JP3124112B2 - データ格納方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体記憶装置へのデ
ータ格納方法に関し、例えば自動車等に用いられるオド
・トリップメータにおける走行距離データをＥ2 ＰＲＯ
Ｍ（Electrically Erasable Programmable Read Only M
emory 、電気的再書き込み可能なＰＲＯＭ）へ格納する
ためのデータ格納方法に関するものである。
ータ格納方法に関し、例えば自動車等に用いられるオド
・トリップメータにおける走行距離データをＥ2 ＰＲＯ
Ｍ（Electrically Erasable Programmable Read Only M
emory 、電気的再書き込み可能なＰＲＯＭ）へ格納する
ためのデータ格納方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、オド・トリップメータに
おける走行距離データは、連続データであるため、Ｅ2
ＰＲＯＭを用い、その走行距離データそのものをＥ2 Ｐ
ＲＯＭに順に格納していく格納方法が知られている。そ
の格納方法を図２（ａ），（ｂ）に示す。
おける走行距離データは、連続データであるため、Ｅ2
ＰＲＯＭを用い、その走行距離データそのものをＥ2 Ｐ
ＲＯＭに順に格納していく格納方法が知られている。そ
の格納方法を図２（ａ），（ｂ）に示す。
【０００３】図２（ａ），（ｂ）は、走行距離データそ
のものをＥ2 ＰＲＯＭに順に格納していく従来のＥ2 Ｐ
ＲＯＭへの走行距離データ格納方法を示す図であり、同
図（ａ）はＥ2 ＰＲＯＭの記憶領域（エリア）を示す
図、及び同図（ｂ）は走行距離データと格納するエリア
との関係を示す図である。図２（ａ）では、走行距離デ
ータを最大１０００００位までとし、Ｅ2 ＰＲＯＭの記
憶容量を例えば１２８バイトとし、該Ｅ2 ＰＲＯＭ上
に、走行距離データと同一桁数のエリアを複数個（例え
ば、４２個）割り当てる。エリア１にはアドレス（番
地）０〜２、エリア２にはアドレス３〜５のように、各
エリアにはそれに対応するアドレスが設けられている。
そして、走行距離が変化した時に、その時点で最も古
い、または空いているエリアに走行距離を書き込む動作
を行う。例えば、走行距離データ００００４２が０００
０４３に変化すると、その時点で最も古い、または空い
ているＥ2 ＰＲＯＭのエリア２に該走行距離００００４
３を書き込む。走行距離データの有効範囲は０００００
０〜９９９９９９であり、そのデータ有効範囲００００
００〜９９９９９９まで走行距離が変化した場合、Ｅ2
ＰＲＯＭの書き換え回数は２３８０９回／１エリアとな
る。
のものをＥ2 ＰＲＯＭに順に格納していく従来のＥ2 Ｐ
ＲＯＭへの走行距離データ格納方法を示す図であり、同
図（ａ）はＥ2 ＰＲＯＭの記憶領域（エリア）を示す
図、及び同図（ｂ）は走行距離データと格納するエリア
との関係を示す図である。図２（ａ）では、走行距離デ
ータを最大１０００００位までとし、Ｅ2 ＰＲＯＭの記
憶容量を例えば１２８バイトとし、該Ｅ2 ＰＲＯＭ上
に、走行距離データと同一桁数のエリアを複数個（例え
ば、４２個）割り当てる。エリア１にはアドレス（番
地）０〜２、エリア２にはアドレス３〜５のように、各
エリアにはそれに対応するアドレスが設けられている。
そして、走行距離が変化した時に、その時点で最も古
い、または空いているエリアに走行距離を書き込む動作
を行う。例えば、走行距離データ００００４２が０００
０４３に変化すると、その時点で最も古い、または空い
ているＥ2 ＰＲＯＭのエリア２に該走行距離００００４
３を書き込む。走行距離データの有効範囲は０００００
０〜９９９９９９であり、そのデータ有効範囲００００
００〜９９９９９９まで走行距離が変化した場合、Ｅ2
ＰＲＯＭの書き換え回数は２３８０９回／１エリアとな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
