JPH1199891A

JPH1199891A - 車載メモリの書き換えシステム

Info

Publication number: JPH1199891A
Application number: JP28126797A
Authority: JP
Inventors: Takehiko Hidaka; 毅彦日高
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1997-09-29
Filing date: 1997-09-29
Publication date: 1999-04-13

Abstract

(57)【要約】【課題】車載ＥＣＵに搭載されＥＣＵプログラムを記
憶するフラッシュメモリを、オンボードの状態で書き換
える際に、車載バッテリー電圧が低下していても、不揮
発性メモリの記憶内容を保護し、書き換え処理の信頼度
を向上させる。【解決手段】フラッシュメモリ７を搭載する車載ＥＣ
Ｕ４は、車外に設けられたメモリ書き換え装置１と車外
ハーネス２と車載ハーネス３を介して接続されている。
バッテリー電圧最小値記憶部１０は、バッテリー電圧検
知部５およびイグニションスイッチ状態検知部６の検出
結果から、イグニションスイッチがオンになっている時
の車載バッテリーの電圧の最小値を求め、バックアップ
ＲＡＭ１１に記憶する。書き換え禁止部８は、書き換え
を行う前に、バックアップＲＡＭ１１に記憶されたバッ
テリー電圧の最小値を読み出し、書き換えが支障なく可
能である所定の閾値より小さいときには、フラッシュメ
モリ７の書き換えを禁止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、車載ＥＣＵ（電子
制御ユニット）に搭載された電気的に書き換え可能な不
揮発性メモリの書き換えをオンボードの状態で行う車載
メモリの書き換えシステムに関し、特に車載メモリ書き
換えの際に、車載バッテリーの電圧低下が生じでも車載
メモリの記憶内容を保護できる車載メモリの書き換えシ
ステムに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、車載ＥＣＵに記憶されたＥＣＵプ
ログラムの内容を変更する際に、ＥＣＵ本体の交換を行
うことなく、ＥＣＵプログラムの内容を変更するため
に、車載ＥＣＵに搭載された電気的に書き換え可能な不
揮発性メモリに記憶されたＥＣＵプログラムの内容を、
外部に設けられた書き換え装置により、書き換えること
が行われている。

【０００３】車載ＥＣＵに搭載された不揮発性メモリの
ＥＣＵプログラムの内容を変更するためには、まず、基
本ソフトウェア用のプログラムや書き換え用の通信プロ
グラムからなるＥＣＵプログラムを、一旦車載ＥＣＵに
搭載された揮発性メモリに記憶し、その揮発性メモリに
記憶されたＥＣＵプログラムを起動し、外部に設けられ
た書き換え装置と、双方向通信を行い、電気的に書き換
え可能な不揮発性メモリの記憶内容の消去と、新たなＥ
ＣＵプログラムの受信および書き込みを行っている。Ｅ
ＣＵプログラムを、一旦揮発性メモリに記憶し、その揮
発性メモリに記憶されたＥＣＵプログラムを用いて書き
換えを行うことにより、電気的に書き換え可能な不揮発
性メモリの全領域の消去および書き込みが可能となる。

【０００４】また、書き換え処理に異常が生じ、不揮発
性メモリのプログラムの書き込みに不備があった場合で
も、揮発性メモリに記憶されたＥＣＵプログラムを用い
て、書き換え処理をリセットし、再度消去および書き込
みを行うことにより、正常な書き換えが可能となる。メ
モリ書き換え処理に異常を生じさせる原因の一つである
電源電圧の低下に対して、メモリ内の記憶内容を保護す
る方法としては、特開平５−１２８０１６号公報に記載
されるように、電源電圧を常時検出し、所定値以下に降
下したときは、書き換えを中止し、リセットする方法が
考えられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、車載Ｅ
ＣＵの書き換えの際には、車載バッテリーの電圧が低下
してしまうと、車載ＥＣＵに搭載された揮発性メモリへ
供給される電圧も低下してしまい、書き換えのために、
一時的に揮発性メモリに記憶されたＥＣＵプログラムに
異常が生じることがある。書き換えの対象である不揮発
性メモリに格納されたＥＣＵプログラムが消去されてし
まったあとで、車載バッテリーの電圧低下を検出して、
書き換えを中止しても、揮発性メモリに記憶されたＥＣ
Ｕプログラムのうちの通信プログラムが破壊されてしま
った場合には、リセットにより、車載ＥＣＵと外部に設
けられた書き換え装置との通信リンクを再度確立するこ
とができなくなる。このために、この車載ＥＣＵは使用
不可能になり、ＥＣＵ本体ごと、既に不揮発性メモリ内
のＥＣＵプログラムが更新されている他のＥＣＵ本体と
交換しなければならなくなるという問題があった。

