JP2002082841A - 電子制御装置の制御データ記憶装置 - Google Patents
電子制御装置の制御データ記憶装置Info
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Combined Controls Of Internal Combustion Engines (AREA)
- Control Of Transmission Device (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 書換えを必要とする特定の制御データ群（調
整値等）の保存に、フラッシュメモリ（FLASH EEPROM）
を用いて、制御データの更新を可能とする。 【解決手段】 フラッシュメモリの１ブロック内に、前
記特定の制御データ群を書込むことのできる大きさの保
存領域をアドレス順に複数設定する（Ａ１〜Ａ１６）。
各保存領域には、当該領域への書込みの有無を示す識別
データ（00H,FFH）の記憶部を具備させる。前記特定の
制御データ群の使用時には、前記複数の保存領域のう
ち、書込み済の領域で、かつそのうちアドレス順で末尾
の領域から、前記特定の制御データ群を読出す。前記特
定の制御データ群のうち少なくとも１つの制御データの
更新時には、前記複数の保存領域のうち、未書込みの領
域で、かつそのうちアドレス順で先頭の領域に、更新す
る制御データと更新しない制御データとを含む前記特定
の制御データ群の全てを書込む。
整値等）の保存に、フラッシュメモリ（FLASH EEPROM）
を用いて、制御データの更新を可能とする。 【解決手段】 フラッシュメモリの１ブロック内に、前
記特定の制御データ群を書込むことのできる大きさの保
存領域をアドレス順に複数設定する（Ａ１〜Ａ１６）。
各保存領域には、当該領域への書込みの有無を示す識別
データ（00H,FFH）の記憶部を具備させる。前記特定の
制御データ群の使用時には、前記複数の保存領域のう
ち、書込み済の領域で、かつそのうちアドレス順で末尾
の領域から、前記特定の制御データ群を読出す。前記特
定の制御データ群のうち少なくとも１つの制御データの
更新時には、前記複数の保存領域のうち、未書込みの領
域で、かつそのうちアドレス順で先頭の領域に、更新す
る制御データと更新しない制御データとを含む前記特定
の制御データ群の全てを書込む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子制御装置（例
えば車両制御用マイコン）の制御データ記憶装置に関す
る。
えば車両制御用マイコン）の制御データ記憶装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、車両においては、エンジンの制御
や自動変速機を含む駆動系の制御などにマイコンが使用
されており、制御データは、バッテリが外されても消去
されないように、不揮発性メモリ（ＲＯＭ）に記憶させ
ているが、車両開発段階あるいは市場（ディーラー）に
て、マイコンの制御内容を変更する場合、制御データの
書換えが要求される。
や自動変速機を含む駆動系の制御などにマイコンが使用
されており、制御データは、バッテリが外されても消去
されないように、不揮発性メモリ（ＲＯＭ）に記憶させ
ているが、車両開発段階あるいは市場（ディーラー）に
て、マイコンの制御内容を変更する場合、制御データの
書換えが要求される。
【０００３】このため、書換え可能な不揮発性メモリを
使用し、車載のマイコンに対し、非車載のメモリ書換装
置（コンサルト等の電子システム診断テスター等）を通
信手段を介して接続し、メモリの書換えを行っている。
電気的に書換え可能な不揮発性メモリとしては、ＥＥＰ
ＲＯＭ（ElectricallyErasable Programmable Read-Onl
y Memory ）や、フラッシュメモリ（ＦＬＡＳＨ ＥＥ
ＰＲＯＭ）がある。
使用し、車載のマイコンに対し、非車載のメモリ書換装
置（コンサルト等の電子システム診断テスター等）を通
信手段を介して接続し、メモリの書換えを行っている。
電気的に書換え可能な不揮発性メモリとしては、ＥＥＰ
ＲＯＭ（ElectricallyErasable Programmable Read-Onl
y Memory ）や、フラッシュメモリ（ＦＬＡＳＨ ＥＥ
ＰＲＯＭ）がある。
【０００４】ＥＥＰＲＯＭは、１ワード（２バイト）単
位で消去して、書込みでき、書換え保証回数も１００万
回以上と大きいものの、内部回路が複雑で、極めて高価
である。フラッシュメモリは、安価であり、１バイト単
位で書込むことはできるものの、書換える場合の消去は
１ブロック（例えば２Ｋバイトあるいは４Ｋバイト）単
位で行う必要が有り、書換え保証回数も１００回程度で
ある。このため、特開２０００−４５８５８号公報に記
載の技術では、フラッシュメモリの書換え回数を容易に
判断することができ、しかも、ビット化けが生じても書
換え回数を正確に判定できるようにするため、フラッシ
ュメモリの書換え回数を記憶するための回数情報記憶領
域を、フラッシュメモリにて連続した複数のアドレスと
して設定し、フラッシュメモリに対する書込み処理を行
う毎に、回数情報記憶領域のうちでデータが未書込みの
アドレスの先頭から順に１つを選択し、そのアドレスに
書換え回数を表す数値データを書込むようにしている。
位で消去して、書込みでき、書換え保証回数も１００万
回以上と大きいものの、内部回路が複雑で、極めて高価
である。フラッシュメモリは、安価であり、１バイト単
