JPH05217712A - チツプ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
チツプ型サーミスタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05217712A JPH05217712A JP4018790A JP1879092A JPH05217712A JP H05217712 A JPH05217712 A JP H05217712A JP 4018790 A JP4018790 A JP 4018790A JP 1879092 A JP1879092 A JP 1879092A JP H05217712 A JPH05217712 A JP H05217712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- upper electrode
- resistance value
- insulating substrate
- thermistor body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高精度での電極及びサーミスタ体の印刷の必
要性がなく、量産効果も高い、しかも経時変化が小さ
く、信頼性の高いサーミスタを提供することを目的とす
る。 【構成】 所定大きさの絶縁基板１０上の第１層に下部
電極１１，１２を形成する下部電極形成工程と、少なく
とも前記下部電極の一部上を含む前記絶縁基板１０上の
第２層にサーミスタ体２３を形成するサーミスタ体形成
工程と、少なくとも前記下部電極上に形成されたサーミ
スタ体２３の一部上を含む前記絶縁基板１０上の第３層
にやや大きめの上部電極２２を形成する上部電極形成工
程と、サーミスタ体２３が所定抵抗値と成るよう前記サ
ーミスタ体１０上の前記上部電極２２の一部を切削する
トリミング工程とにより製造されることを特徴とするサ
ーミスタ。
要性がなく、量産効果も高い、しかも経時変化が小さ
く、信頼性の高いサーミスタを提供することを目的とす
る。 【構成】 所定大きさの絶縁基板１０上の第１層に下部
電極１１，１２を形成する下部電極形成工程と、少なく
とも前記下部電極の一部上を含む前記絶縁基板１０上の
第２層にサーミスタ体２３を形成するサーミスタ体形成
工程と、少なくとも前記下部電極上に形成されたサーミ
スタ体２３の一部上を含む前記絶縁基板１０上の第３層
にやや大きめの上部電極２２を形成する上部電極形成工
程と、サーミスタ体２３が所定抵抗値と成るよう前記サ
ーミスタ体１０上の前記上部電極２２の一部を切削する
トリミング工程とにより製造されることを特徴とするサ
ーミスタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチツプ型サーミスタ及び
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の小型・軽量化の要請より、使用さ
れる電気部品も小型化してきている。従来のこの種のサ
ーミスタは厚膜グレーズチツプ型のものであり、抵抗値
のばらつきが大きく抵抗値調整工程が避けられない。従
来の抵抗値調整工程におけるサーミスタ体のもつ比抵抗
の調整は、電極を形成する際に、予想される完成時の抵
抗値より割り出した電極形成面積を算出し、絶縁基板上
に印刷等で電極パターンを形成する時の印刷パターンの
面積を増減して行つていた。
れる電気部品も小型化してきている。従来のこの種のサ
ーミスタは厚膜グレーズチツプ型のものであり、抵抗値
のばらつきが大きく抵抗値調整工程が避けられない。従
来の抵抗値調整工程におけるサーミスタ体のもつ比抵抗
の調整は、電極を形成する際に、予想される完成時の抵
抗値より割り出した電極形成面積を算出し、絶縁基板上
に印刷等で電極パターンを形成する時の印刷パターンの
面積を増減して行つていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
抵抗値調整工程だけでは、電極パターンの印刷時の印刷
位置のずれ、にじみ、かすれ、膜厚のばらつき、及び焼
結温度の影響により、抵抗値のばらつきが大きく、印刷
精度を上げても限界があつた。たとえば、プラスマイナ
ス２０％程度のばらつきは避けられなかつた。
抵抗値調整工程だけでは、電極パターンの印刷時の印刷
位置のずれ、にじみ、かすれ、膜厚のばらつき、及び焼
結温度の影響により、抵抗値のばらつきが大きく、印刷
精度を上げても限界があつた。たとえば、プラスマイナ
ス２０％程度のばらつきは避けられなかつた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決することを目的としてなされたもので、上述の課題
を解決する一手段として以下の構成を備える。即ち、所
定大きさの絶縁基板と、該絶縁基板上の第１層に形成さ
れた下部電極と、前記絶縁基板上の第２層に形成された
サーミスタ体と、前記絶縁基板上の第３層に形成された
