JP5820294B2 - チップ抵抗器用集合基板およびチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、格子状の分割ラインに沿って分割することで多数個のチップ抵抗器が得られるチップ抵抗器用集合基板と、この集合基板を用いて行われるチップ抵抗器の製造方法とに関する。

チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁性基台と、絶縁性基台の長手方向の両端部に設けられた電極部と、対をなす電極部どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を被覆する絶縁性の保護コート等によって主に構成されている。絶縁性基台はセラミック等からなり、電極部は下地電極層にめっき処理を施して形成されている。また、下地電極層は表面電極と裏面電極および両電極を橋絡する端面電極とからなり、絶縁性基台の片面で一対の表面電極が抵抗体によって橋絡されている。

このようなチップ抵抗器を製造する際には、大判の集合基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護コート等を一括して形成した後、この集合基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りする。かかるチップ抵抗器の製造過程で、集合基板の一方の主面には所定の配列で多数の抵抗体が印刷形成されるが、印刷時の位置ずれや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の大きさや膜厚に若干のばらつきを生じることは避け難い。そのため、チップ抵抗器を製造する際には、集合基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値（電気抵抗）に設定するという抵抗値調整作業が行われる。

図１７は従来の一般的なチップ抵抗器用集合基板における抵抗値調整前の状態を示す平面図、図１８は該集合基板の断面図であり、これらの図において、集合基板３０の表裏両主面は格子状の分割ライン３１，３２によって多数の矩形状のチップ領域Ａに区画されている。集合基板３０の一方の主面Ｓ１において、各チップ領域Ａには、長手方向（図示左右方向）の両端部に一対の表面電極３３が印刷形成されていると共に、対をなす表面電極３３どうしを橋絡する抵抗体３４が印刷形成されている。なお、長手方向に隣り合うチップ領域Ａの表面電極３３どうしは、図示上下方向に延びる分割ライン３１を横断して連続しているが、集合基板３０は１次分割工程で分割ライン３１に沿って分割される。また、集合基板３０の他方の主面Ｓ２において、各チップ領域Ａの長手方向の両端部には一対の裏面電極３５が印刷形成されており、長手方向に隣り合うチップ領域Ａの裏面電極３５どうしも分割ライン３１を横断して連続している。そして、集合基板３０の主面Ｓ１に露出する各抵抗体３４を図示せぬアンダーコート（１層目の保護コート）で覆った後、各抵抗体３４の抵抗値を１つずつ調整していく。

抵抗体３４の抵抗値を調整する際には、抵抗体３４によって橋絡されている一対の表面電極３３に図示せぬ測定用のプローブを接触させた状態で、該抵抗体３４にレーザビームを照射してトリミング溝を形成していく。そして、トリミング溝を長くするのに伴って抵抗値が増大していくので、トリミング対象の抵抗体３４の抵抗値が所望の値に達した時点でレーザビームの照射をオフにする。

なお、抵抗値調整後に、抵抗体３４とトリミング溝およびアンダーコート等は、２層目の保護コートであるオーバーコートによって被覆される。また、集合基板３０は前記１次分割工程で短冊状基板に分割され、その分割面に前記端面電極を形成した後、短冊状基板を分割ライン３２に沿って個片に分割する２次分割工程が行われる。そして、個片化されたチップ単体の下地電極層（表面電極と裏面電極および端面電極）にニッケルや半田等のめっき層を被着させて前記電極部となし、チップ抵抗器が完成する。

ところで、チップ抵抗器の小型化が促進されると、集合基板３０におけるチップ領域Ａが狭くなって表面電極３３が小面積化されるため、トリミング溝を形成する際にプローブを表面電極３３に安定的に接触させることが次第に困難になってくる。プローブの接触不良が発生すると正確な抵抗値を測定できなくなるため、製造歩留まりは大幅に低下する。そこで、チップ抵抗器の小型化に伴って集合基板におけるチップ領域が狭くなった場合でも、プローブによる抵抗値の測定を安定して行えるようにするために、チップ領域の近傍に表面電極から延出させた測定用電極を設けておくという技術が従来より提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような測定用電極は、集合基板のうちチップ抵抗器として利用されない切除余白部分に設けられており、測定用電極と表面電極は一括して印刷形成される。

特開２００５−３０３１９９号公報

特許文献１に記載されている集合基板のように、表面電極から延出する測定用電極をチップ領域の近傍に設けておけば、これら両電極を含む比較的大きな電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗体の抵抗値を測定できるため、表面電極が小面積化された場合でも、トリミング溝を形成する際にプローブの接触不良が発生しにくくなる。しかしながら、かかる従来の集合基板では、測定用電極を形成するためにチップ領域の近傍に切除余白部分を確保しなければならないため、１枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数が減ってしまい、生産性が悪いという問題があった。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、チップ抵抗器の多数個取りに好適でプローブの接触不良も発生しにくい集合基板を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、かかる集合基板を用いたチップ抵抗器の製造に好適な製造方法を提供することにある。

上記の第１の目的を達成するために、本発明は、格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られる集合基板において、前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、表裏両主面にそれぞれ同じ大きさの第１のチップ領域と第２のチップ領域とが隣り合うように複数並んで配列されており、前記第１のチップ領域の長手方向の両端部に前記抵抗体に橋絡される一対の前記表面電極が設けられると共に、前記第２のチップ領域の長手方向の両端部に一対の前記裏面電極が設けられ、且つ、前記分割ラインを介して隣り合う前記第１および第２のチップ領域内の前記表面電極と前記裏面電極とが連続させてあるという構成にした。

このように集合基板の表裏両主面で、チップ抵抗器の表面電極が設けられる第１のチップ領域と別のチップ抵抗器の裏面電極が設けられる第２のチップ領域とが隣り合うように設定してあると、隣接する第１および第２のチップ領域内の表面電極と裏面電極とを連続させてなる比較的大きな電極パターンが形成できる。チップ抵抗器を小型化する場合、抵抗体の実効長を確保するために表面電極は小面積化されるが、ランドに半田付けされる裏面電極は表面電極ほど小さくする必要がない。そのため、表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要はなく、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定が容易に行えるようになる。また、表面電極と裏面電極を含む電極パターンは、隣接する第１および第２のチップ領域内に設ければ良く、チップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要はないため、第１および第２のチップ領域を高密度に配列して、１枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。

なお、上記の如く裏面電極は表面電極ほど小さくする必要がないので、第１のチップ領域の対をなす表面電極どうしの間隔に比べて、第２のチップ領域の対をなす裏面電極どうしの間隔が狭く設定されていることが好ましい。こうすることによって、プローブを接触させる電極パターンに所要の面積が確保しやすくなる。

また、かかるチップ抵抗器用集合基板において、第１のチップ領域と第２のチップ領域とが両者の長手方向に沿って交互に並んでおり、且つ、第１のチップ領域の短手方向には該第１のチップ領域のみが並び、第２のチップ領域の短手方向には該第２のチップ領域のみが並ぶように配列されていると、トリミング溝の形成後に、短手方向に１列に並ぶ複数のチップ領域を帯状の保護コートでまとめて被覆できるため好ましい。

上記の第２の目的を達成するために、本発明は、集合基板を格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られるチップ抵抗器の製造方法において、前記集合基板の表裏両主面にそれぞれ前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、同じ大きさの第１のチップ領域と第２のチップ領域とが隣り合うように複数並べて配列させたうえで、前記第１のチップ領域の長手方向の端部から前記分割ラインを横断して前記第２のチップ領域の長手方向の端部まで延在するように電極パターンを形成する工程と、前記第１のチップ領域に、その長手方向の両端部に存して対をなす前記電極パターンどうしを橋絡する前記抵抗体を形成する工程と、対をなす前記電極パターンにプローブを接触させて抵抗値を測定しつつ前記抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、前記トリミング溝が形成された前記抵抗体を保護コートで被覆した後、前記集合基板を前記分割ラインに沿って分割して前記電極パターンから相異なるチップ抵抗器の前記表面電極と前記裏面電極とを得る工程とを含むこととした。

このように第１のチップ領域の長手方向の端部から分割ラインを横断して第２のチップ領域の長手方向の端部まで延在する電極パターンは、第１のチップ領域内ではチップ抵抗器の表面電極となすことができ、第２のチップ領域内では別のチップ抵抗器の裏面電極となすことができる。チップ抵抗器を小型化する場合、抵抗体の実効長を確保するために表面電極は小面積化されるが、ランドに半田付けされる裏面電極は表面電極ほど小さくする必要がない。そのため、表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要はなく、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定を容易に行うことができる。また、表面電極と裏面電極を含む電極パターンは、隣接する第１および第２のチップ領域内に設ければ良いので、集合基板にはチップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要がない。そのため、第１および第２のチップ領域を高密度に配列して、１枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。

本発明のチップ抵抗器用集合基板によれば、隣接する第１および第２のチップ領域内の表面電極と裏面電極とを連続させてなる比較的大きな電極パターンが形成できるため、チップ抵抗器の小型化に伴って表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要がない。したがって、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定が容易に行えるようになる。また、このチップ抵抗器用集合基板はチップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要がないので、第１および第２のチップ領域を高密度に配列して、１枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。それゆえ、本発明の集合基板は、チップ抵抗器の多数個取りに好適でプローブの接触不良も発生しにくいという優れた効果を奏する。

本発明によるチップ抵抗器の製造方法において、第１のチップ領域の長手方向の端部から隣り合う第２のチップ領域の長手方向の端部まで延在する電極パターンは、第１のチップ領域内ではチップ抵抗器の表面電極となすことができ、第２のチップ領域内ではチップ抵抗器の裏面電極となすことができる。そのため、本発明の製造方法によれば、チップ抵抗器の小型化に伴って表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要がなく、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定を容易に行うことができる。また、この電極パターンは第１および第２のチップ領域内に設ければ良く、集合基板にはチップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要がないので、第１および第２のチップ領域を高密度に配列して、１枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。それゆえ、本発明方法を採用することによって小型のチップ抵抗器を効率良く安価に製造することができる。

本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の製造過程で集合基板に電極パターンを形成した状態を示す平面視の工程図である。 図１と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図１の集合基板に抵抗体を形成した状態を示す平面視の工程図である。 図３と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図３の抵抗体にトリミング溝を形成した状態を示す平面視の工程図である。 図５と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図５の集合基板に保護コートを形成した状態を示す平面視の工程図である。 図７と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図７の集合基板を短冊状基板に１次分割した状態を示す平面視の工程図である。 図９と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図９の短冊状基板に端面電極を形成した状態を示す平面視の工程図である。 図１１と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図１１の短冊状基板をチップ単体に２次分割した状態を示す平面視の工程図である。 図１３と同じ状態を示す断面視の工程図である。 図１３のチップ単体にめっき処理を施して完成したチップ抵抗器を示す平面図である。 図１５に示すチップ抵抗器の断面図である。 従来例に係るチップ抵抗器用集合基板における抵抗値調整前の状態を示す平面図である。 図１７に示す集合基板の断面図である。

以下、発明の実施の形態を図面を参照しながら説明すると、図１〜図１４は本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程図であり、図１５と図１６は完成したチップ抵抗器を示している。なお、図１と図２は同じ工程を示しており、同様に図３と図４、図５と図６、図７と図８、図９と図１０、図１１と図１２、図１３と図１４は、それぞれ同じ工程を示している。

まず、図１５と図１６に示すチップ抵抗器１の構成について説明する。このチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁性基台２と、絶縁性基台２の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表面電極３ａと、絶縁性基台２の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏面電極３ｂと、絶縁性基台２の側面に設けられて両電極３ａ，３ｂを橋絡している一対の端面電極４と、絶縁性基台２の上面に設けられて長手方向の両側の表面電極３ａどうしを橋絡している抵抗体５と、抵抗体５を被覆する絶縁性の保護コート６と、電極３ａ，３ｂ，４を被覆するめっき層７とによって主に構成されている。

絶縁性基台２はセラミック等からなり、この絶縁性基台２は図１〜図８に示す集合基板１０を格子状の分割溝１１，１２に沿って分割することにより個片化されたものである。

表面電極３ａと端面電極４および裏面電極３ｂはコ字状に連続する下地電極層として絶縁性基台２の長手方向の両端部に形成されており、この下地電極層にめっき層７を被着させてチップ抵抗器１の電極部となしている。表面電極３ａと裏面電極３ｂは集合基板１０の主面に一括形成されたものであるが、端面電極４は集合基板１０を１次分割してなる短冊状基板１３（図９参照）の分割面に形成されたものである。なお、めっき層７は、下地電極層に密着する最内層のニッケル（Ｎｉ）めっき層と、外表面に露出する最外層の半田（Ｓｎ／Ｐｂ）めっき層または錫（Ｓｎ）めっき層とを含む２層以上の積層構造になっている。

抵抗体５は酸化ルテニウム等からなり、この抵抗体５には抵抗値を調整するためにトリミング溝８（図５参照）が形成されている。後述するように、トリミング溝８は集合基板１０の状態でレーザビームを照射することにより形成されたものであるが、このレーザトリミング時に、抵抗体５の長手方向の両側に存する電極パターン３にプローブ２０（図５参照）を接触させて抵抗値を測定することにより、抵抗体５は所望の抵抗値に設定されている。

保護コート６は、トリミング溝８を形成する前に抵抗体５を覆うアンダーコートと、このアンダーコート上に設けられるオーバーコートとの２層構造であるが、そのうちアンダーコートは図示省略してある。すなわち、保護コート６として図示されているオーバーコートは、抵抗体５にトリミング溝８を形成した後に形成されたものであり、このオーバーコートによってアンダーコートや抵抗体５やトリミング溝８等が覆われている。

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図１〜図１４を参照しながら説明する。

まず、縦横に格子状に延びる１次分割溝１１と２次分割溝１２が予め形成された集合基板１０を用意する。これら格子状の分割溝１１，１２によって、集合基板１０の表裏両主面は多数の矩形状のチップ領域に区画される。各チップ領域は１個のチップ抵抗器１の上面（表面電極３ａや抵抗体５の存する面）または下面（裏面電極３ｂの存する面）に相当する。図１〜図８に示すように、集合基板１０の表裏両主面には、チップ抵抗器１の上面に相当する第１のチップ領域Ａ１と、チップ抵抗器１の下面に相当する第２のチップ領域Ａ２とが、図示左右方向（チップ抵抗器１の長手方向）に隣り合うようにそれぞれ配列されている。すなわち、集合基板１０の表裏両主面には、同じ大きさの矩形状領域である第１のチップ領域Ａ１と第２のチップ領域Ａ２とが両者の長手方向に沿って交互に並んでおり、一方の主面の第１のチップ領域Ａ１と他方の主面の第２のチップ領域Ａ２とが表裏で対応する位置関係となるように設定されている。つまり、集合基板１０の上面に存する任意の第１のチップ領域Ａ１の真下に下面側の第２のチップ領域Ａ２が位置し、集合基板１０の上面に存する任意の第２のチップ領域Ａ２の真下に下面側の第１のチップ領域Ａ１が位置している。ただし、図１からも明らかなように、第１のチップ領域Ａ１の短手方向には第１のチップ領域Ａ１のみが並び、第２のチップ領域Ａ２の短手方向には第２のチップ領域Ａ２のみが並ぶという配列になっている。

そして、この集合基板１０の表裏両主面で１次分割溝１１を横断する場所に銀ペースト等をスクリーン印刷して焼成することにより、図１と図２に示すように所定の大きさの電極パターン３を形成する。この電極パターン３のうち、第１のチップ領域Ａ１内に存する部分は表面電極３ａに相当し、第２のチップ領域Ａ２内に存する部分は裏面電極３ｂに相当する。つまり、電極パターン３を形成することによって、第１のチップ領域Ａ１の長手方向の両端部に表面電極３ａが設けられると共に、第２のチップ領域Ａ２の長手方向の両端部に裏面電極３ｂが設けられ、長手方向に隣り合う第１および第２のチップ領域Ａ１，Ａ２内の表面電極３ａと裏面電極３ｂとが連続して１つの電極パターン３をかたち作っている。

次なる工程では、図３と図４に示すように、集合基板１０の表裏両主面に配列されている全ての第１のチップ領域Ａ１に、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、各チップ領域Ａ１内で長手方向の両端部を電極パターン３に重ね合わせた抵抗体５を一括形成する。この工程で、各第１のチップ領域Ａ１内で対をなす表面電極３ａどうしは抵抗体５によって橋絡される。

この後、各抵抗体５を個別に覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図示せぬ前記アンダーコートを形成する。このアンダーコートは、次工程で照射されるレーザビームの熱で抵抗体５のトリミング溝８近傍が損傷しないようにするためのものである。

すなわち、次なる工程では、各抵抗体５の抵抗値を調整するために、アンダーコートに覆われている多数の抵抗体５に対して、順次、レーザビームを照射してトリミング溝８を形成する（図５と図６参照）。その際、トリミング対象となる抵抗体５の長手方向の両側に存する電極パターン３にプローブ２０をそれぞれ接触させ、これらプローブ２０を介して抵抗値を測定しながらレーザトリミングを行う。レーザビームの照射が開始されてトリミング溝８が長くなると、それに伴って抵抗値が増大していくので、トリミング対象の抵抗体５の抵抗値が所望の値に達した時点でレーザビームの照射をオフにする。なお、表面電極３ａと裏面電極３ｂの連続体である電極パターン３は比較的大きいので、チップ抵抗器１の小型化に伴ってチップ領域Ａ１，Ａ２が狭くなっても、プローブ２０を電極パターン３に接触させることは容易である。