位で書込むことはできるものの、書換える場合の消去は
１ブロック（例えば２Ｋバイトあるいは４Ｋバイト）単
位で行う必要が有り、書換え保証回数も１００回程度で
ある。このため、特開２０００−４５８５８号公報に記
載の技術では、フラッシュメモリの書換え回数を容易に
判断することができ、しかも、ビット化けが生じても書
換え回数を正確に判定できるようにするため、フラッシ
ュメモリの書換え回数を記憶するための回数情報記憶領
域を、フラッシュメモリにて連続した複数のアドレスと
して設定し、フラッシュメモリに対する書込み処理を行
う毎に、回数情報記憶領域のうちでデータが未書込みの
アドレスの先頭から順に１つを選択し、そのアドレスに
書換え回数を表す数値データを書込むようにしている。
【０００５】以上のようなＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュ
メモリの特性から、従来は、両方を搭載して、双方の特
徴に応じて使い分けしている。すなわち、プログラム
や、ＲＯＭ診断のためのキャリブレーションベリフィケ
ーション値（ＣＶＮ）などは、フラッシュメモリに、各
種調整値（アイドル回転数調整値、点火時期調整値等）
や、故障発生前後の運転データを記憶保持するたのフリ
ーズフレームデータ（ＦＦＤ）などは、データ更新の容
易なＥＥＰＲＰＭへそれぞれ割付けている。
メモリの特性から、従来は、両方を搭載して、双方の特
徴に応じて使い分けしている。すなわち、プログラム
や、ＲＯＭ診断のためのキャリブレーションベリフィケ
ーション値（ＣＶＮ）などは、フラッシュメモリに、各
種調整値（アイドル回転数調整値、点火時期調整値等）
や、故障発生前後の運転データを記憶保持するたのフリ
ーズフレームデータ（ＦＦＤ）などは、データ更新の容
易なＥＥＰＲＰＭへそれぞれ割付けている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＥＰ
ＲＰＭ及びフラッシュメモリのいずれも、電気的に書換
え可能であるにもかかわらず、従来では、両方を搭載し
ていることにより、コスト高となっている。そこで、本
発明者らは、高価なＥＥＰＲＯＭを廃止し、フラッシュ
メモリに１本化することができないかを検討した。
ＲＰＭ及びフラッシュメモリのいずれも、電気的に書換
え可能であるにもかかわらず、従来では、両方を搭載し
ていることにより、コスト高となっている。そこで、本
発明者らは、高価なＥＥＰＲＯＭを廃止し、フラッシュ
メモリに１本化することができないかを検討した。
【０００７】その結果、従来ＥＥＰＲＯＭに割付けてい
たデータのうち、フリーズフレームデータなどは、バッ
クアップＲＡＭへデータを移動させることが可能であ
り、残りのデータ（アイドル回転数調整値、点火時期調
整値、イモビライザ暗号化キー等）について、書込み方
法（更新方法）を工夫することで、フラッシュメモリに
割付けることができるとの結論に至った。
たデータのうち、フリーズフレームデータなどは、バッ
クアップＲＡＭへデータを移動させることが可能であ
り、残りのデータ（アイドル回転数調整値、点火時期調
整値、イモビライザ暗号化キー等）について、書込み方
法（更新方法）を工夫することで、フラッシュメモリに
割付けることができるとの結論に至った。
【０００８】本発明は、このような背景の下になされた
もので、書換えを必要とする特定の制御データ群の保存
に、書換え可能な不揮発性メモリとして、フラッシュメ
モリを用いる場合に好適な電子制御装置の制御データ記
憶装置を提供することを目的とする。
もので、書換えを必要とする特定の制御データ群の保存
に、書換え可能な不揮発性メモリとして、フラッシュメ
モリを用いる場合に好適な電子制御装置の制御データ記
憶装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明では、フラッシュメモリの１ブロック内に、前記
特定の制御データ群を書込むことのできる大きさの保存
領域をアドレス順に複数設定する一方、前記特定の制御
データ群の使用時に、前記複数の保存領域のうち、書込
み済の領域で、かつそのうちアドレス順で末尾の領域か
ら、前記特定の制御データ群を読出す制御データ読出し
手段と、前記特定の制御データ群のうち少なくとも１つ
の制御データの更新時に、前記複数の保存領域のうち、
未書込みの領域で、かつそのうちアドレス順で先頭の領
域に、更新する制御データを書込む制御データ書込み手
段と、を設けたことを特徴とする。
る発明では、フラッシュメモリの１ブロック内に、前記
特定の制御データ群を書込むことのできる大きさの保存
領域をアドレス順に複数設定する一方、前記特定の制御
データ群の使用時に、前記複数の保存領域のうち、書込
み済の領域で、かつそのうちアドレス順で末尾の領域か
ら、前記特定の制御データ群を読出す制御データ読出し
手段と、前記特定の制御データ群のうち少なくとも１つ
の制御データの更新時に、前記複数の保存領域のうち、
未書込みの領域で、かつそのうちアドレス順で先頭の領
域に、更新する制御データを書込む制御データ書込み手
段と、を設けたことを特徴とする。
【００１０】請求項２に係る発明では、前記複数の保存
領域のそれぞれに、当該領域への書込みの有無を示す識
別データの記憶部を具備させ、この識別データを読出し
て、制御データを読出す保存領域及び制御データを書込
む保存領域を判定することを特徴とする。請求項３に係
る発明では、前記特定の制御データ群に、フラッシュメ
モリの診断のため該メモリ内の全データに基づいて計算
されるキャリブレーションベリフィケーション値を含