【０００６】特開平６−８３４９９号公報には、データ
処理を行うまえに、強制的に負荷を駆動させ、その時の
電源電圧値により、電源の能力低下を判定し、電源の能
力が所定値以下のときには、データ処理を中止する方法
が記載されているが、車載ＥＣＵでは、適当な負荷を自
動的に駆動させることが難しいため、強制的に負荷を駆
動して、電源の能力低下を判定する方法は使用しにく
く、車載ＥＣＵに搭載された不揮発性メモリの書き換え
の際に、車載バッテリー電圧が低下してしまったとき
に、不揮発性メモリ上のＥＣＵプログラムを保護する有
効な方法は未だ提案されていなかった。

【０００７】本発明は、このような従来の問題点に鑑
み、車載ＥＣＵに搭載された電気的に書き換え可能な不
揮発性メモリをオンボードの状態で書き換える際に、車
載バッテリー電圧が低下していても、不揮発性メモリの
記憶内容を保護することができ、書き換え処理の信頼度
を向上させることのできる車載メモリの書き換えシステ
ムを提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このため、本発明は、車
載電子制御ユニットと通信を行い、車載電子制御ユニッ
トに搭載された電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ
の消去および書き込みを行う、車外に設置されるメモリ
書き換え装置と、イグニションスイッチの状態にかかわ
らず記憶された内容を保持するバックアップメモリに、
車載バッテリー電圧の最小値を記憶するバッテリー電圧
最小値記憶部から構成され、メモリ書き換え装置は不揮
発性メモリを消去する前に、バックアップメモリに記憶
された車載バッテリー電圧の最小値を読み出し、その最
小値が予め設定された閾値よりも小さい場合には、不揮
発性メモリの書き換えを禁止する書き換え禁止部を有す
るものとする。バッテリー電圧最小値記憶部は、イグニ
ションスイッチオンの間、常に車載バッテリー電圧を検
知し、前記バックアップメモリに記憶された車載バッテ
リー電圧の最小値と比較し、小さい方の値を車載バッテ
リー電圧の最小値としてバックアップメモリに記憶する
ことが好ましい。

【０００９】また、バッテリー電圧最小値記憶部は、イ
グニションスイッチオンの間、車載バッテリーに接続さ
れる負荷が異なる複数の状態にわけて車載バッテリー電
圧を検知し、車載バッテリーに接続される負荷が異なる
複数の状態ごとに、バックアップメモリに記憶された車
載バッテリー電圧の最小値と比較し、それぞれ小さい方
の値を車載バッテリー電圧の最小値として前記バックア
ップメモリに記憶し、メモリ書き換え禁止部は、車載バ
ッテリーに接続される負荷が異なる複数の状態ごとに求
められた最小値の中の一つでも、それぞれの状態ごとに
設定された閾値よりも小さい場合には、前記不揮発性メ
モリの書き換えを禁止するものでもよい。複数の状態と
しては、例えば、イグニションスイッチオンで、スター
トスイッチオフで、エンジンが非回転である状態、イグ
ニションスイッチオンで、スタートスイッチオンである
状態およびイグニションスイッチオンで、スタートスイ
ッチオフで、エンジンが回転している状態を用いること
ができる。

【００１０】さらに、バッテリー電圧最小値記憶部は、
イグニションスイッチオンからイグニションスイッチオ
フの間の車載バッテリー電圧を検知し、今回のイグニシ
ョンスイッチオンからイグニションスイッチオフの間
で、スタートスイッチオフで、エンジン非回転状態の時
の車載バッテリー電圧の最小値Ｖｉｇｎｍ（０）と、ス
タートスイッチオンの状態の時の車載バッテリー電圧の
最小値Ｖｓｔｍ（０）と、スタートスイッチオフで、エ
ンジン回転状態の時の車載バッテリー電圧の最小値Ｖｒ
ｕｎｍ（０）、からｎ回前（ただしｎ＝１以上の整数）
までの、最小値Ｖｉｇｍｍ（ｎ）、Ｖｓｔｍ（ｎ）およ
びＶｒｕｎｍ（ｎ）をバックアップメモリに記憶し、メ
モリ書き換え禁止部は不揮発性メモリを消去する前に、
前記バックアップメモリに記憶された前記最小値Ｖｉｇ
ｎｍ（０）〜Ｖｉｇｎｍ（ｎ）、Ｖｓｔｍ（０）〜Ｖｓ
ｔｍ（ｎ）およびＶｒｕｎｍ（０）〜Ｖｒｕｎｍ（ｎ）
を読み出し、それぞれの値と、予め設定された閾値Ｓｉ
ｇｎｍ、ＳｓｔｍおよびＳｒｕｎｍとを比較し、前記最
小値Ｖｉｇｎｍ（０）〜Ｖｉｇｎｍ（ｎ）、Ｖｓｔｍ
（０）〜Ｖｓｔｍ（ｎ）およびＶｒｕｎｍ（０）〜Ｖｒ
ｕｎｍ（ｎ）の中の一つでも、前記閾値Ｓｉｇｎｍ、Ｓ
ｓｔｍおよびＳｒｕｎｍよりも小さい場合には、前記不
揮発性メモリの書き換えを中止するものとすることもで
きる。