やや大きめの上部電極とを含むチツプ型サーミスタであ
つて、サーミスタ抵抗値調整は、前記上部電極の少なく
とも一部を切削することにより行なう。
解決することを目的としてなされたもので、上述の課題
を解決する一手段として以下の構成を備える。即ち、所
定大きさの絶縁基板と、該絶縁基板上の第１層に形成さ
れた下部電極と、前記絶縁基板上の第２層に形成された
サーミスタ体と、前記絶縁基板上の第３層に形成された
やや大きめの上部電極とを含むチツプ型サーミスタであ
つて、サーミスタ抵抗値調整は、前記上部電極の少なく
とも一部を切削することにより行なう。
【０００５】そして、例えば、絶縁基板はアルミナ基
板、電極は銀−パラジウム系厚膜グレーズであり、サー
ミスタ体はＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体
としたグレーズとする。
板、電極は銀−パラジウム系厚膜グレーズであり、サー
ミスタ体はＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体
としたグレーズとする。
【０００６】
【作用】以上の構成において、電極間に挟まれたサーミ
スタ体に殆ど影響をあたえることなく所望の抵抗値への
高精度での抵抗値調整ができるため、経時変化が小さ
く、信頼性の高いサーミスタが提供できる。更に、この
場合にも、後での抵抗値調整が可能なため、高精度での
電極及びサーミスタ体の印刷の必要性がなく、量産効果
も高まる。また、という優れた効果も同時に達成でき
る。
スタ体に殆ど影響をあたえることなく所望の抵抗値への
高精度での抵抗値調整ができるため、経時変化が小さ
く、信頼性の高いサーミスタが提供できる。更に、この
場合にも、後での抵抗値調整が可能なため、高精度での
電極及びサーミスタ体の印刷の必要性がなく、量産効果
も高まる。また、という優れた効果も同時に達成でき
る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る一実施例
を詳細に説明する。図１乃至図５は本発明に係る一実施
例を説明するための図であり、図１は本発明に係る一実
施例の構成を示す断面図、図２は本実施例の製造工程
図、図３は本実施例の下部電極形成状態を示す断面図、
図４は本実施例のサーミスタ体を形成した状態を示す断
面図、図５は本実施例の完成状態を示す図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
を詳細に説明する。図１乃至図５は本発明に係る一実施
例を説明するための図であり、図１は本発明に係る一実
施例の構成を示す断面図、図２は本実施例の製造工程
図、図３は本実施例の下部電極形成状態を示す断面図、
図４は本実施例のサーミスタ体を形成した状態を示す断
面図、図５は本実施例の完成状態を示す図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
【０００８】図１において、１０は絶縁基板であるアル
ミナ基板であり、本実施例ではアルミナ９６％の焼結体
となつている。１１及び２１はアルミナ基板１０上に配
設された下部電極パターンであり、１１はアルミナ基板
１０の一方端部より他方端部方向に、アルミナ基板１０
の全幅に渡つて断面図で示す箇所まで配設された下部電
極、２１はアルミナ基板１０の他方端部よりアルミナ基
板１０の全幅に渡つて所定幅配設された上部電極２２を
接続する上部電極リード部である。
ミナ基板であり、本実施例ではアルミナ９６％の焼結体
となつている。１１及び２１はアルミナ基板１０上に配
設された下部電極パターンであり、１１はアルミナ基板
１０の一方端部より他方端部方向に、アルミナ基板１０
の全幅に渡つて断面図で示す箇所まで配設された下部電
極、２１はアルミナ基板１０の他方端部よりアルミナ基
板１０の全幅に渡つて所定幅配設された上部電極２２を
接続する上部電極リード部である。
【０００９】また、２２は上部電極リード部２１に電気
的に接続され、サーミスタ体２３上面に電気的接続状態
を保持するように、所定幅所定長さ配設された上部電
極、２３はサーミスタ体である。本実施例では、後述す
るように、必要に応じて適時この上部電極２２のサーミ
スタ体２３上面端部の切削（トリミング）を行い、サー
ミスタ抵抗値を所望の値に調整している。
的に接続され、サーミスタ体２３上面に電気的接続状態
を保持するように、所定幅所定長さ配設された上部電
極、２３はサーミスタ体である。本実施例では、後述す
るように、必要に応じて適時この上部電極２２のサーミ
スタ体２３上面端部の切削（トリミング）を行い、サー
ミスタ抵抗値を所望の値に調整している。
【００１０】本実施例では、この電極としては、銀−パ
ラジウム系厚膜グレーズを用いて、また、サーミスタ体
はＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体とした厚
膜グレーズを用いている。そして、このグレーズを加熱
焼成している。以下、以上の構成よりなる本実施例のチ