データ格納方法では、格納できるデータ数に制限がで
き、かつそのために格納できるデータ範囲が狭くなる。
そのため、データの信頼性の点で問題があり、またＥ2
ＰＲＯＭでは書き換え回数の上限値があり、格納する各
エリアの最下位桁に格納する書き換え回数が多くなって
その最下位桁に格納する書き換え負担が重くなるという
問題がある。さらに、走行距離が変化したときの書き換
え時に、走行距離データを１〜３バイト、Ｅ2 ＰＲＯＭ
に書き込む必要があるために、書き換え動作が一定でな
いという問題があり、未だ技術的に充分満足のゆくデー
タ格納方法を提供することが困難であった。本発明は、
前記従来技術が持っていた課題として、データの信頼
性、書き換え負担、及び書き換え動作の問題点を解決
し、半導体記憶装置の容量を増加させることなく、連続
データを多く格納し、データの信頼性を上げ、書き換え
負担を全記憶領域（エリア）で均一化し、書き換え動作
を共通にできる、データ格納方法を提供するものであ
る。
データ格納方法では、格納できるデータ数に制限がで
き、かつそのために格納できるデータ範囲が狭くなる。
そのため、データの信頼性の点で問題があり、またＥ2
ＰＲＯＭでは書き換え回数の上限値があり、格納する各
エリアの最下位桁に格納する書き換え回数が多くなって
その最下位桁に格納する書き換え負担が重くなるという
問題がある。さらに、走行距離が変化したときの書き換
え時に、走行距離データを１〜３バイト、Ｅ2 ＰＲＯＭ
に書き込む必要があるために、書き換え動作が一定でな
いという問題があり、未だ技術的に充分満足のゆくデー
タ格納方法を提供することが困難であった。本発明は、
前記従来技術が持っていた課題として、データの信頼
性、書き換え負担、及び書き換え動作の問題点を解決
し、半導体記憶装置の容量を増加させることなく、連続
データを多く格納し、データの信頼性を上げ、書き換え
負担を全記憶領域（エリア）で均一化し、書き換え動作
を共通にできる、データ格納方法を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第１の発明は、各々が複数桁で示さ
れた、複数の連続するデータを半導体記憶装置に格納す
るデータ格納方法において、前記データ各々の下位所定
桁で示される情報を前記半導体憶装置のアドレスとし
て、該下位所定桁より上の所定桁で示される情報を該半
導体記憶装置に格納するようにしている。 第２の発明
は、第１の発明のデータ格納方法において、前記半導体
記憶装置はＥ 2 ＰＲＯＭで構成している。 第３の発明
は、第１あるいは第２の発明のデータ格納方法におい
て、前記データ各々の前記下位所定桁より上の所定桁に
含まれる情報を前記半導体記憶装置のアドレスとして、
該上の所定桁よりさらに上の所定桁にて示される情報を
該半導体記憶装置に格納している。
に、本発明のうちの第１の発明は、各々が複数桁で示さ
れた、複数の連続するデータを半導体記憶装置に格納す
るデータ格納方法において、前記データ各々の下位所定
桁で示される情報を前記半導体憶装置のアドレスとし
て、該下位所定桁より上の所定桁で示される情報を該半
導体記憶装置に格納するようにしている。 第２の発明
は、第１の発明のデータ格納方法において、前記半導体
記憶装置はＥ 2 ＰＲＯＭで構成している。 第３の発明
は、第１あるいは第２の発明のデータ格納方法におい
て、前記データ各々の前記下位所定桁より上の所定桁に
含まれる情報を前記半導体記憶装置のアドレスとして、
該上の所定桁よりさらに上の所定桁にて示される情報を
該半導体記憶装置に格納している。
【０００６】
【作用】第１〜第３の発明によれば、以上のようにデー
タ格納方法を構成したので、例えば、連続データ値が増
加していくと、その連続データの下位所定桁で示される
情報が半導体記憶装置のアドレスとして、その下位所定
桁より上の所定桁で示される情報がその半導体記憶装置
に格納される。このようにして半導体記憶装置に連続デ
ータを格納するので、多くの連続データの簡単かつ適確
な書き込み及び読み出しが行える。従って、前記課題を
解決できるのである。
タ格納方法を構成したので、例えば、連続データ値が増
加していくと、その連続データの下位所定桁で示される
情報が半導体記憶装置のアドレスとして、その下位所定
桁より上の所定桁で示される情報がその半導体記憶装置
に格納される。このようにして半導体記憶装置に連続デ
ータを格納するので、多くの連続データの簡単かつ適確
な書き込み及び読み出しが行える。従って、前記課題を
解決できるのである。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の実施例である半導体記憶装
置（例えば、Ｅ2 ＰＲＯＭ）への連続データ（例えば、
走行距離データ）の格納方法を示すもので、走行距離デ
ータとＥ2 ＰＲＯＭアドレスの対応図である。走行距離
データは、例えば、そのデータ有効範囲を００００００
〜９９９９９９とすると、１位〜１０００００位で表現
でき、１位及び１０位が下位２桁、１００位及び１００
０位が中位２桁、１００００位及び１０００００位が上
位２桁に分けられる。Ｅ2 ＰＲＯＭは、エリア（データ
列）Ａとエリア（データ列）Ｂとで構成されている。エ
リアＡは、Ｅ2 ＰＲＯＭアドレス００〜９９（＝６３
ｈ）を有し、それは次のように走行距離データの１、１
０、１００、１０００位に対応する。 データ 上位４ビット：走行距離データ１０００位 データ 下位４ビット：走行距離データ１００位 アドレス上位４ビット：走行距離データ１０位 アドレス下位４ビット：走行距離データ１位 これに対し、エリアＢは、Ｅ2 ＰＲＯＭアドレスｎ〜ｎ
＋９（ｎ＞６３ｈ）、例えば１００〜１０９を有し、そ
れは例えば次のように走行距離データの１０００、１０
０００、１０００００位に対応する。 データ 上位４ビット：走行距離データ１０００００位 データ 下位４ビット：走行距離データ１００００位 アドレス下位４ビット：走行距離データ１０００位 即ち、エリアＡの有するＥ2 ＰＲＯＭのアドレス００〜
９９（空間１００バイト）は、走行距離データ１０位、
１位に対応しており、各アドレスで示されるデータは、
上位４ビットで１０００位を、下位４ビットで１００位
を示している。エリアＢの有するＥ2 ＰＲＯＭのアドレ
ス１００〜１０９（空間１０バイト）は、走行距離デー
タの１０００位に対応しており、各アドレスで示される
データは、上位４ビットで１０００００位を、下位４ビ
ットで１００００位を示している。
置（例えば、Ｅ2 ＰＲＯＭ）への連続データ（例えば、
走行距離データ）の格納方法を示すもので、走行距離デ
ータとＥ2 ＰＲＯＭアドレスの対応図である。走行距離
データは、例えば、そのデータ有効範囲を００００００
〜９９９９９９とすると、１位〜１０００００位で表現
でき、１位及び１０位が下位２桁、１００位及び１００
０位が中位２桁、１００００位及び１０００００位が上
位２桁に分けられる。Ｅ2 ＰＲＯＭは、エリア（データ
列）Ａとエリア（データ列）Ｂとで構成されている。エ
リアＡは、Ｅ2 ＰＲＯＭアドレス００〜９９（＝６３
ｈ）を有し、それは次のように走行距離データの１、１
０、１００、１０００位に対応する。 データ 上位４ビット：走行距離データ１０００位 データ 下位４ビット：走行距離データ１００位 アドレス上位４ビット：走行距離データ１０位 アドレス下位４ビット：走行距離データ１位 これに対し、エリアＢは、Ｅ2 ＰＲＯＭアドレスｎ〜ｎ
＋９（ｎ＞６３ｈ）、例えば１００〜１０９を有し、そ
れは例えば次のように走行距離データの１０００、１０
０００、１０００００位に対応する。 データ 上位４ビット：走行距離データ１０００００位 データ 下位４ビット：走行距離データ１００００位 アドレス下位４ビット：走行距離データ１０００位 即ち、エリアＡの有するＥ2 ＰＲＯＭのアドレス００〜
９９（空間１００バイト）は、走行距離データ１０位、
１位に対応しており、各アドレスで示されるデータは、
上位４ビットで１０００位を、下位４ビットで１００位
を示している。エリアＢの有するＥ2 ＰＲＯＭのアドレ