み、制御データの更新時に、キャリブレーションベリフ
ィケーション値を更新することを特徴とする。
領域のそれぞれに、当該領域への書込みの有無を示す識
別データの記憶部を具備させ、この識別データを読出し
て、制御データを読出す保存領域及び制御データを書込
む保存領域を判定することを特徴とする。請求項３に係
る発明では、前記特定の制御データ群に、フラッシュメ
モリの診断のため該メモリ内の全データに基づいて計算
されるキャリブレーションベリフィケーション値を含
み、制御データの更新時に、キャリブレーションベリフ
ィケーション値を更新することを特徴とする。
【００１１】請求項４に係る発明では、前記複数の保存
領域について、書込み済の領域と未書込みの領域とを調
査し、空き状況を外部のモニタ手段に出力することを特
徴とする。請求項５に係る発明では、前記複数の保存領
域について、書込み済の領域と未書込みの領域とを調査
し、未書込みの領域がないときにその旨を外部のモニタ
手段に出力することを特徴とする。
領域について、書込み済の領域と未書込みの領域とを調
査し、空き状況を外部のモニタ手段に出力することを特
徴とする。請求項５に係る発明では、前記複数の保存領
域について、書込み済の領域と未書込みの領域とを調査
し、未書込みの領域がないときにその旨を外部のモニタ
手段に出力することを特徴とする。
【００１２】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、フラッシ
ュメモリに各種調整値などを格納し、かつ簡単に更新す
ることが可能となり、これによって市場での書換えを可
能としつつ高価なＥＥＰＲＯＭを削除でき、原価を低減
できることから、市場に安価な制御データ記憶装置を供
給できる。
ュメモリに各種調整値などを格納し、かつ簡単に更新す
ることが可能となり、これによって市場での書換えを可
能としつつ高価なＥＥＰＲＯＭを削除でき、原価を低減
できることから、市場に安価な制御データ記憶装置を供
給できる。
【００１３】請求項２に係る発明によれば、各保存領域
の識別データにより、書込み済の領域と未書込みの領域
との判別、すなわち、読出し領域と書込み領域との判別
が容易となる。請求項３に係る発明によれば、制御デー
タの更新時に、キャリブレーションベリフィケーション
値（ＣＶＮ）を再計算して更新することで、ＲＯＭ診断
を保証することができる。
の識別データにより、書込み済の領域と未書込みの領域
との判別、すなわち、読出し領域と書込み領域との判別
が容易となる。請求項３に係る発明によれば、制御デー
タの更新時に、キャリブレーションベリフィケーション
値（ＣＶＮ）を再計算して更新することで、ＲＯＭ診断
を保証することができる。
【００１４】請求項４に係る発明によれば、書込み済の
領域と未書込みの領域とを調査し、空き状況を外部のモ
ニタ手段に出力することで、更新可能回数等を知ること
ができる。請求項５に係る発明によれば、書込み済の領
域と未書込みの領域とを調査し、未書込みの領域がない
ときにその旨を外部のモニタ手段に出力することで、更
新不能であることを知ることができる。
領域と未書込みの領域とを調査し、空き状況を外部のモ
ニタ手段に出力することで、更新可能回数等を知ること
ができる。請求項５に係る発明によれば、書込み済の領
域と未書込みの領域とを調査し、未書込みの領域がない
ときにその旨を外部のモニタ手段に出力することで、更
新不能であることを知ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は電子制御装置（車両制御用
マイコン）のシステム構成を示している。車載のマイコ
ン１は、ＣＰＵ２、不揮発性のフラッシュメモリ（ＦＬ
ＡＳＨＥＥＰＲＯＭ）３、揮発性のＲＡＭ４、各種セン
サ・アクチュエータとの入出力のためのＩ／Ｏ５及び通
信Ｉ／Ｆ６等を備えている。
に基づいて説明する。図１は電子制御装置（車両制御用
マイコン）のシステム構成を示している。車載のマイコ
ン１は、ＣＰＵ２、不揮発性のフラッシュメモリ（ＦＬ
ＡＳＨＥＥＰＲＯＭ）３、揮発性のＲＡＭ４、各種セン
サ・アクチュエータとの入出力のためのＩ／Ｏ５及び通
信Ｉ／Ｆ６等を備えている。
【００１６】通信Ｉ／Ｆ６には、コネクタ７を介して、
非車載のメモリ書換装置（コンサルト等の電子システム
診断テスター）８を接続可能である。尚、８ａは表示用
ディスプレーを示している。ここにおいて、フラッシュ
メモリ３は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリであ
り、例えば５１２Ｋバイトの容量で、その１アドレス当
たりに１バイト（８ビット）のデータが記憶されるよう
になっている。
非車載のメモリ書換装置（コンサルト等の電子システム
診断テスター）８を接続可能である。尚、８ａは表示用
ディスプレーを示している。ここにおいて、フラッシュ
メモリ３は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリであ
り、例えば５１２Ｋバイトの容量で、その１アドレス当
たりに１バイト（８ビット）のデータが記憶されるよう
になっている。
【００１７】図２を参照し、このフラッシュメモリ（Ｆ
ＬＡＳＨ ＥＥＰＲＯＭ）３には、制御プログラムや制
御データが書込まれるが、所定のアドレス位置に、書換
えを必要とする特定の制御データ群の保存のため、例え
ば２Ｋバイトの制御データ記憶用ブロックを設定してあ
る。そして、この制御用データ記憶用ブロック内に、書
換えを必要とする特定の制御データ群を書込むことので
