JPS60105915A - 電子式オドメ−タ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、自動車等の車両に用いる積算走行距離計に関
する。

〔発明の背景〕

近年、自動車の積算距離を表示するメータとして、機械
式積算距離計の代りに、例えば特開昭ｓ　５−９５８１
３号公報の如き不揮発性メモリを用いた電子式オドメー
タが提案されている。

この電子式オドメータは、自動車のバッテリーを電源と
して用い、カウンタによって走行距離を積算した値をデ
ジタル表示するもので、通常のメモリに記憶するとバッ
テリ交換、断線等の電圧低下時にカウンタで積算した走
行距離データが失われてしまう。このように積算した走
行距離データが失われてしまうと、今までの走行距離が
全くわからなくなるため、オイル（燃焼、ブレーキ等）
交換、エレメントの定期交換、タイヤの交換、走行距離
で行う定期点検の時期が不明になってしまｌ）。そこで
、カウンタで積算した走行距離データが失われてしまう
のを防ぐために、１００ｍ毎に走行距離データを不揮発
性メモリ１個に何度も、例えば、１００ｍ毎にカウンタ
をアップして、そのタイミングで不揮発性メモリに移し
該メモリの内容を書き代えるためにその都度書込み、そ
の値を読み出し表示するというものである。このような
不揮発性メモリは、現段階では素子そのものの寿命から
書込み回数に限度があり、前記の如き方法によれば、自
動車の実用積算走行路Ｍ１１０万一に対し１万一程度し
か積算記憶できないという問題がある。この問題を解決
する方法の１つとして特開昭５５−９５８１３号にその
書込回数を減らす提案がなされている。

しかし、いずれの場合であっても、不揮発性メモリ１１
’ｆＡに何回も書き込む方式では、書込み中のデータ転
送に約３００ｍ（８）位の時間を要し、この間に電源が
なくなると不揮発性メモリ内のデータが失われるという
状態が生じる。このような状態を防止するため電源バッ
クアップのためにバックアンプ電池や、大容量コンデン
サを設ける必要があシ、スペースが大きくなるという欠
点を有していた。また、不揮発性メモリの消去が容易に
行えるため、書込時間内（３ＱＱｍｓｅａ程度内）にデ
ータ転送がくずれるといった誤動作により誤ったデータ
が入力されたシ、全部データが消失するといった問題が
あった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、不揮発性メモリの寿命を伸しかつ信頼
性を向上することのできる電子式オドメータを提供する
ことにある。

〔発明の概要〕

本願第１の発明は、走行距離情報を入力して積算走行距
離を演算する演算手段と、複数個の積算走行距離データ
記憶箇所を有する不揮発性メモリと、所定走行距離毎に
前記演算手段によって演算された積算走行距離を前記不
揮発性メモリの積算走行距離データ記憶箇所へ毎回記憶
箇所を更新して書き込ませる書き込み手段と、特定の積
算走行距離毎に積算走行距離データを記憶する保護記憶
手段と、必要に応じて前記不揮発性メモリに書込んだデ
ータを読み出して前記演算手段に入力する読み出し手段
と、該読み出し手段によって読み出した値と前記保護記
憶手段の記憶値とから表示値を決定する手段とによって
構成したものである。

本願第２の発明は、走行距離情報を入力して積算走行距
離を演算する演算手段と、複数個の積算走行距離データ
記憶箇所を有する不揮発性メモリと、所定走行距離毎に
前記演算手段によって演算された積算走行距離を前記不
揮発性メモリの積算走行距離データ記憶箇所へ毎回記憶
個所を更新して書き込ませる書き込み手段と、必要に応
じて前記不揮発性メモリに書き込んだデータを読み出し
て前記演算手段に入力する読み出し手段と、前記演算手
段により演算された結果を表示する表示手段とを有する
電子式オドメータにおいて、上記不揮発性メモリ内に積
算距離データを記憶するエリアと、現在積算距離データ
を記憶しているメモリアドレスを記憶するエリアとを設
けると共に、前記積算距離データ記憶エリアに書き込ま
れたデータを記憶直後に読み出し該データが正しく記憶
されたか否かを判定する判定手段と、該判定手段によっ
て該記憶データが誤りであると判定されると該記憶エリ
アに相当するアドレスを更新して該更新されたメモリア
ドレスに相当する記憶エリアに正しい積算距離データを
記憶させる手段を設けたものである。