ス１００〜１０９（空間１０バイト）は、走行距離デー
タの１０００位に対応しており、各アドレスで示される
データは、上位４ビットで１０００００位を、下位４ビ
ットで１００００位を示している。
【０００８】図３〜図１０は、走行距離データとＥ2 Ｐ
ＲＯＭに格納する格納データとの対応を示す対応図であ
る。Ｅ2 ＰＲＯＭに格納するデータは、初期状態におい
て、エリアＡの００番地以外及びエリアＢのデータは全
て１６進表現で“ＦＦ”とする。また、エリアＡの００
番地は“００”とする。図１の走行距離データの表現方
法では、過去９９個のデータを格納（表現）できること
になる。図３〜図１０に示すように、走行距離データの
変化幅が下位３桁（××０００〜××９９９）の場合
は、データの下位２桁に対応するアドレスで示されるメ
モリを＋１加算するだけでよい。また、下位４桁目が変
化した時にのみ、下位４桁目＋１００のアドレスで示さ
れるメモリを＋１加算するだけでよい。図１１は、走行
距離データのＥ2 ＰＲＯＭへの書き込み動作を示すフロ
ーチャートである。図１１において、１１〜１６は各処
理ステップ、ＡＰは格納アドレス指示用のアドレスポイ
ンタ、［ＡＰ］はアドレスポインタで示されるＥ2 ＰＲ
ＯＭアドレスのデータ、Ｔは走行距離データである。図
１１に示すように、Ｅ2 ＰＲＯＭへ走行距離データを書
き込む場合、走行距離データＴの変化幅が××００１〜
××９９９のときは、ステップ１１で、走行距離データ
Ｔの下位２桁をアドレスポインタＡＰに入れ、ステップ
１２で、データ［ＡＰ］に＋１加算してＥ2 ＰＲＯＭへ
の走行距離データの書き込みを行う。従って、走行距離
データＴの変化幅が××００１〜××９９９のときは、
走行距離データＴの下位２桁で示される１つのアドレス
のみを書き換えるだけでよい。ステップ１３で、Ｔ＝×
××０００か否かを判定し、Ｔ＝×××０００のとき
は、ステップ１４で、走行距離データＴの下位４桁目を
アドレスポインタＡＰに入れ、ステップ１５で、アドレ
スポインタＡＰに格納されているデータ［ＡＰ］に＋１
００加算し、さらにステップ１６で、データ［ＡＰ］に
＋１加算してＥ2ＰＲＯＭへの書き込みを行う。即ち、
走行距離データがＴ＝×××０００のときは、ステップ
１１，１２の書き換えに加え、走行距離データの下位４
桁目＋１００で示される１つのアドレスを書き換えるだ
けでＥ2 ＰＲＯＭへの書き込みが行える。例えば、Ｅ2
ＰＲＯＭへの書き込み回数（００００００〜９９９９９
９まで）は、エリアＡにおいて、初期設定を含み、全バ
イト共通の１００００回であり、エリアＢにおいて、初
期設定を含み、全バイト共通で１００回である。本実施
例におけるＥ2 ＰＲＯＭでのデータ並びには次の表１及
び表２に示す特徴がある。
ＲＯＭに格納する格納データとの対応を示す対応図であ
る。Ｅ2 ＰＲＯＭに格納するデータは、初期状態におい
て、エリアＡの００番地以外及びエリアＢのデータは全
て１６進表現で“ＦＦ”とする。また、エリアＡの００
番地は“００”とする。図１の走行距離データの表現方
法では、過去９９個のデータを格納（表現）できること
になる。図３〜図１０に示すように、走行距離データの
変化幅が下位３桁（××０００〜××９９９）の場合
は、データの下位２桁に対応するアドレスで示されるメ
モリを＋１加算するだけでよい。また、下位４桁目が変
化した時にのみ、下位４桁目＋１００のアドレスで示さ
れるメモリを＋１加算するだけでよい。図１１は、走行
距離データのＥ2 ＰＲＯＭへの書き込み動作を示すフロ
ーチャートである。図１１において、１１〜１６は各処
理ステップ、ＡＰは格納アドレス指示用のアドレスポイ
ンタ、［ＡＰ］はアドレスポインタで示されるＥ2 ＰＲ
ＯＭアドレスのデータ、Ｔは走行距離データである。図
１１に示すように、Ｅ2 ＰＲＯＭへ走行距離データを書
き込む場合、走行距離データＴの変化幅が××００１〜
××９９９のときは、ステップ１１で、走行距離データ
Ｔの下位２桁をアドレスポインタＡＰに入れ、ステップ
