JP2917726B2 - 不揮発性カウンタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電気的に消去・書込が
可能な不揮発性記憶素子に記憶されたデータを所定のカ
ウント値に基づいて更新し、カウント動作を行う不揮発
性カウンタに係り、特にデータの更新方法に特徴を持つ
不揮発性カウンタに関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
例えばＥＥＰＲＯＭのように、電気的に消去・書込が可
能な不揮発性記憶素子は、バックアップ電源を持たない
システムにおいて、電源オフ時にデータの保存を行う手
段として使用されている。一例として、パルス数等を計
数するカウント回路に並列にＥＥＰＲＯＭ（以下の説明
中、不揮発性記憶素子の代表としてＥＥＰＲＯＭを用い
る。）を配設し、カウンタの値が変化するとその値を不
揮発性記憶素子に書き込む不揮発性カウンタが知られて
いる。

【０００３】しかし、ＥＥＰＲＯＭにおける保存データ
の信憑性を確保するには、以下に示す２点に関して考慮
が必要である。第１点は、ＥＥＰＲＯＭに対するデータ
の書込・消去には通常数ｍｓ以上の時間を要することで
ある。この動作の最中に電源オフ、ノイズ重畳などが発
生しデータの書込・消去動作が中断された場合、そのデ
ータは不確定となり、保存データの信憑性は極めて低下
する。またＥＥＰＲＯＭがビット故障を起こした場合、
そのデータが１であるか０であるかの判断は、データの
処理方法に委ねるしかない。そして、この事を改善する
方法として提案されているのは、例えば、１種類のデー
タについて複数（例えば３つ）の収納エリアを設け、３
つのデータの多数決でそのデータを判断する等の方法で
ある。

【０００４】もう１点は、ＥＥＰＲＯＭの書換回数に制
限があることである。現状での書換回数は信頼性を考慮
すると数万回程度であり、この書換回数を越えるデータ
の書換を行えば、ＥＥＰＲＯＭがビット故障を起こす可
能性が高くなり、保存データの信憑性は極めて低下す
る。この事を改善する方法として例えば、１種類のデー
タについて複数の収納エリアを設け、書換の度に収納エ
リアを変更して１ビット当りの書換回数を低減し、保存
データの信憑性を上げる提案がされている。

【０００５】本発明は、このような状況を鑑みてなさ
れ、その目的は、常に保存データの信憑性を確保可能な
不揮発性カウンタを提供することであり、書込・消去動
作の最中に種々の理由でその動作が中断されても常に保
存データの信憑性を確保する不揮発性カウンタ、工程能
力により制限される限界を超える書換回数を要求される
場合に対応して保存データの信憑性を確保可能な不揮発
性カウンタ、及び書込・消去動作最中の動作中断や工程
能力による限界を超える書換回数の要求があっても、常
に保存データの信憑性を確保可能な不揮発性カウンタを
提供する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に成された請求項１記載の不揮発性カウンタは、図１に
例示するように、電気的に消去・書込可能な不揮発性記
憶素子に記憶されたデータを、所定のカウント値に基づ
いて更新し、カウント動作を行う不揮発性カウンタであ
って、前記不揮発性記憶素子が、１種類のデータに対し
て３つ以上設けられたデータ収納領域と、それら各デー
タ収納領域にそれぞれ対応して設けられたフラグワード
収納領域と、を有すると共に、前記データ収納領域のデ
ータを書き換える際には、一のデータ収納領域のデータ
書換及びそのデータ収納領域に対応する前記フラグワー
ド収納領域へのフラグワード書込をセットにして、前記
フラグワード収納領域へ所定のフラグワードを書き込ん
だ後に前記データ収納領域のデータを書き換えること
を、書換対象のデータ収納領域に対応する分だけ順次行
う書換手段と、該書換手段によるデータ書換が終了した
後に、前記書き込まれたフラグワードを消去する消去手
段と、を備えたことを特徴とする。