【００１１】

【作用】車載バッテリー電圧の最小値が、車載ＥＣＵに
搭載され、ＥＣＵプログラムを格納した電気的に書き換
え可能な不揮発性メモリの書き換えを支障なく実行でき
る電圧値より低いときには、書き換えが実行される前
に、書き換えを禁止する。また、車載バッテリーに接続
される負荷が異なる複数の状態にわけて、その中の一つ
の状態でも、車載バッテリー電圧の最小値が、不揮発性
メモリの書き換えを支障なく実行できる電圧値より低い
ときには、不揮発性メモリの書き換えを禁止する。たと
えば、イグニションスイッチオンで、スタートスイッチ
オフで、エンジン非回転状態の時の車載バッテリー電圧
の最小値と、イグニションスイッチオンで、スタートス
イッチオンの状態の時の車載バッテリー電圧の最小値
と、イグニションスイッチオンで、スタートスイッチオ
フで、エンジン回転状態の時の車載バッテリー電圧の最
小値のいずれかが、それぞれの状態に対応させて設定さ
れた、不揮発性メモリの書き換えを支障なく実行できる
電圧値よりも小さい場合には、不揮発性メモリの書き換
えを禁止する。

【００１２】バッテリー電圧の最小値と、前回からｎ回
前までのイグニションスイッチがオンになってからオフ
になるまでの間のバッテリー電圧の最小値を、バッテリ
ーに接続される負荷が異なる複数の状態にわけて記憶
し、その中の一つでも、不揮発性メモリの書き換えを支
障なく実行できる電圧値より低いときには、不揮発性メ
モリの書き換えを禁止する。また、ｎ回前より以前の期
間で、イグニションスイッチがオンになってから、オフ
になるまでの間に、バッテリー電圧の最小値が、不揮発
性メモリの書き換えを支障なく実行できる電圧値より小
さくなった場合があっても、その後で、高速走行等を行
い車載バッテリーの能力が回復し、ｎ回前から今回まで
にバックアップメモリに記憶された車載バッテリー電圧
の最小値が充分に大きければ、書き換えを禁止しない。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を実施例によ
り説明する。図１は第１の実施例の構成を示すブロック
図である。本実施例は、車外に設けられたメモリ書き換
え装置１と、車外ハーネス２と車載ハーネス３を介して
メモリ書き換え装置１に接続されている車載されたＥＣ
Ｕ４と、ＥＣＵ４に接続され、車載されたバッテリーの
電圧を検知するバッテリー電圧検知部５およびイグニシ
ョンスイッチがオンで有るか否かをイグニションスイッ
チのポジション状態から検知するイグニションスイッチ
状態検知部６から構成される。

【００１４】メモリ書き換え装置１は、ＥＣＵ４に搭載
された電気的に書き換え可能な不揮発性メモリであるフ
ラッシュメモリ７の消去と書き込みをオンボードの状態
で行う。フラッシュメモリ７には、基本ソフトウェア用
のプログラムや書き換え用の通信プログラムからなるＥ
ＣＵプログラムが記憶されているまた、メモリ書き換え
装置１の書き換え禁止部８は、車載されたバッテリー電
圧の最小値が所定の閾値より小さいときには、フラッシ
ュメモリ７に記憶されたＥＣＵプログラムを消去する前
に、フラッシュメモリ７の書き換えを禁止する。

【００１５】ＥＣＵ４には、フラッシュメモリ７と、フ
ラッシュメモリ７を書き換える際に一時的にＥＣＵプロ
グラムを記憶するＲＡＭ９とバッテリー電圧最小値記憶
部１０と図示しない車両制御部とが搭載されている。バ
ッテリー電圧最小値記憶部１０は、イグニションスイッ
チがオフのときでも、記憶を保持できるバックアップメ
モリであるバックアップＲＡＭ１１を有している。

【００１６】次に動作について説明する。まずバッテリ
ー電圧最小値記憶部１０の動作を図２に示すフローチャ
ートを用いて説明する。ステップ１０１では、バッテリ
ー電圧最小値記憶部１０で、イグニションスイッチ状態
検知部６の検知結果から、イグニションスイッチがオン
か否かを判定し、オンのときには、ステップ１０２へ進
み、オンでなければ、ステップ１０１へ戻り、所定時間
間隔でステップ１０１を繰り返す。

【００１７】ステップ１０２で、バッテリー電圧検知部
５で検知した車載バッテリーの電圧Ｖが、バックアップ
ＲＡＭ１１に記憶された最小値Ｖｍより小さいか否かを
判定する。最小値Ｖｍは、初期値としては、通常のバッ
テリー電圧よりもやや高い所定の値が設定されている。
バッテリー電圧ＶがＶｍ以上であれば、ステップ１０１
へ戻る。バッテリー電圧ＶがＶｍより小さければ、ステ
ップ１０３に進み、バッテリー電圧Ｖを最小値Ｖｍとし
てバックアップＲＡＭ１１に記憶し、ステップ１０１へ
戻る。すなわち、最小値Ｖｍの初期値以下のバッテリー
電圧が検知されれば、その電圧値が最小値Ｖｍとされ、
その後は、バックアップＲＡＭ１１の最小値Ｖｍとして
は、常に、バッテリー電圧検知部５で、検知された車載
バッテリー電圧の最小値が記憶されている。