ツプ型サーミスタの製造方法を、図２の工程図、及び図
３〜図５を参照して説明する。
ラジウム系厚膜グレーズを用いて、また、サーミスタ体
はＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体とした厚
膜グレーズを用いている。そして、このグレーズを加熱
焼成している。以下、以上の構成よりなる本実施例のチ
ツプ型サーミスタの製造方法を、図２の工程図、及び図
３〜図５を参照して説明する。
【００１１】尚、以下の説明は１つのサーミスタのみを
製造する場合に限られるものではなく、複数のサーミス
タを同時に多数製造できることは勿論である。そして、
最終工程で各１つのサーミスタに分離すればよい。ま
ず、図２に示す工程１でアルミナ基板１０を所定大きさ
に形成するアルミナ基板製造工程を実行し、所定製造単
位の大きさのアルミナ基板を製作する。この単位は、任
意の大きさであり、１つのサーミスタ毎に作成しても、
例えば数十個同時に作成してもよく、それぞれの場合に
即して製作すればよい。
製造する場合に限られるものではなく、複数のサーミス
タを同時に多数製造できることは勿論である。そして、
最終工程で各１つのサーミスタに分離すればよい。ま
ず、図２に示す工程１でアルミナ基板１０を所定大きさ
に形成するアルミナ基板製造工程を実行し、所定製造単
位の大きさのアルミナ基板を製作する。この単位は、任
意の大きさであり、１つのサーミスタ毎に作成しても、
例えば数十個同時に作成してもよく、それぞれの場合に
即して製作すればよい。
【００１２】続いて、工程２で、アルミナ基板１０の上
面に、図３に示す如き、下部電極の電極パターンを形成
する。本実施例では、上述したようにアルミナ基板１０
の一方端部より他方端部方向に、アルミナ基板１０の全
幅に渡つて断面図で示す箇所まで配設された下部電極１
１、アルミナ基板１０の他方端部よりアルミナ基板１０
の全幅に渡つて所定幅配設された上部電極リード部２１
をそれぞれ印刷／エツチング等の方法でアルミナ基板１
０上に形成する。そして、例えば８５０°Ｃで約十分間
加熱焼成して電極を形成する下部電極形成工程を実行す
る。この下部電極形成工程実行後の状態を図３に示す。
なお、以下の各工程毎の状態図は、それぞれ単独の１つ
のチツプのみを示すが、複数チツプを同時に形成等する
場合においても同様である。
面に、図３に示す如き、下部電極の電極パターンを形成
する。本実施例では、上述したようにアルミナ基板１０
の一方端部より他方端部方向に、アルミナ基板１０の全
幅に渡つて断面図で示す箇所まで配設された下部電極１
１、アルミナ基板１０の他方端部よりアルミナ基板１０
の全幅に渡つて所定幅配設された上部電極リード部２１
をそれぞれ印刷／エツチング等の方法でアルミナ基板１
０上に形成する。そして、例えば８５０°Ｃで約十分間
加熱焼成して電極を形成する下部電極形成工程を実行す
る。この下部電極形成工程実行後の状態を図３に示す。
なお、以下の各工程毎の状態図は、それぞれ単独の１つ
のチツプのみを示すが、複数チツプを同時に形成等する
場合においても同様である。
【００１３】そして、工程３でこのようにして形成した
下部電極パターン１１，２１上に印刷等でサーミスタ体
２３を形成し、これを例えば８５０°Ｃで約十分間加熱
焼成するサーミスタ体形成工程を実行する。このサーミ
スタ体を形成した状態を図４に示す。図において、２３
がサーミスタ体である。本実施例では、このサーミスタ
体２３は、下部電極パターン１１，２１の両端部より一
定幅を残してアルミナ基板１０の全幅に渡つて形成して
いる。しかし、この形成面積は、サーミスタの抵抗値に
対応した面積とすればよく、中央部近傍であつても良
い。
下部電極パターン１１，２１上に印刷等でサーミスタ体
２３を形成し、これを例えば８５０°Ｃで約十分間加熱
焼成するサーミスタ体形成工程を実行する。このサーミ
スタ体を形成した状態を図４に示す。図において、２３
がサーミスタ体である。本実施例では、このサーミスタ
体２３は、下部電極パターン１１，２１の両端部より一
定幅を残してアルミナ基板１０の全幅に渡つて形成して
いる。しかし、この形成面積は、サーミスタの抵抗値に
対応した面積とすればよく、中央部近傍であつても良
い。
【００１４】続いて工程４で、上部電極用リード部２１
のサーミスタ体２３非形成面よりサーミスタ体２３の表
面を覆うようにアルミナ基板１０の一方端部方向に所定
幅で所定長さ延出するように印刷／エツチング等の方法
で形成する。そして例えば８５０°Ｃで約十分間加熱焼
成して上部電極２２を形成する上部電極形成工程を実行
する。これにより下部電極１１と上部電極２２間には抵
抗値が出現するが、本実施例では目標とする抵抗値より
この時に出現する抵抗値が低めになるように予め上部電
極２２の形成電極面積を大きめに形成する。
のサーミスタ体２３非形成面よりサーミスタ体２３の表
面を覆うようにアルミナ基板１０の一方端部方向に所定
幅で所定長さ延出するように印刷／エツチング等の方法