【０００７】

【０００８】また、請求項２記載の不揮発性カウンタ
は、図２に例示するように、電気的に消去・書込可能な
不揮発性記憶素子に記憶されたデータを、所定のカウン
ト値に基づいて更新し、カウント動作を行う不揮発性カ
ウンタであって、前記不揮発性記憶素子が、最大計数桁
数を桁順に複数区分に分割された各区分毎に設けられ、
所定の上位桁対応区分については、１種類のデータに対
して３つ以上設けられた上位桁用データ収納領域と、所
定の下位桁対応区分については、所定カウント値毎のイ
ベントに応じて１ビットずつデータを順に書き込んでい
くための複数のセルから構成された下位桁用データ収納
領域と、前記各上位桁用データ収納領域にそれぞれ対応
して設けられた上位桁用フラグワード収納領域と、前記
下位桁用データ収納領域に対応して設けられた下位桁用
フラグワード収納領域と、を有すると共に、前記上位桁
用データ収納領域のデータを書き換える際には、一の上
位桁用データ収納領域のデータ書換及びその上位桁用デ
ータ収納領域に対応する前記上位桁用フラグワード収納
領域へのフラグワード書込をセットにして、前記上位桁
用フラグワード収納領域へ所定のフラグワードを書き込
んだ後に前記上位桁用データ収納領域のデータを書き換
えることを、書換対象の上位桁用データ収納領域に対応
する分だけ順次行う書換手段と、該書換手段によるデー
タ書換が終了した後に、前記書き込まれた上位桁用フラ
グワードを消去する上位桁用消去手段と、前記下位桁対
応区分のデータ収納領域において、所定の桁上げ数に該
当するセルにデータが書き込まれ、桁上げのため消去す
る際には、前記下位桁用フラグワード収納領域に所定の
下位桁用フラグワードを書き込んだ後に、前記下位桁用
データ収納領域のデータの消去を行う桁上げ手段と、該
桁上げ手段によるデータ消去が終了した後に、前記書き
込まれた下位桁用フラグワードを消去する下位桁用消去
手段と、を備えたことを特徴とする。なお、これら請求
項１又は２に記載の不揮発性カウンタは、請求項３に示
すように、データの書換最中にデータの破壊が起こる可
能性がある記憶素子から構成されることを特徴としても
よく、その場合の記憶素子としては、請求項４に示すよ
うに、ＥＥＰＲＯＭであることが考えられる。

【０００９】

【作用】上記構成を有する本発明の不揮発性カウンタ
は、電気的に消去・書込可能な不揮発性記憶素子に記憶
されたデータを所定のカウント値に基づいて更新し、カ
ウント動作を行うものであり、消去・書込によるデータ
の更新に特徴を有する。

【００１０】請求項１記載の不揮発性カウンタによれ
ば、１種類のデータが、３つ以上のデータ収納領域にそ
れぞれ書き込まれている。そして、データ収納領域のデ
ータを書き換える際には、書換手段が、一のデータ収納
領域のデータ書換及びそのデータ収納領域に対応するフ
ラグワード収納領域へのフラグワード書込をセットにし
て、フラグワード収納領域へ所定のフラグワードを書き
込んだ後にデータ収納領域のデータを書き換えること
を、書換対象のデータ収納領域に対応する分だけ順次行
う。そして、書換手段によるデータ書換が終了した後
に、消去手段が、その書き込まれたフラグワードを消去
する。

【００１１】従来も、例えばデータ収納領域を３つ持
ち、その３つのデータの多数決により、１つのデータの
データ化けの検出・修正は可能であったが、２番目に書
換が行われるデータの書換動作中に、電源オフ等のトラ
ブルが発生した場合に３データ共異なったデータとなる
と、修正不可能である。

【００１２】これに対し、本不揮発性カウンタによれ
ば、電源オン時にデータ収納領域のデータとフラグワー
ドを検索することにより、電源オフ時の正しい保存デー
タを読み出すことにより、確実な最終データを得ること
が可能である。なぜなら、上述したように、書換手段は
一のデータ収納領域のデータ書換及びそのデータ収納領
域に対応するフラグワード収納領域へのフラグワード書
込をセットにして、フラグワード収納領域へ所定のフラ
グワードを書き込んだ後にデータ収納領域のデータを書
き換えるため、一のデータ収納領域単位でデータの書き
込み中か否かが判断できるからである。従って、データ
収納領域におけるデータの書込・消去動作の最中に種々
の理由でその動作が中断されても、常に保存データの信
憑性を確保することができる。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】また、請求項２記載の不揮発性カウンタに
よれば、所定の上位桁対応区分について設けられた３つ
以上の上位桁用データ収納領域に、１種類の上位桁対応
データがそれぞれ書き込まれ、所定の下位桁に対応する
区分について設けられた下位桁用データ収納領域には、
所定のカウント値毎のイベントに応じて各セルに１ビッ
トずつデータが順に書き込まれていく。