１２で、データ［ＡＰ］に＋１加算してＥ2 ＰＲＯＭへ
の走行距離データの書き込みを行う。従って、走行距離
データＴの変化幅が××００１〜××９９９のときは、
走行距離データＴの下位２桁で示される１つのアドレス
のみを書き換えるだけでよい。ステップ１３で、Ｔ＝×
××０００か否かを判定し、Ｔ＝×××０００のとき
は、ステップ１４で、走行距離データＴの下位４桁目を
アドレスポインタＡＰに入れ、ステップ１５で、アドレ
スポインタＡＰに格納されているデータ［ＡＰ］に＋１
００加算し、さらにステップ１６で、データ［ＡＰ］に
＋１加算してＥ2ＰＲＯＭへの書き込みを行う。即ち、
走行距離データがＴ＝×××０００のときは、ステップ
１１，１２の書き換えに加え、走行距離データの下位４
桁目＋１００で示される１つのアドレスを書き換えるだ
けでＥ2 ＰＲＯＭへの書き込みが行える。例えば、Ｅ2
ＰＲＯＭへの書き込み回数（００００００〜９９９９９
９まで）は、エリアＡにおいて、初期設定を含み、全バ
イト共通の１００００回であり、エリアＢにおいて、初
期設定を含み、全バイト共通で１００回である。本実施
例におけるＥ2 ＰＲＯＭでのデータ並びには次の表１及
び表２に示す特徴がある。
【０００９】
【表１】
【表２】 表１に示すように、Ｅ2 ＰＲＯＭ上のデータとしては２
種類以下しか存在せず、さらに、そのデータが２種類の
場合は、ある１つのアドレスを境に前後にデータが分け
られる。例えば、図５において、アドレス１１を境にし
てその前後にデータ“００”と“ＦＦ”に分けられる。
図１２は、Ｅ2 ＰＲＯＭからの走行距離データの読み出
し動作を示すフローチャートである。図１２中のＡＰは
アドレスポインタ、［ＡＰ］はアドレスポインタで示さ
れるＥ2 ＰＲＯＭアドレスのデータ、Ｗはワークレジス
タ、［Ｗ］はワークレジスタＷに格納されているデー
タ、及びＴは走行距離データ、２１〜２８は各処理ステ
ップである。Ｅ2 ＰＲＯＭから走行距離データを読み出
す場合、ステップ２１で、“００”をアドレスポインタ
ＡＰに入れ、ステップ２２で、アドレスポインタＡＰで
示されるＥ2 ＰＲＯＭアドレスのデータ［ＡＰ］をワー
クレジスタＷに入れれば、Ｅ2 ＰＲＯＭの読み出しが行
える。ステップ２３で、［ＡＰ］＝９９か否かを判定
し、［ＡＰ］＝９９でないときには、ステップ２４で、
アドレスポインタＡＰのデータ［ＡＰ］に＋１加算し、
ステップ２５で、［Ｗ］＝［ＡＰ］か否かを判定し、
［Ｗ］＝［ＡＰ］のときにはステップ２３へ戻り、前記
の処理を繰り返す。ステップ２３で［ＡＰ］＝９９とな
ると、ステップ２６で、データ［Ｗ］に１００を掛け、
アドレスポインタＡＰの値を加算すれば、走行距離デー
タＴの下位４桁が確定する。次に、ステップ２７で、デ
ータ［Ｗ］の４桁目をアドレスポインタＡＰに入れ、ス
テップ２８で、データ［Ｗ］に１００００を掛けて下位
４桁目の走行距離データＴに加算すれば、走行距離デー
タＴが確定し、読み出しが終了する。このように、エリ
アＡ，Ｂ内でデータが変化する位置をステップ２５で検
索し、そのアドレスとデータから、Ｅ2 ＰＲＯＭに格納
されている最新の走行距離を求めることができる。
種類以下しか存在せず、さらに、そのデータが２種類の
場合は、ある１つのアドレスを境に前後にデータが分け
られる。例えば、図５において、アドレス１１を境にし
てその前後にデータ“００”と“ＦＦ”に分けられる。
図１２は、Ｅ2 ＰＲＯＭからの走行距離データの読み出
し動作を示すフローチャートである。図１２中のＡＰは
アドレスポインタ、［ＡＰ］はアドレスポインタで示さ
れるＥ2 ＰＲＯＭアドレスのデータ、Ｗはワークレジス
タ、［Ｗ］はワークレジスタＷに格納されているデー
タ、及びＴは走行距離データ、２１〜２８は各処理ステ
ップである。Ｅ2 ＰＲＯＭから走行距離データを読み出
す場合、ステップ２１で、“００”をアドレスポインタ
ＡＰに入れ、ステップ２２で、アドレスポインタＡＰで
示されるＥ2 ＰＲＯＭアドレスのデータ［ＡＰ］をワー
クレジスタＷに入れれば、Ｅ2 ＰＲＯＭの読み出しが行
