JPH0445762B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、自動車の車両に用いる積算走行距離
計に関する。

〔発明の背景〕

近年、自動車の積算距離を表示するメータとし
て、機械式積算距離計の代りに、例えば特開昭55
−95813号公報の如き不揮発性メモリを用いた電
子式オドメータが提案されている。

この電子式オドメータは、自動車のバツテリー
を電源として用い、カウンタによつて走行距離を
積算した値をデジタル表示するもので、通常のメ
モリに記憶するとバツテリ交換、断線等の電圧低
下時にカウンタで積算した走行距離データが失わ
れてしまう。このように積算した走行距離データ
が失われてしまうと、今までの走行距離が全くわ
からなくなるため、オイル（燃焼、ブレーキ等）
交換、エレメントの定期交換、タイヤの交換、走
行距離で行う定期点検の時期が不明になつてしま
う。そこで、カウンタで積算した走行距離データ
が失われてしまうのを防ぐために、100m毎に走
行距離データを不揮発性メモリ１個に何度も、例
えば、100m毎にカウンタをアツプして、そのタ
イミングで不揮発性メモリに移し該メモリの内容
を書き代えるためにその都度書込み、その値を読
み出し表示するというものである。このような不
揮発性メモリは、現段階では素子そのものの寿命
から書込み回数に限度があり、前記の如き方法に
よれば、自動車の実用積算走行距離10万Kmに対し
１万Km程度しか積算距離できないという問題があ
る。この問題を解決する方法の１つとして特開昭
55−95813号にその書込回数を減らす提案がなさ
れている。

しかし、いずれの場合であつても、不揮発性メ
モリ１個に何回も書き込む方式では、書込み中の
データ転送に約300msec位の時間を要し、この間
に電源がなくなると不揮発性メモリ内のデータが
失われるという状態が生じる。このような状態を
防止するため電源バツクアツプのためにバツクア
ツプ電池や、大容量コンデンサを設ける必要があ
り、スペースが大きくなるという欠点を有してい
た。また、不揮発性メモリの消去が容易に行える
ため、書込時間内（300msec程度内）にデータ転
送がくずれるといつた誤動作により誤つたデータ
が入力されたり、全部データが消失するといつた
問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、不揮発性メモリの寿命を伸し
かつ信頼性を向上することのできる電子式オドメ
ータを提供することにある。

〔発明の概要〕

本願第１の発明は、走行距離情報を入力して積
算走行距離を演算する演算手段と、複数個の積算
走行距離データ記憶箇所を有する不揮発性メモリ
と、所定走行距離毎に前記演算手段によつて演算
された演算走行距離を前記不揮発性メモリの積算
走行距離データ記憶箇所へ毎回記憶箇所を更新し
て書き込ませる書き込み手段と、特定の積算走行
距離毎に積算走行距離データを記憶する保護記憶
手段と、必要に応じて前記不揮発性メモリに書込
んだデータを読み出して前記演算手段に入力する
読み出し手段と、該読み出し手段によつて読み出
した値と前記保護記憶手段の記憶値とから表示値
を決定する手段とによつて構成したものである。

本願第２の発明は、走行距離情報を入力して積
算走行距離を演算する演算手段と、複数個の積算
走行距離データ記憶箇所を有する不揮発性メモリ
と、所定走行距離毎に前記演算手段によつて演算
された積算走行距離を前記不揮発性メモリの積算
走行距離データ記憶箇所へ毎回記憶個所を更新し
て書き込ませる書き込み手段と、必要に応じて前
記不揮発性メモリに書き込んだデータを読み出し
て前記演算手段に入力する読み出し手段と、前記
演算手段により演算された結果を表示する表示手
段とを有する電子式オドメータにおいて、上記不
揮発性メモリ内に積算距離データを記憶するエリ
アと、現在積算距離データを記憶しているメモリ
アドレスを記憶するエリアとを設けると共に、前
記積算距離データ記憶エリアに書き込まれたデー
タを記憶直後に読み出し該データが正しく記憶さ
れたか否かを判定する判定手段と、該判定手段に
よつて該記憶データが誤りであると判定されると
該記憶エリアに相当するアドレスを更新して該更
新されたメモリアドレスに相当する記憶エリアに
正しい積算距離データを記憶させる手段を設けた
ものである。