【００１８】そして、下位桁用データ収納領域において
所定の桁上げ数に該当するセルにデータが書き込まれ、
桁上げのため消去する際には、桁上げ手段が、フラグワ
ード収納領域に所定のフラグワードを書き込んだ後に下
位桁用データ収納領域のデータ消去を行い、桁上げ手段
によるデータ消去が終了した後に、下位桁用消去手段
が、その書き込まれたフラグワードを消去する。

【００１９】一方、上位桁用データ収納領域のデータを
書き換える際には、書換手段が、一の上位桁用データ収
納領域のデータ書換及びその上位桁用データ収納領域に
対応する上位桁用フラグワード収納領域へのフラグワー
ド書込をセットにして、上位桁用フラグワード収納領域
へ所定のフラグワードを書き込んだ後に上位桁用データ
収納領域のデータを書き換えることを、書換対象の上位
桁用データ収納領域に対応する分だけ順次行う。そし
て、書換手段によるデータ書換が終了した後に、上位桁
用消去手段が、その書き込まれた上位桁用フラグワード
を消去する。

【００２０】このように、上位桁及び下位桁のデータ共
に、書き換え又は桁上げのための消去を行う際には、そ
れぞれ対応するフラグワードを書き込んだ後にしか行わ
ない。そのため、上位桁用又は下位桁用データ収納領域
におけるデータの書込・消去動作の最中に種々の理由で
その動作が中断されても、電源オン時に該当するデータ
及びフラグワードを検索して電源オフ時の正しい保存デ
ータを読み出すことにより、確実な最終データを得るこ
とが可能である。従って、常に保存データの信憑性を確
保することができる。

【００２１】また、必然的に書換回数の多くなる下位桁
については、工程能力により制限される限界を超える書
換回数を要求された場合でもそれに対応でき、保存デー
タの信憑性の確保に寄与する。このように、本不揮発性
カウンタは、書込・消去動作最中の動作中断や工程能力
による限界を超える書換回数の要求があっても、常に保
存データの信憑性を確保することができるのである。

【００２２】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。図３は、本発明の一実施例である不揮発性カ
ウンタを電子オドメータ（走行距離計）に適用したシス
テムの概略ブロック図である。本システムは周知のＣＰ
Ｕ１０、ＲＯＭ２０、ＲＡＭ３０、電気的に消去・書込
可能な不揮発性記憶素子としてのＥＥＰＲＯＭ４０を電
子制御部の中心として構成されており、ＣＰＵ１０に
は、入力回路６０を介して車速センサ５０からの信号が
入力し、またＣＰＵ１０からの出力は駆動回路７０を介
して表示器８０に表示される。

【００２３】車速センサ５０は、タイヤ１回転毎にｎ発
（ｎ≧１）のパルスを発生する。入力回路６０は、車速
センサ５０からの信号を入力して波形整形およびノイズ
処理を行う。ＣＰＵ１０は、入力回路６０から入力され
たパルス数を計数し、ＲＡＭ３０の所定アドレスに格納
する。

【００２４】またＣＰＵ１０は、ＲＡＭ３０内のデータ
が予め設定された値に達する度に、ＥＥＰＲＯＭ４０の
所定アドレスのデータを書き換える。さらにＣＰＵ１０
は、上記データを表示器８０の要求するデータに変換し
て駆動回路７０に転送する。ＲＯＭ２０は、システムを
コントロールするプログラムを内蔵する。

【００２５】図４には、ＥＥＰＲＯＭ４０内のメモリマ
ップを示す。ＥＥＰＲＯＭ４０は計数部４１、積算部４
２、フラグ部４３を備えており、図４におけるメモリマ
ップ例において、計数部４１は５ビット×４０ワードの
２００ビット、積算部４２は５ビット×１２ワードの６
０ビット、フラグ部４３は５ビット×４ワードの２０ビ
ットで構成されている。なお、図４中の斜線入りビット
は、未使用ビットを示している。

