JP2917677B2 - 電子式走行距離計 - Google Patents

電子式走行距離計

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JP2917677B2
JP2917677B2 JP15267592A JP15267592A JP2917677B2 JP 2917677 B2 JP2917677 B2 JP 2917677B2 JP 15267592 A JP15267592 A JP 15267592A JP 15267592 A JP15267592 A JP 15267592A JP 2917677 B2 JP2917677 B2 JP 2917677B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子式走行距離計に関
し、構成を簡略化して誤差の低減を図るものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子式走行距離計を、例えば車両
のオドメータとして使用する場合、バッテリ異常(電圧
低下や外れ等)になっても過去の総走行距離を保持して
おく必要があることから、不揮発性メモリを用いている
(特開昭57- 198810号公報,同59- 196414号公報参
照)。
【0003】この種の電子式走行距離計における走行距
離の記憶方法としては、例えば単位走行距離毎に不揮発
性メモリの連続するビットのデータを順次反転していく
もの(特開昭60-17315号公報参照、以下「従来例1」と
いう)や、不揮発性メモリを下位桁用カウンタと上位桁
用カウンタとで構成し、前記の全記憶領域が埋まると後
者をカウントアップするもの(特開平1-29407号公報参
照、以下「従来例2」という)等がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来例1では、不揮発
性メモリの最後の記憶領域(ビット)がノイズ等の影響
でビット誤りとなり反転しても分からない。また、従来
例2では、不揮発性メモリがmワード×nビットで構成
されているため、同一ワード内の更新対象ビット以外の
ビットも更新(現データと同一内容で上書き)すること
となって、不揮発性メモリはエンデュランス特性により
構成回数の制約(約1万回)を有することから、かかる
記憶方法による仕様では使用に限界がある。更に、走行
距離の表示は、各桁毎に10進数で行われているのに対し
て2進数で不揮発性メモリへ記憶すると、BCD変換手
段が必要となり、構成が複雑で、特に論理回路で構成す
る際はゲート数の増加を招きコストアップにつながって
いた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題に着
目し、走行距離に応じたパルス信号を出力する距離検出
手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演算する距
離演算手段と、前記走行距離が単位走行距離に達する毎
にデータを更新するmワード×nビットの記憶領域を有
する第1不揮発性メモリ及びこの第1不揮発性メモリの
全記憶領域の更新がされた時にデータを更新して桁上げ
を記憶するjワード×kビットの記憶領域を有する第2
不揮発性メモリとから構成される記憶手段と、前記第1
不揮発性メモリの第1記憶領域から第m×n記憶領域へ
ワード方向へ順次更新し、更新された前記記憶領域の個
数がn×p(pは1以上の整数)個を越えると前記第1
記憶領域から順次初期値に戻して、各ワード毎の書込用
のデータの個数を同一とし、かつ、前記第2不揮発性メ
モリの各桁にパリティビットを付加することにより前記
記憶手段への更新を制御する制御手段と、前記記憶手段
のデータに応じて総走行距離を表示する表示器とを有
し、前記第1不揮発性メモリの記憶領域は10×10↑
x(xは1以上の整数)個として前記総走行距離の下位
x+1桁分を保持し、これにより上位の各桁分は前記第
2不揮発性メモリで各桁毎にBCDで保持する。また、
前記第1,第2不揮発性メモリは夫々q(qは1以上の
整数)組のメモリにて構成され、各ワード毎に前記各メ
