JP2906737B2 - データ退避方法 - Google Patents

データ退避方法

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JP2906737B2
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Electric Propulsion And Braking For Vehicles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、データ退避方法、特
に、電子システムを搭載する各種車両に係り、バッテリ
取外し等、電源断時のデータ退避方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、様々な車両に、マイクロコンピュ
ータを含む電子システムが搭載されるようになってき
た。車種や走行条件の違いに応じたきめこまかな制御を
実現できるとともに、ソフトウエアを書き換えるだけの
簡単な手続でシステムを容易に変更できる等、機械的な
システムにはない優れた特長をもつことができる。
【0003】ところで、こうした電子システムのデータ
には、車両毎に固有のデータが含まれることがあり、例
えばバッテリーの取り外しのような電源断の際に、当該
データが消失しないようにする必要がある。図12は、
従来例として電気自動車の運行時間(以下、アワーメー
タ)を退避するための処理フロー図である。
【0004】このフロー図では通常、電源断の検出や、
アワーメータの積算処理および各種の制御/演算/表示
(アワーメータの表示を含む)のループを繰返している
が、電源断を検出すると、それまでのアワーメータの積
算結果を不揮発性メモリに書き込むことにより、データ
の退避を行うようになっている。したがって、電源復旧
後は、不揮発性メモリから読み出したアワーメータのデ
ータを初期値として、再び積算処理を開始することがで
き、車両の運行時間管理や、整備時間管理等を支障なく
行うことができる。
【0005】因みに、図13は、アワーメータのデータ
構造を示す図である。データは、B 0からB3までの4バ
イトからなり、全部で4バイト×8ビット=32ビット
の多ビット表現のデータである。最下位のバイトB0
秒カウント用で、残りの3バイトB1〜B3がアワーメー
タの実際値を表示する。例えば、表示値が[1234
5.6時間]の場合には、B3の上位ハーフバイトに値
「(1)10=(0001)2」が、B3の下位ハーフバイ
トに値「(2)10=(0010)2」が、B2の上位ハー
フバイトに値「(3)10=(0011)2」が、B2の下
位ハーフバイトに値「(4)10=(0100)2」が、
1の上位ハーフバイトに値「(5)10=(010
1)2」が、そして、B1の下位ハーフバイトに値
「(6)10=(0110)2」が入ることになる。但
し、下付き添字10及び2は( )内の数字がそれぞれ
10進数および2進数であることを表している。
【0006】なお、B0内のデータは、2秒毎にカウン
トアップされる。B0のカウント値が(360)10に到
達する度(言い替えれば6分毎)にB1の下位ハーフバ
イトの値が+1されていき、さらに、B1の下位ハーフ
バイトの値が(10)10に到達する度(言い替えれば1
時間毎)にB1の上位ハーフバイトの値が+1されてい
く。そして、残りのバイトデータについても同様の連鎖
的データ伝播がなされていく。したがって、アワーメー
タのデータは、下位側ビットの状態に応じて上位側ビッ
トの状態が変化する多ビット表現のデータである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来のデータ退避方法にあっては、電源断検出の際に、
多ビットデータの全てを不揮発性メモリに書き込むもの
であったため、データ退避の完了までの時間が長くなる
結果、バックアップ電源の容量が大きくなると言う問題
点があった。
【0008】上記の不揮発性メモリには、EEPROM
(EEPROM:electrical erasable programmable read onl
y memory)が用いられる。このEEPROMは、保証さ
れた回数(例えば1万回)の範囲で、何回もデータの電
気的な書き換えが可能な半導体記憶素子である。しか
し、EEPROMの書き込み動作は、ビット単位または
バイト単位(1バイト=8ビット)で行われるが、この
書き込みに際しては、例えばバイト当たりおよそ10m
secもの時間を要し、これは通常の揮発性メモリ(R
AM:random access memory)に比べて相当に長い時間
である。
【0009】したがって、退避データが例えば図13の
データ構造とすると、最低でも、4バイト×10mse