【００２６】以上の構成をオドメータ用に使用する場合
は、車速センサ５０で発生するセンサ信号として、タイ
ヤ１回転毎に数発の車速パルス信号が入力回路６０に入
力され、入力回路６０で方形波に波形整形されてＣＰＵ
１０に入力される。ＣＰＵ１０は、車速パルス信号が入
力される度に、ＲＡＭ３０内の所定アドレスの「パルス
計数値」を「１」だけインクリメントする。またＣＰＵ
１０は、パルス計数値をＲＯＭ２０内に既に格納されて
いる「１００ｍ当りの計数値」と比較し、一致した場合
は、ＲＡＭ３０内の所定アドレスの「１００ｍ単位計数
値」を「１」だけインクリメントする。

【００２７】ここで「１００ｍ当りの計数値」とは、１
００ｍを標準タイヤ円周長さで割った値に１回転当りの
パルス数を掛けた数である。通常のオドメータの分解能
は１００ｍである。さらにＣＰＵ１０は、「１００ｍ単
位計数値」をＲＯＭ２０内に既に格納されている「１ｋ
ｍ当りの計数値」と比較し、一致した場合は、ＲＡＭ３
０内の所定アドレスの「１ｋｍ単位計数値」を１だけイ
ンクリメントする。同時に、後述するＥＥＰＲＯＭ４０
の書換シーケンスを行う。

【００２８】計数部４１は上述したように２００ビット
で構成されており、１ｋｍから１９９ｋｍまで１ｋｍ経
過する毎に、１ビットずつのデータの書込が順次行われ
（以下このようなデータを埋め込みコードデータとい
う。）ていき、２００ｋｍ毎に全消去が行われる。

【００２９】このように埋め込みコードデータ方式を採
用したのは、１ビット当りの書換回数を低減させるため
であり、この場合１００万ｋｍ走行完了時の各ビットの
書換回数は１ビット当たり５０００回となる。また読出
時には、ＲＫ_1-1 から順に書込データの読出を行い、未
書込ビットをサーチすることにより、行う。この際、連
続する５ビット以上の読出データの多数決をとることに
より、１ビット以上の故障を救済することができる。

【００３０】この多数決処理の具体例を説明する。ま
ず、正常時の読出処理を図５を参照して説明する。読出
ルールは、以下の４つである。 最下位ビット（ＬＳ
Ｂ）からスタートして、最上位ビット（ＭＳＢ）まで順
にシフトしながらサーチしていく。

【００３１】 「０」の数が３以上（実際には４以上
は存在しない）になった所を最終位置とする。 １回シフトする度に、計数を１だけインクリメント
する。 以上〜のシーケンスで読み出した計数値と、Ｒ
ＡＭ３０の値とが異なった場合には、ＲＡＭ３０の値を
真値とする。

【００３２】そして、上記ルールを採用するために、Ｌ
ＳＢの下位に２ビット及びＭＳＢの上位に２ビットだ
け、データ処理用仮想ビットを設定する。ＬＳＢの下位
のデータ処理用仮想ビットには「１」が２ビット設定さ
れ、ＭＳＢの上位のデータ処理用仮想ビットには「０」
が２ビット設定される。

【００３３】図５に示すように、連続５ビット分の読出
用窓がＬＳＢの下位のデータ処理用仮想ビットを２ビッ
ト分含む場合からスタートし、ＭＳＢの上位のデータ処
理用仮想ビットを２ビット分含む場合で終了する。な
お、本実施例では計数部４１は計数値２００毎に消去す
るため、ＭＳＢには書き込まれない。

【００３４】次に、異常ビット存在時の読出処理を図６
を参照して説明する。異常の想定モードは以下の２つで
ある。 （イ） 「１」故障…消去できないビットが存在する。 （ロ） 「０」故障…書込できないビットが存在する。

【００３５】まず、上記（イ）の「１」故障の場合に
は、図６にも示すように、最終書込ビットのすぐ隣に存
在する場合から最終書込ビットの３ビット先に存在する
場合までは、読出用窓のシフトによる計数が正常値（Ｒ
ＡＭ３０の値）よりも１だけ大きくなる。また、「１」
故障が最終書込ビットの４ビット（あるいはそれ以上）
先に存在する場合は、正常値と等しくなる。

