JPH06241824A - 電子式オドメータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不揮発性メモリ部内のデータのリセット時、
以前に記憶されていた走行距離データを退避すること
で、簡単な構成でデータを初期値あるいは予め定めた所
定値に書き換えられる電子式オドメータを提案する。 【構成】 センサ部１は車両の一定走行距離毎にパルス
を発生する。不揮発性メモリ部３は前記パルスに応じた
走行距離データが書き込まれる。演算処理部２は不揮発
性メモリ３のデータの読み出しと前記パルス数のカウン
トに基づいて最新の走行距離を算出すると共に適宜前記
不揮発性メモリ部へのデータの書き換えをなす。表示部
４は最新の走行距離の表示をなす。不揮発性メモリ３を
メモリ部３１，３２（通常の走行距離記憶領域）と、メ
モリ部３３（リセット時の退避領域）で構成し、メモリ
部３１，３２の走行データをメモリ部３３へ退避すると
共にメモリ部３１，３２を所定値に戻すリセット機構５
を付設する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、車両に搭載して車両の
走行距離を表示する電子式オドメータに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】電子式オドメータは、車両の一定走行距
離毎に発生する車速センサを同時に距離センサたるセン
サ部としても使用し、このセンサ部からの入力パルス数
をカウント積算して車両の走行距離を算出し、従前の走
行距離に順次加算して最新走行距離を適宜な表示部で表
示してなるものである。

【０００３】ところで、走行距離データは、消失しない
ように所定走行距離毎に適宜な不揮発性メモリ部に書き
込んでおき、車両の走行開始（イグニッションスイッチ
オン時）に不揮発性メモリ部に収納されているデータを
読み取り、これに基づいて走行距離の表示を行ってい
る。

【０００４】不揮発性メモリ部としては、ＥＥＰＲＯＭ
が多用されており、走行距離データの消去書き込みを繰
り返し、常に最新のデータをメモリするようにしている
が、ＥＥＰＲＯＭの書き換えには限度があるので、従前
よりＥＥＰＲＯＭへの書き換え手法が種々提案されてい
る。

【０００５】例えば、特公平１−２９４０７号公報に
は、ｎ×ｎの下位桁用メモリ部と、容量の少ない上位桁
用メモリ部とを備え、所定走行距離毎に下位桁用メモリ
部内の１ビット単位に「０」から「１」への書き込みを
なし、下位桁用メモリ部の書き込みが一巡すると、上位
桁用メモリ部に１単位の書き込みをなし、下位桁用メモ
リ部を全部消去して、改めて下位桁用メモリ部への書き
込みを開始する手法が開示されている。また、特公平１
−４６００５号公報や同１−４６００６号公報には、前
記の下位桁用メモリ部及び上位桁用メモリ部として複数
組のメモリ群を採用し、下位桁用メモリ部の所定書き込
み毎に上位桁用メモリ部への書き込みを行うと共に、各
第１及び第２の各メモリ群は、各単一のものが採用さ
れ、一つのメモリ群がオーバフローすると、次回の書き
込みは次のメモリ群を採用して、メモリ部の書き換え回
数を限度以下としている手法を採用している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記の電子
式オドメータは、製造後に正常な作動を行うか否かのチ
ェックのための検査が必要である。この検査手段は、計
器にパルス信号を入力し、表示部の正常な表示更新の確
認を行うものである。この検査過程で表示部の表示更新
は当然不揮発性メモリ部のデータ更新を伴うものである
ので、検査工程が終了して正常動作の確認がすむと出荷
時（車両組み込み前）に不揮発性メモリ部のデータを初
期値（０km）に戻すリセットや予め定めた所定値に書き
換えるプリセット（以下両者をまとめてリセットとい
う）を行う必要がある。

【０００７】そこで、不揮発性メモリ部のデータ初期化
を簡便に行うために、初期化専用端子を設け、当該端子
からの信号で不揮発性メモリ部のデータを初期化する手
段が考えられる。しかし、外部ノイズや、回路のショー
ト等の原因により当該端子に信号が入力されると、不揮
発性メモリ部のデータが消滅してしまい、更に、走行距
離データの改竄という不正な変更を行われるおそれも考
えられる。