きる大きさの保存領域を、アドレス順に、複数設定して
ある（Ａ１〜Ａ１６）。各保存領域Ａ１〜Ａ１６は、例
えば１２８バイトの大きさを有し、２Ｋバイトのブロッ
ク内に１６個（2048／128 ）設けられることになる。
尚、図２中のアドレスは相対アドレスである。
ＬＡＳＨ ＥＥＰＲＯＭ）３には、制御プログラムや制
御データが書込まれるが、所定のアドレス位置に、書換
えを必要とする特定の制御データ群の保存のため、例え
ば２Ｋバイトの制御データ記憶用ブロックを設定してあ
る。そして、この制御用データ記憶用ブロック内に、書
換えを必要とする特定の制御データ群を書込むことので
きる大きさの保存領域を、アドレス順に、複数設定して
ある（Ａ１〜Ａ１６）。各保存領域Ａ１〜Ａ１６は、例
えば１２８バイトの大きさを有し、２Ｋバイトのブロッ
ク内に１６個（2048／128 ）設けられることになる。
尚、図２中のアドレスは相対アドレスである。
【００１８】前記特定の制御データ群としては、アイド
ル回転数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ、点火時期調整値ＡＤＪ
ＡＤＶ、イモビライザ暗号化キー等の他、キャリブレー
ションベリフィケーション値（ＣＶＮ）を挙げることが
できる。ＣＶＮとは、ＲＯＭ診断のために、予めＲＯＭ
内の全データから計算したサム値及び／又はパリティ値
である。
ル回転数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ、点火時期調整値ＡＤＪ
ＡＤＶ、イモビライザ暗号化キー等の他、キャリブレー
ションベリフィケーション値（ＣＶＮ）を挙げることが
できる。ＣＶＮとは、ＲＯＭ診断のために、予めＲＯＭ
内の全データから計算したサム値及び／又はパリティ値
である。
【００１９】また、各保存領域Ａ１〜Ａ１６の先頭アド
レスには、当該領域への書込みの有無を示す２バイトの
識別データの記憶部を具備させる。この識別データの記
憶部は、書込みを行わない状態では、ＦＦＨ（各ビット
が全て１）となっており、書込みを行ったときに、００
Ｈ（各ビットが全て０）が書込まれるようになってい
る。従って、図２の例では、第１保存領域Ａ１が書込み
済、第２保存領域Ａ２以降が未書込みである。
レスには、当該領域への書込みの有無を示す２バイトの
識別データの記憶部を具備させる。この識別データの記
憶部は、書込みを行わない状態では、ＦＦＨ（各ビット
が全て１）となっており、書込みを行ったときに、００
Ｈ（各ビットが全て０）が書込まれるようになってい
る。従って、図２の例では、第１保存領域Ａ１が書込み
済、第２保存領域Ａ２以降が未書込みである。
【００２０】図３及び図４は制御データ記憶用ブロック
の各保存領域内の制御データが更新される様子を示して
いる。図３の左側は初期状態であり、第１保存領域Ａ１
に、書換えを必要とする特定の制御データ群、例えばア
イドル回転数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ、点火時期調整値Ａ
ＤＪＡＤＶ等（但し、初期状態では、調整値は通常０；
補正なし）や、キャリブレーションベリフィケーション
値ＣＶＮの書込みがなされており、また、第１保存領域
Ａ１の先頭アドレスにある識別データ記憶部には、書込
み済であることを示す００Ｈが書込まれている。第２保
存領域Ａ２以降は未書込みである。
の各保存領域内の制御データが更新される様子を示して
いる。図３の左側は初期状態であり、第１保存領域Ａ１
に、書換えを必要とする特定の制御データ群、例えばア
イドル回転数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ、点火時期調整値Ａ
ＤＪＡＤＶ等（但し、初期状態では、調整値は通常０；
補正なし）や、キャリブレーションベリフィケーション
値ＣＶＮの書込みがなされており、また、第１保存領域
Ａ１の先頭アドレスにある識別データ記憶部には、書込
み済であることを示す００Ｈが書込まれている。第２保
存領域Ａ２以降は未書込みである。
【００２１】制御データを使用する際は、前記複数の保
存領域Ａ１〜Ａ１６のうち、識別データが００Ｈである
書込み済の領域であって、アドレス順で末尾の領域、こ
の場合は第１保存領域Ａ１から、制御データ（ＡＤＪＮ
ＳＥＴ，ＡＤＪＡＤＶ，・・・，ＣＶＮ）を読出して使
用する。この状態（図３の左側の状態）から、前記特定
の制御データ群のうち、少なくとも１つの制御データ
（例えばアイドル回転数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ）の更新
要求があると、前記複数の保存領域Ａ１〜Ａ１６のう
ち、識別データがＦＦＨである未書込みの領域であっ
て、アドレス順で先頭の領域、この場合は第２保存領域
Ａ２に、更新する制御データ（アイドル回転数調整値Ａ
ＤＪＮＳＥＴ）と、更新しない制御データ（点火時期調
整値ＡＤＪＡＤＶ等）とを含む前記特定の制御データ群
の全てを書込む。同時に、第２保存領域Ａ２の先頭アド
レスにある識別データ記憶部には、書込み済であること
を示す００Ｈを書込む。また、キャリブレーションベリ
フィケーション値ＣＶＮの記憶部には、更新後のＲＯＭ
内の全データに基づいて再計算したサム値及び／又はパ
リティ値をＣＶＮとして書込む。この結果、図３の右側
の状態となる。尚、＊付きは更新されたデータであるこ
とを示している。
存領域Ａ１〜Ａ１６のうち、識別データが００Ｈである
書込み済の領域であって、アドレス順で末尾の領域、こ
の場合は第１保存領域Ａ１から、制御データ（ＡＤＪＮ
