JP2022109695A - チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電力向上を図るのに好適なチップ抵抗器を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極３と、これら一対の表電極３間に並列接続された２つの抵抗体４と、抵抗体４上に形成されたプリコート層５と、絶縁基板２の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏電極６と、絶縁基板２の長手方向両端面に設けられた一対の端面電極７と、プリコート層５を覆うように形成された保護コート層８とを備えており、抵抗体４は表電極３との接続箇所に切欠き部１０を有し、この切欠き部１０を始点としてトリミング溝（トリミング痕）９が電極間方向へ直線状に形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、絶縁基板上に設けられた抵抗体にレーザー光を照射してトリミング溝（トリミング痕）を形成することで抵抗値が調整されるチップ抵抗器と、そのようなチップ抵抗器の製造方法に関するものである。

チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う保護膜等によって主に構成されている。

一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、シート状の大判基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状の分割ライン（例えば分割溝）に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りするようにしている。かかるチップ抵抗器の製造過程で、大判基板の片面には抵抗ペーストを印刷・焼成することにより多数の抵抗体が形成されるが、印刷時の位置ずれや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の大きさや膜厚に若干のばらつきを生じることは避け難いため、大判基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値まで切り上げるという抵抗値調整作業が行われる。

トリミング溝は抵抗体にレーザー光を照射することによって形成され、その形状としては、抵抗体の幅方向一辺側を始点として電極間方向と直交する方向へ直線状に延びるＩカット（シングルカット）形状や、Ｉカットを途中から電極間方向に９０度ターンして延ばしたＬカット形状や、長さの異なる２本のＩカットで構成されるＷカット形状などが知られている。

このように構成されたチップ抵抗器に対して通電が行われた場合、抵抗体におけるトリミング溝の先端部は、電流が集中して局所的な発熱（ホットスポット：最も発熱が高い）を生じる部位となるため、長期間の使用等によって発熱部が集中的に劣化し易くなる。特に、チップ抵抗器が電力負荷の大きな使用に供された場合、発熱部を起点に破壊が発生し、結果的にチップ抵抗器全体の破壊に繋がるという問題がある。

そこで従来より、特許文献１に記載されているように、一対の電極間に２つの抵抗体を並列に接続することにより、発熱部となるホットスポットを分散するようにしたチップ抵抗器が提案されている。これら２つの抵抗体は抵抗ペーストをスクリーン印刷することにより形成され、焼成後の各抵抗体にトリミング溝を形成することにより、各抵抗体の抵抗値が実質的に同じになるように調整されている。

特許文献１に記載されたチップ抵抗器では、一対の電極間に２つの抵抗体を並列接続することにより、抵抗体を２つの素子に分割してホットスポットが分散されるため、１素子当たりの電力負荷を軽減することが可能となる。

特開２０１３－２１９２５９号公報

しかし、特許文献１に記載されたチップ抵抗器は、絶縁基板上の限られた有効エリア内に２つの抵抗体をスクリーン印刷で形成しているため、印刷時のペーストダレ等によって抵抗体どうしが接触しないように、各抵抗体間に十分な隙間を確保してスクリーン印刷する必要がある。そのため上記隙間分だけ抵抗体全体の面積が制限されてしまい、特に、チップ抵抗器の小型化に伴って絶縁基板の有効エリア自体の面積が狭くなると、有効エリアに占める上記隙間の割合が増えていくため、相対的に抵抗体全体の面積を小さくせざるを得ず、電力の向上を図ることが困難になる。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、電力向上を図るのに好適なチップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

上記第１の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の相対向する両辺部に設けられた一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザー光を照射することにより抵抗値調整用のトリミング痕が形成されているチップ抵抗器において、前記電極と前記抵抗体の接続箇所に切欠き部が形成されており、前記トリミング痕は前記切欠き部を始点として電極間方向へ直線状に延びていることを特徴としている。

このように構成されたチップ抵抗器では、一対の電極と抵抗体との接続箇所に存する切欠き部を始点として、レーザー光の照射によるトリミング痕（トリミング溝）が電極間方向へ直線状に延びるように形成されているため、トリミング痕によって抵抗体の抵抗値を高精度に調整することができると共に、トリミング痕の先端部への電流集中を緩和して電力向上を図ることができる。

また、上記第２の目的を達成するための一手段として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザー光を照射してトリミングカットすることで抵抗値が調整されるチップ抵抗器の製造方法において、一対の前記電極に接続する両端部をそれぞれ幅狭部とし、これら幅狭部で挟まれた領域を幅広部とする形状の抵抗体を印刷形成する工程と、一方の前記幅狭部から前記幅広部を通って他方の前記幅狭部に至る範囲にレーザー光を電極間方向に沿って直線状に照射することにより、前記幅広部をスキャンカットして前記抵抗体の抵抗値を調整する工程と、を含むことを特徴としている。

このような工程を含むチップ抵抗器の製造方法では、抵抗体における両幅狭部で挟まれた幅広部をスキャンカットして抵抗値を調整するようにしたので、トリミング痕の先端部が抵抗体上に残らなくなって電流集中を回避できると共に、スキャンカットを行える範囲が広いため、高精度に抵抗値を調整することができる。