【０００８】そこで、本発明は、不揮発性メモリ部内の
データのリセット時、以前に記憶されていた走行距離デ
ータを退避することで、前記の課題を解決する電子式オ
ドメータを提案するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子式オド
メータは、車両の一定走行距離毎にパルスを発生するセ
ンサ部と、走行距離データが書き込まれる不揮発性メモ
リ部と、この不揮発性メモリ部のデータの読み出しと前
記センサ部からの入力パルス数のカウントに基づいて最
新走行距離を算出すると共に適宜前記不揮発性メモリ部
へのデータの書き換えをなす演算処理部と、最新走行距
離の表示をなす表示部とを備えてなる電子式オドメータ
において、前記不揮発性メモリ部を通常の走行距離記憶
領域と、リセット時の退避領域で構成し、前記通常の走
行距離記憶領域のデータを前記退避領域へ退避すると共
に前記通常の走行距離記憶領域を初期値あるいは予め定
めた所定値に戻すリセット機構を付設したことを特徴と
するものである。

【００１０】

【作用】車両が所定の距離（単位走行距離）を走行し、
センサ部からのパルス信号が所定数カウントされると、
単位走行距離をメモリ部に書き込み、同時に表示部で最
新の走行距離を表示する。

【００１１】また、特にリセット機構を動作させると、
まず不揮発性メモリ部内の通常領域の走行距離データを
読み出し、このデータを不揮発性メモリ部内の退避領域
へ退避させ、その後通常領域のデータを初期値あるいは
予め定めた所定値に書き換える。

【００１２】

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。

【００１３】本実施例では、図１，２で示すように、セ
ンサ部１，演算処理部２，不揮発性メモリ部３，表示部
４，リセット機構５から電子式オドメータを構成してお
り、センサ部１は、車両の一定走行距離毎にパルスを発
生する距離センサであり、演算処理部２は、ＣＰＵで形
成され、センサ部１からのパルス信号をカウントし、所
定走行距離毎にメモリ部３への書き込み並びにリセット
機構５からの信号によって不揮発性メモリ部３のデータ
を後述するような退避，書き換え及び出力等の処理を行
う。

【００１４】不揮発性メモリ部３は、ＥＥＰＲＯＭのよ
うな書き換え可能な不揮発性メモリ素子で形成してあ
り、ｍワード×ｎビット（２０ワード×５ビット）の下
位桁用メモリ部３１（３１ａ，３１ｂ，３１ｃの３組で
構成され、３組同時の書き換えによりデータ保持の万全
を期す）と、ｊワード×ｋビット（４ワード×５ビッ
ト）の上位桁用メモリ部３２（３２ａ，３２ｂ，３２ｃ
の３組で構成）と、ｈワード×ｉビット（１ワード×５
ビット）の退避用メモリ部３３（３３ａ，３３ｂ，３３
ｃ，３３ｄ，３３ｅ，３３ｆの６組で構成）とから構成
され、下位桁用メモリ部３１と上位桁用メモリ部３２で
通常の走行距離記憶領域を、退避用メモリ部３３でリセ
ット時の退避領域を、夫々構成している。

【００１５】表示部４は、ドライバ４１と、表示器４２
とからなり、演算処理部２からの出力を受けて、車両の
積算走行距離を表示するものである。

【００１６】リセット機構５は、端子５１と、端子５１
の電位をプルアップする電源５２と、抵抗５３とからな
り、端子５１は演算処理部２に接続されており、端子５
１のアースによって演算処理部２で走行距離データの退
避と所定のリセットを行うようにしている。

【００１７】しかして、車両が所定の距離（単位走行距
離）を走行し、センサ部１からのパルス信号が所定数カ
ウントされると、演算処理部２は従前の走行距離に単位
走行距離を加算して最新の走行距離を求め、この走行距
離は同時に不揮発性メモリ部３に書き込まれると共に、
表示部４の表示器４２で表示される。

【００１８】下位桁用メモリ部３１は、走行距離１km毎
に２０ワード×５ビットの何れかを順次「０」と書き込
むもので、パリティチェック用に各ワードには少なくと
も一個のビットが「０」に書き込まれる。従って、走行
距離０kmの時は、アドレス００番地のワードの第５ビッ
ト（図中右端）が「０」で他のアドレス０１〜１９番地
のワードは第１ビット（図中左端）に「０」が書き込ま
れ、走行距離１kmでは、アドレス０１番地のワードの書
き換えがなされ、当該ワードの第１ビットは「０」から
「１」へ、第５ビットが「１」から「０」へ書き換えら
れ、アドレスの１９番地のワードの書き換え後は、再度
アドレスの００番地のワードの第５ビットを「０」から
「１」へ書き換え、第４ビットを「１」から「０」へ書
き換える。即ち、走行距離２０km毎に同一ワードの書き
換えがなされ、走行距離１００kmに達すると走行距離０
kmと同一状態となり、上位桁用メモリ部３２へのデータ
の書き込みを行う。

