリ4の読み出し時
は、主メモリ4の記憶内容を第2検査ビット生成手段7
3へ出力して第2検査ビットと補助メモリ72の記憶内
容に対応する第1検査ビットに基づいて主メモリ4の上
位桁用記憶領域42のビット誤りの検出及び訂正を行
う。
【0013】次に、本発明の記憶方法を具体的に説明す
る。この実施例では、主,補助メモリ4,72の許容更
新回数を1万回、単位走行距離を1km、許容総走行距離
を10万kmの前提でビット数を決めている。
【0014】図2で示すように、主メモリ4の下位桁用
記憶領域41はm=4ワ−ド×n=16ビット、上位桁
用記憶領域42はi=1ワ−ド×j=11ビットを2組
(符号42a,42bで示す)、補助メモリ72は上位
桁用記憶領域42と一体をなしてi=1ワ−ド×k=4
ビットを2組(符号72a,72bで示す)から構成さ
れている。初期値は主,補助メモリ4,72とも消去状
態(本実施例ではオ−ル「1」とする(図3(a)参
照)。従って、以下の説明では前記単位走行距離に応じ
て書き込まれるデ−タとして「0」を用いる。「0」と
「1」の意味付けは逆でも良い。)とする。
【0015】車両が1km走行すると、制御手段3は主メ
モリ4の記憶内容を全て読み出す。一般にワード単位で
アクセスすることから実際には4回の読み出しで完了す
る。その結果、制御手段3は記憶内容がオール初期値
「1」であることから1つ前の総走行距離を0kmと判断
し、下位桁用記憶領域41のビットa1にデータ「0」
を記憶する(図3(b)参照)。以下同様に4kmまでワ
ード方向へ順次データ「0」を記憶する(図3(c)参
照)。
【0016】車両が5kmに達すると、下位桁用記憶領域
41のビットa5にデータ「0」を記憶するとともにビ
ットa1は初期値「1」に戻す(図3(d)参照)。ビ
ットa1,a5は同一ワードであるので1回の更新動作
で行われる。
【0017】以下順次繰返し64kmに達すると下位桁用記
憶領域41のビットa61〜a64にデータ「0」が記憶さ
れる(図3(e)参照)。
【0018】65kmに達すると先頭に戻り、下位桁用記憶
領域41のビットa1をデータ「0」、ビットa61を初
期値「1」に更新する。そして制御手段3は主メモリ4
と補助メモリ72を読み出す。その際、第2検査ビット
生成手段73は主メモリ4の上位桁用記憶領域42の記
憶内容より第2検査ビットを生成し、この第2検査ビッ
トと補助メモリ72に記憶している第1検査ビットとを
誤り訂正手段74の入力とし、ビット誤りの検出及び訂
正を行う。この誤り訂正手段74は、デコ−ダを用いる
シンドロ−ム解析回路と排他的論理和をとる訂正回路と
から構成されており、一般に、11ビットのデ−タに対
し5ビットの検査ビットを付加すると1ビット誤りの検
出及び訂正が可能である。ここでは、特にビット誤りは
発生していないので、制御手段3は主メモリ4の上位桁
用記憶領域42の記憶内容を2組42a,42b同じに
カウントアップさせる(図3(f)参照)。ここでは
「1」カウントアップして2進数で記憶しているが、
「p(pは整数)」のカウントアップ又はBCD等によ
る記憶でも良い。なお、図3(g),同図(h)は夫々
車両の129 km,193 km走行時の記憶状態を示している。
【0019】つまり、64km走行までは主メモリ4の下位
桁用記憶領域41に記憶する。また、64km走行毎に主メ
モリ4の上位桁用記憶領域42(42a,42b)をカ
ウントアップすると同時に上位桁用記憶領域42の記憶
内容に対応する検査ビットを生成して補助メモリ72
(72a,72b)へ記憶する。従って、総走行距離
は、{(上位桁用記憶領域42の記憶内容×64)+下
位桁用記憶領域41のデータ「0」の最上位ビット位
置}×1kmで求める。
【0020】次に、図4の検査ビットの生成原理図を用
いて補助メモリ72aによる上位桁用記憶領域42aの
ビット誤り訂正について説明する。なお、前者及び後者
とも符号72b,42bで示す他の1組と併用する構成
であるが、原理及び働きは全く同一なため、その説明を
省く。
【0021】上位桁用記憶領域42aの情報用のビット
b11〜b1と補助メモリ72aの検査ビットc3〜c0
を加えた15ビットを次のように並べて考える。一般に
cxは2↑xの位置に置く。 位置 15 14 13 12 11 10 9 8 7 ビット b11 b10 b9 b8 b7 b6 b5 c3 b4 位置 6 5 4 3 2 1 ビット b3 b2 c2 b1 c1 c0 検査ビットc3〜c0は、図3に示す原理によって、 c3=b11 XOR b10 XOR b9 XOR b8 XOR b7 XOR
b6 XOR b5 c2=b11 XOR b10 XOR b9 XOR b8 XOR b4 XOR
b3 XOR b2 c1=b11 XOR b10 XOR b7 XOR b6 XOR b4 XOR
b3 XOR b1 c0=b11 XOR b9 XOR b7 XOR b5 XOR b4 XOR
b2 XOR b1 のように生成する。従って、これによればビット誤りが
生じた時その位置を直ちに知ることができる。例えば、
位置11すなわちビットb7に誤りが生じた場合には、当
然それを含む検査ビットc3,c1,c0に誤りが生じ
るので、誤った位置が11すなわちビットb7であること
がわかる。従って、ビットb7を訂正すれば良く、訂正
すなわち元に戻すということは反転することに他ならな
いから、この誤りが生じたという信号とXOR (排他的論
理和)をとれば良く、誤り訂正手段74の前記訂正回路
が排他的論理和をとることはそのためである。ちなみ
に、検査ビットの個数kは、検査対象となる情報用のビ
ットの個数jとの関係において、j=5〜11のときk
=4、j=12〜26のときk=5、j=27〜57の
ときk=6、j=58〜120のときk=7である。
【0022】ここで、例えば図5で示すように、車両の
128km走行時に主メモリ4の上位桁用記憶領域42aの
ビットb1に1ビット誤りが生じても、ビットb1の誤