【００１８】メモリ書き換え装置１が、車外ハーネス２
および車載ハーネス３により車載ＥＣＵに接続される
と、まず書き換え禁止部８は、バッテリー電圧最小値記
憶部１０のバックアップＲＡＭ１１に記憶されたバッテ
リー電圧の最小値Ｖｍを読み出し、最小値Ｖｍと閾値Ｓ
ｍとを比較し、最小値Ｖｍが閾値Ｓｍより小さければ、
フラッシュメモリ７の書き換えを禁止する。最小値Ｖｍ
が閾値Ｓｍ以上であれば、メモリ書き換え装置１は、フ
ラッシュメモリ７の書き換えを実行する。閾値Ｓｍとし
ては、予め、フラッシュメモリ７の書き換えが支障なく
実行できる値が設定されている。

【００１９】したがって、バッテリー電圧の最小値が、
フラッシュメモリ７の書き換えを支障なく実行できる電
圧値より低いときには、書き換えが実行される前に、フ
ラッシュメモリ７の書き換えが禁止される。これによ
り、車載ＥＣＵに搭載されたフラッシュメモリ７の書き
換えの際に、車載バッテリー電圧が低下していても、フ
ラッシュメモリ７の記憶内容を保護することができ、書
き換え処理の信頼度を向上させることができる。

【００２０】次に、バッテリー電圧を負荷の接続状態別
に閾値と比較する本発明の第２の実施例を説明する。図
３は、第２の実施例の構成を示すブロック図である。本
実施例は、車外に設けられたメモリ書き換え装置２１
と、車外ハーネス２と車載ハーネス３を介してメモリ書
き換え装置２１に接続されているＥＣＵ２２と、ＥＣＵ
２２に接続されているバッテリー電圧検知部５、イグニ
ションスイッチオンか否か、またスタートスイッチがオ
ンか否かを、イグニションスイッチのポジションから検
知するイグニションスイッチ状態検知部２３とエンジン
が回転しているか否かを検知するエンジン状態検知部２
４から構成される。

【００２１】メモリ書き換え装置２１は、ＥＣＵ２２に
搭載されたフラッシュメモリ７の消去と書き込みを行
う。メモリ書き換え装置２１の書き換え禁止部２５は、
車載されたバッテリーへの負荷の接続状態が異なってい
る３つの状態のどれかひとつの状態でも、車載バッテリ
ー電圧の最小値が所定の閾値より低下しているときに
は、書き換えを禁止する書き換え禁止部２５を有してい
る。ＥＣＵ２２には、フラッシュメモリ７と、ＲＡＭ９
と、バッテリー電圧最小値記憶部２６が搭載され、バッ
テリー電圧最小値記憶部２６は、イグニションスイッチ
がオフのときでも、記憶を保持できるメモリであるバッ
クアップＲＡＭ２７を有している。バックアップＲＡＭ
２７には、負荷の接続状態が異なる３つの状態ごとに、
バッテリー電圧の最小値が記憶されている。

【００２２】次に動作について説明する。まずバッテリ
ー電圧最小値記憶部２６の動作を図４に示すフローチャ
ートを用いて説明する。ステップ２０１では、バッテリ
ー電圧最小値記憶部２６では、イグニションスイッチ状
態検知部２３の検知結果から、イグニションスイッチが
オンか否かを判定し、オンのときにはステップ２０２へ
進み、オンでなければステップ２０１へ戻り、所定時間
間隔でステップ２０１を繰り返す。ステップ２０２で
は、イグニションスイッチ状態検知部２３の検知結果か
ら、スタートスイッチがオンであるか、否かを判定す
る。スタートスイッチがオンであれば、ステップ２０３
へ進み、オフであれば、ステップ２０５へ進む。

【００２３】ステップ２０３では、バッテリー電圧検知
部５で検知されたバッテリー電圧Ｖが、バックアップＲ
ＡＭ２７に記憶された最小値Ｖｓｔｍより小さいか否か
を判定する。バッテリー電圧ＶがＶｓｔｍ以上であれ
ば、ステップ２０１へ戻る。バッテリー電圧ＶがＶｓｔ
ｍより小さければ、ステップ２０４に進み、バッテリー
電圧Ｖを最小値ＶｓｔｍとしてバックアップＲＡＭ２７
に記憶し、ステップ２０１へ戻る。ステップ２０５で
は、イグニションスイッチ状態検知部２３およびエンジ
ン状態検知部２４の検知結果から、エンジンが回転状態
であるか、非回転状態であるかを判定する。イグニショ
ンスイッチオンでエンジンが回転状態であれば、ステッ
プ２０７へ進み、非回転状態であれば、ステップ２０９
へ進む。