ＳＥＴ，ＡＤＪＡＤＶ，・・・，ＣＶＮ）を読出して使
用する。この状態（図３の左側の状態）から、前記特定
の制御データ群のうち、少なくとも１つの制御データ
（例えばアイドル回転数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ）の更新
要求があると、前記複数の保存領域Ａ１〜Ａ１６のう
ち、識別データがＦＦＨである未書込みの領域であっ
て、アドレス順で先頭の領域、この場合は第２保存領域
Ａ２に、更新する制御データ（アイドル回転数調整値Ａ
ＤＪＮＳＥＴ）と、更新しない制御データ（点火時期調
整値ＡＤＪＡＤＶ等）とを含む前記特定の制御データ群
の全てを書込む。同時に、第２保存領域Ａ２の先頭アド
レスにある識別データ記憶部には、書込み済であること
を示す００Ｈを書込む。また、キャリブレーションベリ
フィケーション値ＣＶＮの記憶部には、更新後のＲＯＭ
内の全データに基づいて再計算したサム値及び／又はパ
リティ値をＣＶＮとして書込む。この結果、図３の右側
の状態となる。尚、＊付きは更新されたデータであるこ
とを示している。
【００２２】この後、制御データを使用する際は、前記
複数の保存領域Ａ１〜Ａ１６のうち、識別データが００
Ｈである書込み済の領域であって、アドレス順で末尾の
領域、この場合は第２保存領域Ａ２から、制御データ
（ＡＤＪＮＳＥＴ* ，ＡＤＪＡＤＶ，・・・，ＣＶＮ*
）を読出して使用する。この状態（図４の左側の状
態）から、前記特定の制御データ群のうち、少なくとも
１つの制御データ（例えば点火時期調整値ＡＤＪＡＤ
Ｖ）の更新要求があると、前記複数の保存領域Ａ１〜Ａ
１６のうち、識別データがＦＦＨである未書込みの領域
であって、アドレス順で先頭の領域、この場合は第３保
存領域Ａ３に、更新する制御データ（点火時期調整値Ａ
ＤＪＡＤＶ）と、更新しない制御データ（アイドル回転
数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ* 等）とを含む前記特定の制御
データ群の全てを書込む。同時に、第３保存領域Ａ３の
先頭アドレスにある識別データ記憶部には、書込み済で
あることを示す００Ｈを書込む。また、キャリブレーシ
ョンベリフィケーション値ＣＶＮの記憶部には、更新後
のＲＯＭ内の全データに基づいて再計算したサム値及び
／又はパリティ値をＣＶＮとして書込む。この結果、図
４の右側の状態となる。尚、＊＊付きは２回更新された
データであることを示している。
複数の保存領域Ａ１〜Ａ１６のうち、識別データが００
Ｈである書込み済の領域であって、アドレス順で末尾の
領域、この場合は第２保存領域Ａ２から、制御データ
（ＡＤＪＮＳＥＴ* ，ＡＤＪＡＤＶ，・・・，ＣＶＮ*
）を読出して使用する。この状態（図４の左側の状
態）から、前記特定の制御データ群のうち、少なくとも
１つの制御データ（例えば点火時期調整値ＡＤＪＡＤ
Ｖ）の更新要求があると、前記複数の保存領域Ａ１〜Ａ
１６のうち、識別データがＦＦＨである未書込みの領域
であって、アドレス順で先頭の領域、この場合は第３保
存領域Ａ３に、更新する制御データ（点火時期調整値Ａ
ＤＪＡＤＶ）と、更新しない制御データ（アイドル回転
数調整値ＡＤＪＮＳＥＴ* 等）とを含む前記特定の制御
データ群の全てを書込む。同時に、第３保存領域Ａ３の
先頭アドレスにある識別データ記憶部には、書込み済で
あることを示す００Ｈを書込む。また、キャリブレーシ
ョンベリフィケーション値ＣＶＮの記憶部には、更新後
のＲＯＭ内の全データに基づいて再計算したサム値及び
／又はパリティ値をＣＶＮとして書込む。この結果、図
４の右側の状態となる。尚、＊＊付きは２回更新された
データであることを示している。
【００２３】この後、制御データを使用する際は、前記
複数の保存領域Ａ１〜Ａ１６のうち、識別データが００
Ｈである書込み済の領域であって、アドレス順で末尾の
領域、この場合は第３保存領域Ａ３から、制御データ
（ＡＤＪＮＳＥＴ* ，ＡＤＪＡＤＶ* ，・・・，ＣＶＮ
**）を読出して使用する。図５は上記のようなメモリ書
換えのための制御フローを示している。
複数の保存領域Ａ１〜Ａ１６のうち、識別データが００
Ｈである書込み済の領域であって、アドレス順で末尾の
領域、この場合は第３保存領域Ａ３から、制御データ
（ＡＤＪＮＳＥＴ* ，ＡＤＪＡＤＶ* ，・・・，ＣＶＮ
**）を読出して使用する。図５は上記のようなメモリ書
換えのための制御フローを示している。
【００２４】ステップ１（図にはＳ１と記す。以下同
様）では、キーＯＮされたか否かを判定し、キーＯＮさ
れた場合にステップ２へ進む。ステップ２では、キーＯ
Ｎ時の周知の処理として、ＲＡＭの初期化、レジスタの
初期化を行う。ステップ３では、フラッシュメモリの制
御データ記憶用ブロック内の複数の保存領域Ａ１〜Ａ１
６の中から、制御データを読出す最新に書込みが行われ
た保存領域を判定する。
様）では、キーＯＮされたか否かを判定し、キーＯＮさ
れた場合にステップ２へ進む。ステップ２では、キーＯ
Ｎ時の周知の処理として、ＲＡＭの初期化、レジスタの
初期化を行う。ステップ３では、フラッシュメモリの制
御データ記憶用ブロック内の複数の保存領域Ａ１〜Ａ１
６の中から、制御データを読出す最新に書込みが行われ
た保存領域を判定する。
【００２５】具体的には、先ず制御用データ記憶用ブロ
ック（第１保存領域Ａ１）の先頭アドレスから識別デー
タを読出す。この結果、識別データが００Ｈであれば、
アドレスカウンタを８０Ｈ増加させて、次の保存領域
（第２保存領域Ａ２）の先頭アドレスから識別データを