集合基板１０の表裏両主面に存する全ての抵抗体５に対してレーザトリミングが終了したなら、次なる工程として、前記アンダーコートと抵抗体５とトリミング溝８等を覆う樹脂ペースト（またはガラスペースト）をスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、帯状のオーバーコートである保護コート６を形成する（図７と図８参照）。この保護コート（オーバーコート）６は抵抗体５を外部環境から保護するためのものである。

ここまでの工程は集合基板１０に対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板１０を１次分割溝１１に沿って短冊状に分割するという１次ブレーク加工を行い、図９と図１０に示すような短冊状基板１３を得る。この工程で各電極パターン３は１次分割溝１１で分割されるため、各電極パターン３から相異なるチップ抵抗器１の表面電極３ａと裏面電極３ｂとが得られる。

そして、次なる工程で、短冊状基板１３の分割面にＮｉ／Ｃｒ等をスパッタリングして端面電極４を形成する。この端面電極４によって表面電極３ａと裏面電極３ｂとが橋絡されるため、図１１と図１２に示すように、コ字状に連続する前記下地電極層が得られる。

しかる後、短冊状基板１３を２次分割溝１２に沿って分割するという２次ブレーク加工を行う。これにより、図１３と図１４に示すように、チップ抵抗器１と同等の大きさの個片（チップ単体）を得る。こうして個片化されたチップ単体は、絶縁性基台２の長手方向の両端部に下地電極層（表面電極３ａと裏面電極３ｂおよび端面電極４）を有し、対をなす表面電極３ａを橋絡する抵抗体５が保護コート６にて覆われているというものである。

最後に、各チップ単体の下地電極層（表面電極３ａと裏面電極３ｂおよび端面電極４）に対して、ニッケルめっきや半田めっきを施して下地電極層を被覆する積層構造のめっき層７を形成することにより、図１５と図１６に示すようなチップ抵抗器１が完成する。

なお、本実施形態例では、集合基板１０に格子状の分割溝１１，１２を刻設して第１および第２のチップ領域Ａ１，Ａ２を区画しているが、仮想線として設定した格子状の分割ラインで該チップ領域を区画し、この分割ラインに沿って集合基板１０をレーザビーム等で切断するようにしも良い。

以上説明したように、本実施形態例においては、集合基板１０の表裏両主面で、表面電極３ａが設けられる第１のチップ領域Ａ１と裏面電極３ｂが設けられる第２のチップ領域Ａ２とが長手方向に隣り合うように設定してあるため、隣接する第１および第２のチップ領域Ａ１，Ａ２内の表面電極３ａと裏面電極３ｂとを連続させてなる比較的大きな電極パターン３が形成できる。つまり、第１のチップ領域Ａ１の長手方向の端部から１次分割溝（分割ライン）１１を横断して第２のチップ領域Ａ２の長手方向の端部まで延在する電極パターン３は、第１のチップ領域Ａ１内ではチップ抵抗器１の表面電極３ａとなすことができ、第２のチップ領域Ａ２内では別のチップ抵抗器１の裏面電極３ｂとなすことができる。チップ抵抗器１を小型化する場合、抵抗体５の実効長を確保するために表面電極３ａは小面積化されるが、ランドに半田付けされる裏面電極３ｂは表面電極３ａほど小さくする必要がない。そのため、表面電極３ａが小面積化されても、裏面電極３ｂまで含む電極パターン３全体を極端に小さくする必要はなく、抵抗値を調整するために抵抗体５にトリミング溝８を形成するレーザトリミング時には、この電極パターン３にプローブ２０を接触させることによって抵抗値測定が容易に行えるようになる。また、表面電極３ａと裏面電極３ｂを含む電極パターン３は、隣接する第１および第２のチップ領域Ａ１，Ａ２内に設ければ良いので、集合基板１０にはチップ領域の近傍に電極パターン３を延在させるための切除余白領域を確保する必要がない。そのため、生産性を高めるために第１および第２のチップ領域Ａ１，Ａ２を高密度に配列して、１枚の集合基板１０から得られるチップ抵抗器１の個数を増やすことができ、その結果として、小型のチップ抵抗器を安価に製造できるようになる。