える。ステップ２３で、［ＡＰ］＝９９か否かを判定
し、［ＡＰ］＝９９でないときには、ステップ２４で、
アドレスポインタＡＰのデータ［ＡＰ］に＋１加算し、
ステップ２５で、［Ｗ］＝［ＡＰ］か否かを判定し、
［Ｗ］＝［ＡＰ］のときにはステップ２３へ戻り、前記
の処理を繰り返す。ステップ２３で［ＡＰ］＝９９とな
ると、ステップ２６で、データ［Ｗ］に１００を掛け、
アドレスポインタＡＰの値を加算すれば、走行距離デー
タＴの下位４桁が確定する。次に、ステップ２７で、デ
ータ［Ｗ］の４桁目をアドレスポインタＡＰに入れ、ス
テップ２８で、データ［Ｗ］に１００００を掛けて下位
４桁目の走行距離データＴに加算すれば、走行距離デー
タＴが確定し、読み出しが終了する。このように、エリ
アＡ，Ｂ内でデータが変化する位置をステップ２５で検
索し、そのアドレスとデータから、Ｅ2 ＰＲＯＭに格納
されている最新の走行距離を求めることができる。
【００１０】本実施例では、走行距離データをＥ2 ＰＲ
ＯＭ内に展開格納したので、次のような利点を有してい
る。 （ａ） 図１に示す走行距離データの表現方法により、
００００００〜９９９９９９までの走行距離データを、
Ｅ2 ＰＲＯＭの１バイト当り最大１００００回の書き換
え回数で表現できる。即ち、Ｅ2 ＰＲＯＭの書き込み回
数が最大１００００回で全ての走行距離データを表現で
きる。そのため、Ｅ2 ＰＲＯＭへの書き込み回数が減少
し、該Ｅ2 ＰＲＯＭの書き込み負担を軽減できる。 （ｂ）最大６桁（９９９９９９）の走行距離データを、
Ｅ2 ＰＲＯＭの１〜２バイトの書き換えにより表現でき
るので、書き込み処理が簡単になり、書き込み時間の短
縮化によって処理速度が向上する。 （ｃ） アドレス算出が簡単になるため、Ｅ2 ＰＲＯＭ
への書き込み及び読み出しプログラムにおけるプログラ
ムサイズの削減化が図れる。 （ｄ）格納データに表１のような特徴があるため、これ
を利用し、Ｅ2 ＰＲＯＭのデータが一部破壊されていた
としても、修復することができる。即ち、Ｅ2ＰＲＯＭ
の一部のデータが異常データに変化しても、その異常箇
所の前後左右のデータ関係から、正規なデータに復元す
ることができる。 （ｅ） Ｅ2 ＰＲＯＭのデータ異常箇所を容易に検索す
ることができるので、間違ったデータをそのまま使用せ
ず、エラー処理へ移行できる。 （ｆ） 上記実施例では、走行距離データという連続デ
ータを扱うため、テレホンカード等の度数格納等にも適
用可能である。なお、本発明は上記実施例に限定され
ず、例えば、図１に示す走行距離データの桁数を他の桁
数にしたり、図１１の書き込みフローチャートや、図１
２の読み出しフローチャートを他の処理手順にしたり、
あるいはＥ2 ＰＲＯＭ以外の半導体記憶装置に適用する
等、種々の変形が可能である。
ＯＭ内に展開格納したので、次のような利点を有してい
る。 （ａ） 図１に示す走行距離データの表現方法により、
００００００〜９９９９９９までの走行距離データを、
Ｅ2 ＰＲＯＭの１バイト当り最大１００００回の書き換
え回数で表現できる。即ち、Ｅ2 ＰＲＯＭの書き込み回
数が最大１００００回で全ての走行距離データを表現で
きる。そのため、Ｅ2 ＰＲＯＭへの書き込み回数が減少
し、該Ｅ2 ＰＲＯＭの書き込み負担を軽減できる。 （ｂ）最大６桁（９９９９９９）の走行距離データを、
Ｅ2 ＰＲＯＭの１〜２バイトの書き換えにより表現でき
るので、書き込み処理が簡単になり、書き込み時間の短
縮化によって処理速度が向上する。 （ｃ） アドレス算出が簡単になるため、Ｅ2 ＰＲＯＭ
への書き込み及び読み出しプログラムにおけるプログラ
ムサイズの削減化が図れる。 （ｄ）格納データに表１のような特徴があるため、これ
を利用し、Ｅ2 ＰＲＯＭのデータが一部破壊されていた
としても、修復することができる。即ち、Ｅ2ＰＲＯＭ
の一部のデータが異常データに変化しても、その異常箇
所の前後左右のデータ関係から、正規なデータに復元す
ることができる。 （ｅ） Ｅ2 ＰＲＯＭのデータ異常箇所を容易に検索す