〔発明の実施例〕

以下、本願第１の発明の実施例について説明す
る。

第１図には、本発明の一実施例を示す基本的構
成ブロツク図が示されている。

図において、１は車輪の回転に応じてパルス信
号を発生するパルス発生部であり、マイクロコン
ピユータ２にバスラインで接続されている。この
マイクロコンピユータ２にはカウンタ３、MPU
４、ROM５、RAM６が内蔵されている。また、
コンピユータ２には不揮発性メモリ７がバスライ
ン２７で接続されており、この不揮発性メモリ７
はN₁〜N_NのＮ個のデータ領域を有している。さ
らに、コンピユータ２にはデジタル表示部８がバ
スラインで接続されている。また、コンピユータ
２と不揮発性メモリ７とを接続するバスライン２
７には消去処理信号ロツク回路９を介して不揮発
性メモリ１０が接続されている。

このように構成されるものであるから、パルス
発生器１のパルスをカウンタ３でカウントし、
ROM５内のプログラムとMPU４によつてソフ
トが実行され、カウント数に応じ走行距離及び積
算走行距離を演算し、また表示をし、100m毎に
不揮発性メモリ７のメモリに順次アドレスを更新
して書き込みを行つている。また、電源の再投入
時、リセツト時には読み出しを行い、RAM６へ
積算距離データとして用いている。さらに、２万
Km毎に第２の不揮発性メモリ１０に書込を行つて
いる。この第２の不揮発性メモリ１０は、書き込
みの際に記憶されているデータが消去されないよ
うに消去処理信号ロツク回路９が作用する。

また、前記不揮発性メモリ７よりの読み出し時
には、メモリの並び方をチエツクし、異常のとき
は不揮発性メモリ１０よりデータを読み出し、表
示を行つている。

第２図には、第１図図示消去処理信号ロツク回
路９と不揮発性メモリ１０の具体的構成が示され
ている。

図において、アドレスとデータをやりとりする
シリアル端子ADQには、データ、アドレスがク
ロツクＣの信号を用いてシリアルに転送されてい
る。CR１〜CR３はコントロール端子で、消去処
理、書込処理、読出処理、アドレス指定等制御モ
ードを決定している。ａ〜ｈは、第１図中のバス
ライン２７である。消去信号ロツク回路９は、イ
ンバータ１１，１２、NAND１３，１４にて構
成され、消去信号CR1＝１、CR2＝０、CR3＝０
のとき、不揮発性メモリ１０の１がとらなず、
０消去されず、一方不揮発性メモリ７の２は
０となり、指定されたアドレスのデータが消去さ
れる。V_ppは書込、消去用の外部印加電圧であ
る。

第３図には第２図の動作タイムチヤートが示さ
れている。

図において、第３図Ａは書込処理であり、消去
と書込とに分けられ、ある特定距離毎に書込処理
指令がマイクロコンピユータ２内で出力される。
不揮発性メモリ７へはこの書込処理指令毎に第３
図Ｃのチツプセレクト２によつて指定された
アドレスへ第３図Ｄに示される消去２と第３図Ｅ
に示される書込２が行われ新しい積算距離データ
が書込まれる。一方、不揮発性メモリ１０のメモ
リへは、ある特定距離、例えば23Km毎に第３図Ｆ
に示す如き書込１が行われる。この書込１が行わ
れるときは第３図Ｂに示されるチツプセレクト
CS１が「０」となつている。この不揮発性メモ
リ１０内のデータ領域は例えば、８個所で積算距
離に応じて決められたアドレスに記憶するように
している。アドレスラインが不揮発性メモリ７と
１０で共用となつているため、例えば２万Kmを過
ぎても、すぐ不揮発性メモリ１０へは、チツプセ
レクト信号ｅは出力されず、積算走行距離が指定
したアドレスと適合したときチツプセレクト信号
ｅが出され、不揮発性メモリ１０へ積算走行距離
データが記憶される。この場合第３図Ｄに示す如
き消去信号だけは、消去信号ロツク回路９により
ロツクされている。

第４図は、他のブロツク構成を示す図である。
ヒユーズ等の安価な素子を用いるため、マイクロ
コンピユータの別な出力信号により信号を送る構
成となつている。

第５図は、記憶手段１５の具体的実施例で、ヒ
ユーズ１７〜２１を抵抗１６、TR２２〜２６を
用いて回路を構成させ、Ｄ１〜Ｄ５に積算距離に
応じて信号を送ることにより、ヒユーズ１７〜２
１を溶断し、Ｋ１〜Ｋ５の信号により積算距離の
値が判別できる。

第６図には実施例の動作フローチヤートが示さ
れており、第６図Ａがメイン処理フローチヤート
であり、第６図Ｂが割込処理フローチヤートであ
る。読出処理は、イニシヤル時のみ行うように
し、割込処理でパルスカウントし、100m毎に書
込指令１を、２万Km毎に書込指令２を出し、メイ
ンでそれぞれ書込処理を行つている。