なお、本実施形態例では、裏面電極３ｂを表面電極３ａの約２倍の大きさに形成しているが、両電極３ｂ，３ａの面積比は、裏面電極３ｂが半田付けされるランドの大きさやチップ抵抗器１全体の大きさ等を考慮して適宜選択可能である。ただし、裏面電極３ｂは少なくとも表面電極３ａよりも大きく形成されていることが好ましく、こうすることによって、プローブ２０を接触させる電極パターン３に所要の面積が確保しやすくなる。

また、本実施形態例では、第１のチップ領域Ａ１と第２のチップ領域Ａ２が両者の長手方向に沿って交互に並び、且つ、第１のチップ領域Ａ１の短手方向には第１のチップ領域Ａ１のみが並び、第２のチップ領域Ａ２の短手方向には第２のチップ領域Ａ２のみが並ぶように配列されているため、保護コート６で１列に並ぶ複数のチップ領域をまとめて被覆することができる。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、第１のチップ領域Ａ１と第２のチップ領域Ａ２が両者の短手方向に沿って交互に並び、且つ、第１のチップ領域Ａ１の長手方向には第１のチップ領域Ａ１のみが並び、第２のチップ領域Ａ２の長手方向には第２のチップ領域Ａ２のみが並ぶように配列されていても、短手方向に隣り合うチップ領域Ａ１，Ａ２内の表面電極３ａと裏面電極３ｂとを連続させてなる比較的大きな電極パターン３を形成することができる。ただし、この場合は各チップ領域を保護コート６で個別に被覆する必要がある。

１ チップ抵抗器
２ 絶縁性基台
３ 電極パターン
３ａ 表面電極
３ｂ 裏面電極
４ 端面電極
５ 抵抗体
６ 保護コート
７ めっき層
８ トリミング溝
１０ 集合基板
１１，１２ 分割溝（分割ライン）
１３ 短冊状基板
２０ プローブ
Ａ１ 第１のチップ領域
Ａ２ 第２のチップ領域

Claims (4)

1. 格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られる集合基板であって、
   前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、表裏両主面にそれぞれ同じ大きさの第１のチップ領域と第２のチップ領域とが隣り合うように複数並んで配列されており、
   前記第１のチップ領域の長手方向の両端部に前記抵抗体に橋絡される一対の前記表面電極が設けられると共に、前記第２のチップ領域の長手方向の両端部に一対の前記裏面電極が設けられ、且つ、前記分割ラインを介して隣り合う前記第１および第２のチップ領域内の前記表面電極と前記裏面電極とが連続させてあることを特徴とするチップ抵抗器用集合基板。
2. 請求項１の記載において、前記第１のチップ領域の対をなす前記表面電極どうしの間隔に比べて、前記第２のチップ領域の対をなす前記裏面電極どうしの間隔が狭く設定されていることを特徴とするチップ抵抗器用集合基板。
3. 請求項１または２の記載において、前記第１のチップ領域と前記第２のチップ領域とが両者の長手方向に沿って交互に並んでおり、且つ、前記第１のチップ領域の短手方向には該第１のチップ領域のみが並び、前記第２のチップ領域の短手方向には該第２のチップ領域のみが並ぶように配列されていることを特徴とするチップ抵抗器用集合基板。
4. 集合基板を格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られるチップ抵抗器の製造方法であって、
   前記集合基板の表裏両主面にそれぞれ前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、同じ大きさの第１のチップ領域と第２のチップ領域とが隣り合うように複数並べて配列させたうえで、前記第１のチップ領域の長手方向の端部から前記分割ラインを横断して前記第２のチップ領域の長手方向の端部まで延在するように電極パターンを形成する工程と、
   前記第１のチップ領域に、その長手方向の両端部に存して対をなす前記電極パターンどうしを橋絡する前記抵抗体を形成する工程と、
   対をなす前記電極パターンにプローブを接触させて抵抗値を測定しつつ前記抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、
   前記トリミング溝が形成された前記抵抗体を保護コートで被覆した後、前記集合基板を前記分割ラインに沿って分割して前記電極パターンから相異なるチップ抵抗器の前記表面電極と前記裏面電極とを得る工程と
   を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。