〔発明の実施例〕

以下、本願第１の発明の実施例について説明する。

第１図には、本発明の一実施例を示す基本的構成フロッ
ク図が示されている。

図において、１は車輪の回転に応じてパルス信号を発生
するパルス発生部でアシ、マイクロコンピュータ２にパ
スラインで接続されている。このマイクロコンピュータ
２にはカウンタ３、ＭＰＴＪ４゜ＲＯＭ５．ＲＡＭ６が
内蔵されている。また、コンピュータ２には不揮発性メ
モリ７がパスライン２７で接続されておシ、この不揮発
性メモリ７はＮ１〜ＮＮのＮ個のデータ領域を有してい
る。さらに、コンピュータ２にはデジータル表示部８が
パスラインで接続されている。また、コンピュータ２と
不揮発性メモリ７とを接続するパスライン２７には消去
処理信号ロック回路９を介して不揮発性メモリ１０が接
続されている。

このように構成されるものであるから、パルス発生器１
のパルスをカウンタ３でカウントし、ＲＯＭ５内のプロ
グラムとＭＰＵ４によってソフトが実行され、カウント
数に応じ走行距離及び積算走行距離を演算し、また表示
をし、１００ｍ毎に不揮発性メモリ７のメモリに順次ア
ドレスを更新して書き込みを行っている。また、電源の
再投入時、リセット時には読み出しを行い、ＲＡＭ６へ
積算距離データとして用いている。さらに、２万脂毎に
第２の不揮発性メモリ１０に書込を行っている。

この第２の不揮発性メモリ１ｏは、書き込みの際前に記
憶されているデータが消去されないように消去処理信号
ロック回路９が作用する。

また、前記不揮発性メモリ７よシの読み出し時には、メ
モリの並び方をチェックし、異常のときは不揮発性メモ
リ１０よシデータを読み出し、表示を行っている。

第２図には、第１図図示消去処理信号ロック回路９と不
揮発性メモリ１０の具体的構成が示されている。

図において、アドレスとデータをやシとりするシリアル
端子ＡＤＱには、データ、アドレスがクロックＣの信号
を用いてシリアルに転送されている。ＣＲ１〜ＣＲ３は
コントロール端子で、消去処理、書込処理、読出処理、
アドレス指定等制御モードを決定している。ａ−ｈは、
第１図中のバ゛スライン２７である。消去信号ロック回
路９は、インパ〜り１１，１２．ＮＡＮＤ１３，１４に
て構成され、消去信号ｃＲｉ＝ｉ、Ｃ）も２＝０．　Ｃ
１（３＝Ｏのとき、不揮発性メモリ１０のＣ８１が０と
ならず、消去されず、−万年揮発性メモリ７のＣ８２は
０となり、指定されたアドレスのデータが消去される。

Ｖ□は書込、消去用の外部印加電圧である。

第３図には第２図の動作タイムチャートが示されている
。

図において、第３図囚は書込処理であシ、消去と書込と
に分けられ、ある特定距離毎に書込処理指令がマイクロ
コンピュータ２内で出力される。

不揮発性メモリ７へはとの書込処理指令毎に第３図（Ｑ
のチップセレク）Ｃ８２によって指定されたアドレスへ
第３図０に示される消去２と第３図■に示される書込２
が行われ新しい積算距離データが書込まれる。一方、不
揮発性メモリ１０のメモリへは、ある特定距離、例えば
２３−毎に第３図（ト）に示す如き書込１が行われる。