【００３６】また、上記（ロ）の「０」故障の場合に
は、図６にも示すように、最終書込ビットそのものに存
在する場合から最終書込ビットよりも２ビット後に存在
する場合までは、読出用窓のシフトによる計数が正常値
（ＲＡＭ３０の値）よりも１だけ小さくなる。また、
「１」故障が最終書込ビットよりも３ビット（あるいは
それ以上）後に存在する場合は、正常値と等しくなる。

【００３７】このように、正常値とそれぞれ＋１，−１
だけ異なる結果となった場合には、上記ルールに従
い、ＲＡＭ３０の値を書き込んでいく。但し、電源投入
時は、上記ルール〜の手順に従って、ＥＥＰＲＯＭ
４０の値の読出を行い、ＲＡＭ３０に値を貯える。

【００３８】一方、積算部４２は、上位３桁のＢＣＤコ
ードデータと、下位１桁の埋め込みコードデータで構成
されている。さらに、同一データに対し３ワードずつの
収納領域を有する。これは、データの信憑性を高めるた
め３ワードの多数決を行うためである。上位３桁をＢＣ
Ｄコードとした理由は、表示器の数値セグメント用デー
タに変換し易くするためである。

【００３９】また、下位１桁（この場合は１００ｋｍの
オーダー）を埋め込みコードデータとした理由は、１０
０万ｋｍ走行完了時の書換回数を低減するためである。
書込は１ビットずつ行えるが、消去は１行（４ワード）
ずつしか出来ない。仮に４桁共をＢＣＤコードで構成し
た場合は１００ｋｍ毎に書換を行う必要があるため、１
００万ｋｍ走行完了時の書換回数は、最も多く書換が行
われる最下位桁の最下位ビットにて１ビット当たり５０
００回である。

【００４０】これに対し、最下位桁を埋め込みコードデ
ータで構成した場合には、２００ｋｍ毎に１ビットずつ
を８００ｋｍまで順に埋め込んでいき、１０００ｋｍ毎
に消去するため、１００万ｋｍ走行完了時の書換回数は
１ビット当たり１０００回となる（図７に両者の比較を
示す）。

【００４１】また各行の書換は、１行ずつ順に行われ
る。なお、以下の説明において、積算部４２の３行のそ
れぞれに対して、図４に示すように、ＲＳ_1-1 〜ＲＳ
_1-4 を積算値Ａ、同様に、ＲＳ_2-1 〜ＲＳ_2-4 を積算値
Ｂ、ＲＳ_3-1 〜ＲＳ_3-4 を積算値Ｃと呼ぶことにする。

【００４２】また、フラグ部４３は、積算部４２の３行
の各データ（積算値Ａ〜Ｃ）書換用に１ワードずつ、計
数部４１のデータ消去用に１ワード用意されている。図
４においてフラグワードＲＦ_1-1 が計数部４１消去用、
ＲＦ_1-2 が積算値Ａ書換用、ＲＦ_1-3 が積算値Ｂ書換
用、ＲＦ_1-4 が積算値Ｃ書換用である。

【００４３】まず、計数部４１消去用のフラグワードＲ
Ｆ_1-1 は、２００ｋｍ毎の計数部データ消去前にオール
１を書き込まれ、計数部データの消去確認後にそのフラ
グワードＲＦ_1-1 が消去される。この動作により、計数
部データ消去直前あるいは消去動作中に電源断等のトラ
ブルが発生しデータが不確定となっても、既に書込が終
了しているフラグワードＲＦ_1-1 を電源オン時に検索す
ることにより、トラブルの発生を知ることが可能であ
る。

【００４４】また、フラグワードＲＦ_1-1 の書込あるい
は消去時に同様のトラブルが発生したとしても、既に消
去あるいは書込が終了している計数部データを検索する
ことにより、データの信憑性は保存される。以上のよう
に、電源オン時に、計数部データとフラグワードＲＦ
_1-1 を検索することにより、電源オフ時の正しい保存デ
ータを読み出すことが可能である。