で形成する。そして例えば８５０°Ｃで約十分間加熱焼
成して上部電極２２を形成する上部電極形成工程を実行
する。これにより下部電極１１と上部電極２２間には抵
抗値が出現するが、本実施例では目標とする抵抗値より
この時に出現する抵抗値が低めになるように予め上部電
極２２の形成電極面積を大きめに形成する。
【００１５】なお、上述した例では、電極１１，２１，
２３の焼成及びサーミスタ体２３の焼成を各工程毎に、
それぞれ別個に行う例を示したが、本実施例はこの例に
限るものではなく、各形成工程では焼成を行わず、上部
電極パターンを印刷等で形成後に一括して焼成しても、
任意の２つをまとめて焼成してもよい。そして工程５で
以上の様にして形成したサーミスタチツプの抵抗値が所
定の抵抗値となるように、上部電極２２の端部を必要量
切削する上部電極切削工程を実行する。サーミスタチツ
プの抵抗値は、下部電極１１と上部電極２２とに挟まれ
たサーミスタ体２３の大きさにより定まり、この両電極
１１，２２の重なり合う部分の面積を（Ｓ）、この部分
のサーミスタ体２３の膜厚を（ｔ）、サーミスタ体の比
抵抗を（ρ）とすると、得られる抵抗値Ｒは、Ｒ＝ρ
（ｔ／Ｓ）となる。従つて、初めに初期抵抗値を測定し
ておき、切削する面積を計算で割り出して実際の切削大
きさを求め、この求めた量だけ上部電極２２の端部を切
削することにより、上記の（Ｓ）を小さくすることがで
き、所望の抵抗値とできる。
２３の焼成及びサーミスタ体２３の焼成を各工程毎に、
それぞれ別個に行う例を示したが、本実施例はこの例に
限るものではなく、各形成工程では焼成を行わず、上部
電極パターンを印刷等で形成後に一括して焼成しても、
任意の２つをまとめて焼成してもよい。そして工程５で
以上の様にして形成したサーミスタチツプの抵抗値が所
定の抵抗値となるように、上部電極２２の端部を必要量
切削する上部電極切削工程を実行する。サーミスタチツ
プの抵抗値は、下部電極１１と上部電極２２とに挟まれ
たサーミスタ体２３の大きさにより定まり、この両電極
１１，２２の重なり合う部分の面積を（Ｓ）、この部分
のサーミスタ体２３の膜厚を（ｔ）、サーミスタ体の比
抵抗を（ρ）とすると、得られる抵抗値Ｒは、Ｒ＝ρ
（ｔ／Ｓ）となる。従つて、初めに初期抵抗値を測定し
ておき、切削する面積を計算で割り出して実際の切削大
きさを求め、この求めた量だけ上部電極２２の端部を切
削することにより、上記の（Ｓ）を小さくすることがで
き、所望の抵抗値とできる。
【００１６】この上部電極切削工程実行後の状態を図５
に示す。図５において、１２がサーミスタ体２３の下部
に配設された下部電極、３０に示す箇所が上部電極の切
削部分である。なお、この切削工程５をレーザトリミン
グで行う場合には、切削時の発熱に対する対策を施すこ
とが望ましい。例えば、温度の低い空気を吹きつける事
により、全体を冷却させて熱の影響を防げばよい。
に示す。図５において、１２がサーミスタ体２３の下部
に配設された下部電極、３０に示す箇所が上部電極の切
削部分である。なお、この切削工程５をレーザトリミン
グで行う場合には、切削時の発熱に対する対策を施すこ
とが望ましい。例えば、温度の低い空気を吹きつける事
により、全体を冷却させて熱の影響を防げばよい。
【００１７】そして、次に工程６で、必要に応じてサー
ミスタを１つのチツプ毎に分離成形する。例えば、同時
に多数のサーミスタを一括製作した場合には、ここで、
個々のチツプ毎に分離成形し、１つのチツプ毎に製作し
た場合には周辺部の整形等を行う。この様にして製作し
た本実施例のチツプサーミスタは、例えば、略幅１．２
３ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、略長さ２．０ｍｍプ
ラスマイナス０．１ｍｍ、アルミナ基板１０の厚さ略
０．５ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、電極部の厚さ略
１０μｍプラスマイナス２μｍ、サーミスタ体２３の厚
さ略４０μｍプラスマイナス５μｍに形成する。或い
は、他の例として、例えば、略幅１．６ｍｍプラスマイ
ナス０．１ｍｍ、略長さ３．２ｍｍプラスマイナス０．
１ｍｍ、アルミナ基板１０の厚さ略０．６ｍｍプラスマ
イナス０．１ｍｍ、電極部の厚さ略１０μｍプラスマイ
ナス２μｍ、サーミスタ体２３の厚さ略４０μｍプラス
マイナス５μｍに形成する。
ミスタを１つのチツプ毎に分離成形する。例えば、同時
に多数のサーミスタを一括製作した場合には、ここで、
個々のチツプ毎に分離成形し、１つのチツプ毎に製作し
た場合には周辺部の整形等を行う。この様にして製作し
た本実施例のチツプサーミスタは、例えば、略幅１．２
３ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、略長さ２．０ｍｍプ
ラスマイナス０．１ｍｍ、アルミナ基板１０の厚さ略
０．５ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、電極部の厚さ略