モリのパリティチェックと各メモリ間のデータ比較を行
い、前記データのq−1ビット誤りの検出及び訂正とq
ビット以上誤りの検出を行うものである。
【0006】
【作用】走行距離の記憶方法は10進数を基本としている
ため、表示器への変換手段が不要となり構成の簡略化が
図れる。特に、論理回路で構成する際は、少ないメモリ
容量とゲート数で走行距離のデータの信頼性向上が図れ
る。また、パリティチェックと多数決を併用した誤り訂
正手段により誤差の低減が図れる。
【0007】
【実施例】以下、本発明について、添付図面の実施例に
基づいて説明する。
【0008】図1は、本発明に係る電子式走行距離計を
車両のオドメータとして用いたブロック図を示してお
り、距離検出手段1は、車両の車輪あるいは車軸に設け
られ、回転数毎にパルス信号を出力し、距離演算手段2
の距離入力とする。
【0009】距離演算手段2は、距離入力を受けてその
パルス数をカウントし、所定の単位走行距離(例えば1
km)毎に制御手段3へ制御信号を出力する。
【0010】制御手段3は、制御信号を受けてmワード
×nビットの第1不揮発性メモリ4とjワード×kビッ
トの第2不揮発性メモリ5から成る記憶手段6のデータ
を読出して1つ前の時点の総走行距離を求め、その値に
単位走行距離を加えたものを最新の総走行距離として第
1,第2不揮発性メモリ4,5のデータを更新(書込/
消去)する。同時に、ドライバ7を介して表示器8の表
示内容を更新するよう表示信号を出力する。なお、1つ
前の時点の総走行距離の求め方として、必ずしも記憶手
段6の表示内容を読出す必要はなく、バッテリ(図示し
ない)接続時であれば距離演算手段2内に記憶されてい
るデータを制御手段3で読出して求めても良い。なお、
9は後述する誤り訂正手段である。
【0011】次に、図2〜図3の第1,第2不揮発性メ
モリ4,5の割付図を用いながら記憶方法を具体的に説
明する。この実施例では、第1,第2不揮発性メモリ
4,5の許容更新回数を1万回、単位走行距離を1km、
許容総走行距離を10万km以上の前提でビット数(メモリ
容量)を決めている。
【0012】第1不揮発性メモリ4は、20ワード×5ビ
ットで3組のメモリ4a〜4c、第2不揮発性メモリ5
は、4ワード×5ビットで3組のメモリ5a〜5cから
成り、初期値は第1,第2不揮発性メモリ4,5とも消
去状態(本実施例では「1」を消去用し、「0」を前
記単位走行距離毎の書込用として用いる。「0」と
「1」の意味付けは逆でも良い。)とする。なお、図3
において、第1不揮発性メモリ4ではメモリ4a、第2
不揮発性メモリ5ではメモリ5aのみ図示しており、以
下の説明において、他のメモリ4b,4c,5b,5c
は、特に必要のない限り省略する。
【0013】第1不揮発性メモリ4は、走行距離の 100
km未満である下位桁の数値をデータとして保持する下位
カウンタであり、メモリ4aには1km毎に「0」を書込
み、アドレスに沿って0〜99kmまで数える。但し、20km
毎に前に記憶した「0」を「1」に戻し、同一ワード
(5ビット)の「0」の個数を常に1個となるようにし
ている。また、第2不揮発性メモリ5は、走行距離の 1
00km以上である上位桁の数値をデータとして保持する上
位カウンタであり、ワード(5ビット)単位で 100km桁
用、1000km桁用、 10000km桁用、100000km桁用に区分け
され、各々が数値{0}〜{9}をBCDで保持すると
共にメモリ4a及びメモリ5a内の下位が所定データと
なった時点で上位をカウントアップするようになってい
る。更に、メモリ5aの各ワードの最上位ビットはパリ
ティビットとして設定されており、奇数パリティにて同
一ワードの「0」の個数を常に奇数個となるようにして
いる。
【0014】車両が1km走行すると、制御手段3は、記
憶手段6のデータを全て読出す。その結果、制御手段3
は、第1不揮発性メモリ4のメモリ4aのアドレス00
の最下位ビットa0と、アドレス01〜19の最上位ビ
ットa81〜a99のデータが「0」である(図3(a)参
照)ことから、1つ前の時点での総走行距離を0kmと判
断し、メモリ4aのアドレス01のビットa1に「0」
を記憶すると共にビットa81は「1」に戻す(図3
(b)参照)。これら総走行距離が0km,1kmの場合の
第2不揮発性メモリ5のデータは、メモリ5aのパリテ
ィビットb4,c4,d4,e4が「0」で他のビット
は「1」となっており、即ち、走行距離の 100km桁以上
は数値{0}であることが分かる。以下同様に、19kmま
でワード方向へ順次「0」を記憶し、車両が20kmに達す
ると、アドレス00の下位から2番目のビットa20にデ
ータ「0」を記憶すると共にビットa0は「1」に戻す
(図3(c)参照)。
【0015】以下順次繰返し99kmに達すると、メモリ4
aのアドレス00〜19の最上位ビットa80〜a99に
「0」が記憶される(図3(d)参照)。
【0016】100kmに達すると、先頭に戻り、メモリ4
aのビットa0を「0」及びビットa80を「1」に更新
して第1不揮発性メモリ4は0kmの状態に戻る。その
際、制御手段3は、第2不揮発性メモリ5のメモリ5a
の走行距離の 100km桁を記憶するアドレス0Aのビット
b0〜b3をカウントアップして数値{1}をBCDで
記憶する。
【0017】以下、第2不揮発性メモリ5は、メモリ4
aのデータが数値{99}から{00}になった時点でメモ
リ5aのアドレス0Aをカウントアップし、アドレス0
Aのデータが数値{9}から{0}になった時点で走行
距離の1000km桁を記憶するアドレス0Bのビットc0〜
c3をカウントアップし、アドレス0Bのデータが数値
{9}から{0}になった時点で走行距離の 10000km桁
を記憶するアドレス0Cのビットd0〜d3をカウント
アップし、アドレス0Cのデータが数値{9}から
{0}になった時点で走行距離の100000km桁を記憶する
アドレス0Dのビットe0〜e3をカウントアップす
る。なお、図3(f),(g),(h)は、夫々車両の
1000km, 10000km,299999km走行時の記憶状態を示して
いる。
【0018】次に、データの書込みについて説明する。
図4で示すように、距離演算手段2は、走行距離の各桁
用の各々4ビットで構成されて数値{0}〜{9}をB
CDで保持する6個のカウンタ2a〜2fを有し、走行
距離の 100km桁以上の上位桁のためのカウンタ2c〜2
fのデータの内、1つ前の時点でのデータと異なるか否
か変化をセレクタ3aで判別し、異なると判別されたデ
ータにパリティビットを加えた5ビットのデータとして
セレクタ3cへ出力し、後述する他の5ビットのデータ
との出力整理を行うセレクタ3cを介して分配器3dに
より1:3(同じデータを3組のメモリに書込むため)
に分配し、前記データの書込みアドレスを決定するため
セレクタ3eに入力されるアドレス信号に応じて分配器
3dからのデータを第2不揮発性メモリ5に書込む。
【0019】また、走行距離の10km桁と1km桁との下位
桁のためのカウンタ2b,2aは、カウンタ2bの4ビ
ットのデータの上位3ビットが図5で示すように5通り
のデータを有し、このデータに対応して定められた5ビ
ットのデータにデコーダ3eがデコードしてセレクタ3
cへ出力され、カウンタ2bの最下位ビットとカウンタ
2aの4ビットのデータはそのまま前記データの書込み
アドレスを決定するアドレス信号となり、この信号に応
じて分配器3dからのデータを第1不揮発性メモリ4に
書込む。
【0020】例えば、 100kmの場合、カウンタ2cのデ
ータが「1・1・1・1(数値{0})」から「1・1
・1・0(数値{1})」に変化する。セレクタ3aが
変化を判別してセレクタ3cへ出力する。この際、パリ
ティ生成部3bによりセレクタ3cへの出力は、パリテ
ィビットを加えた5ビットのデータ「1・1・1・1・
0(奇数パリティに設定したため、先頭のパリティビッ
トは「1」となる)」となり、分配器5dへ出力され
る。また、カウンタ2b,2aのデータは各々「0・1
・1・0(数値{9})」から「1・1・1・1(数値
{0})」に変化する。カウンタ2bの4ビットのデー
タの上位3ビット「1・1・1」はデコーダ3fにより
図5で示すように5ビットのデータ「1・1・1・1・
0」にデコードされてセレクタ3cを介して分配器5d
へ出力される。また、カウンタ2bの最下位ビットのデ
ータ「1」とカウンタ2aのデータ「1・1・1・1」
は、アドレス信号となってセレクタ3eへ出力される。
以上より、制御手段3は、カウンタ2cによるデータ
「1・1・1・1・0」を分配器3dで「1・1・1・
1・0・1・1・1・1・0・1・1・1・1・0」と
して、セレクタ3eに入力されるアドレス信号に応じて
第2不揮発性メモリ5のアドレス0Aに前記データを書
込む。そして、カウンタ2bのデータ「1・1・1・1
・0」を分配器3dで「1・1・1・1・0・1・1・
1・1・0・1・1・1・1・0」とし、セレクタ3e
に入力されるアドレス信号「1・1・1・1・1」の最
上位をアドレスの上位の番地{0}その他を下位の番地
{0}即ち第1不揮発性メモリ4のアドレス00に前記
データを書込む(図3(e)参照)。
【0021】次に、データの読出しについて説明する。
図6で示すように、距離演算手段2は、記憶手段6のデ
ータを入力するW1〜W5の5ビットのワークレジスタ
3g,ワークレジスタ3gのデータをE1〜E3の3ビ
ットのデータにエンコードするエンコーダ3h、記憶手
段6のアドレスを入力するA1〜A5の5ビットのアド
レスレジスタ3iを有している。
【0022】記憶手段6の第2不揮発性メモリ5のデー
タは、アドレス毎に順次読出されて後述する誤り訂正手
段9で所定の処理がなされた後、5ビットのデータ(同
じデータを3組のメモリ5a,5b,5cに書込んでい
たのを1つに戻す)とし、更に最上位のパリティビット
を除き、アドレスレジスタ3iのアドレスデータに応じ
て距離演算手段2のカウンタ2c〜2fへ順次出力され
る。
【0023】記憶手段6の第1不揮発性メモリ4のデー
タは、アドレス00から順次読出されて前述同様誤り訂
正手段9通過後に5ビットのデータとなりワークレジス
タ3gへ出力される。ワークレジスタ3gは、初期値と
してビットW1〜W5の全てに「0」を有し、誤り訂正
手段9からのデータとで各ビットを比較し、両者共
「0」のビットのみ「0」とし、他は「1」としてワー
クレジスタ3gに格納する。そして、次のアドレス01
のデータに応じた誤り訂正手段9からのデータと先程格
納したワークレジスタ3gのデータとで各ビットを比較
し、両者共「0」のビットのみ「0」とし、他は「1」
としてワークレジスタ3gに格納する。以下、アドレス
02〜19について同様に繰返し、ワークレジスタ3g
のデータが変化しなくなった時点で、その時のデータが
エンコーダ3hへ出力され、図7で示すようにエンコー
ドして3ビットのデータを得ると共にその基となったア
ドレスをアドレスレジスタ3iで保持する。そして、エ
ンコーダ3hからの3ビットのデータにアドレスレジス
タ3iの最上位のビットを加えた4ビットのデータが10
km桁のカウンタ2b、アドレスレジスタ3iの残り4ビ
ットのデータが1km桁のカウンタ2aに各々出力され
る。
【0024】例えば、 100kmの場合(図3(e)参
照)、記憶手段6の第2不揮発性メモリ5のアドレス0
B〜0Dのデータは各々「0・1・1・1・1・0・1
・1・1・1・0・1・1・1・1」であり、誤り訂正
手段9通過後の「0・1・1・1・1」から最上位のパ
リティビット「0」を除いた4ビットのデータ「1・1
・1・1(数値{0})」が距離演算手段2のカウンタ
2d〜2fへ各々出力される。また、アドレス0Aのデ
ータは「1・1・1・1・0・1・1・1・1・0・1
・1・1・1・0」であり、誤り訂正手段9通過後の
「1・1・1・1・0」から最上位のパリティビット
「1」を除いた4ビットのデータ「1・1・1・0(数
値{1})」がカウンタ2cへ出力される。また、第1
不揮発性メモリ4のアドレス00のデータは「1・1・
1・1・0・1・1・1・1・0・1・1・1・1・
0」であり、誤り訂正手段9通過後の5ビットのデータ
「1・1・1・1・0」がワークレジスタ3gに格納さ
れ、次のアドレス01のデータに応じた誤り訂正手段9
通過後の5ビットのデータ「0・1・1・1・1」で共
通して「0」を有するビットがないことから、ワークレ
ジスタ3gのデータをエンコーダ3hで3ビットのデー
タ「1・1・1」にエンコードする。アドレスレジスタ
3iは、前記ワークレジスタ3gのデータの基となった
データを保持していた第1不揮発性メモリ4のアドレス
そのもの即ちアドレス00に応じてそのアドレスの上位
の番地{0}に応じた「1」と下位の番地{0}に応じ
た「1・1・1・1」の合わせて「1・1・1・1・
1」が格納されている。そして、前記エンコードされた
データ「1・1・1」にアドレスレジスタ3iの最上位
ビットのデータ「1」を加えた「1・1・1・1(数値
{0})」をレジスタ2b、アドレスレジスタ2iの残
りのビットのデータ「1・1・1・1(数値{0})」
がレジスタ2aへ各々出力される。従って、カウンタ2
a,2bは数値{0}、カウンタ2cは数値{1}、カ
ウンタ2d〜2fは数値{0}を入力し、 100kmを読出
すことができる。そして、これに基づいて表示器8が表
示を行うもので、この構成によれば、距離演算手段2の
カウンタ2a〜2fにBCDで総走行距離が書込まれる
ため、この内容を表示器8で表示する際は、デコードの
みで可能であり、構成が簡略化される。
【0025】なお、図4と図6とで説明した制御手段3
は、説明の都合上分けて記載したが、実際は別々なもの
ではなく一体となって構成されている。
【0026】次に、誤差の検出と訂正について説明す
る。誤り訂正手段9は、記憶手段6からの出力である第
1,第2不揮発性メモリ4,5のデータを順次読出す。
前述の通り、第1,第2不揮発性メモリ4,5は、各々
3組のメモリ4a〜4c,5a〜5cで構成され、アド
レス単位でみるとメモリ4a〜4cあるいはメモリ5a
〜5cは同じデータを保持しており、図8のPAD( P
roblem Analysis Diagram )で示すようにメモリ4a
(4b,4c)のデータを[4a]([4b],[4
c])、メモリ5a(5b,5c)のデータを[5a]
([5b],[5c])とすると、通常エラーが生じて
いない場合は、[4a]=[4b]=[4c],[5
a]=[5b]=[5c]が成立している。なお、エラ
ーが生じた場合の各々のデータを<4a>(<4b>,
<4c>),<5a>(<5b>,<5c>)で表して
いる。
【0027】誤り訂正手段9は、図8のステップ801
で、記憶手段6からアドレス単位でデータを順次読出
し、メモリ4a〜4c(メモリ5a〜5cについても同
様であり、以下は特に必要のない限り説明を省く。)の
メモリ単位でパリティチェックを行う。
【0028】ステップ801の判定結果に基づき、ステ
ップ802でメモリ4a〜4cのデータの比較を行い、
アドレス単位で1ビットあるいは2ビット誤りの場合に
は検出及び訂正、3ビット以上誤りの場合は検出を行
う。
【0029】即ち、ステップ801でのパリティチェッ
クの結果、メモリ4a〜4cの何れにもエラー無[4
a][4b][4c]の場合(ステップ802の
(a))、ステップ803,805,807で2つずつ
比較してみる。通常は[4a]=[4b]=[4c]で
正データとなるので、ステップ803でステップ804
が選択されて誤り訂正手段9の動作は終了する。ところ
で、パリティチェック方法として、前記実施例では、本
明細書の第0013項で記載した通り、第1不揮発性メ
モリ4については「0」の個数が1個の場合にエラー無
と判断し、第2不揮発性メモリ5については「0」の個
数が奇数個の場合にエラー無と判断するが、回路の簡略
化のため同じパリティチェック方法の回路で共通化する
ことがある。本実施例では、「0」の個数が偶数個か奇
数個かでエラー有無を判別する奇数パリティにより、第
1,第2不揮発性メモリ4,5のパリティチェックを共
通化できる。この場合、カウンタ4a〜4cの少なくと
も1つにおいて2ビット誤りが生じて「0」の個数が3
個になっても、エラー無と判断される。
【0030】これを防ぐため、ステップ805〜809
が用意されており、多数決により正データを得ようとし
ている。しかし、カウンタ4a〜4cの2つにおいて各
々2ビット誤り(アドレス単位で見ると4ビット誤り)
が生じてもやはりエラー無と判断されるが、一般的には
2ビット誤りが生じているカウンタのデータが等しくな
ることは極めて希なため多数決で誤データが選択される
ことはなく、[4a][4b][4c]は全て異なり、
この場合には、ステップ809でエラー有を検出するに
止まり、誤り訂正手段9からはエラー有を示す特別な
(通常の数値を示すものとは異なる)データ出力して
表示器8は特別な表示(例えばブランク表示)を行う。
従って、アドレス単位で2ビット誤りは正データに訂正
した5ビットのデータを制御手段3へ出力する。
【0031】また、ステップ801でのパリティチェッ
クの結果、メモリ4a〜4cの1つにエラー有例えば<
4a>[4b][4c]の場合(ステップ802の
(b))、ステップ810でエラー無の[4b]と[4
c]とを比較する。通常は[4b]=[4c]で正デー
タとなるのでステップ810でステップ811が選択さ
れ、このようなアドレス単位で1ビット誤りは正データ
に訂正した5ビットのデータを制御手段3へ出力する。
一方、[4b]と[4c]とが異なると、[4b]又は
[4c]の少なくとも1つに2ビット誤りが生じてアド
レス単位では3ビット以上誤りが生じることになり、こ
のような場合はステップ812でエラーの検出のみ行
い、前記同様誤り訂正手段9からはエラー有りを示す特
別なデータを出力して表示器8は特別な表示を行う。な
お、[4a]<4b>[4c]の場合(ステップ802
の(c))又は[4a][4b]<4c>の場合(ステ
ップ802の(d))も前記同様ステップ813〜81
5又はステップ816〜818にて誤りの検出及び訂正
あるいは検出が行われる。
【0032】また、ステップ801でのパリティチェッ
クの結果、メモリ4a〜4cの2つにエラー有例えば<
4a><4b>[4c]の場合(ステップ802の
(e))、ステップ819で[4c]を正データと推定
してこのデータに応じて訂正した5ビットのデータを制
御手段3へ出力する。なお、<4a>[4b]<4c>
の場合(ステップ802の(f))又は[4a]<4b
><4c>の場合(ステップ802の(g))も、前記
同様ステップ820又はステップ821にて誤りの検出
及び訂正が行われる。
【0033】また、ステップ801でのパリティチェッ
クの結果、メモリ4a〜4cの全てにエラー有<4a>
<4b><4c>の場合(ステップ802の(h))、
アドレス単位で3ビット以上誤りであるから、ステップ
822でエラー有を検出するに止まり、前記同様誤り訂
正手段9からはエラー有を示す特別なデータを出力して
表示器8は特別な表示を行う。
【0034】このように、誤り訂正手段9は、記憶手段
6の記憶内容の比較を行い、アドレス単位で1ビットあ
るいは2ビット誤りの場合には検出及び訂正、3ビット
以上誤りの場合は検出を行う。
【0035】なお、第1不揮発性メモリ4は、20ワード
×5ビットに限定されるものではなく、記憶領域が10
×10↑x(xは1以上の整数)個となる組合せで総走
行距離の下位x+1桁分を保持ものであれば良い。
【0036】また、第1不揮発性メモリ4は、「0」の
個数が1個の場合にエラー無と判断するものとしたが、
n×p(pは1以上の整数)個であれば良い。
【0037】また、第1,第2不揮発性メモリ4,5
は、夫々q(qは1以上の整数)組のメモリにて構成す
ることにより、前記データのq−1ビット誤りの検出及
び訂正とqビット以上誤りの検出を行うことができが、
3組以上が望ましい。
【0038】
【発明の効果】本発明は、走行距離に応じたパルス信号
を出力する距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走
行距離を演算する距離演算手段と、前記走行距離が単位
走行距離に達する毎にデータを更新するmワード×nビ
ットの記憶領域を有する第1不揮発性メモリ及びこの第
1不揮発性メモリの全記憶領域の更新がされた時にデー
タを更新して桁上げを記憶するjワード×kビットの記
憶領域を有する第2不揮発性メモリとから構成される記
憶手段と、前記第1不揮発性メモリの第1記憶領域から
第m×n記憶領域へワード方向へ順次更新し、更新され
た前記記憶領域の個数がn×p(pは1以上の整数)個
を越えると前記第1記憶領域から順次初期値に戻して、
各ワード毎の書込用のデータの個数を同一とし、かつ、
前記第2不揮発性メモリの各桁にパリティビットを付加
することにより前記記憶手段への更新を制御する制御手