【００４５】次に、積算値書換用フラグワードＲＦ_1-2
〜ＲＦ_1-4 も同様に、各積算値Ａ〜Ｃの書換直前にオー
ル１を書込、積算部４２データの書換終了後に消去す
る。積算部４２は、積算値Ａ〜Ｃの３ワードだけでも、
それらの多数決により１ワードのデータ化けの検出、修
正は可能であるが、３ワード共異なるデータとなった場
合は修正不可能である。仮に２番目に書換が行われるワ
ード（例えば積算値Ｂ）の書換動作中に、電源オフ等の
トラブルが発生した場合には、３ワード共異なったデー
タとなりうる。

【００４６】これに対して、電源オン時に積算部４２デ
ータとフラグ部４３の積算値書換用フラグワードＲＦ
_1-2 〜ＲＦ_1-4 を検索することにより、電源オフ時の正
しい保存データを読み出すことが可能である。なお、フ
ラグ部４３の各フラグワードＲＦ_1-1 〜ＲＦ_1-4 を５ビ
ットで構成する理由は、自身のビット故障を救済するた
めである。

【００４７】上記説明のＥＥＰＲＯＭ４０の書換シーケ
ンスのフローチャートを、図８及び図９に示す。図８は
通常時の書換シーケンスを示すフローチャートである。
ステップ１００（以下単にＳ１００と呼ぶ。以下同
様。）で計数部４１から計数値データを読み出し、Ｓ１
１０，１２０で、ビット故障を考慮して多数決処理を行
いながら結果をインクリメントして計数部４１に書き込
む。そして、Ｓ１３０で、２００ｋｍになったか否か
（すなわち計数部４１にデータが全て埋め込まれたか否
か）を判断し、２００ｋｍになっていない場合は、Ｓ１
４０で積算値Ａ〜Ｃを読み出して、一旦処理を終了す
る。

【００４８】一方、Ｓ１３０で２００ｋｍになった場合
（計数部４１にデータが全て埋め込まれた場合）は、Ｓ
１５０に移行して、積算値Ａ〜Ｃを読み出し、ビット故
障を考慮して多数決処理を行ってその結果インクリメン
トする。そして、まずＳ１６０で計数部４１消去用のフ
ラグワードＲＦ_1-1 を書き込んだ後、Ｓ１７０で計数部
４１を全て消去する。

【００４９】続くＳ１８０〜Ｓ２３０で積算値Ａ〜Ｃの
書換を行うのであるが、まず、積算値Ａ書換用のフラグ
ワードＲＦ_1-2 を書き込んだ後で、積算値Ａを書き換え
（Ｓ１８０，１９０）、同様に、積算値Ｂ書換用のフラ
グワードＲＦ_1-3 を書き込んだ後で、積算値Ｂを書き換
え（Ｓ２００，２１０）、積算値Ｃ書換用のフラグワー
ドＲＦ_1-4 を書き込んだ後で、積算値Ｃを書き換える
（Ｓ２２０，２３０）。

【００５０】そして、その後、フラグ部４３の各フラグ
ワードＲＦ_1-1 〜ＲＦ_1-4 を全て消去して、本処理を終
了する。一方、図９は電源オン時の書換シーケンスを示
すフローチャートである。まず、Ｓ３００でフラグ部４
３の各フラグワードＲＦ_1-1 〜ＲＦ_1-4 の値（フラグ
値）を読み込み、Ｓ３１０〜Ｓ３４０において順に、計
数部４１が消去中か否か（Ｓ３１０）、積算値Ａが書換
中か否か（Ｓ３２０）、積算値Ｂが書換中か否か（Ｓ３
３０）、積算値Ｃが書換中か否か（Ｓ３４０）をそれぞ
れ判断する。

【００５１】そして、Ｓ３１０〜Ｓ３４０において全て
否定判断の場合、すなわち、計数部４１及び積算部４２
において消去中あるいは書換中には中断されていない場
合には、Ｓ３５０で計数値、Ｓ３６０で積算値Ａ〜Ｃを
それぞれ読み出して一旦処理を終了する。

【００５２】一方、Ｓ３１０〜Ｓ３４０において肯定判
断の時には、各場合に続く処理であるＳ３７０〜Ｓ４０
０の処理を行ってから、各場合とも、Ｓ４１０以下の処
理を行う。まず、計数部４１が消去中の場合（Ｓ３１
０：ＹＥＳ）には、積算値Ａ〜Ｃを読み出し、多数決処
理を行ってその結果をインクリメントする（Ｓ３７
０）。また、積算値Ａが書換中の場合（Ｓ３２０：ＹＥ
Ｓ）にも、積算値Ａ〜Ｃを読み出し、多数決処理を行っ
てその結果をインクリメントする（Ｓ３８０）。この場
合は積算値Ａが書換中であり、積算値Ａのみが不確定で
あるので、積算値Ａ〜Ｃを多数決処理すれば確定でき
る。

【００５３】一方、積算値Ｂが書換中の場合（Ｓ３３
０：ＹＥＳ）には、積算値Ａ〜Ｃを読み出し、積算値Ｃ
をインクリメントしてから多数決処理を行う（Ｓ３９
０）。この場合は積算値Ｂが書換中であり不確定であ
る。また、積算値Ａは確定であり書換は終了している。
積算値Ｃは確定であり書換前である。よって、積算値Ｃ
をインクリメントして積算値Ａ〜Ｃの多数決処理をする
ことにより確定できる。

【００５４】また、積算値Ｃが書換中の場合（Ｓ３４
０：ＹＥＳ）には、積算値Ａ〜Ｃを読み出して多数決処
理を行う（Ｓ４００）。この場合は積算値Ｃが書換中で
あり不確定である。また積算値Ａ、Ｂは確定であるた
め、単に積算値Ａ〜Ｃの多数決処理をすることにより確
定できる。

【００５５】この後の、Ｓ４１０〜Ｓ４９０の処理は、
上述した通常時の書換シーケンスを示すフローチャート
（図８）におけるＳ１６０〜Ｓ２４０の処理と同じなの
で、説明は省略する。なお、本実施例は、請求項２記載
の発明に係る場合であり、図２に示した各手段との対応
を簡単に説明しておくと、上記図８におけるＳ１６０，
１７０の処理の実行が桁上げ手段として働き、Ｓ１８０
〜Ｓ２３０の処理の実行が書換手段として働く。また、
Ｓ２４０の処理の実行が上位桁用消去手段及び下位桁用
消去手段として働く。

【００５６】一方、図４における計数部４１が下位桁用
データ収納領域に対応し、積算部４２が上位桁用データ
収納領域に対応する。従って、フラグ部４３の計数部消
去用フラグワードＲＦ_1-1 が下位桁用フラグワードとし
て働き、積算値書換用フラグワードＲＦ_1-2 〜ＲＦ_1-4
が上位桁用フラグワードとして働く。

【００５７】以上本発明はこの様な実施例に何等限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々なる態様で実施し得る。上述した実施例では不
揮発性記憶素子の代表としてＥＥＰＲＯＭ４１を用いた
が、他にも例えばフロッピーディスクや磁気テープ等の
ように、データの書換最中にデータの破壊が起こる可能
性がある記憶素子であれば有効に適用できる。

【００５８】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の不
揮発性カウンタによれば、データ収納領域におけるデー
タの書込・消去動作の最中に種々の理由でその動作が中
断されても、常に保存データの信憑性を確保することが
できる。

【００５９】また、請求項２記載の不揮発性カウンタに
よれば、上位桁用又は下位桁用データ収納領域における
データの書込・消去動作最中の動作中断があっても、電
源オン時に該当するデータ及びフラグワードを検索して
電源オフ時の正しい保存データを読み出すことにより、
確実な最終データを得ることが可能である。従って、常
に保存データの信憑性を確保することができる。そして
また、必然的に書換回数の多くなる下位桁については、
工程能力により制限される限界を超える書換回数を要求
された場合でもそれに対応でき、保存データの信憑性確
保に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 請求項１記載の不揮発性カウンタの基本的構
成を例示するブロック図である。