読出す。この結果、図３の左側の例のように、第２保存
領域Ａ２の識別データがＦＦＨであれば、この第２保存
領域Ａ２は、未書込みであり、その前の第１保存領域Ａ
１が最新に書込みされた領域で、読出すべき領域である
と判定する。
ック（第１保存領域Ａ１）の先頭アドレスから識別デー
タを読出す。この結果、識別データが００Ｈであれば、
アドレスカウンタを８０Ｈ増加させて、次の保存領域
（第２保存領域Ａ２）の先頭アドレスから識別データを
読出す。この結果、図３の左側の例のように、第２保存
領域Ａ２の識別データがＦＦＨであれば、この第２保存
領域Ａ２は、未書込みであり、その前の第１保存領域Ａ
１が最新に書込みされた領域で、読出すべき領域である
と判定する。
【００２６】また、図４の左側の例のように、第２保存
領域Ａ２の識別データが００Ｈであれば、アドレスカウ
ンタを更に８０Ｈ増加させて、次の第３保存領域Ａ３の
先頭アドレスから識別データを読出す。この結果、識別
データがＦＦＨであれば、この第３保存領域Ａ３は、未
書込みであり、その前の第２保存領域Ａ２が最新に書込
みされた領域で、読出すべき領域であると判定する。
領域Ａ２の識別データが００Ｈであれば、アドレスカウ
ンタを更に８０Ｈ増加させて、次の第３保存領域Ａ３の
先頭アドレスから識別データを読出す。この結果、識別
データがＦＦＨであれば、この第３保存領域Ａ３は、未
書込みであり、その前の第２保存領域Ａ２が最新に書込
みされた領域で、読出すべき領域であると判定する。
【００２７】ステップ４では、ステップ３にて読出すべ
き領域と判定された保存領域より、制御データ（ＡＤＪ
ＮＳＥＴ，ＡＤＪＡＤＶ，・・・，ＣＶＮ）を読出し
て、ＲＡＭへストアする。ここで、ステップ３，４の部
分が制御データ読出し手段に相当する。ステップ５で
は、ＲＯＭ診断を実行する。ＲＯＭ診断は、ＲＯＭ内の
全データのサム値及び／又はパリティ値を算出し、これ
をステップ４で読出した制御データのうちのＣＶＮ（サ
ム値及び／又はパリティ値の期待値）と比較し、一致の
有無を診断するものである。ここで、一致した場合は、
ＲＯＭ診断ＯＫとして、ステップ６での通常時制御に移
行するが、一致しない場合は、ＲＯＭ診断ＮＧとして、
フェイルセーフモードに移行する（図示省略）。
き領域と判定された保存領域より、制御データ（ＡＤＪ
ＮＳＥＴ，ＡＤＪＡＤＶ，・・・，ＣＶＮ）を読出し
て、ＲＡＭへストアする。ここで、ステップ３，４の部
分が制御データ読出し手段に相当する。ステップ５で
は、ＲＯＭ診断を実行する。ＲＯＭ診断は、ＲＯＭ内の
全データのサム値及び／又はパリティ値を算出し、これ
をステップ４で読出した制御データのうちのＣＶＮ（サ
ム値及び／又はパリティ値の期待値）と比較し、一致の
有無を診断するものである。ここで、一致した場合は、
ＲＯＭ診断ＯＫとして、ステップ６での通常時制御に移
行するが、一致しない場合は、ＲＯＭ診断ＮＧとして、
フェイルセーフモードに移行する（図示省略）。
【００２８】ステップ６で通常時制御を行っているとき
は、同時にステップ７にて、制御データの更新要求があ
るか否かをチェックしている。制御データの更新要求
は、車載のマイコンに、メモリ書換装置を接続して、人
為的に所定の操作を行ったときに生じるものである。制
御データの更新要求がない限り、また、ステップ１２に
てキーＯＦＦが検出されない限り、ステップ６での通常
時制御が続行される。
は、同時にステップ７にて、制御データの更新要求があ
るか否かをチェックしている。制御データの更新要求
は、車載のマイコンに、メモリ書換装置を接続して、人
為的に所定の操作を行ったときに生じるものである。制
御データの更新要求がない限り、また、ステップ１２に
てキーＯＦＦが検出されない限り、ステップ６での通常
時制御が続行される。
【００２９】通常時制御中に制御データの更新要求があ
った場合は、ステップ７での判定に基づき、ステップ８
以降へ進む。ステップ８では、フラッシュメモリの制御
データ記憶用ブロック内の複数の保存領域の中から、制
御データを更新して新たに書込むべき未書込みの保存領
域を判定する。これは、フラッシュメモリの制御データ
記憶用ブロックの空き状況のチェックを兼ねる。
った場合は、ステップ７での判定に基づき、ステップ８
以降へ進む。ステップ８では、フラッシュメモリの制御
データ記憶用ブロック内の複数の保存領域の中から、制
御データを更新して新たに書込むべき未書込みの保存領
域を判定する。これは、フラッシュメモリの制御データ
記憶用ブロックの空き状況のチェックを兼ねる。
【００３０】具体的には、前記と同様に、先ず制御用デ
ータ記憶用ブロック（第１保存領域Ａ１）の先頭アドレ
スから識別データを読出す。この結果、識別データが０
０Ｈであれば、アドレスカウンタを８０Ｈ増加させて、
次の保存領域（第２保存領域Ａ２）の先頭アドレスから
識別データを読出す。この結果、図３の左側の例のよう
に、第２保存領域Ａ２の識別データがＦＦＨであれば、
この第２保存領域Ａ２は、未書込みであり、この第２保
存領域Ａ２が書込むべき領域であると判定する。この場
合は、１／１６が書込み済であり、１５／１６が未書込
みであることになり、かかる空き状況をメモリ書換装置
側に出力して、モニタ手段としての表示用ディスプレイ
に表示させる。
ータ記憶用ブロック（第１保存領域Ａ１）の先頭アドレ
スから識別データを読出す。この結果、識別データが０
０Ｈであれば、アドレスカウンタを８０Ｈ増加させて、
次の保存領域（第２保存領域Ａ２）の先頭アドレスから
識別データを読出す。この結果、図３の左側の例のよう