【００２４】ステップ２０７では、バッテリー電圧検知
部５で検知されたバッテリー電圧Ｖが、バックアップＲ
ＡＭ２７に記憶された最小値Ｖｒｕｎｍより小さいか否
かを判定する。バッテリー電圧ＶがＶｒｕｎｍ以上であ
れば、ステップ２０１へ戻る。バッテリー電圧ＶがＶｒ
ｕｎｍより小さければ、ステップ２０７に進み、バッテ
リー電圧Ｖを最小値ＶｒｕｎｍとしてバックアップＲＡ
Ｍ２７に記憶し、ステップ２０１へ戻る。ステップ２０
８では、バッテリー電圧検知部５で検知されたバッテリ
ー電圧Ｖが、バックアップＲＡＭ２７に記憶された最小
値Ｖｉｇｎｍより小さいか否かを判定する。バッテリー
電圧ＶがＶｉｇｎｍ以上であれば、ステップ２０１へ戻
る。バッテリー電圧ＶがＶｉｇｎｍより小さければ、ス
テップ２０９に進み、バッテリー電圧Ｖを最小値Ｖｉｇ
ｎｍとしてバックアップＲＡＭ２７に記憶し、ステップ
２０１へ戻る。

【００２５】ここで、エンジンを始動させる際のイグニ
ションスイッチのポジションと、バッテリー電圧の変化
と、上記フローチャートにおける動作の関係を図５を用
いて説明する。まず、図５のＡに示すように、イグニシ
ョンスイッチを回転させた直後には、そのポジション
は、イグニションスイッチはオンにされ、まだスタート
スイッチがオンにならない位置にあり、エンジンは、回
転していない。このときには、ステップ２０１からステ
ップ２０５、２０８へ進む。最小値Ｖｉｇｎｍの初期値
としては、図５に示す区間Ａでの通常のバッテリー電圧
Ｖｉｇｎよりもやや高い所定の値が設定されている。し
たがって、バックアップＲＡＭ２７に記憶される最小値
Ｖｉｇｎｍとしては、区間Ａにおけるバッテリー電圧の
最小値が記憶されている。

【００２６】また、さらにイグニションスイッチが回転
され、図５の区間Ｂの様に、そのポジションがスタート
スイッチをオンにし、スタートモータを回転させる位置
となると、ステップ２０１から、ステップ２０２、２０
３へ進む。最小値Ｖｓｔｍの初期値としては、図５に示
す区間Ｂで、最も低い通常のバッテリー電圧Ｖｓｔより
もやや高い所定の値が設定されている。したがって、バ
ックアップＲＡＭ２７に記憶される最小値Ｖｓｔｍとし
ては、常に、区間Ｂにおけるバッテリー電圧の最小値が
記憶されている。

【００２７】また、エンジンが回転をはじめ、イグニシ
ョンスイッチをスタートスイッチがオフとなるポジショ
ンまで戻したときには、図５の区間Ｃに示すように、イ
グニションスイッチはオン、スタートスイッチはオフ、
エンジンは回転状態となっているので、ステップ２０１
からステップ２０５、ステップ２０６へ進む。最小値Ｖ
ｒｕｎｍの初期値としては、図５の区間Ｃでの、通常の
バッテリー電圧Ｖｒｕｎよりもやや高い所定の値が設定
されている。したがって、バックアップＲＡＭ２７に記
憶される最小値Ｖｒｕｎｍとしては、常に、区間Ｃにお
けるバッテリー電圧の最小値が記憶されている。

【００２８】メモリ書き換え装置２１が、車外ハーネス
２および車載ハーネス３によりＥＣＵ２２に接続される
と、まず書き換え禁止部２４は、バッテリー電圧最小値
記憶部２６のバックアップＲＡＭ２７に記憶されたバッ
テリー電圧の最小値Ｖｉｇｎｍ、Ｖｓｔｍ、Ｖｒｕｎｍ
を読み出し、それぞれ閾値Ｓｉｇｎｍ、Ｓｓｔｍ、Ｓｒ
ｕｎｍとを比較し、最小値Ｖｉｇｎｍ、Ｖｓｔｍ、Ｖｒ
ｕｎｍの中のどれかひとつでも、閾値より小さければ、
フラッシュメモリ７の書き換えを禁止する。最小値Ｖｉ
ｇｎｍ、Ｖｓｔｍ、Ｖｒｕｎｍが、それぞれ閾値Ｓｉｇ
ｎｍ、Ｓｓｔｍ、Ｓｒｕｎｍより大きければ、メモリ書
き換え装置２１は、フラッシュメモリ７の書き換えを実
行する。閾値Ｓｉｇｎｍ、Ｓｓｔｍ、Ｓｒｕｎｍは、予
め、フラッシュメモリ７の書き換えが支障なく実行でき
る値が設定されている。

【００２９】したがって、バッテリーに接続される負荷
が異なる３つの状態にわけて、その中の一つの状態で
も、バッテリー電圧の最小値が、フラッシュメモリ７の
書き換えを支障なく実行できる電圧値より低いときに
は、フラッシュメモリ７の書き換えが禁止されるので、
第１の実施例の効果に加えて、一層書き換え処理の信頼
度を向上させることができる。

【００３０】図６は、書き換えの前のイグニションオン
からイグニションオフを５回行う間のバッテリー電圧の
最小値を閾値と比較する本発明の第３の実施例の構成を
示すブロック図である。本実施例は、車外に設けられた
メモリ書き換え装置３１と、車外ハーネス２と車載ハー
ネス３を介してメモリ書き換え装置３１に接続されてい
るＥＣＵ３２と、ＥＣＵ３２に接続されているバッテリ
ー電圧検知部５、イグニションスイッチ状態検知部２
３、エンジン状態検知部２４から構成される。メモリ書
き換え装置３１は、ＥＣＵ３２に搭載された、フラッシ
ュメモリ７の消去と書き込みを行う。メモリ書き換え装
置３１の書き換え禁止部３３は、車載されたバッテリー
への負荷の接続状態別に、書き換えが行われる前の、イ
グニションスイッチオンからイグニションスイッチオフ
となった５回分での、バッテリー電圧の最小値と所定の
閾値とを比較し、バッテリー電圧が所定の閾値より低下
しているときには、書き換えを禁止する。

【００３１】ＥＣＵ３２には、フラッシュメモリ７と、
ＲＡＭ９と、バッテリー電圧最小値記憶部３４が搭載さ
れている。バッテリー電圧最小値記憶部３４は、イグニ
ションスイッチがオフのときでも記憶を保持できるメモ
リであるバックアップＲＡＭ３５を有している。バック
アップＲＡＭ３５には、今回イグニションスイッチがオ
ンになってからのバッテリー電圧の最小値と、前回から
４回前までのイグニションスイッチがオンになってか
ら、オフになるまでの間のバッテリーの最小値が、バッ
テリーに接続される負荷が異なる３つの状態にわけて、
即ち全部で１５個のバッテリー電圧の最小値が記憶され
る。

【００３２】次に動作について説明する。まずバッテリ
ー電圧最小値記憶部３４の動作を図７に示すフローチャ
ートを用いて説明する。ステップ３０１では、バッテリ
ー電圧最小値記憶部３４では、イグニションスイッチ状
態検知部６の検知結果から、イグニションスイッチがオ
ンか否かを判定し、オンのときには、ステップ３０２へ
進む。オンでなければ、ステップ３０１へ戻り、所定時
間間隔でステップ３０１を繰り返す。ステップ３０２で
は、イグニションスイッチが継続的にオンであるか否か
を判定し、継続的にオンでなければ、ステップ３０３へ
進む。継続的にオンとなっているときにはステップ３０
２を飛ばして、次の処理へすすむ。

【００３３】ステップ３０３では、バックアップＲＡＭ
３５に記憶されていた、４回前にイグニションスイッチ
がオンになってからオフになるまでの間で、スタートス
イッチがオフで、エンジンが非回転状態の時のバッテリ
ー電圧の最小値Ｖｉｇｎｍ（３）を、最小値Ｖｉｇｎｍ
（４）として記憶する。同様に、スタートスイッチがオ
ンの時の最小値Ｖｓｔｍ（３）を最小値Ｖｓｔｍ（４）
として、スタートスイッチオフで、エンジンが回転状態
の時の最小値Ｖｒｕｎｍ（３）を最小値Ｖｒｕｎｍ
（４）として記憶する。

【００３４】また、３回前にイグニションスイッチがオ
ンになってからオフになるまでの間の最小値Ｖｉｇｎｍ
（２）を、最小値Ｖｉｇｎｍ（３）として、最小値Ｖｓ
ｔｍ（２）を最小値Ｖｓｔｍ（３）として、最小値Ｖｒ
ｕｎｍ（２）を最小値Ｖｒｕｎｍ（３）として記憶す
る。同様に２回前、前回の最小値もそれぞれ移動させ
る。また、Ｖｉｇｎｍ（０）、Ｖｓｔｍ（０）およびＶ
ｒｕｎｍ（０）には、１４Ｖを記憶させる。ステップ３
０３以降は、図４に示すステップ２０１〜ステップ２０
９と同様の処理をＶｉｇｎｍ、ＶｓｔｍおよびＶｒｕｎ
ｍの代わりにＶｉｇｎｍ（０）、Ｖｓｔｍ（０）および
Ｖｒｕｎｍ（０）を用いて行う。

【００３５】すなわち、バックアップＲＡＭ３５には、
今回イグニションスイッチがオンになってからのバッテ
リー電圧の最小値が、Ｖｉｇｎｍ（０）、Ｖｓｔｍ
（０）およびＶｒｕｎｍ（０）として記憶され、前回か
ら４回前までのイグニションスイッチがオンになってか
ら、オフになるまでの間のバッテリーの最小値が、Ｖｉ
ｇｎｍ（１）〜Ｖｉｇｎｍ（４）、Ｖｓｔｍ（１）〜Ｖ
ｓｔｍ（４）およびＶｒｕｎｍ（１）〜Ｖｒｕｎｍ
（４）に記憶される。