【図２】 請求項２記載の不揮発性カウンタの基本的構
成を例示するブロック図である。

【図３】 本発明の一実施例の不揮発性カウンタを電子
オドメータに適用したシステムの概略ブロック図であ
る。

【図４】 本実施例のＥＥＰＲＯＭ内のメモリマップを
示す説明図である。

【図５】 読出データ多数決処理の具体例における正常
時の読出処理を示す説明図である。

【図６】 読出データ多数決処理の具体例における異常
ビット存在時の読出処理を示す説明図である。

【図７】 ＢＣＤコード及び埋め込みコードでデータを
構成した場合の両者の書換回数の比較の一例を示す説明
図である。

【図８】 通常時の書換シーケンスを示すフローチャー
トである。

【図９】 電源オン時の書換シーケンスを示すフローチ
ャートである。

【符号の説明】

Ａ〜Ｃ…積算値、 ＲＦ_1-1 …計数部消去用フラグ
ワード、ＲＦ_1-2 〜ＲＦ_1-4 …積算値書換用フラグワー
ド、４１…計数部、 ４２…積算部、 ４３…フラ
グ部、 ５０…車速センサ、６０…入力回路、 ７０…
駆動回路、 ８０…表示器

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−2618（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−140609（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−196414（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−320108（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−82266（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−115005（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H03K 21/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的に消去・書込可能な不揮発性記憶
   素子に記憶されたデータを、所定のカウント値に基づい
   て更新し、カウント動作を行う不揮発性カウンタであっ
   て、前記 不揮発性記憶素子が、 １種類のデータに対して３つ以上設けられたデータ収納
   領域と、 それら各データ収納領域にそれぞれ対応して設けられた
   フラグワード収納領域と、を有すると共に、前記 データ収納領域のデータを書き換える際には、一の
   データ収納領域のデータ書換及びそのデータ収納領域に
   対応する前記フラグワード収納領域へのフラグワード書
   込をセットにして、前記フラグワード収納領域へ所定の
   フラグワードを書き込んだ後に前記データ収納領域のデ
   ータを書き換えることを、書換対象のデータ収納領域に
   対応する分だけ順次行う書換手段と、 該書換手段によるデータ書換が終了した後に、前記書き
   込まれたフラグワードを消去する消去手段と、 を備えたことを特徴とする不揮発性カウンタ。
2. 【請求項２】 電気的に消去・書込可能な不揮発性記憶
   素子に記憶されたデータを、所定のカウント値に基づい
   て更新し、カウント動作を行う不揮発性カウンタであっ
   て、前記 不揮発性記憶素子が、 最大計数桁数を桁順に複数区分に分割された各区分毎に
   設けられ、所定の上位桁対応区分については、１種類の
   データに対して３つ以上設けられた上位桁用データ収納
   領域と、 所定の下位桁対応区分については、所定カウント値毎の
   イベントに応じて１ビットずつデータを順に書き込んで
   いくための複数のセルから構成された下位桁用データ収
   納領域と、前記 各上位桁用データ収納領域にそれぞれ対応して設け
   られた上位桁用フラグワード収納領域と、前記 下位桁用データ収納領域に対応して設けられた下位
   桁用フラグワード収納領域と、を有すると共に、前記 上位桁用データ収納領域のデータを書き換える際に
   は、一の上位桁用データ収納領域のデータ書換及びその
   上位桁用データ収納領域に対応する前記上位桁用フラグ
   ワード収納領域へのフラグワード書込をセットにして、
   前記上位桁用フラグワード収納領域へ所定のフラグワー
   ドを書き込んだ後に前記上位桁用データ収納領域のデー
   タを書き換えることを、書換対象の上位桁用データ収納
   領域に対応する分だけ順次行う書換手段と、 該書換手段によるデータ書換が終了した後に、前記書き
   込まれた上位桁用フラグワードを消去する上位桁用消去
   手段と、前記 下位桁対応区分のデータ収納領域において、所定の
   桁上げ数に該当するセルにデータが書き込まれ、桁上げ
   のため消去する際には、前記下位桁用フラグワード収納
   領域に所定の下位桁用フラグワードを書き込んだ後に、
   前記下位桁用データ収納領域のデータの消去を行う桁上
   げ手段と、 該桁上げ手段によるデータ消去が終了した後に、前記書
   き込まれた下位桁用フラグワードを消去する下位桁用消
   去手段と、 を備えたことを特徴とする不揮発性カウンタ。
3. 【請求項３】 前記不揮発性カウンタは、データの書換
   最中にデータの破壊が起こる可能性がある記憶素子から
   構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の不
   揮発性カウンタ。
4. 【請求項４】 前記記憶素子は、ＥＥＰＲＯＭであるこ
   とを特徴とする請求項３に記載の不揮発性カウンタ。