に、第２保存領域Ａ２の識別データがＦＦＨであれば、
この第２保存領域Ａ２は、未書込みであり、この第２保
存領域Ａ２が書込むべき領域であると判定する。この場
合は、１／１６が書込み済であり、１５／１６が未書込
みであることになり、かかる空き状況をメモリ書換装置
側に出力して、モニタ手段としての表示用ディスプレイ
に表示させる。
【００３１】また、図４の左側の例のように、第２保存
領域Ａ２の識別データが００Ｈであれば、アドレスカウ
ンタを更に８０Ｈ増加させて、次の第３保存領域Ａ３の
先頭アドレスから識別データを読出す。この結果、識別
データがＦＦＨであれば、この第３保存領域Ａ３は、未
書込みであり、この第３保存領域Ａ３が書込むべき領域
であると判定する。この場合は、２／１６が書込み済で
あり、１４／１６が未書込みであることになり、かかる
空き状況をメモリ書換装置側に出力して、モニタ手段と
しての表示用ディスプレイに表示させる。
領域Ａ２の識別データが００Ｈであれば、アドレスカウ
ンタを更に８０Ｈ増加させて、次の第３保存領域Ａ３の
先頭アドレスから識別データを読出す。この結果、識別
データがＦＦＨであれば、この第３保存領域Ａ３は、未
書込みであり、この第３保存領域Ａ３が書込むべき領域
であると判定する。この場合は、２／１６が書込み済で
あり、１４／１６が未書込みであることになり、かかる
空き状況をメモリ書換装置側に出力して、モニタ手段と
しての表示用ディスプレイに表示させる。
【００３２】ステップ９では、上記の空き状況より、空
きの有無を判定し、空き無しの場合（１６／１６が書込
み済の場合）は、ステップ１０へ進んで、更新不能であ
る旨をメモリ書換装置側に出力して、モニタ手段として
の表示用ディスプレイに表示させた後、ステップ１２で
キーＯＦＦを検出しないかぎり、ステップ６での通常時
制御に戻る。
きの有無を判定し、空き無しの場合（１６／１６が書込
み済の場合）は、ステップ１０へ進んで、更新不能であ
る旨をメモリ書換装置側に出力して、モニタ手段として
の表示用ディスプレイに表示させた後、ステップ１２で
キーＯＦＦを検出しないかぎり、ステップ６での通常時
制御に戻る。
【００３３】空き有りの場合は、ステップ１１へ進む。
ステップ１１では、制御データの更新要求に基づいて、
新しい制御データを計算する。例えば、アイドル回転数
の調整要求に対し、新しいアイドル回転数調整値ＡＤＪ
ＮＳＥＴを算出したり、点火時期の調整要求に対し、新
しい点火時期調整値ＡＤＪＡＤＶを算出したりする。
ステップ１１では、制御データの更新要求に基づいて、
新しい制御データを計算する。例えば、アイドル回転数
の調整要求に対し、新しいアイドル回転数調整値ＡＤＪ
ＮＳＥＴを算出したり、点火時期の調整要求に対し、新
しい点火時期調整値ＡＤＪＡＤＶを算出したりする。
【００３４】そして、キーＯＦＦ後に更新を実行するた
め、また、更新する制御データと更新しない制御データ
とを含む新しい制御データ群の全てを一時的にＲＡＭに
ストアする。この新制御データ群には、書込み済を示す
００Ｆの識別データを含んでいる。また、更新による新
たな領域への書込みにより、キャリブレーションベリフ
ィケーション値ＣＶＮを変更しなければならないので、
更新後した場合のＲＯＭ内の全データに基づくサム値及
び／又はパリティ値として新たなＣＶＮを算出し、この
ＣＶＮも新制御データ群に含める。
め、また、更新する制御データと更新しない制御データ
とを含む新しい制御データ群の全てを一時的にＲＡＭに
ストアする。この新制御データ群には、書込み済を示す
００Ｆの識別データを含んでいる。また、更新による新
たな領域への書込みにより、キャリブレーションベリフ
ィケーション値ＣＶＮを変更しなければならないので、
更新後した場合のＲＯＭ内の全データに基づくサム値及
び／又はパリティ値として新たなＣＶＮを算出し、この
ＣＶＮも新制御データ群に含める。
【００３５】そして、キーＯＦＦ後の更新実行を指示す
るため、更新要求フラグを１にセットする。この後は、
ステップ１２でキーＯＦＦを検出しないかぎり、ステッ
プ６での通常時制御に戻る。ステップ１２にてキーＯＦ
Ｆが検出された場合は、ステップ１３へ進む。ステップ
１３では、更新要求フラグが１にセットされているか否
かを判定し、更新要求フラグ＝０の場合は、本フローを
終了する。
るため、更新要求フラグを１にセットする。この後は、
ステップ１２でキーＯＦＦを検出しないかぎり、ステッ
プ６での通常時制御に戻る。ステップ１２にてキーＯＦ
Ｆが検出された場合は、ステップ１３へ進む。ステップ
１３では、更新要求フラグが１にセットされているか否
かを判定し、更新要求フラグ＝０の場合は、本フローを
終了する。
【００３６】更新要求フラグ＝１の場合は、ステップ１
４へ進む。ステップ１４では、更新を実行する。すなわ
ち、ステップ８にて制御データを書込む保存領域として
判定された保存領域（図３の例では第２保存領域Ａ２、
図４の例では第３保存領域Ａ３）に、ステップ１１にて
ＲＡＭに一時的にストアしてある新制御データ群を書込
んで、本フローを終了する。このとき、書込んだ保存領
域の先頭アドレスにある識別データ記憶部は、書込み済
であることを示す００Ｈとなる。
４へ進む。ステップ１４では、更新を実行する。すなわ
ち、ステップ８にて制御データを書込む保存領域として
判定された保存領域（図３の例では第２保存領域Ａ２、
図４の例では第３保存領域Ａ３）に、ステップ１１にて
ＲＡＭに一時的にストアしてある新制御データ群を書込
んで、本フローを終了する。このとき、書込んだ保存領
域の先頭アドレスにある識別データ記憶部は、書込み済