１０μｍプラスマイナス２μｍ、サーミスタ体２３の厚
さ略４０μｍプラスマイナス５μｍに形成する。或い
は、他の例として、例えば、略幅１．６ｍｍプラスマイ
ナス０．１ｍｍ、略長さ３．２ｍｍプラスマイナス０．
１ｍｍ、アルミナ基板１０の厚さ略０．６ｍｍプラスマ
イナス０．１ｍｍ、電極部の厚さ略１０μｍプラスマイ
ナス２μｍ、サーミスタ体２３の厚さ略４０μｍプラス
マイナス５μｍに形成する。
【００１８】本実施例では、トリミング処理を施して抵
抗値の調整を行うため、抵抗値のバラツキを略プラスマ
イナス五％以内に抑えることができる。また、電極間に
挟まれたサーミスタ体２３に殆ど影響をあたえることな
く抵抗値調整ができるため、経時変化が小さく、信頼性
の高いサーミスタが提供できる。更に、この場合にも、
後での抵抗値調整が可能なため、高精度での電極及びサ
ーミスタ体の印刷の必要性がなく、量産効果も高まる。
抗値の調整を行うため、抵抗値のバラツキを略プラスマ
イナス五％以内に抑えることができる。また、電極間に
挟まれたサーミスタ体２３に殆ど影響をあたえることな
く抵抗値調整ができるため、経時変化が小さく、信頼性
の高いサーミスタが提供できる。更に、この場合にも、
後での抵抗値調整が可能なため、高精度での電極及びサ
ーミスタ体の印刷の必要性がなく、量産効果も高まる。
【００１９】〔他の実施例〕以上の説明においては、レ
ーザトリミングで切削を行う場合に、温度の低い空気等
を吹きつけてトリミング時の発熱による影響を防いでい
たが、この発熱に対する対処は以上の例に限定されるも
のではなく、何らかの方法で温度を下げたり、温度の影
響を軽減できる方法であれば、あらゆる方法を適用可能
なことは勿論である。
ーザトリミングで切削を行う場合に、温度の低い空気等
を吹きつけてトリミング時の発熱による影響を防いでい
たが、この発熱に対する対処は以上の例に限定されるも
のではなく、何らかの方法で温度を下げたり、温度の影
響を軽減できる方法であれば、あらゆる方法を適用可能
なことは勿論である。
【００２０】例えば、工程４で上部電極２２を形成した
後に、該上部電極２３の上に黒色絶縁層を例えば保護コ
ートとして使われる鉛ガラスグレーズ等で形成する工程
を付加し、該黒色絶縁層形成後の上部電極に対してレー
ザトリミングにより切削箇所より切断させる方法が効率
よく所望の抵抗値が得られる。即ち、黒色絶縁層を形成
することにより、レーザ光の吸収性を良くする（大幅に
上げる）ことができ、熱の影響なく瞬時に切削、又は切
断できる。この場合には、空気吹きつけ等の特別の冷却
機構を不必要としながら、熱の影響を防ぐことができ、
更に量産効果を上げることができる。又、この場合に
は、同時に絶縁コートも行うことができるという優れた
効果も同時に達成できる。
後に、該上部電極２３の上に黒色絶縁層を例えば保護コ
ートとして使われる鉛ガラスグレーズ等で形成する工程
を付加し、該黒色絶縁層形成後の上部電極に対してレー
ザトリミングにより切削箇所より切断させる方法が効率
よく所望の抵抗値が得られる。即ち、黒色絶縁層を形成
することにより、レーザ光の吸収性を良くする（大幅に
上げる）ことができ、熱の影響なく瞬時に切削、又は切
断できる。この場合には、空気吹きつけ等の特別の冷却
機構を不必要としながら、熱の影響を防ぐことができ、
更に量産効果を上げることができる。又、この場合に
は、同時に絶縁コートも行うことができるという優れた
効果も同時に達成できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、電極
間に挟まれたサーミスタ体に殆ど影響をあたえることな
く所望の抵抗値への高精度での抵抗値調整ができるた
め、経時変化が小さく、信頼性の高いサーミスタが提供
できる。更に、この場合にも、後での抵抗値調整が可能
なため、高精度での電極及びサーミスタ体の印刷の必要
性がなく、量産効果も高まる。また、という優れた効果
も同時に達成できる。
間に挟まれたサーミスタ体に殆ど影響をあたえることな
く所望の抵抗値への高精度での抵抗値調整ができるた
め、経時変化が小さく、信頼性の高いサーミスタが提供
できる。更に、この場合にも、後での抵抗値調整が可能
なため、高精度での電極及びサーミスタ体の印刷の必要
性がなく、量産効果も高まる。また、という優れた効果
も同時に達成できる。
【図１】本発明に係る一実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本実施例の製造工程図である。
【図３】本実施例の下部電極形成状態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本実施例のサーミスタ体を形成した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本実施例の完成状態の例を示す図であり、
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