第７図には、書込処理のフローチヤートが示さ
れている。まず、書込アドレスを指定して、消去
処理を行い、次に積算走行距離の書込を行つてい
る。

第８図には、読出処理のフローチヤートが示さ
れている。読出時は、前記N₁〜N_Nのメモリをす
べて比較し、まず最大値を求める。次に、最大値
のデータの１回前に書込まれたデータとの差をと
り、これが100mならば、この最大値を積算走行
距離とし、もし、この最大値が誤つたデータのと
きには、アドレスを１ずつ、ずらしてチエツクを
くり返している。そしてＮ回チエツクしても当て
はまらないと、２万Km毎に記憶しているデータを
積算走行距離としている。

したがつて、本願第１の発明の実施例によれ
ば、ソフト処理にて不揮発メモリの信頼性高い制
御が可能で、さらに不揮発性の確かなハードと２
重系とすることで信頼性大巾な改善ができる効果
がある。

従つて、従来の機械式メータに代る安価で信頼
性の高い電子メータが可能となる。

第９図には、本願第２の発明の一実施例を示す
電子式オドメータの電子計器盤のシステム構成図
が示されている。

図において、５１，５２，５３，５４は表示素
子であり液晶等で構成されており、５１はスピー
ドメータ、５２はタコメータ、５３はその他のメ
ータ、５４は電子式オドメータである。また、５
５は前記表示素子の駆動回路、５６はマイクロコ
ンピユータ、５６はインターフエイス回路で、車
速センサ５９からの信号、エンジン回転数センサ
６０からの信号等をとり込んでいる。５８は不揮
発性メモリで、マイクロコンピユータ５６に外付
されているが、マイクロコンピユータ５６に内蔵
してもよい。また、６１はバツテリで車輛が修
理、整備時等に外されるが、それまでの積算走行
距離が消えないように不揮発性メモリ５８内に記
憶させるようにしている。

いま、車輛用電子計器盤でオドメータを電子化
する場合問題になるので、電源を切られた場合走
行距離のデータが消滅しないようにすることで一
般に半導体不揮発性メモリを使用し、これに対処
している。しかし不揮発性メモリのくり返し記憶
回数は前述の如く10³〜10⁴回が限度で、この間に
もある割合で記憶不良が発生する。記憶エリアと
しては、走行距りを記憶するのに必要なbit数を
有するエリアを複数個最初指定し、この複数個の
エリアの中へ順次走行距りのデータを記憶させて
いる。これは電源が切られた時データを記憶中で
あればでたらめな値が記憶されるので他の残つた
データを比較することにより誤差の少ないデータ
として取扱えるようにするためめである。これら
のエリアは先に述べた通りくり返し記憶回数が
10³〜10⁴回以上行なうと記憶不良が発生するため
記憶回数がこの回数近くになつた時に自動的に記
憶エリアを更新して新しいエリアへ記憶するよう
にしている。この場合記憶回数に裕度を持たせて
信頼性を確保するために不揮発性メモリ容量が大
きくなりコスト高となる。この場合でも記憶不良
が発生すれば、そのまま記憶表示される。この不
良は半導体ではある割合で発生し、オドメータの
信頼性を100％確保することが不能である。

第１０図には、本実施例の不揮発性メモリのエ
リア指定状態が示されており、第１１図には本実
施例の不揮発性メモリへ記憶する手順のフローチ
ヤートが示されている。

第１０図において、A₁〜A_oは不揮発性メモリ
のアドレスである。ここでA₁〜A₄の４ケのエリ
アは最初の走行距離のデータ記憶エリアで、一定
距り走行毎にその記憶データを順次A₁→A₂→A₃
→A₄→A₁入と記憶する。記憶している途中に電
源が切られた場合はその個所のデータはでたらめ
になるため電源が再投入され、記憶されたデータ
を読み出し表示する時はA₁〜A₄内のデータを比
較し、前後の値の差が一定のデータの内最大値を
正しいデータとして取扱えば誤差は少なくするこ
とができる。この現在使用しているデータエリア
のアドレスは、別のエリア、この図の場合は
A_o-3〜A_oに記憶されている。

第１１図において、まず、ステツプ100におい
て、車速センサ５９からの車速信号を取り込み、
ステツプ101において、車速信号をカウントして
一定の距離に達した時に距離信号を出す処理を行
う。次にステツプ102において不揮発性メモリに
その距離を記憶する処理を行い、ステツプ103に
おいて、記憶されたデータを呼び出して最初のデ
ータと比較して正確に記憶されたか判定する。こ
のステツプ103において記憶されたデータが正確
であると判定するとステツプ106に移り、ステツ
プ103において記憶されたデータが正確でないと
判定するとステツプ104において２回同じメモリ
内へ書き込んだかを判定する。このステツプ104
において、２回同じメモリ内へ書き込んだか判定
し、２回以上書き込んでいなければ、再度ステツ
プ102に戻り、同じメモリエリアへ同じ距離デー
タを記憶させる。そして、再びステツプ103にお
いて、ステツプ102において再び記憶されたデー
タが正確に書き込れたかを判断し、正確に記憶さ
れた場合はステツプ106に移り、もし正確に記憶
されていない場合には、ステツプ104に移る。こ
のステツプ104において、２回同じメモリに書き
込んだと判定すると、データが正しく記憶されな
かつた場合であり、ステツプ105において、先に
記憶しようとしたメモリエリアがだめであると判
断してメモリエリアのアドレスを新しいメモリエ
リアを指定して新に更新を行なう。第１０図にお
いてだめになつたメモリのアドレスが例えばA₂
であれば、アドレスメモリ内のA_o-2の中のデー
タを書きかえてA₂のかわりに更新エリアの中の
新しいアドレス例えばA₅を書き込みステツプ102
に戻る。このステツプ102において先の距離デー
タをA₅のエリアに書き込む。これにより距離デ
ータはA₁→A₅→A₃→₄→A₁の順に記憶される。

したがつて、本実施例によれば、だめになつた
メモリエリアは次々と更新することにより記憶エ
ラーを防ぐことができ信頼性の高い電子式オドメ
ータを構成することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、不揮発性
メモリの寿命を伸し、かつ信頼性を向上すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本願第１の発明の実施例を示すブロツ
ク図、第２図は第１図の一部詳細回路図、第３図
は第２図図示回路のタイムチヤート、第４図は本
願第１の発明の他の実施例を示すブロツク図、第
５図は第５図図示記憶手段の詳細回路図、第６図
Ａ，Ｂは本願第１の発明の実施例のフローチヤー
ト、第７図は第６図図示書込処理のフローチヤー
ト、第８図は第６図図示読出処理のフローチヤー
ト、第９図は本願第２の発明の実施例を示すブロ
ツク図、第１０図は不揮発性メモリのアドレス割
り付けを示す図、第１１図は第９図図示実施例の
動作フローチヤートである。 １……パルス発生器、２……マイクロコンピユ
ータ、７……不揮発性メモリ、８……デジタル表
示部、９……消去処理信号ロツク回路、１０……
不揮発性メモリ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 走行距離情報を入力して積算走行距離を演算
   する演算手段と、複数個の積算走行距離データ記
   憶箇所を有する不揮発性メモリと、所定走行距離
   毎に前記演算手段によつて演算された積算走行距
   離を前記不揮発性メモリの積算走行距離データ記
   憶箇所へ毎回記憶箇所を更新して書き込ませる書
   き込み手段と、特定の積算走行距離毎に積算走行
   距離データを記憶する保護記憶手段と、必要に応
   じて前記不揮発性メモリに書き込んだデータを読
   み出して前記積算手段に入力する読み出し手段
   と、該読み出し手段によつて読み出した値と前記
   保護記憶手段の記憶値とから表示値を決定する手
   段とからなることを特徴とする電子式オドメー
   タ。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の発明において、
   上記保護記憶手段は、消去処理を行えない不揮発
   性メモリであることを特徴とする電子式オドメー
   タ。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の発明において、
   上記保護記憶手段は、特定の積算走行距離毎に該
   積算走行距離に相当するヒユーズを切るようにし
   たものであることを特徴とする電子式オドメー
   タ。 ４ 走行距離情報を入力して積算走行距離を演算
   する演算手段と、複数個の積算走行距離データ記
   憶箇所を有する不揮発性メモリと、所定走行距離
   毎に前記演算手段によつて演算された積算走行距
   離を前記不揮発性メモリの積算走行距離データ記
   憶箇所へ毎回記憶個所を更新して書き込ませる書
   き込み手段と、必要に応じて前記不揮発性メモリ
   に書き込んだデータを読み出して前記演算手段に
   入力する読み出し手段と、前記演算手段により演
   算された結果を表示する表示手段とを有する電子
   式オドメータにおいて、上記不揮発性メモリ内に
   積算距離データを記憶するエリアと、現在積算距
   離データを記憶しているメモリアドレスを記憶す
   るエリアとを設けると共に、前記積算距離データ
   記憶エリアに書き込まれたデータを記憶直後に読
   み出し該データが正しく記憶されたか否かを判定
   する判定手段と、該判定手段によつて該記憶デー
   タが誤りであると判定されると該記憶エリアに相
   当するアドレスを更新して該更新されたメモリア
   ドレスに相当する記憶エリアに正しい積算距離デ
   ータを記憶させる手段を設けたことを特徴とする
   電子式オドメータ。