c=40msecの間は、電子システムに対して電源を
供給し続ける必要があり、バックアップ用電源の電荷蓄
積要素(一般にコンデンサ)を大型化しなければならな
かった。本発明は、このような問題点に鑑みてなされた
もので、電源断時の退避対象データ量を少なくし、退避
に要する時間を短縮化して、バックアップ電源の規模削
減を図ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためその原理図を図1に示すように、下位側ビッ
トの状態に応じて上位側ビットの状態が変化する多ビッ
ト表現のデータを、所定ビット数毎にグループ分けし、
電源断を検出すると、グループ単位に不揮発性メモリに
格納するデータ退避方法において、前記複数のグループ
を、少なくとも最下位ビットを含む下位側グループと、
該下位側グループ以外の上位側グループとに区別すると
ともに、上位側グループについては、当該グループ内に
含まれるビットの状態が変化した時点で前記不揮発性メ
モリに格納する一方、下位側グループについては、電源
断を検出した時点で前記不揮発性メモリに格納するよう
にしたことを特徴とし、好ましくは、前記不揮発性メモ
リの記憶空間を、複数ブロックに分けるとともに、各々
のブロックサイズを前記多ビット表現のデータサイズに
対応させ、且つ、前記多ビット表現のデータ中に含ませ
たデータの格納回数が規定回数を越えると、格納先のブ
ロックを変更するようにしたことを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明では、電源が正常に供給されている間、
上位側グループの内容が変化すると、そのグループ内の
データが不揮発性メモリに格納される一方、電源断が検
出されると、残りのグループすなわち下位側グループ内
のデータが不揮発性メモリに格納される。したがって、
電源断時の退避データを下位側グループだけに限定で
き、退避に要する時間を短縮化してバックアップ電源の
規模削減を図ることができる。
【0012】なお、本発明では、通常時でも不揮発性メ
モリに対して書き込みが発生するため、不揮発性メモリ
の規定書き込み回数(例えば1万回)を越えてしまうこ
とが考えられるが、かかる場合には、不揮発性メモリの
アクセス空間を、書き込み未使用のブロックへ変更する
ことにより対処できる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図2〜図11は本発明に係るデータ退避方法の一
実施例を示す図であり、電気自動車のアワーメータ・デ
ータの退避に適用した例である。まず、構成を説明す
る。図2において、10は電圧VB(VBは例えば12V
DCまたは24VDC)を発生するバッテリであり、電圧V
Bは脱着自在なコネクタ11を介して車体側の電気系統
に供給されている。電気系統は、図示しない電動モータ
や電動ポンプ等を含む駆動部を有するとともに、マイク
ロコンピュータ12や表示パネル13等を含む電子制御
部を有し、さらに、常用電源回路14やバックアップ電
源回路15及び電源断検出回路16等を含む電源部を有
している。
【0014】ここで、電源断検出回路16は、VBを常
時モニターしてその電位が所定電位を下回ったときに、
電源断の発生を表示する信号SOFFを発生するもの、常
用電源回路14は、電圧VBから電子制御部用の電源電
圧VC(VCは例えば5VDC)を発生するもの、バックア
ップ電源回路15は、VC(若しくはVBを降圧した所定
電圧)をコンデンサ15aに蓄えてVCをバックアップ
するものである。以下、バックアップ電源回路15で発
生するVCにはダッシュ[’]を付して識別する。な
お、15bは、VC低下時にコンデンサ15aと常用電
源回路14とを分離するための電流阻止ダイオードであ
る。
【0015】一方、マイクロコンピュータ12は、車両
各部の制御プログラムや後述するデータ退避プログラム
等を半永久的に格納するROM12a、これらのプログ
ラムを実行するCPU12b、実行途中の演算データを
一時的に格納するRAM12c、演算データのうちの特
定データ(後述)を所定のタイミングで格納するEEP
ROM(不揮発性メモリ)12d、電源断検出回路16
からの信号SOFFを取り込むとともに、各種表示データ
を表示パネル13に送出するI/O12eを含むもので
ある。マイクロコンピュータ12は、例えば、データ退
避プログラムの実行中、アワーメータの値が変化する度
にその表示データをEEPROM12dに格納し、ま
た、信号SOFFの発生時にアワーメータの最下位バイト
データをEEPROM12dに格納するものである。
【0016】ここで、EEPROM12dの記憶空間
は、図3に示すように、複数のブロックBKi(iは
1、2、……、47、48)に分けられている。データ
の退避用には1つのブロックだけが指定され、そのブロ
ック番号が予め設定されたエリアEに格納されるように
なっている。エリアEの内容を書き換えることにより、
データ退避用のブロックを任意に変更することができ
る。
【0017】各々のブロックBKiのサイズは、図4に
示すような特定データのサイズ長と対応しており、特定
データが8バイト(B3〜B0、Ba〜Bd)のデータ長を
持つものとすると、BKiも同じく8バイトに対応する
大きさを持っている。特定データのB3〜B0までの4バ
イトはアワーメータのデータ部であり、これは従来例で
参照した図13のデータ構造と同じで、4バイト×8ビ
ット=32ビットの多ビット表現のデータである。すな
わち、最下位のバイトB0が秒カウント用、残りの3バ
イトB1〜B3がアワーメータの積算値となり、このB3
〜B1までの3バイトが表示パネル13に送出される。
ここで、バイトB0は、発明の要旨に記載の最下位ビッ
トを含む「下位側グループ」に相当し、これ以外のバイ
トB1、B2及びB3が同じく発明の要旨に記載の「上位
側グループ」に相当する。
【0018】なお、特定データ中のB3〜B0以外の部分
(Ba〜Bd)は、例えば、BaとBbの2つのバイトがE
EPROM12dへの格納回数カウント用に割り当てら
れ、また、Bcがデータのパリティチェック用に割り当
てられ、Bdが予備となっている。次に、作用を説明す
る。
【0019】図5は、マイクロコンピュータ12で実行
するデータ退避プログラムのフローチャートであり、こ
のプログラムは、電気自動車のメインスイッチをオンに
した時点[TON]から同スイッチをオフにした時点[T
OFF](またはバッテリの破損や脱落あるいはケーブル
断線等による電源の不時切断時点)までの時間に、さら
に所定のバックアップ時間Tαを加えた時間(TOFF
ON+Tα)の間において、きわめて短い処理サイクル
(数msec)毎に繰り返して実行される。
【0020】以下、処理ステップ順に説明すると、ま
ず、メインスイッチのオン直後、ステップ20でI/O
等を初期設定するとともに、ステップ21でEEPRO
M(不揮発性メモリ)12dの格納データを読み出し
て、これをRAM12cに転送(図6参照)した後、ス
テップ22でEEPROM12dの格納データ中、表示
値を除くB0バイトの内容だけを消去する(図7参
照)。ここで、EEPROM12dのデータを消去する
理由は、以降の処理において電源断を検出した際、あら
ためて消去動作を行うことなく、直ちにデータ書き込み
を実行できるようにするためであり、一層の退避時間短
縮化を意図するものである。また、消去データを表示値
以外に限定する理由は、RAM12cに転送された表示
値データが時間の経過に伴って変化すると、その変化時
点でEEPROM12d内の表示値データが新しい値に
更新されるからで、更新の前までは、RAM12cとE
EPROM12dの双方の表示値データが一致している
からである。
【0021】次に、ステップ23で、信号SOFFに従っ
て電源断か否かを判定し、電源断でなければステップ2
4に進んでRAM12cに転送されたデータの内容を2
秒単位にカウントアップする(図8参照)。そして、ス
テップ25でB0バイトの桁上げ発生を判定し、桁上げ
発生有りの場合すなわちアワーメータの表示値が変化し
た場合には、ステップ26でEEPROM12dの表示
データ部分を消去(図9参照)した後、ステップ27で
新たな表示値を用いてEEPROM12dの表示データ
部分を書き換え更新し(図10参照)、ステップ28
で、各種の制御処理・演算処理・表示処理等を実行した
後、再びステップ23の電源断判定処理にリターンす
る。なお、桁上げ発生無しの場合にはアワーメータの表
示値に変化がないので、ステップ26、27をパスす
る。
【0022】以上の処理ステップは、バッテリ10から
の電源供給が正常に行われている限り繰り返して実行さ
れる。そして、アワーメータの表示値が変化する度にそ
の値でEEPROM12dのデータ(B3〜B1)が更新
される。他方、メインスイッチがオフにされた場合、ま
たは、バッテリの破損や脱落、若しくはケーブル断線等
による電源の不時切断が発生した場合には、電圧VB
短時間に低下して、電源断検出回路16から信号SOFF
が出力されるので、ステップ23の判定結果がYES
(電源断発生)となる。かかる場合には、定常ループを
抜け出してステップ29に進み、電源断発生時のデータ
退避処理を実行する。 データ退避処理の実際は、RA
M12c内のデータからB0バイトのデータを取り出
し、このデータでEEPROM12d内のデータの該当
部分を書き換えて更新することにより達成される(図1
1参照)。退避対象のデータはB0バイトのデータだ
け、したがって、1バイト分の少ないデータ量であり、
退避に要する時間は、一般的なEEPROMの場合で考
えるとおよそ10msec程度の少ない時間で済む。こ
の時間は、従来例のように全てのデータ(例えば8バイ
ト)を退避するのに比べると、単純比較で1/8もの短
い時間となる。
【0023】その結果、バックアップ時間Tαが大幅に
短くなり、バックアップ電源回路15のコンデンサ15
aを小容量化でき、電源部の規模を削減できるのであ
る。なお、上記実施例では、電源が正常に供給されてい
る間でもEEPROM12dへの書き込みが繰り返され
るため、EEPROM12dへの書き込み回数が相当に
増大する。一般的なEEPROMの書き込み回数はおよ
そ1万回程度であり、これを越える書き込みは保証され
ないので、車両の寿命が尽きるよりも先に書き込み不能
になることが考えられる。
【0024】そこで、実施例では、EEPROM12d
の記憶空間を複数ブロックに分けて、各ブロックを順次
に使用する。このために、データのBa及びBbの2バイ
ト分を書き込み回数カウント用に割り当てるとともに、
書き込み回数が規定回数に達する前に他の未使用ブロッ
クを指定して、そのブロックに変更できるようする。こ
うすることにより、EEPROM12dの寿命を、ブロ
ックの数だけ実質的に延長することができ、書き込み回
数の増大に伴う不具合を解決することができる。
【0025】なお、実施例では、電気自動車のアワーメ
ータ・データの退避に適用しているが、このデータに限
るものではない。要は、下位側ビットの状態に応じて上
位側ビットの状態が変化する多ビット表現のデータであ
って、且つ、その車両に固有のデータであれば全てに適
用することができ、例えば、学習制御のデータであって
もよい。また、車両の種類やエンジン形式に限定される
ものでもない。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、電源断時の退避対象デ
ータ量を少なくでき、退避に要する時間を短縮化して、
バックアップ電源の規模削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】一実施例の構成図である。
【図3】一実施例のEEPROMの記憶空間概念図であ
る。
【図4】一実施例の特定データの構成図である。
【図5】一実施例のデータ退避プログラムのフロー図で
ある。
【図6】一実施例のEEPROM内のデータをRAMへ
転送する図である。
【図7】一実施例のEEPROM内の一部のデータ消去
図である。
【図8】一実施例のアワーメータ・データのカウントア
ップ図である。
【図9】一実施例のEEPROM内のデータ消去図であ
る。
【図10】一実施例のRAM内のデータをEEPROM
へ書き込む図である。
【図11】一実施例のRAM内の一部のデータをEEP
ROMへ書き込んで退避する図である。
【図12】従来例のデータ退避フロー図である。
【図13】従来例と実施例に共通のデータ構造図であ
る。
【符号の説明】
0:バイト(下位側グループ) B1〜B3:バイト(上位側グループ) 12d:EEPROM(不揮発性メモリ)
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B60L 3/00 - 3/12 G06F 12/16 340 G06F 1/00 330 - 341

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下位側ビットの状態に応じて上位側ビット
    の状態が変化する多ビット表現のデータを、所定ビット
    数毎にグループ分けし、電源断を検出すると、グループ
    単位に不揮発性メモリに格納するデータ退避方法におい
    て、前記複数のグループを、少なくとも最下位ビットを
    含む下位側グループと、該下位側グループ以外の上位側
    グループとに区別するとともに、上位側グループについ
    ては、当該グループ内に含まれるビットの状態が変化し
    た時点で前記不揮発性メモリに格納する一方、下位側グ
    ループについては、電源断を検出した時点で前記不揮発
    性メモリに格納するようにしたことを特徴とするデータ
    退避方法。
  2. 【請求項2】前記不揮発性メモリの記憶空間を、複数ブ
    ロックに分けるとともに、各々のブロックサイズを前記
    多ビット表現のデータサイズに対応させ、且つ、前記多
    ビット表現のデータ中に含ませたデータの格納回数が規
    定回数を越えると、格納先のブロックを変更するように
    したことを特徴とする請求項1記載のデータ退避方法。
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