ることができるので、間違ったデータをそのまま使用せ
ず、エラー処理へ移行できる。 （ｆ） 上記実施例では、走行距離データという連続デ
ータを扱うため、テレホンカード等の度数格納等にも適
用可能である。なお、本発明は上記実施例に限定され
ず、例えば、図１に示す走行距離データの桁数を他の桁
数にしたり、図１１の書き込みフローチャートや、図１
２の読み出しフローチャートを他の処理手順にしたり、
あるいはＥ2 ＰＲＯＭ以外の半導体記憶装置に適用する
等、種々の変形が可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１〜第３
の発明によれば、複数の連続データの各々の下位所定桁
で示される情報を半導体記憶装置のアドレスとして、そ
の下位所定桁より上の所定桁で示される情報を該半導体
記憶装置に格納するようにしたので、半導体記憶装置へ
の書き込み回数を減少できると共に、該半導体記憶装置
への書き込み及び読み出しプログラムにおけるプログラ
ムサイズを縮小できる。しかも、格納データの特徴を利
用し、半導体記憶装置データが一部破壊されていたとし
ても、修復することができる。従って、半導体記憶装置
の容量を増加させることなく、多くの連続データを格納
し、データの信頼性を上げ、書き換え負担を全記憶領域
（エリア）で均一化し、書き換え動作を共通にできる。
の発明によれば、複数の連続データの各々の下位所定桁
で示される情報を半導体記憶装置のアドレスとして、そ
の下位所定桁より上の所定桁で示される情報を該半導体
記憶装置に格納するようにしたので、半導体記憶装置へ
の書き込み回数を減少できると共に、該半導体記憶装置
への書き込み及び読み出しプログラムにおけるプログラ
ムサイズを縮小できる。しかも、格納データの特徴を利
用し、半導体記憶装置データが一部破壊されていたとし
ても、修復することができる。従って、半導体記憶装置
の容量を増加させることなく、多くの連続データを格納
し、データの信頼性を上げ、書き換え負担を全記憶領域
（エリア）で均一化し、書き換え動作を共通にできる。
【図１】本発明の実施例の走行距離データ格納方法を示
す走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭアドレスの対応図であ
る。
す走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭアドレスの対応図であ
る。
【図２】従来のＥ2 ＰＲＯＭへの走行距離データ格納方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図３】本実施例の走行距離データ００００００の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図４】本実施例の走行距離データ０００００１の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図５】本実施例の走行距離データ００００１０の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図６】本実施例の走行距離データ０００１００の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図７】本実施例の走行距離データ００１０００の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図８】本実施例の走行距離データ０１００００の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図９】本実施例の走行距離データ１０００００の場合
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応図
である。
【図１０】本実施例の走行距離データ９９９９９９の場
合の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応