この書込１が行われるときは第３図０に示されるチップ
セレクトＣ８１が「０」となっている。この不揮発性メ
モリ１０内のデータ領域は例えば、８個所で積算距離に
応じて決められたアドレスに記憶するようにしている。

アドレスラインが不揮発性メモリ７と１０で共用となっ
ているため、例えば２万一を過ぎても、すぐ不揮発性メ
モリ１０へは、チップセレクト信号ｅは出力されず、積
算走行距離が指定したアドレスと適合したときチップセ
レクト信号ｅが出され、不揮発性メモリ１０へ積算走行
距離データが記憶される。この場合第３図υに示す如き
消去信号だけは、消去信号ロック回路９によシロツクさ
れている。

第４図は、他のブロック構成を示す図である。

ヒユーズ等の安価な素子を用いるため、マイクロコンピ
ュータの別な出力信号によ多信号を送る構成となってい
る。

第５図は、記憶手段１５の具体的実施例で、ヒユーズ１
７〜２１を抵抗１６、Ｔ　ｌ（、２２〜２６を用いて回
路を構成させ、Ｄ１〜Ｄ５に積算距離に応じて信号を送
ることによシ、ヒユーズ１７〜２１を溶断し、Ｋ１−に
５の信号によシ積算距離の値が判別できる。

第６図には本実施例の動作フローチャートが示されてお
り、第６図（２）がメイン処理フローチャートであシ、
第６図■が割込処理フローチャートである。読出処理は
、イニシャル時のみ行うようにし、割込処理でパルスカ
ウントし、１００ｍ毎に書込指令１を、２万脂毎に書込
指令２を出し、メインでそれぞれ書込処理を行っている
。

第７図には、書込処理のフローチャートが示されている
６まず、書込アドレスを指定して、消去処理を行い、次
に積算走行距離の書込を行っている。

二　第８図には、読出処理のフローチャートが示されて
いる。読出時は、前記Ｎ１〜ＮＮのメモリをすべて比較
し、まず最大値をめる。次に、最大値のデータの１回前
に書込まれたデータとの差をとり、これが１００ｍなら
ば、この命大値を積算走行距離とし、もし、この最大値
が誤ったデータのときには、アドレスを１ずつ、ずらし
てチェックをくり返している。そして８回チェックして
も当てはまらないと、２万ら毎に記憶しているデータを
積算走行距離としている。

したがって、本願第１の発明の実施例によれば、ソフト
処理にて不揮発メモリの信頼性高い制御が可能で、さら
に不揮発性の確かなハードと２重系とすることで信頼性
大巾な改善ができる効果がある。

従って、従来の機械式メータに代る安価で信頼性の高い
電子メータが可能となる。

第９図には、本願第２の発明の一実施例を示す電子式オ
ドメータの電子計器盤のシステム構成図が示されている
。

図において、５１，５２．５３．５４は表示素子であり
液晶等で構成されておシ、５１はスピードメータ、５２
はタコメータ、５３はその他のメータ、５４は遊子式オ
ドメータである。また、５５は前記表示素子の駆動回路
、５６はマイクロコンピュータ、５７はインターフェイ
ス回路で、車速センサ５９からの信号、エンジン回転数
センサ６０からの信号等をとシ込んでいる。５８は不揮
発性メモリで、マイクロコンピュータ５６に外付すれて
いるが、マイクロコンピュータ５６に内Ｒ１て＋ｋｈ爪
寸か、６１はノ（ツテリで車頗力；盛理、整備時等に外
されるが、それまでの積算走行距離が消えないように不
揮発性メモリ５８内に記憶させるようにしている。

