JP2848102B2 - 電子式走行距離計 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子式走行距離計に関
し、特に誤差の低減に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子式走行距離計を、例えば車両
のオドメータとして使用する場合、バッテリ異常（電圧
低下や外れ等）になっても過去の総走行距離を保持して
おく必要があることから、不揮発性メモリを用いている
（特開昭５７−１９８８１０号，同５９−１９６４１４
号公報参照）。

【０００３】そして、記憶誤差を防ぐため、前記不揮発
性メモリを上位カウンタと下位カウンタとに分け、各々
のカウンタを複数組にて構成することにより、下位カウ
ンタから上位カウンタへ順次総走行距離を繰り返し記憶
する際に、各カウンタで記憶内容が異なる場合には多数
決をとることにより総走行距離を決定するものがある
（特公平１−４６００５号公報参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
技術では、バッテリ異常の時の総走行距離に誤差が生じ
ることがある。すなわち、バッテリ異常で電源が供給さ
れなくなった後にバッテリが復旧すると、不揮発性メモ
リの記憶内容により総走行距離を算出するが、不揮発性
メモリの書込みは単位走行距離（例えば１km）毎に行わ
れるため、単位走行距離未満の走行距離は残っておら
ず、この分が誤差となってしまう。この誤差は、単位走
行距離を小さく（例えば100 ｍ）することにより小さく
することができるものの、不揮発性メモリの容量が大き
くなり、コストアップを招く不具合がある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題に着
目し、走行距離に応じたパルス信号を出力する距離セン
サと、パルス信号に応じた走行距離を積算して総走行距
離を複数組のグループからなる主たるメモリを有する不
揮発性メモリで更新保持させるマイクロコンピュータ
（マイコン）と、不揮発性メモリの記憶内容に応じて総
走行距離を表示する表示器とを有し、マイコンは走行距
離が所定の書込基準距離に達する毎に主たるメモリの少
なくとも１つのグループの記憶内容を更新し、かつ、書
込基準距離のｋ（ｋは２以上の整数）倍の単位走行距離
に達する毎に主たるメモリの各グループの記憶内容を同
じくするものである。

【０００６】

【作用】単位走行距離よりも小さい書込基準距離に達す
る毎に不揮発性メモリの記憶内容が更新されるため分解
能が高くなるため精度を高めることができ、また、単位
走行距離に達する毎に前記記憶内容の確認ができるため
信頼性を高めることができる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明について、添付図面の実施例に
基づいて説明する。

【０００８】図１は、本発明に係る電子式走行距離計を
車両のオドメータとして用いたブロック図を示してお
り、距離検出手段であって波形整形回路等の付属回路を
含む距離センサ１は、車両の車輪あるいは車軸に設けら
れており、回転数毎にパルス信号を出力し、後述する表
示器の表示値の切換単位となる所定の単位走行距離（例
えば0.9 km）に対応して前記パルス信号の発生数は決め
られている。

【０００９】制御手段たるマイコン２は、カウンタ３，
ＲＯＭ４，比較回路５及び制御回路６を有している。カ
ウンタ３は随時距離センサ１からのパルス信号を入力し
てこのパルス信号に応じた走行距離Ｘを出力する。ＲＯ
Ｍ４は単位走行距離をｋ（例えば３、ｋは２以上の整
数）で除した書込基準距離Ｙ（0.3 km）を設定してあ
る。比較回路５は走行距離Ｘと書込基準距離Ｙとを入力
し、前者が後者に達する毎に制御回路６へ書込タイミン
グ信号Ｚを出力する。そして、制御回路６は書込タイミ
ング信号Ｚを入力する毎に後述する不揮発性メモリ７の
記憶内容を更新すると共に必要に応じてドライバ８を介
して表示手段であって蛍光表示管等の表示素子を含むデ
ジタル式の表示器９の表示内容を更新するよう制御す
る。本実施例ではマイコン２は表示単位距離を100 ｍに
セットし、表示器９は0.1 km単位での表示を行う。

【００１０】不揮発性メモリ７は、ＥＥＰＲＯＭ等の記
憶素子により常時それまでの総走行距離を記憶するもの
で、ｉビット×ｊワードを１組としこれをｋ（このｋは
前記ｋと同じ）組有して記憶内容が頻繁に更新される主
たるメモリである主メモリ10と、ｌビット×ｍワードを
１組としこれをｎ組有して主メモリ10よりは記憶内容が
頻繁に更新されない補助メモリ11とから構成されてお
り、本実施例では、図２で示すように、主メモリ10が16
ビット×１ワードを１組としてこれをグループ10Ａ〜10
Ｃの３組、補助メモリ11が16ビット×１ワードを１組と
してこれをグループ11ａ〜11ｃの３組夫々有している。
なお、各メモリ10，11の最上位ビットＡ16，Ｂ16，Ｃ1
6，ａ16，ｂ16，ｃ16はパリティビットとし、奇数パリ
ティを実現するようにしている。

【００１１】不揮発性メモリ７への書込み並びに表示器
９の表示について、図２〜４の割付図を用いながら説明
する。

【００１２】当初総走行距離が零kmの時は、不揮発性メ
モリ７の各メモリ10，11の全ビットは「０」でリセット
されている。ただし、この初期状態において、パリティ
ビットＡ16，Ｂ16，Ｃ16，ａ16，ｂ16，ｃ16には「１」
が書込まれている（図２参照）。

【００１３】カウンタ３で距離センサ１からのパルス信
号を計数して距離信号Ｘを出力し、ＲＡＭ４の書込基準
距離Ｙに達したと比較回路５が判定する毎に書込タイミ
ング信号Ｚが発せられると（0.3 km走行）、制御回路６
は不揮発性メモリ７の主メモリ10のグループ10Ａの最下
位ビットＡ１に「１」を書込むと共にパリティビットＡ
16を「０」とする（図３（ａ）参照、なお補助メモリ11
には変化がないため、同図においては省略してある。以
下同じ。）

【００１４】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（0.6 km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ｂの最下位ビットＢ１に「１」を書込むと共にパ
リティビットＢ16を「０」とする（図３（ｂ）参照）。

【００１５】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（0.9 km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ｃの最下位ビットＣ１に「１」を書込むと共にパ
リティビットＣ16を「０」とする（図３（ｃ）参照）。

【００１６】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（1.2 km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ａの２番目ビットＡ２に「１」を書込むと共にパ
リティビットＡ16を「１」とする（図３（ｄ）参照）。

【００１７】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（1.5 km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ｂの２番目ビットＢ２に「１」を書込むと共にパ
リティビットＢ16を「１」とする（図３（ｅ）参照）。

【００１８】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（1.8 km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ｃの２番目ビットＣ２に「１」を書込むと共にパ
リティビットＣ16を「１」とする（図３（ｆ）参照）。

【００１９】そして、車両が13.5km走行すると、不揮発
性メモリ７の主メモリ10のパリティビットＡ16，Ｂ16，
Ｃ16を除く他のビットＡ１〜Ａ15，Ｂ１〜Ｂ15，Ｃ１〜
Ｃ15に「１」が書込まれる（図３（ｇ）参照）。

【００２０】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（13.8km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ａは図３（ａ）と同じくなり、補助メモリ11のグ
ループ11ａ〜11ｃに２進数で「１」が書込まれると共に
パリティビットａ16，ｂ16，ｃ16を「０」とする（図４
（ａ）参照）。

【００２１】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（14.1km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10のグル
ープ10Ｂが図３（ｂ）と同じくなる（図４（ｂ）参
照）。

【００２２】次に書込タイミング信号Ｚが発せられると
（14.4km走行）、不揮発性メモリ７の主メモリ10は図３
（ｃ）と同じくなり（図４（ｃ）参照）、以降書込タイ
ミング信号Ｚが発せられる0.3 ｋｍ走行毎に順次図３
（ｅ）〜（ｈ）の状態となり、26.3km走行すると不揮発
性メモリ７の主メモリ10は図４（ａ）と同じくなると共
に補助メモリ11のグループ11ａ〜11ｃに２進数で「１」
が加算される（図４（ｄ）参照）。

【００２３】このような構成において、例えば車両が1.
6 km走行後にバッテリ異常が生じた場合を考える。

【００２４】従来の技術では、単位走行距離（0.9 km）
達する毎に不揮発性メモリ７の記憶内容が更新されるた
め、バッテリの復旧後は、不揮発性メモリ７で記憶され
ている最新の総走行距離すなわち0.9 kmがこれまでの総
走行距離と認識され表示器９で表示されることとなり、
以降距離センサ１のパルス信号に応じて0.9 kmから走行
距離の計数を再回する。このため、実際の総走行距離で
ある1.6 kmに対して0.7 kmの誤差を生じることとなる。

【００２５】しかし、本発明の前記実施例によれば、前
記バッテリ異常が生じた時点で不揮発性メモリ７には1.
5 kmが記憶されており（図３（ｅ）参照）、バッテリの
復旧後、不揮発性メモリ７で記憶されている最新の総走
行距離すなわち1.5 kmがこれまでの総走行距離と認識さ
れ、実際の総走行距離である1.6 kmに対して誤差を0.1
kmに押さえることができる。

【００２６】図５は、本発明の他の実施例を示してお
り、不揮発性メモリ７への記憶方法に差異があり、主メ
モリ10と補助メモリ（図示しない）の構成は前記実施例
と同じである。この実施例では、単位走行距離を１kmと
し、その半分の0.5 kmを書込基準距離Ｙ（図１参照）と
して車両が0.5 km走行する毎に書込タイミング信号Ｚ
（図１参照）が発せられ、不揮発性メモリ７の記憶内容
を更新するようにしている。

【００２７】具体的には、当初総走行距離が零kmの時
は、前記実施例の図２で示したと同じ状態にある（図５
（ａ）参照）。

【００２８】その後、奇数回目の書込タイミング信号Ｚ
が発せられると（0.5 km，1.5 km・・・）、不揮発性メ
モリ７の主メモリ10のグループ10Ａ，10Ｂに同時に
「１」が書込まれる（図５（ｂ），（ｄ）参照）。