１０ アルミナ基板 １１，１２ 下部電極 ２１ 上部電極用リード ２２ 上部電極 ２３ サーミスタ体 ３０ トリミング箇所
Claims (4)
- 【請求項１】 所定大きさの絶縁基板と、該絶縁基板上
の第１層に形成された下部電極と、前記絶縁基板上の第
２層に形成されたサーミスタ体と、前記絶縁基板上の第
３層に形成されたやや大きめの上部電極とを含むチツプ
型サーミスタであつて、 サーミスタ抵抗値調整は、前記上部電極の少なくとも一
部を切削することにより行なわれていることを特徴とす
るチツプ型サーミスタ。 - 【請求項２】 絶縁基板をアルミナ基板とし、電極は銀
−パラジウム系厚膜グレーズ、サーミスタ体はＭｎ，Ｃ
ｏ，Ｆｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体としたグレーズであ
ることを特徴とする請求項１記載のチツプ型サーミス
タ。 - 【請求項３】 所定大きさの絶縁基板上にサーミスタ
体を形成して成るチツプ型サーミスタの製造方法であつ
て、 所定大きさの絶縁基板上の第１層に下部電極を形成する
下部電極形成工程と、少なくとも前記下部電極の一部上
を含む前記絶縁基板上の第２層にサーミスタ体を形成す
るサーミスタ体形成工程と、少なくとも前記下部電極上
に形成されたサーミスタ体の一部上を含む前記絶縁基板
上の第３層にやや大きめの上部電極を形成する上部電極
形成工程と、サーミスタ体が所定抵抗値と成るよう前記
サーミスタ体上の前記上部電極の一部を切削するトリミ
ング工程とを備えることを特徴とするチツプ型サーミス
タの製造方法。 - 【請求項４】 トリミング工程をレーザトリミングに
より行い、上部電極形成工程とトリミング工程との間に
上部電極に黒色絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含む
ことを特徴とする請求項３記載のチツプ型サーミスタの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018790A JP2889422B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | チツプ型サーミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4018790A JP2889422B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | チツプ型サーミスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217712A true JPH05217712A (ja) | 1993-08-27 |
| JP2889422B2 JP2889422B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=11981403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4018790A Expired - Lifetime JP2889422B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | チツプ型サーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889422B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270402A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| EP1494514A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board provided with a resistor and process for manufacturing the same |
| WO2011086850A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 株式会社村田製作所 | Ｎｔｃサーミスタ用半導体磁器組成物およびｎｔｃサーミスタ |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP4018790A patent/JP2889422B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270402A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| US6856233B2 (en) * | 2001-03-09 | 2005-02-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor |
| EP1494514A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board provided with a resistor and process for manufacturing the same |
| EP1494514A3 (en) * | 2003-07-03 | 2007-04-18 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board provided with a resistor and process for manufacturing the same |
| WO2011086850A1 (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | 株式会社村田製作所 | Ｎｔｃサーミスタ用半導体磁器組成物およびｎｔｃサーミスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2889422B2 (ja) | 1999-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1126204A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| TWI687942B (zh) | 晶片電阻器及晶片電阻器之製造方法 | |
| US20030062984A1 (en) | Thin film thermistor and method of adjusting reisistance of the same | |
| US7907046B2 (en) | Chip resistor and method for producing the same | |
| JP2018010987A (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH05217712A (ja) | チツプ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP3406405B2 (ja) | ライン型加熱体及びその製造方法 | |
| JP3096122B2 (ja) | サーミスタ及びその製造方法 | |
| JP5820294B2 (ja) | チップ抵抗器用集合基板およびチップ抵抗器の製造方法 | |
| JP2002367818A (ja) | チップ形抵抗器 | |
| JPH08102403A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH04214601A (ja) | 機能修正用角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2741762B2 (ja) | 感温抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2002353001A (ja) | 厚膜型チップ抵抗器 | |
| CN115206609B (zh) | 片式电阻器和片式电阻器的制造方法 | |
| JP2022178503A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH0636675A (ja) | ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 | |
| JP2022109695A (ja) | チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH08213202A (ja) | 抵抗器 | |
| JPH05135915A (ja) | チツプ型サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPS62169301A (ja) | 厚膜抵抗体の温度係数調整方法 | |
| JPH0864407A (ja) | 抵抗部品の製造方法 | |
| JPH09135078A (ja) | 厚膜多層基板およびその製造方法 | |
| JPH0822904A (ja) | 角形チップ抵抗器 | |
| JPH11111513A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990118 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080219 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090219 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110219 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110219 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |