JPH05135915A - チツプ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 低抵抗値で、かつ抵抗値のバラツキも最少に
抑えることができるサーミスタを提供することを目的と
する。 【構成】 所定大きさのアルミナ基板１０上に所定距離
離反して設けられた両電極基部１１，２１より相手電極
基部方面に交互に所定長さ延出した電極端子と、該電極
端子上にサーミスタ体層２３を形成してなるサーミスタ
であつて、必要に応じてサーミスタ体層２３を形成する
以前に電極端子の所定箇所を切断する事により所望抵抗
値に応じたトリミングを施す。 【効果】 以上の構成において、電極間の距離を任意か
つ一定にすることができ、量産効果の高い、しかも電極
間抵抗値も低くでき、その抵抗値のバラツキも最少に抑
えることができるチツプ型サーミスタ、およびサーミス
タ電極を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はチツプ型サーミスタ及び
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の小型・軽量化の要請より、使用さ
れる電気部品も小型化してきている。このためサーミス
タにおいても小型チツプ型のものが求められる様になつ
てきている。しかしながら、従来のこの種のチツプ形サ
ーミスタは、図６に示す構成であつた。即ち、図６に示
す様に、例えばアルミナ基板１の両側面上面に電極２を
設け、係る電極２間にサーミスタ体３を形成した構成で
あつた。

【０００３】または、図７に示すように、アルミナ基板
１の上面に下部電極４を配設し、該下部電極４の上部に
サーミスタ体３を形成し、更にこのサーミスタ体３のを
サンドイツチするように上部電極５で挟んだ構成であつ
た。

【０００４】

【発明が解決使用とする課題】しかしながら、図６に示
すサーミスタは、電極間の距離が離れているため、どう
しても抵抗値が大きくなり、低抵抗化は殆ど困難であつ
た。例えば、従来のこの種の製品では、抵抗値は、略１
ＭΩ〜１００ＭΩの範囲とすることができるのみであつ
た。また、抵抗値のバラツキを抑えることも難しく、バ
ラツキはプラスマイナス３０％程度になつてしまつてい
た。

【０００５】また、図７に示す構成では、各部分の形成
時の厚みバラツキや、電極４，５とサーミスタ体３との
接合面積のバラツキから、特に大きな抵抗値のバラツキ
が発生してしまい、略５０％以上のバラツキが避けられ
ず、抵抗値誤差の少ないサーミスタを製造することは困
難であつた。更に、上部電極５を形成するため、どうし
ても上面に凹凸が発生し、製造設備上のトラブル発生の
原因となり、量産性が落ちるという欠点があつた。

【０００６】そして、上述したいずれのサーミスタにお
いても、トリミング等により以上の抵抗値のバラツキを
解消しようとしても殆ど不可能である。どうしても抵抗
値の調整を行おうとすれば、例えば図８に示す様に、サ
ーミスタ体３の一部を切断等しなければならなかつた。
このため、サーミスタ体３のキズや、変質した部分が生
じ、特性が不安定となり、実用には適していなかつた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決することを目的としてなされたもので、上述の課題
を解決する一手段として以下の構成を備える。即ち、所
定大きさのアルミナ基板と、該アルミナ基板上に所定距
離離反して設けられた両電極基部より相手電極基部方面
に交互に所定長さ延出した電極端子と、該電極端子上に
サーミスタ体層を形成してなるチツプ型サーミスタであ
つて、サーミスタ抵抗値調整を、サーミスタ体形成前に
電極端子の少なくとも一部を切断することにより行い、
該一部が切断された電極端子上にサーミスタ体層を形成
する。

【０００８】そして、例えば、電極は銀−パラジウム系
厚膜グレースであり、サーミスタ体はＭｎ，Ｃｏ，Ｆ
ｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体としたグレースとする。

【０００９】

【作用】以上の構成において、所定大きさのアルミナ基
板上に、所定間隔をもつて配設された両電極基部と該両
電極基部より相手電極基部方面に交互に所定長さ延出し
た電極端子部を形成する電極材料を所定厚さに形成する
電極形成工程と、該電極形成工程で形成した電極上にサ
ーミスタ体を形成するサーミスタ形成工程と、該サーミ
スタ形成工程で形成された少なくともサーミスタ体を加
熱焼結する焼結工程と、該焼結工程に続き製造すべきサ
ーミスタ抵抗値に対応して前記電極端子部の少なくとも
一部を切断するトリミング工程とにより、上記サーミス
タを形成することにより、所望の抵抗値に容易に高精度
でのトリミング可能でかつ経年変化の殆どない、しかも
量産効果の高い、電極間抵抗値も低くできるチツプ型サ
ーミスタを提供できる。