であることを示す００Ｈとなる。
【００３７】ここで、ステップ７，８，１１，１４の部
分が制御データ書込み手段に相当する。
分が制御データ書込み手段に相当する。
【図１】 本発明の一実施形態を示すシステム図
【図２】 フラッシュメモリのデータ割付けを示す図
【図３】 制御データが更新される様子を示す図
【図４】 制御データが更新される様子を示す図
【図５】 メモリ書換えのためのフローチャート
１ 車両制御用マイコン ２ ＣＰＵ ３ フラッシュメモリ（ＦＬＡＳＨ ＥＥＰＲＯＭ） ４ ＲＡＭ ５ Ｉ／Ｏ ６ 通信Ｉ／Ｆ ７ コレクタ ８ メモリ書換装置（電子システム診断テスター） ８ａ 表示用ディスプレー
Claims (5)
- 【請求項１】書換えを必要とする特定の制御データ群の
保存に、書換え可能な不揮発性メモリとして、フラッシ
ュメモリを用いる電子制御装置の制御データ記憶装置に
おいて、 フラッシュメモリの１ブロック内に、前記特定の制御デ
ータ群を書込むことのできる大きさの保存領域をアドレ
ス順に複数設定する一方、 前記特定の制御データ群の使用時に、前記複数の保存領
域のうち、書込み済の領域で、かつそのうちアドレス順
で末尾の領域から、前記特定の制御データ群を読出す制
御データ読出し手段と、 前記特定の制御データ群のうち少なくとも１つの制御デ
ータの更新時に、前記複数の保存領域のうち、未書込み
の領域で、かつそのうちアドレス順で先頭の領域に、更
新する制御データを書込む制御データ書込み手段と、 を設けたことを特徴とする電子制御装置の制御データ記
憶装置。 - 【請求項２】前記複数の保存領域のそれぞれに、当該領
域への書込みの有無を示す識別データの記憶部を具備さ
せ、この識別データを読出して、制御データを読出す保
存領域及び制御データを書込む保存領域を判定すること
を特徴とする請求項１記載の電子制御装置の制御データ
記憶装置。 - 【請求項３】前記特定の制御データ群に、フラッシュメ
モリの診断のため該メモリ内の全データに基づいて計算
されるキャリブレーションベリフィケーション値を含
み、制御データの更新時に、キャリブレーションベリフ
ィケーション値を更新することを特徴とする請求項１又
は請求項２記載の電子制御装置の制御データ記憶装置。 - 【請求項４】前記複数の保存領域について、書込み済の
領域と未書込みの領域とを調査し、空き状況を外部のモ
ニタ手段に出力することを特徴とする請求項１〜請求項
３のいずれか１つに記載の電子制御装置の制御データ記
憶装置。 - 【請求項５】前記複数の保存領域について、書込み済の
領域と未書込みの領域とを調査し、未書込みの領域がな
いときにその旨を外部のモニタ手段に出力することを特
徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の電
子制御装置の制御データ記憶装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000270855A JP3726663B2 (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 電子制御装置の制御データ記憶装置 |
| US09/927,352 US6598114B2 (en) | 2000-09-07 | 2001-08-13 | Electronic control unit including flash memory and method and apparatus for storing control data group into flash memory |
| EP01120100A EP1187143A3 (en) | 2000-09-07 | 2001-08-21 | Electronic control unit including flash memory and method and apparatus for storing a control data group into flash memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000270855A JP3726663B2 (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 電子制御装置の制御データ記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002082841A true JP2002082841A (ja) | 2002-03-22 |
| JP3726663B2 JP3726663B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=18757225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000270855A Expired - Fee Related JP3726663B2 (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 電子制御装置の制御データ記憶装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6598114B2 (ja) |
| EP (1) | EP1187143A3 (ja) |
| JP (1) | JP3726663B2 (ja) |
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