りは誤り訂正手段74で訂正し、制御手段3へ渡せる。
従って、制御手段3は主メモリ4の記憶内容を使用する
に問題はない。
【0023】なお、補助メモリ72aにパリテイビット
を1ビット追加して2ビット誤りが生じたことを検出で
きる。この場合、ビット位置までは特定できないため、
制御手段3へは2ビット誤りの生じたことのみ報告す
る。制御手段3はその結果を受け、符号42bで示す他
組の記憶内容を読み出し、これをこれまでの真の総走行
距離として使用する。但し、2ビット以上のビット誤り
の生じる可能性は極めて低く、実際の使用に際しては1
ビット誤りの検出と訂正で十分である。
【0024】本実施例では、主メモリ4の下位桁用記憶
領域41についての誤り訂正符号回路は設けていない。
これは、常に下位桁用記憶領域41の各ワ−ド内のデ−
タ「0」の個数が1個でありかつ4個のデ−タ「0」が
連続していることを監視することにより1ビット誤りを
検出でき、必要に応じて訂正することによる。仮に2ビ
ット誤りが生じた場合には訂正できないが数kmの誤差で
あり、これが生じる可能性は極めて低い。
【0025】なお、第1検査ビット生成手段71と第2
検査ビット生成手段73とは、同一回路であり、共用す
ることも可能である。また、ビット誤りの検出及び訂正
に係る処理は、必ずしも論理回路で行う必要はなく、制
御手段3にマイクロコンピユ−タを用いてソフト的に処
理することも可能である。
【0026】図5は、本発明の他の実施例を示してお
り、図1で示した前記実施例における主メモリ4の下位
桁用記憶領域41にも検査ビットを付加するべく4ワ−
ド×6ビットの揮発性メモリ72cが、補助メモリ72
(図1参照)と同様な働きをなすことにより、下位桁用
記憶領域41のビットa1〜a64のビット誤りの検出
及び訂正を行うことができる。なお、前記補助メモリ7
2のように不揮発性メモリとしなかったのは、補助メモ
リ72cは下位桁用記憶領域41の同一ワ−ド内の記憶
内容が変化する毎に書き換える必要があり、不揮発性メ
モリとした場合には更新回数の点で制約を受けることに
よる。なお、この場合にもパリテイビットを1ビット追
加することにより、前記実施例と同様に2ビット誤りま
で対処することができる。
【0027】
【発明の効果】本発明は、走行距離に応じたパルス信号
を出力する距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走
行距離を演算する距離演算手段と、前記走行距離が単位
走行距離に達する毎に不揮発性メモリから成る主メモリ
の記憶内容を更新する制御手段と、前記記憶内容に応じ
て総走行距離を表示する表示器と、前記主メモリに書き
込まれるデ−タに応じて前記記憶内容のビット誤りを検
出するための検査ビットを生成し前記ビット誤りを検出
した場合には訂正する誤り訂正符号手段を設けたもので
あり、不揮発性メモリのビット誤りの対処が容易とな
り、同じデ−タを不揮発性メモリの3個所以上の複数個
所で記憶させていた従来のものに比べて小型化できる。
また、複雑な判定機能を必要とせずにアルゴリズムの簡
素化が図れるので安価で高信頼性の電子式走行距離計を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を車両のオドメータとして使用
する場合のブロック図。
【図2】同上実施例のメモリの構成図。
【図3】同上実施例の不揮発性メモリの割付図。
【図4】同上実施例の検査ビットの生成の原理図。
【図5】同上実施例のビット誤りを示すメモリの割付
図。
【図6】本発明の他の実施例のメモリの構成図。
【符号の説明】
1 距離検出手段 2 距離演算手段 3 制御手段 4 主メモリ 5 ドライバ 6 表示器 7 誤り訂正符号手段

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走行距離に応じたパルス信号を出力する
    距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演
    算する距離演算手段と、前記走行距離が単位走行距離に
    達する毎に不揮発性メモリから成る主メモリの記憶内容
    を更新する制御手段と、前記記憶内容に応じて総走行距
    離を表示する表示器と、前記主メモリに書き込まれるデ
    −タに応じて前記記憶内容のビット誤りを検出するため
    の検査ビットを生成し前記ビット誤りを検出した場合に
    は訂正する誤り訂正符号手段を設けたことを特徴とする
    電子式走行距離計。
JP12565792A 1992-04-17 1992-04-17 電子式走行距離計 Pending JPH05296782A (ja)

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JP12565792A JPH05296782A (ja) 1992-04-17 1992-04-17 電子式走行距離計

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JP12565792A JPH05296782A (ja) 1992-04-17 1992-04-17 電子式走行距離計

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08271281A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nippon Seiki Co Ltd 電子式走行距離計

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08271281A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nippon Seiki Co Ltd 電子式走行距離計

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