【００１０】

【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る一実施例
を詳細に説明する。図１乃至図５は本発明に係る一実施
例を説明するための図であり、図１は本発明に係る一実
施例の構成を示す一部切り欠き斜視図、図２は本実施例
のサーミスタ体３を形成する前の電極配設状態を示す上
面図、図３は図１のＸ−Ｘ′面断面図、図４は図１Ｙ−
Ｙ′面断面図、図５は本実施例の製造工程図である。

【００１１】まず、図１乃至図４を参照して本発明に係
る一実施例の構成を説明する。図中、１０は図５又は図
６に示すアルミナ基板１と同様のアルミナ基板であり、
本実施例ではアルミナ９６％の焼結体となつている。１
１及び２１はアルミナ基板１０上に配設された両電極基
部であり、それぞれの電極基部１１及び２１より相手電
極基部方面に交互に所定長さ延出した電極端子１２及び
２２とにより本実施例のサーミスタ電極を形成してい
る。この電極形成状態は、図２に明らかな如く、各電極
基部１１及び２１、電極端子１２及び２２の互いの電極
配設間隔は略一定である。

【００１２】そして、２５で示す部分が後述するトリミ
ング工程でトリミングされたトリミング箇所である。本
実施例では、必要に応じて適時この電極端子へのトリミ
ングを行い、サーミスタ抵抗値を所望の値に調整してい
る。そしてこの必要な場合にトリミング工程を施された
電極部の上部にサーミスタ体２３を形成している。本実
施例では、この電極としては、銀−パラジウム系厚膜グ
レースを用いて、また、サーミスタ体はＭｎ，Ｃｏ，Ｆ
ｅ，Ｃｕ系複合酸化物を主体としたグレースを用いて、
それぞれ後述する様にこのグレースを加熱焼成してい。

【００１３】以上に示す本実施例のチツプ型サーミスタ
の製造方法を、図５の工程図に従つて以下説明する。
尚、以下の説明は１つのサーミスタのみを製造する場合
に限られるものではなく、複数のサーミスタを同時に多
数製造できることは勿論である。そして、最終工程で各
１つのサーミスタに分離すればよい。

【００１４】まず、工程１のアルミナ基板１０を所定大
きさに形成するアルミナ基板製造工程を実行し、所定製
造単位の大きさのアルミナ基板を製作する。この単位
は、任意の大きさであり、１つのサーミスタ毎に作成し
ても、例えば数十個同時に作成してもよく、それぞれの
場合に側して製作すればよい。続いて、工程２で、アル
ミナ基板１０の上面に、図２に示す如き、それぞれの電
極基部１１，２１及び相手電極基部方面に交互に所定長
さ延出した電極端子１２，２２を形成する電極印刷工程
を実行する。本実施例では、図２に示す様な電極パター
ン１１，１２，２１，２２を、印刷／エツチング等の方
法でアルミナ基板１０上に形成する。そして、工程３で
例えば８５０°Ｃで約十分間加熱焼成してサーミスタ電
極を形成する電極焼成工程を実行する。

【００１５】そして、工程４でこのようにして形成され
アルミナ基板１０の電極パターン１１，１２，２１，２
２上にサーミスタ体２３を形成し、これを工程５で例え
ば８５０°Ｃで約十分間加熱焼成する。なお、上述した
例では、電極の焼成を工程３で、サーミスタ体２３の焼
成を工程５で、それぞれ別個に行う例を示したが、本実
施例はこの例に限るものではなく、工程２に続き工程４
を実行し、次に電極パターン及びサーミスタ体とを一度
に焼成する工程を行なつても良い。

【００１６】そして、工程６でこのようにして形成した
サーミスタのままで良いか否か判断し、サーミスタの抵
抗値の調整が必要な場合にはトリミングを実行する。即
ち、ここで、トリミング処理が必要であると判断した場
合には、図２に２５で示す様に、電極端子２２又は電極
端子１２のいずれかを、所望抵抗値に対応した箇所で切
断する。

【００１７】そして、最後に工程７で、必要に応じてサ
ーミスタを１つのチツプ毎に分離成形する。例えば、同
時に多数のサーミスタを一括製作した場合には、ここ
で、個々のチツプ毎に分離成形し、１つのチツプ毎に製
作した場合には周辺部の整形等を行う。この様にして製
作した本実施例のチツプサーミスタは、例えば、略幅
１．２３ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、略長さ２．０
ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、アルミナ基板１０の厚
さ略０．５ｍｍプラスマイナス０．１ｍｍ、電極部の厚
さ略１０μｍプラスマイナス２μｍ、サーミスタ体２３
の厚さ略２５μｍｍプラスマイナス５μｍに形成する。
或いは、他の例として、例えば、略幅１．６ｍｍプラス
マイナス０．１ｍｍ、略長さ３．２ｍｍプラスマイナス
０．１ｍｍ、アルミナ基板１０の厚さ略０．６ｍｍプラ
スマイナス０．１ｍｍ、電極部の厚さ略１０μｍプラス
マイナス２μｍ、サーミスタ体２３の厚さ略２５μｍｍ
プラスマイナス５μｍに形成する。

【００１８】本実施例では、トリミング処理を施して抵
抗値の調整を行うため、抵抗値のバラツキを略プラスマ
イナス五％以内に抑えることができる。この場合におい
ても、サーミスタとして機能する電極間に挟まれたサー
ミスタ体には傷や変質部分等がないため、トリミングに
伴うサーミスタ体の傷、変質、経時変化が発生すること
がない。

【００１９】以上説明した様に本実施例によれば、所定
大きさのアルミナ基板上に、所定間隔をもつて配設され
た両電極基部と該両電極基部より相手電極基部方面に交
互に所定長さ延出した電極端子部を形成する電極材料を
所定厚さに形成する電極形成工程と、該電極形成工程で
形成した電極上にサーミスタ体を形成するサーミスタ形
成工程と、該サーミスタ形成工程で形成された少なくと
もサーミスタ体を加熱焼結する焼結工程と、該焼結工程
に続き製造すべきサーミスタ抵抗値に対応して前記電極
端子部の少なくとも一部を切断するトリミング工程とに
より、上記サーミスタを形成することにより、所望の抵
抗値に容易に高精度でのトリミング可能でかつ経年変化
の殆どない、しかも量産効果の高い、電極間抵抗値も低
くできるチツプ型サーミスタを提供できる。

【００２０】しかも、トリミングに伴うサーミスタ体の
傷、変質、経時変化が発生することがない信頼性の高い
チツプ型サーミスタを提供できる。

【００２１】

【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、電極
間の距離を任意かつ一定にすることができ、低抵抗値の
サーミスタを提供できるとともに、その抵抗値のバラツ
キも最少に抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の構成を示す一部切り欠
き斜視図である。

【図２】本実施例のサーミスタ体を形成する前の電極配
設状態を示す上面図である。

【図３】図１のＸ−Ｘ′面断面図である。

【図４】図１のＸ−Ｘ′面断面図である。

【図５】本実施例の製造工程図である。

【図６】、

【図７】従来のサーミスタの例を示す図である。

【図８】従来のサーミスタにおけるトリミングの例を示
す図である。

【符号の説明】

１，１０ アルミナ基板 ２，４ 電極 ５ 上部電極 １１，２１ 電極基部 １２，２２ 電極端子 ３，２３ サーミスタ体 ２５ トリミング箇所

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定大きさのアルミナ基板と、該アルミ
   ナ基板上に所定距離離反して設けられた両電極基部より
   相手電極基部方面に交互に所定長さ延出した電極端子
   と、該電極端子上にサーミスタ体層を形成してなるチツ
   プ型サーミスタであつて、 サーミスタ抵抗値調整を、前記サーミスタ体形成前に前
   記電極端子の少なくとも一部を切断することにより行
   い、該一部が切断された電極端子上にサーミスタ体層が
   形成されていることを特徴とするチツプ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 電極は銀−パラジウム系厚膜グレースで
   あり、サーミスタ体はＭｎ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕ系複合酸
   化物を主体としたグレースであることを特徴とする請求
   項１記載のチツプ型サーミスタ。
3. 【請求項３】 所定大きさのアルミナ基板上にサーミ
   スタ体を形成して成るチツプ型サーミスタの製造方法で
   あつて、 所定大きさのアルミナ基板上に、所定間隔をもつて配設
   された両電極基部と該両電極基部より相手電極基部方面
   に交互に所定長さ延出した電極端子部を形成する電極材
   料を所定厚さに形成する電極形成工程と、該電極形成工
   程で形成した電極上にサーミスタ体を形成するサーミス
   タ形成工程と、該サーミスタ形成工程で形成された少な
   くともサーミスタ体を加熱焼結する焼結工程と、該焼結
   工程に続き製造すべきサーミスタ抵抗値に対応して前記
   電極端子部の少なくとも一部を切断するトリミング工程
   とを備えることを特徴とするチツプ型サーミスタの製造
   方法。