JP2872031B2 - 電子式走行距離計 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、車両の走行距離を表示
する電子式走行距離計に関し、特に最新の総走行距離の
判定方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子式走行積算計を、例えば車両
のオドメータとして使用する場合、バッテリ異常（電圧
低下や断線等）になっても過去の総走行距離を保持して
おく必要があることから、不揮発性メモリを用いている
（特開昭５７−１９８８１０号公報，同５９−１９６４
１４号公報参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような構成では、
不揮発性メモリへの書き込みを行っている最中にバッテ
リ異常が生じた場合に正しいデータの書き込みができな
いことがあり、最新の総走行距離を正確に求めることが
できなかった。

【０００４】このような問題を解決するものとして、デ
ータを読み書き可能な揮発性メモリから読み書き可能な
不揮発性メモリに転送する機能を有し、不揮発性メモリ
内に、イグニッションスイッチがオフの時にデータを書
き込む第１のエリアと、イグニッションスイッチがオフ
の時にデータが更新されるたびに揮発性メモリからデー
タを読み出して書き込む第２のエリアとを設け、イグニ
ッションスイッチがオンされた時に、第１と第２のエリ
アのデータを読み出して比較し、一致する時はそのデー
タを、不一致の時は値の大きい方のデータを、最新デー
タ（最新の総走行距離）として表示させるものがある
（特公平５−６４３５９号公報参照）。

【０００５】かかる構成では、不揮発性メモリの第１の
エリアは、イグニッションスイッチがオフになるたびに
更新されるため、書き換え回数に制限（およそ１万回）
がある不揮発性メモリにおいては実用上問題がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、距離検出手段からの信号をカウントして単
位走行距離毎に読み書き可能な揮発性メモリから読み書
き可能な不揮発性メモリへ転送して、この不揮発性メモ
リの複数のアドレスへ順番に書き込み保持する電子式走
行距離計であって、イグニッションスイッチがオンの時
に、前記揮発性メモリの記憶値Ｒと前記不揮発性メモリ
の仮想最新値Ｅとを読み出して、前記不揮発性メモリの
書き込み単位をＳ、前記不揮発性メモリの書き込みアド
レスに対して連続して書き込み失敗した場合に救うアド
レスの個数をＮとすると、Ｅ≦Ｒ≦Ｅ＋（Ｓ×Ｎ）が成
立する時は前記記憶値Ｒを、成立しない時は仮想最新値
Ｅを、最新の総走行距離として表示させるものである。

【０００７】

【作用】イグニッションスイッチがオフになるたびに更
新される不揮発性メモリを持たないため、書き換え回数
に制限がある不揮発性メモリを不安なく使用することが
できる。また、不揮発性メモリの何れかのアドレスにお
ける書き込み失敗と共にその時点からの単位走行距離に
満たない走行でのイグニッションスイッチのオフとオン
との繰り返し時に発生する表示の総走行距離と最新の総
走行距離の誤差を改善することができる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明を添付図面に記載した実施例を
参照しながら説明する。

【０００９】図１は、本発明に係る電子式走行距離計を
車両のオドメータとして用いたブロック図を示してお
り、距離検出手段（センサ）１は車両の車輪あるいは車
軸に設けられ、回転数毎にパルス信号を出力し、距離演
算手段（カウンタ）２の距離入力とする。

【００１０】距離演算手段２は、距離入力を受けてその
パルス数をカウントし、所定の単位走行距離（１Ｋｍ）
に相当するパルス数毎に制御手段（マイクロコンピュー
タ）３へ制御信号を出力する。

【００１１】制御手段３は、クロック信号生成回路４、
ＣＰＵ５、プログラム等を記憶しているＲＯＭからなる
記憶部６、制御信号の入力（単位走行距離）毎にそれま
での総走行距離を記憶値Ｒとして保持するＲＡＭからな
る揮発性メモリ７、制御信号を入力するインプットボー
ド８、表示信号を出力するアウトプットボード９及びデ
ータバス，アドレスバス，コントロールバスを有して各
部分を接続するバスライン１０より構成されている。

【００１２】ＥＥＰＲＯＭ等からなる不揮発性メモリ１
１は、制御手段３のバスライン１０に接続され、制御手
段３への制御信号の入力（単位走行距離）毎に揮発性メ
モリ７から転送されたデータを複数のアドレスに順番に
書き込み仮想最新値Ｅとして保持する。

【００１３】駆動手段１２は、制御手段３のアウトプッ
トボード９に接続され、後述する方法により求められる
最新の総走行距離に応じた表示信号が入力され、この駆
動手段１２によりデジタル表示手段１３が制御されて総
走行距離を表示する。

【００１４】なお、１４はバッテリであり、レギュレー
タ１５を介して制御手段３の電源電圧として供給され
る。また、１６はイグニッションスイッチであり、レギ
ュレータ１７の出力電圧のハイ又はロウでイグニッショ
ンスイッチ１６のオン又はオフを制御手段３が判断す
る。

【００１５】次に、図２で示す不揮発性メモリ１１の構
成図を参照しながら、総走行距離を保持する方法につい
て説明する。

【００１６】不揮発性メモリ１１は、アドレス００〜９
９の１００個の記憶エリアを有し、それまでの総走行距
離の上位桁（例えば６桁表示とすると上位４桁）を各ア
ドレス００〜９９のデータが１種類又は２種類となるよ
うに、各記憶エリアは１桁が４ビットで合計１６ビット
にて構成されており、制御手段３への制御信号の入力
（単位走行距離）毎に揮発性メモリ７から転送されたデ
ータをアドレス００〜９９へ順番に書き込み保持する。
すなわち図２の状態では、アドレス５６以前が「１・２
・３・４」、アドレス５７以後が「１・２・３・３」を
保持しており、この場合の仮想最新値Ｅは１２３４５６
Ｋｍとして求められる（この仮想最新値Ｅを求める技術
に関しては、例えば本出願人の先願である特開昭６２−
２０１３１２号公報参照）。そして、単位走行距離であ
る１Ｋｍ進むと、アドレス５７が「１・２・３・４」に
書き換えられる。すなわち本実施例では、単位走行距離
が揮発性メモリ７と不揮発性メモリ１１と最小単位とな
っており、その最小単位毎に不揮発性メモリ１１のアド
レスを一つずつ移動させて書き込むもので、書き込み単
位Ｓとなっている。

【００１７】次に、制御手段３により最新の総走行距離
を求める方法について説明する。

【００１８】イグニッションスイッチ１６がオンの間
は、距離検出手段１からのパルスに基づく距離演算手段
２からの制御信号をカウントして単位走行距離毎に読み
書き可能な揮発性メモリ７から読み書き可能な不揮発性
メモリ１１に転送して、この不揮発性メモリ１１の複数
のアドレス００〜９９へ順番に書き込み保持する。

【００１９】イグニッションスイッチ１６がオフになる
と、揮発性メモリ７と不揮発性メモリ１１とは、それま
での総走行距離を記憶値Ｒと仮想最新値Ｅとして保持す
る。この場合、何ら異常がなければ記憶値Ｒと仮想最新
値Ｅとは等しい。

【００２０】再びイグニッションスイッチ１６がオンの
時に、揮発性メモリ７の記憶値Ｒと不揮発性メモリ１１
の仮想最新値Ｅとを読み出す。不揮発性メモリ１１の書
き込み単位をＳ、不揮発性メモリ１１の書き込みアドレ
スに対して連続して書き込み失敗した場合に救うアドレ
スの個数をＮとすると、Ｅ≦Ｒ≦Ｅ＋（Ｓ×Ｎ）が成立
する時は記憶値Ｒを、成立しない時は仮想最新値Ｅを、
最新の総走行距離として表示信号を駆動手段１２へ出力
して表示手段１３で表示する。本実施例では、Ｓ＝１
［個］，Ｎ＝１［個］であり、図２で示したように、記
憶値Ｒ＝仮想最新値Ｅ＝１２３４５６Ｋｍであるから、
上記は成立する。したがって、この場合には、記憶値Ｒ
（仮想最新値Ｅも同じであるが）＝１２３４５６Ｋｍを
表示手段１３で表示する。

【００２１】ところで、図３は、不揮発性メモリ１１の
アドレス５７に異常（１ビット誤り）が生じている場合
の例を示しており、不揮発性メモリ１１のアドレス５７
が正しくは「１・２・３・４」に書き換えられるとこ
ろ、「１・２・３・３」のままとなっている。すなわ
ち、揮発性メモリ７の記憶値Ｒが１２３４５７Ｋｍで、
不揮発性メモリ１１の仮想最新値Ｅが１２３４５６Ｋｍ
の場合である。この状態で単位走行距離に満たずにイグ
ニッションスイッチ１６がオフになり、再びイグニッシ
ョンスイッチ１６がオンになると、従来は記憶値Ｅと仮
想最新値Ｅとが一致せず、どちらが正しいか制御手段３
は判断できなかった。しかし、この場合には、上記が成
立し、記憶値Ｒ＝１２３４５７Ｋｍを表示手段１３で表
示し、誤っている不揮発性メモリ１１の仮想最新値Ｅは
選択されない。

【００２２】不揮発性メモリ１１は、信頼性が高くて２
ビット以上のビット誤りの生じる可能性は極めて低く、
実際の使用に際しては前記実施例の如く１ビット誤りを
想定した設定で十分である。ところで、書き込み時に何
らかの異常により連続する複数のアドレスに各々１ビッ
トのビット誤りが発生することがあり、本発明はかかる
異常に対しても対応することができるもので、不揮発性
メモリ１１の書き込みアドレスに対して連続して書き込
み失敗した場合に救うアドレスの個数Ｎを２以上の所望
の数に設定すれば良い。

【００２３】また、不揮発性メモリ１１に起因しない要
因により複数のアドレスが書き換えられない、例えば連
続３個のアドレスの書き込み失敗を救う場合には、Ｎ＝
３と設定するれば良い。

【００２４】また、前記実施例の如く不揮発性メモリ１
１の書き込み単位Ｓを単位走行距離と等しくしている
（単位走行距離＝１Ｋｍ毎に不揮発性メモリ１１のアド
レスを１個移動して書き換えている）が、例えば単位走
行距離の２倍毎に不揮発性メモリ１１のアドレスを２個
ずつ同時に書き換える場合には、その書き換え時に何ら
かの要因で前記２個のアドレスが書き換えられないこと
がある。このような場合に対応するためには、Ｓ＝２
［個］，Ｎ＝２［個］と設定すれば良い。

【００２５】なお、バッテリ１４が外れると、制御手段
３への電圧供給が停止し、この瞬間に揮発性メモリ７の
記憶値Ｒはリセットされるため、イグニッションスイッ
チ１６がオンの時に上記は成立せず、この場合には不揮
発性メモリ１１の仮想最新値Ｅを表示手段１３で表示す
る。

【００２６】

【発明の効果】本発明は、距離検出手段からの信号をカ
ウントして単位走行距離毎に読み書き可能な揮発性メモ
リから読み書き可能な不揮発性メモリに転送して、この
不揮発性メモリの複数のアドレスへ順番に書き込み保持
する電子式走行距離計であって、イグニッションスイッ
チがオンの時に、前記揮発性メモリの記憶値Ｒと前記不
揮発性メモリの仮想最新値Ｅとを読み出して、前記不揮
発性メモリの書き込み単位をＳ、前記不揮発性メモリの
書き込みアドレスに対して連続して書き込み失敗した場
合に救うアドレスの個数をＮとすると、Ｅ≦Ｒ≦Ｅ＋
（Ｓ×Ｎ）が成立する時は前記記憶値Ｒを、成立しない
時は仮想最新値Ｅを、最新の総走行距離として表示させ
るものであり、イグニッションスイッチがオフになるた
びに更新される不揮発性メモリを持たないため、書き換
え回数に制限がある不揮発性メモリを不安なく使用する
ことができる。また、不揮発性メモリの何れかのアドレ
スにおける書き込み失敗と共にその時点からの単位走行
距離に満たない走行でのイグニッションスイッチのオフ
とオンとの繰り返し時に発生する表示の総走行距離と最
新の総走行距離の誤差を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の構成を示すブロック図。

【図２】同上実施例における不揮発性メモリの構成を示
す説明図。

【図３】同上実施例における不揮発性メモリの書き換え
失敗を示す説明図。

【符号の説明】

１ 距離検出手段 ３ 制御手段 ７ 揮発性メモリ １１ 不揮発性メモリ １３ 表示手段 １６ イグニッションスイッチ

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 距離検出手段からの信号をカウントして
   単位走行距離毎に読み書き可能な揮発性メモリから読み
   書き可能な不揮発性メモリに転送して、この不揮発性メ
   モリの複数のアドレスへ順番に書き込み保持する電子式
   走行距離計であって、イグニッションスイッチがオンの
   時に、前記揮発性メモリの記憶値Ｒと前記不揮発性メモ
   リの仮想最新値Ｅとを読み出して、前記不揮発性メモリ
   の書き込み単位をＳ、前記不揮発性メモリの書き込みア
   ドレスに対して連続して書き込み失敗した場合に救うア
   ドレスの個数をＮとすると、Ｅ≦Ｒ≦Ｅ＋（Ｓ×Ｎ）が
   成立する時は前記記憶値Ｒを、成立しない時は仮想最新
   値Ｅを、最新の総走行距離として表示させることを特徴
   とする電子式走行距離計。