【００２９】また、偶数回目の書込タイミング信号Ｚが
発せられると（1.0 km，2.0 km・・・）、不揮発性メモ
リ７の主メモリ10のグループ10Ｃにのみ「１」が書込ま
れる（図５（ｃ），（ｅ）参照）。

【００３０】なお、図示しない補助メモリの記憶内容の
更新及び図示しない表示器の表示内容の更新は、前記実
施例と同じである。

【００３１】この実施例においても、単位走行距離未達
時にバッテリ異常が生じたとしても、最新の書込タイミ
ング信号Ｚの発せられた時の総走行距離が不揮発性メモ
リ７に記憶されているため、誤差を押さえることがで
き、本実施例では0.5 km未満で済む。

【００３２】上記各実施例とも、奇数パリティをとるこ
とにより、不揮発性メモリ７の主，補助メモリ10，11の
各グループ10Ａ〜10Ｃ，11ａ〜11ｃには常時「１」が奇
数個保持され、これを監視することによりビット誤りを
発見することができる。

【００３３】また、不揮発性メモリ７の主メモリ10を３
つのグループ10Ａ，10Ｂ，10Ｃにて構成することによ
り、単位走行距離に達する毎にこのグループ10Ａ〜10Ｃ
の記憶内容は同じくなり、この時多数決をとることによ
り間違っているグループを発見して修正することができ
るため、信頼性を高めることができる。これは補助メモ
リ11についても同様である。

【００３４】なお、上記各実施例とも、表示器９の表示
内容は、マイコン２がカウンタ３の出力である走行距離
Ｘを直接計数して100 ｍの表示単位距離に達する毎に更
新され、また、バッテリの復旧後は不揮発性メモリ７の
記憶内容を読み出し表示を行うものである。

【００３５】また、不揮発性メモリ７の補助メモリ11は
必ずしも用意する必要はなく、主メモリ10の容量が十分
大きければ補助メモリ11を省くことができる。すなわ
ち、本発明は、少なくとも主メモリ10もしくは前記従来
の技術の下位カウンタ等の記憶内容が頻繁に更新される
メモリ（主たるメモリ）に対して適用されるアルゴリズ
ムに関する。

【００３６】

【発明の効果】本発明は、走行距離に応じたパルス信号
を出力する距離センサと、パルス信号に応じた走行距離
を積算して総走行距離を複数組のグループからなる主た
るメモリを有する不揮発性メモリで更新保持させるマイ
コンと、不揮発性メモリの記憶内容に応じて総走行距離
を表示する表示器とを有し、マイコンは走行距離が所定
の書込基準距離に達する毎に前記主たるメモリの少なく
とも１つのグループの記憶内容を更新し、かつ、書込基
準距離のｋ（ｋは２以上の整数）倍の単位走行距離に達
する毎に前記主たるメモリの各グループの記憶内容を同
じくするものであって、書込基準距離に達する毎に車両
の総走行距離が不揮発性メモリに記憶され、単位走行距
離に達する毎に不揮発性メモリの各グループの記憶内容
が同一になり、この時不揮発性メモリで多数決をとるこ
とにより間違っているグループを発見して修正すること
ができるため、不揮発性メモリの記憶内容の確認がで
き、信頼性を高めることができる。

【００３７】また、バッテリ異常が生じても、書込基準
距離に達する毎に不揮発性メモリの記憶内容を更新して
いるため、従来の単位走行距離に達する毎に不揮発性メ
モリの記憶内容を更新するものに比べて、分解能が高く
なりバッテリの復旧後の誤差を小さく押さえることがで
きるため、精度を高めることができる。

【００３８】このように、実質的に単位走行距離を小さ
くしたにもかかわらず、不揮発性メモリの容量は従来と
同じくすることができ、コストアップを招くことがな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を車両のオドメータとして使用
する場合のブロック図。

【図２】同上実施例の不揮発性メモリの割付図。

【図３】同上実施例の不揮発性メモリの割付図。

【図４】同上実施例の不揮発性メモリの割付図。

【図５】本発明の他の実施例の不揮発性メモリの割付
図。

【符号の説明】

１ 距離センサ ２ マイクロコンピュータ（マイコン） ３ カウンタ ４ ＲＡＭ ５ 比較回路 ６ 制御回路 ７ 不揮発性メモリ ８ ドライバ ９ 表示器 10 主メモリ（主たるメモリ） 11 補助メモリ

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01C 22/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 走行距離に応じたパルス信号を出力する
   距離センサと、前記パルス信号に応じた走行距離を積算
   して総走行距離を複数組のグループからなる主たるメモ
   リを有する不揮発性メモリで更新保持させるマイクロコ
   ンピュータと、前記不揮発性メモリの記憶内容に応じて
   前記総走行距離を表示する表示器とを有し、前記マイク
   ロコンピュータは前記走行距離が所定の書込基準距離に
   達する毎に前記主たるメモリの少なくとも１つのグルー
   プの記憶内容を更新し、かつ、前記書込基準距離のｋ
   （ｋは２以上の整数）倍の単位走行距離に達する毎に前
   記主たるメモリの各グループの記憶内容を同じくするこ
   とを特徴とする電子式走行距離計。