【００３６】メモリ書き換え装置３１が、車外ハーネス
２および車載ハーネス３によりＥＣＵ３２に接続される
と、まず書き換え禁止部３３は、バッテリー電圧最小値
記憶部３４のバックアップＲＡＭ３５に記憶されたバッ
テリー電圧の最小値Ｖｉｇｎｍ（０）〜Ｖｉｇｎｍ
（４）と、閾値Ｓｉｇｎｍを比較し、また最小値Ｖｓｔ
ｍ（０）〜Ｖｓｔｍ（４）と閾値Ｓｓｔｍを、最小値Ｖ
ｒｕｎｍ（０）〜Ｖｒｕｎｍ（４）と閾値Ｓｒｕｎｍを
比較し、最小値Ｖｉｇｎｍ（０）〜Ｖｉｇｎｍ（４）、
Ｖｓｔｍ（０）〜Ｖｓｔｍ（４）、Ｖｒｕｎｍ（０）〜
Ｖｒｕｎｍ（４）の中のどれかひとつでも、比較された
閾値より小さければ、フラッシュメモリ７の書き換えを
禁止する。総ての最小値が、それぞれが比較される閾値
より大きければ、メモリ書き換え装置３１は、フラッシ
ュメモリ７の書き換えを実行する。閾値Ｓｉｇｎｍ、Ｓ
ｓｔｍ、Ｓｒｕｎｍは、予め、フラッシュメモリ７の書
き換えが支障なく実行できる値が設定されている。

【００３７】したがって、今回イグニションスイッチが
オンになってからのバッテリー電圧の最小値と、前回か
ら４回前までのイグニションスイッチがオンになってか
ら、オフになるまでの間のバッテリーの最小値が、バッ
テリーに接続される負荷が異なる３つの状態にわけて、
即ち全部で１５個のバッテリー電圧の最小値がバックア
ップＲＡＭ３５に記憶され、その中の一つでも、フラッ
シュメモリ７の書き換えを支障なく実行できる電圧値よ
り低いときには、フラッシュメモリ７の書き換えは禁止
される。

【００３８】しかし、４回以前、即ちバッテリー電圧の
検知を最初に行ってから５回前までのイグニションスイ
ッチがオンになってからオフになるまでの間に、バッテ
リー電圧の最小値が、フラッシュメモリ７の書き換えを
支障なく実行できる電圧値より小さくなった場合があっ
ても、その後で、高速走行等を行いバッテリーの能力が
回復し、４回前までのバッテリー電圧の最小値が充分に
大きければ、書き換えは禁止されない。このために、第
１の実施例の効果に加えて、バッテリー電圧が回復して
いる場合には、書き換え処理を実行できるので、車載メ
モリの書き換えシステムの利便性を向上させることがで
きる。

【００３９】

【発明の効果】以上の通り、本発明は、車載バッテリー
電圧の最小値が、車載ＥＣＵに搭載され、ＥＣＵプログ
ラムを格納した電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ
の書き換えを支障なく実行できる電圧値より低いときに
は、書き換えが実行される前に、書き換えを禁止するこ
とにより、車載ＥＣＵに搭載された不揮発性メモリの書
き換えの際に、車載バッテリー電圧が低下していても、
不揮発性メモリの記憶内容を保護することができ、書き
換え処理の信頼度を向上させることができる。

【００４０】また、車載バッテリーに接続される負荷が
異なる複数の状態にわけて、その中の一つの状態でも、
車載バッテリー電圧の最小値が、不揮発性メモリの書き
換えを支障なく実行できる電圧値より低いときには、不
揮発性メモリの書き換えを禁止することにより、一層書
き換え処理の信頼度を向上させることができる。。さら
に、今回イグニションスイッチがオンになってからのバ
ッテリー電圧の最小値と、前回からｎ回前までのイグニ
ションスイッチがオンになってから、オフになるまでの
間のバッテリーの最小値を、バッテリーに接続される負
荷が異なる複数の状態にわけて記憶し、その中の一つで
も、不揮発性メモリの書き換えを支障なく実行できる電
圧値より低いときには、不揮発性メモリの書き換えを禁
止し、また、ｎ回前より以前の期間で、イグニションス
イッチがオンになってから、オフになるまでの間に、バ
ッテリー電圧の最小値が、不揮発性メモリの書き換えを
支障なく実行できる電圧値より小さくなった場合があっ
ても、その後で、高速走行等を行い車載バッテリーの能
力が回復し、ｎ回前から今回までにバックアップメモリ
に記憶された車載バッテリー電圧が回復している場合に
は、書き換え処理を実行できるので、車載メモリの書き
換えシステムの利便性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の構成を示すブロック図である。

【図２】バッテリー電圧最小値記憶部の動作を説明する
フローチャートである。

【図３】第２の実施例の構成を示すブロック図である。

【図４】バッテリー電圧最小値記憶部の動作を説明する
フローチャートである。

【図５】エンジン始動時のバッテリー電圧の説明図であ
る。

【図６】第３の実施例の構成を示すブロック図である。

【図７】バッテリー電圧最小値記憶部の動作の一部を説
明するフローチャートである。

【符号の説明】

１、２１、３１メモリ書き換え装置２車外ハーネス３車載ハーネス４、２２、３２ＥＣＵ５バッテリー電圧検知部６、２３イグニションスイッチ状態検
知部７フラッシュメモリ８、２５、３３書き換え禁止部９ＲＡＭ１０、２６、３４バッテリー電圧最小値記憶部１１、２７、３５バックアップＲＡＭ２４エンジン状態検知部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】車載電子制御ユニットと通信を行い、車
載電子制御ユニットに搭載された電気的に書き換え可能
な不揮発性メモリの消去および書き込みを行う、車外に
設置されるメモリ書き換え装置と、イグニションスイッ
チの状態にかかわらず記憶された内容を保持するバック
アップメモリに、車載バッテリー電圧の最小値を記憶す
るバッテリー電圧最小値記憶部から構成され、前記メモ
リ書き換え装置は、前記不揮発性メモリを消去する前
に、前記バックアップメモリに記憶された車載バッテリ
ー電圧の最小値を読み出し、該最小値が予め設定された
閾値よりも小さい場合には、前記不揮発性メモリの書き
換えを禁止する書き換え禁止部を有することを特徴とす
る車載メモリの書き換えシステム。
【請求項２】前記バッテリー電圧最小値記憶部は、イ
グニションスイッチオンの間、常に車載バッテリー電圧
を検知し、前記バックアップメモリに記憶された車載バ
ッテリー電圧の最小値と比較し、小さい方の値を車載バ
ッテリー電圧の最小値として前記バックアップメモリに
記憶することを特徴とする請求項１記載の車載メモリの
書き換えシステム。
【請求項３】前記バッテリー電圧最小値記憶部は、イ
グニションスイッチオンの間、車載バッテリーに接続さ
れる負荷が異なる複数の状態にわけて車載バッテリー電
圧を検知し、前記車載バッテリーに接続される負荷が異
なる複数の状態ごとに、前記バックアップメモリに記憶
された車載バッテリー電圧の最小値と比較し、それぞれ
小さい方の値を車載バッテリー電圧の最小値として前記
バックアップメモリに記憶し、前記メモリ書き換え禁止
部は、車載バッテリーに接続される負荷が異なる複数の
状態ごとに求められた最小値の中の一つでも、それぞれ
の状態ごとに設定された閾値よりも小さい場合には、前
記不揮発性メモリの書き換えを禁止することを特徴とす
る請求項１記載の車載メモリの書き換えシステム。
【請求項４】前記複数の状態が、イグニションスイッ
チオンで、スタートスイッチオフで、エンジンが非回転
である状態、イグニションスイッチオンで、スタートス
イッチオンである状態およびイグニションスイッチオン
で、スタートスイッチオフで、エンジンが回転している
状態であることを特徴とする請求項３記載の車載メモリ
の書き換えシステム。
【請求項５】前記バッテリー電圧最小値記憶部は、イ
グニションスイッチオンからイグニションスイッチオフ
の間の車載バッテリー電圧を検知し、今回のイグニショ
ンスイッチオンからイグニションスイッチオフの間で、
スタートスイッチオフで、エンジン非回転状態の時の車
載バッテリー電圧の最小値Ｖｉｇｎｍ（０）と、スター
トスイッチオンの状態の時の車載バッテリー電圧の最小
値Ｖｓｔｍ（０）と、スタートスイッチオフで、エンジ
ン回転状態の時の車載バッテリー電圧の最小値Ｖｒｕｎ
ｍ（０）、からｎ回前（ただしｎ＝１以上の整数）まで
の、バッテリー電圧の最小値Ｖｉｇｎｍ（ｎ）、Ｖｓｔ
ｍ（ｎ）およびＶｒｕｎｍ（ｎ）を前記バックアップメ
モリに記憶し、前記メモリ書き換え禁止部は、前記バッ
クアップメモリに記憶された前記最小値Ｖｉｇｎｍ
（０）〜Ｖｉｇｎｍ（ｎ）、Ｖｓｔｍ（０）〜Ｖｓｔｍ
（ｎ）およびＶｒｕｎｍ（０）〜Ｖｒｕｎｍ（ｎ）を読
み出し、それぞれの値と、予め設定された閾値Ｓｉｇｎ
ｍ、ＳｓｔｍおよびＳｒｕｎｍとを比較し、前記最小値
Ｖｉｇｎｍ（０）〜Ｖｉｇｎｍ（ｎ）、Ｖｓｔｍ（０）
〜Ｖｓｔｍ（ｎ）およびＶｒｕｎｍ（０）〜Ｖｒｕｎｍ
（ｎ）の中の一つでも、前記閾値Ｓｉｇｎｍ、Ｓｓｔｍ
およびＳｒｕｎｍよりも小さい場合には、前記不揮発性
メモリの書き換えを中止することを特徴とする請求項１
記載の車載メモリの書き換えシステム。