いま、車輛用電子計器盤でオドメータを電子化する場合
問題になるのは、電源を切られた場合走行距離のデータ
が消滅しないようにすることで一般に半導体不揮発性メ
モリを使用し、これに対処している。しかし不揮発性メ
モリのくり返し記憶回数は前述の如く１０３〜１０４回
が限度で、この間にもある割合で記憶不良が発生する。

記憶エリアとしては、走行圧シを記憶するのに必要なり
ｉｔ数を有するエリアを複数個最初指定し、この複数個
のエリアの中へ順次走行距りのデータを記憶させている
。これは電源が切られた時データを記憶中であればでた
らめな値が記憶されるので他の残ったデータを比較する
ことによシ誤差の少ないデータとして取扱えるようにす
るためである。これらのエリアは先に述べた通りくり返
し記憶回数が１０３〜１０４回以上行なうと記憶不良が
発生するため記憶回数がこの回数近くになった時に自動
的に記憶エリアを更新して新しいエリアへ記憶するよう
にしている。この場合記憶回数に裕度を持たせて信頼性
を確保するために不揮発性メモリ容量が大きくなシコス
ト高となる。この場合でも記憶不良が発生すれば、その
まま記憶表示される。この不良は半導体ではある割合で
発生し、オドメータの信頼性を１００％確保することが
不能である。

第１０図には、本実施例の不揮発性メモリのエリア指定
状態が示されておシ、第１１図には本実施例の不揮発性
メモリへ記憶する手順のフローチャートが示されている
。

第１０図において、Ａｔ〜Ａ、は不揮発性メモリのアド
レスである。ここでＡ１〜Ａ４０４ケのエリアは最初の
走行距離のデータ記憶エリアで、一定圧り走行毎にその
距離データを順次Ａ１→Ａ２→Ａ３→Ａ４→Ａ１人と記
憶する。記憶している途中に電源が切られた場合はその
個所のデータはでたらめになるため電源が再投入され、
記憶されたデータを読み出し表示する時はＡ　ｌ−Ａ　
４内のデータを比較し、前後の値の差が一定のデータの
内最大値を正しいデータとして取扱えば誤差は少なくす
ることができる。この現在使用しているデータエリアの
アドレスは、別のエリア、この図の場合はＡ　ｍ　−ｓ
〜Ａ、に記憶されている。

第１１図において、まず、ステップ１００において、車
速センサ５９からの車速信号を取シ込み、ステップ１０
１において、車速信号をカウントして一定の距離に達し
た時に距離信号を出す処理を行う。次にステップ１０２
において不揮発性メモリにその距離を記憶する処理を行
い、ステップ１０３において、記憶されたデータを呼び
出して最初のデータと比較して正確に記憶されたか判定
する。このステップ１０３において記憶されたデータが
正確であると判定するとステップ１０６に移シ、ステッ
プ１０３において記憶されたデータが正確でないと判定
するとステップ１０４において２回同じメモリ内へ書き
込んだかを判定する。

このステップ１０４において、２回同じメモリ内へ書き
込んだか判定し、２回以上書き込んでいなければ、再度
ステップ１０２に戻シ、同じメモリエリアへ同じ距離デ
ータを記憶させる。そして、再びステップ１０３におい
て、ステップ１０２において再び記憶されたデータが正
確に書き込れたかを判断し、正確に記憶された場合はス
テップ１０６に移シ、もし正確に記憶されていない場合
には、ステップ１０４に移る。このステップ１０４にお
いて、２回同じメモリに書き込んだと判定すると、デー
タが正しく記憶されなかった場合であり、ステップ１０
５において、先に記憶しようと第１０図においてだめに
なったメモリのアドレスが例えばＡ２であれば、アドレ
スメモリ内のＡ　Ｂ　−２の中のデータを書きかえてん
のかわシに更新エリアの中の新しいアドレス例えばＡ５
を書き込みステップ１０２に戻る。このステップ１０２
において先の距離データをＡｓのエリアに書き込む。こ
れにより距離データはＡ１→Ａ５→Ａ３→Ａ４→Ａｔの
順に記憶される。

したがって、本実施例によれば、だめになったメモリエ
リアは次々と更新することによシ記憶エラーを防ぐこと
ができ信頼性の高い電子式オドメータを構成することが
できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、不揮発性　５メモ
リの寿命を伸し、かつ信頼性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本願第１の発明の実施例を示すブロック図、第
２図は第１図の一部詳細回路図、第３図は第２図図示回
路のタイムチャート、第４図は本願第１の発明の他の実
施例を示すブロック図、第５図は第５図図示記憶手段の
詳細回路図、第６図（４）、（ハ）は本願第１の発明の
実施例のフローチャート、第７図は第６図図示書込処理
のフローチャート、第８図は第６図図示読出処理のフロ
ーチャート、第９図は本願第２の発明の実施例を示すブ
ロック図、第１０図は不揮発メモリのアドレス割シ付け
を示す図、第１１図は第９図図示実施例の動作フローチ
ャートである。 １・・・パルス発生器、２・・・マイクロコンピュータ
、７・・・不揮発性メモリ、８・・・デジタル表示部、
９・・・消去処理信号ロック回路、１０・・・不揮発性
メモリ。 代理人　弁理士−鵜沼辰之 −１０ 第３　ｍ （Ｂ）　口百 （Ｄ）、’ｌ’ｉ大２ 第５［第１ ＠［・ ￥７圓 ＊ｚｒｂ ′＄９ｍ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、走行距離情報を入力して積算走行距離を演算する演
   算手段と、複数個の積算走行距離データ記憶箇所を有す
   る不揮発性メモリと、所定走行距離毎に前記演算手段に
   よって演算された積算走行距離を前記不揮発性メモリの
   積算走行距離データ記憶箇所へ毎回記憶箇所を更新して
   書き込ませる書き込み手段と、特定の積算走行距離毎に
   積算走行距離データを記憶する保護記憶手段と、必要に
   応じて前記不揮発性メモリに書き込んだデータを読み出
   して前記演算手段に入力する読み出し手段と、該読み出
   し手段によって読み出した値と前記保護記憶手段の記憶
   値とから表示値を決定する手段とからなることを特徴と
   する電子式オドメータ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の発明において、上記保
   護記憶手段は、消去処理を行えない不揮発性メモリであ
   ることを特徴とする電子式オドメータ。 ３、特許請求の範囲第１項記載の発明において、上記保
   護記憶手段は、特定の積算走行距離毎に該積算走行距離
   に相当するヒユーズを切るようにしたものであることを
   特徴とする電子式オドメータ。 ４、走行距離情報を入力して積算走行距離を演算する演
   算手段と、複数個の積算走行距離データ記憶箇所を有す
   る不揮発性メモリと、所定走行距離毎に前記演算手段に
   よって演算された積算走行距離を前記不揮発性メモリの
   積算走行距離データ記憶箇所へ毎回記憶個所を更新して
   書き込ませる書き込み手段と、必要に応じて前記不揮発
   性メモリに書き込んだデータを読み出して前記演算手段
   に入力する読み出し手段と、前記演算手段にょシ演算さ
   れた結果を表示する表示手段とを有する電子式オドメー
   タにおいて、上記不揮発性メモリ内に積算距離データを
   記憶するエリアと、現在積算距離データを記憶している
   メモリアドレスを記憶するエリアとを設けると共に、前
   記積算距離データ記憶エリアに書き込まれたデータを記
   憶直後に読み出し該データが正しく記憶されたか否かを
   判定する判定手段と、該判定手段によって該記憶データ
   が誤りであると判定されると該記憶エリアに相当するア
   ドレスを更新して該更新されたメモリアドレスに相当す
   る記憶エリアに正しい積算距離データを記憶させる手段
   を設けたことを特徴とする電子式オドメータ。