段と、前記記憶手段のデータに応じて総走行距離を表示
する表示器とを有し、前記第1不揮発性メモリの記憶領
域は10×10↑x(xは1以上の整数)個として前記
総走行距離の下位x+1桁分を保持し、これにより上位
の各桁分は前記第2不揮発性メモリで各桁毎にBCDで
保持する。また、前記第1,第2不揮発性メモリは夫々
q(qは1以上の整数)組のメモリにて構成され、各ワ
ード毎に前記各メモリのパリティチェックと各メモリ間
のデータ比較を行い、前記データのq−1ビット誤りの
検出及び訂正とqビット以上誤りの検出を行うものであ
り、走行距離の記憶方法は10進数を基本としているた
め、表示器への変換手段が不要となり構成の簡略化が図
れる。特に、論理回路で構成する際は、少ないメモリ容
量とゲート数で走行距離のデータの信頼性向上が図れ
る。また、パリティチェックと多数決を併用した誤り訂
正手段により誤差の低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を車両のオドメータとして使用
する場合のブロック図。
【図2】同上実施例の記憶手段の構成図。
【図3】同上実施例の第1,第2不揮発性メモリの割付
図。
【図4】同上実施例の書込みを説明するための制御手段
の構成図。
【図5】同上実施例のデコードを説明するための説明
図。
【図6】同上実施例の読出しを説明するための制御手段
の構成図。
【図7】同上実施例のエンコードを説明するための説明
図。
【図8】同上実施例の誤り訂正手段における検出及び訂
正を説明するための説明図。
【符号の説明】
1 距離検出手段 2 距離演算手段 3 制御手段 4 第1不揮発性メモリ 5 第2不揮発性メモリ 6 記憶手段 7 ドライバ 8 表示器 9 誤り訂正手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−38112(JP,A) 特開 昭60−209788(JP,A) 特開 平2−8713(JP,A) 特開 平5−240658(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01C 22/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走行距離に応じたパルス信号を出力する
    距離検出手段と、前記パルス信号に応じた走行距離を演
    算する距離演算手段と、前記走行距離が単位走行距離に
    達する毎にデータを更新するmワード×nビットの記憶
    領域を有する第1不揮発性メモリ及びこの第1不揮発性
    メモリの全記憶領域の更新がされた時にデータを更新し
    て桁上げを記憶するjワード×kビットの記憶領域を有
    する第2不揮発性メモリとから構成される記憶手段と、
    前記第1不揮発性メモリの第1記憶領域から第m×n記
    憶領域へワード方向へ順次更新し、更新された前記記憶
    領域の個数がn×p(pは1以上の整数)個を越えると
    前記第1記憶領域から順次初期値に戻して、各ワード毎
    の書込用のデータの個数を同一とし、かつ、前記第2不
    揮発性メモリの各桁にパリティビットを付加することに
    より前記記憶手段への更新を制御する制御手段と、前記
    記憶手段のデータに応じて総走行距離を表示する表示器
    とを有し、前記第1不揮発性メモリの記憶領域は10×
    10↑x(xは1以上の整数)個として前記総走行距離
    の下位x+1桁分を保持し、これにより上位の各桁分は
    前記第2不揮発性メモリで各桁毎にBCDで保持するこ
    とを特徴とする電子式走行距離計。
  2. 【請求項2】 前記第1,第2不揮発性メモリは夫々q
    (qは1以上の整数)組のメモリにて構成され、各ワー
    ド毎に前記各メモリのパリティチェックと各メモリ間の
    データ比較を行い、前記データのq−1ビット誤りの検
    出及び訂正とqビット以上誤りの検出を行うことを特徴
    とする請求項1に記載の電子式走行距離計。
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