図である。
合の該走行距離データとＥ2 ＰＲＯＭ格納データの対応
図である。
【図１１】本実施例の走行距離データのＥ2 ＰＲＯＭへ
の書き込み動作を示すフローチャートである。
の書き込み動作を示すフローチャートである。
【図１２】本実施例のＥ2 ＰＲＯＭからの走行距離デー
タの読み出し動作を示すフローチャートである。
タの読み出し動作を示すフローチャートである。
Ａ，Ｂ エリア ＡＰ アドレスポインタ ［ＡＰ］ アドレスポインタＡＰで示されるＥ2 ＰＲ
ＯＭアドレスのデータ Ｔ 走行距離データ Ｗ ワークレジスタ［Ｗ］ ワークレジスタＷに格納されているデータ
ＯＭアドレスのデータ Ｔ 走行距離データ Ｗ ワークレジスタ［Ｗ］ ワークレジスタＷに格納されているデータ
Claims (3)
- 【請求項１】 各々が複数桁で示された、複数の連続す
るデータを半導体記憶装置に格納するデータ格納方法に
おいて、前記データ各々の下位所定桁で示される情報 を前記半導
体憶装置のアドレスとして、該下位所定桁より上の所定
桁で示される情報を該半導体記憶装置に格納することを
特徴とするデータ格納方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のデータ格納方法におい
て、前記半導体記憶装置は電気的に書き込み可能な不揮
発性メモリであることを特徴とするデータ格納方法。 - 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２記載のデータ
格納方法において、前記データ各々の前記下位所定桁よ
り上の所定桁に含まれる情報を前記半導体記憶装置のア
ドレスとして、該上の所定桁よりさらに上の所定桁にて
示される情報を該半導体記憶装置に格納することを特徴
とするデータ格納方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20256592A JP3124112B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | データ格納方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20256592A JP3124112B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | データ格納方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652693A JPH0652693A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3124112B2 true JP3124112B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=16459604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20256592A Expired - Fee Related JP3124112B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | データ格納方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3124112B2 (ja) |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP20256592A patent/JP3124112B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0652693A (ja) | 1994-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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