【００１９】上位桁用メモリ部３２は、各ワード毎に１
００km桁用，１０００km桁用，１００００km桁用，１０
００００km桁用に区分けされ、各数値「０」〜「９」を
ＢＣＤコードで保持し、各桁の桁上げで上位桁の書き換
えを行うようにするものである。なお、各ワードの最上
位ビットは、パリティチェック用として設定されてお
り、奇数パリティで同一ワードの「０」の個数を常に奇
数個となるようにしている。

【００２０】退避用メモリ部３３は、各ワード毎に１５
ビットが３分割されて３３ａ〜３３ｆの６組が夫々１km
〜１０００００km桁用に区分けされ、ＢＣＤコードで保
持する。なお、各組の最上位ビットは、パリティチェッ
ク用として設定されており、奇数パリティで同一ワード
の「０」の個数を常に奇数個となるようにしている。

【００２１】更に、本発明では、メモリ部３１，３２の
データの退避とプリセットを可能としたリセット機構５
を具備したもので、端子５１をショート（アース）させ
ると、演算処理部２では、リセット機構５の出力端子が
「ハイ」から「ロウ」に変化したことを検出し、下位
桁，上位桁用メモリ部３１，３２のデータを読み出して
退避用メモリ部３３へ退避させ、下位桁，上位桁用メモ
リ部３１，３２のデータを例えば初期値である積算距離
０kmに書き換える。すなわち、図３で示すように、退避
用メモリ部３３の３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３
３ｅ，３３ｆには、下位桁用メモリ部３１のデータ（３
１ａ，３１ｂ，３１ｃの全体評価例えば多数決により定
まる値）のうち１km桁の「５」，同１０km桁の「４」，
上位桁用メモリ部３２のデータ（３２ａ，３２ｂ，３２
ｃの全体評価例えば多数決により定まる値）のうちアド
レス０Ａ番地の１００km桁の「３」，同アドレス０Ｂ番
地の１０００km桁の「２」，同アドレス０Ｃ番地の１０
０００km桁の「１」，同アドレス０Ｄ番地の１００００
０km桁の「０」が、夫々退避され書き込まれている。

【００２２】従って、通常走行後のメモリ部３のデータ
が、例えば図３に例示するように走行距離１２３４５km
の時、誤ってリセット機構が作動したとしても、退避用
メモリ部３３に走行距離データを退避するため、下位
桁，上位桁用メモリ部３１，３２が０kmにリセットされ
たとしても、退避用メモリ部３３のデータを読み出すこ
とにより、リセット前の走行距離データを知ることがで
きる。従って、リセット機構の誤動作の際には下位桁，
上位桁用メモリ部３１，３２へ正規の走行距離データの
設定が可能となる。

【００２３】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、例えばメモリ部３１，３２及び３３は、
必ずしも同一のメモリ素子を用いる必要はない。そし
て、退避用メモリ部３３の記憶フォーマットを下位桁，
上位桁用メモリ部３１，３２と同様に３組持ち信頼度を
高めても良い。コードもＢＣＤコードに限定するもので
はない。

【００２４】

【発明の効果】本発明は、以上のように不揮発性メモリ
部を有する電子式オドメータにおいて、不揮発性メモリ
部内に走行距離データの退避用領域を設け、リセット
時、この退避領域へ走行距離データを退避させた後、リ
セットを行うため検査工程で生じるメモリデータの書き
込みを簡単に行えると共に、故意に行われる不正使用を
未然に防止することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の構成を示す簡便なブロック
図。

【図２】同上実施例の不揮発性メモリ部のビット構成の
説明図。

【図３】同上実施例の不揮発性メモリ部のリセット動作
の説明図。

【符号の説明】

１ センサ部 ２ 演算処理部 ３ 不揮発性メモリ部 ３１ 下位桁用メモリ部 ３２ 上位桁用メモリ部 ３３ 退避用メモリ部 ４ 表示部 ５ リセット機構

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 車両の一定走行距離毎にパルスを発生す
   るセンサ部と、走行距離データが書き込まれる不揮発性
   メモリ部と、この不揮発性メモリ部のデータの読み出し
   と前記センサ部からの入力パルス数のカウントに基づい
   て最新走行距離を算出すると共に適宜前記不揮発性メモ
   リ部へのデータの書き換えをなす演算処理部と、最新走
   行距離の表示をなす表示部とを備えてなる電子式オドメ
   ータにおいて、前記不揮発性メモリ部を通常の走行距離
   記憶領域と、リセット時の退避領域で構成し、前記通常
   の走行距離記憶領域のデータを前記退避領域へ退避する
   と共に前記通常の走行距離記憶領域を初期値あるいは予
   め定めた所定値に戻すリセット機構を付設したことを特
   徴とする電子式オドメータ。