また、上記第２の目的を達成するための別手段として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザー光を照射してトリミングカットすることで抵抗値が調整されるチップ抵抗器の製造方法において、一対の前記電極に接続する両端部の幅方向中央にそれぞれ切欠き部を有する矩形状の抵抗体を印刷形成する工程と、一方の前記切欠き部から他方の前記切欠き部に至る範囲にレーザー光を照射して前記抵抗体を２分割する工程と、２分割された個々の前記抵抗体に対して、一方の前記切欠き部を始点として電極間方向へ直線状に走査するようにレーザー光を照射して抵抗値を調整する工程と、を含むことを特徴としている。

このような工程を含むチップ抵抗器の製造方法では、両端部に切欠き部を有する矩形状の抵抗体を印刷形成した後、この抵抗体をレーザー光の照射によって２分割することにより、一対の電極間に２つの抵抗体を並列接続するようにしたので、抵抗体全体の有効面積を広くして電力の向上を図ることができる。しかも、分割後の個々の抵抗体は両端部に切欠き部を有しており、このような抵抗体の抵抗値を調整する際に、一方の切欠き部を始点として電極間方向へ延びる直線に沿ってレーザー光を照射するようにしたので、個々の抵抗体の抵抗値を高精度に調整することができると共に、トリミング痕の先端部への電流集中を緩和して電力向上を図ることができる。

本発明によれば、トリミング痕の先端部への電流集中を緩和することができるため、電力向上を図るのに好適なチップ抵抗器を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。 図１のII－II線に沿う断面図である。 該チップ抵抗器に備えられる抵抗体の説明図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。 該チップ抵抗器に備えられる抵抗体の変形例を示す説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図である。 該チップ抵抗器に備えられる抵抗体の説明図である。 該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。 該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、図１は本発明の第１の実施形態に係るチップ抵抗器の平面図、図２は図１のII－II線に沿う断面図である。

図１と図２に示すように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極３と、これら一対の表電極３間に並列接続された２つの抵抗体４と、各抵抗体４上に形成されたプリコート層５と、絶縁基板２の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏電極６と、絶縁基板２の長手方向両端面に設けられた一対の端面電極７と、プリコート層５を覆うように形成された保護コート層８等によって主に構成されており、各抵抗体４にはそれぞれトリミング溝９が形成されている。

絶縁基板２は、後述する大判基板を縦横に格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝に沿って分割して多数個取りされたものであり、大判基板の主成分はアルミナを主成分とするセラミックス基板である。なお、以下の説明では、絶縁基板２の長手方向をＸ方向、絶縁基板２の短手方向をＹ方向とすることがある。

一対の表電極３は銀を主成分とする銀系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、これら表電極３は所定間隔を存して対向するように絶縁基板２の長手方向（Ｘ方向）両端部に形成されている。なお、一対の表電極３は、絶縁基板２の表面においてＹ方向の中央部で２分割されているが、絶縁基板２の端面に形成された端面電極７を介して電気的には導通状態となっている。

２つの抵抗体４は酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、これら２つの抵抗体４は一対の表電極３間に並列接続されている。詳細については後述するが、２つの抵抗体４は、一対の表電極３間に１つの抵抗体を印刷形成した後、該抵抗体をレーザー光の照射によってＹ方向に２分割したものであり、これら抵抗体４と対応する表電極３との接続箇所には略円形状の切欠き部１０が形成されている。

２つの抵抗体４にはそれぞれトリミング溝９が形成されており、このトリミング溝９によって個々の抵抗体４の抵抗値が所定値になるように調整されている。トリミング溝９はレーザー光の照射によって抵抗体４にできる切込み（トリミング痕）であり、２つの抵抗体４に形成されたトリミング溝９は、一方の切欠き部１０を始点として互いに逆方向へ直線状に延びている。本実施形態の場合、図１中の上方に示す抵抗体４に形成されたトリミング溝９は右側の切欠き部１０から左側の切欠き部１０に向かって電極間方向（Ｘ方向）に延びており、下方に示す抵抗体４に形成されたトリミング溝９は左側の切欠き部１０から右側の切欠き部１０に向かって電極間方向（Ｘ方向）に延びている。

図３は、トリミング溝９を形成する前の抵抗体（図１中の下方の抵抗体４）を示す説明図である。図３に示すように、一対の表電極３と抵抗体４との接続端部にそれぞれ切欠き部１０が形成されているため、抵抗体４は、切欠き部１０によってＹ方向の寸法が狭められた一対の幅狭部Ｗａと、これら幅狭部Ｗａの間に位置して切欠き部１０の存しない幅広部Ｗｂとを有している。

前述したように、このような抵抗体４に対しレーザー光を左側の切欠き部１０を始点として電極間方向（Ｘ方向）へ直線状に照射することにより、抵抗体４の抵抗値が所定値に調整される。その際、トリミング溝９は、幅広部Ｗｂにおける一対の切欠き部１０で挟まれた領域Ｗｂ－１（図３中にハッチングを施した部分）に形成されるが、この領域Ｗｂ－１は、トリミング溝９の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が小さい部分であるため、トリミング溝９の切込み量をＸ方向に延ばすことで抵抗値を高精度に微調整することができる。なお、図１中の上方の抵抗体４の抵抗値を調整する場合についても、トリミング溝９の始点が左側から右側の切欠き部１０になるだけで基本的に同様である。

プリコート層５はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、このプリコート層５は２分割する前の抵抗体４を覆うように形成される。抵抗体４を２分割するとき、および分割後の抵抗体４にトリミング溝９を形成するとき、レーザー光はプリコート層５の上から照射されるが、その際に、抵抗体４はガラス材料からなるプリコート層５によってレーザー光の熱から保護される。

一対の裏電極６は銀を主成分とする銀系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、これら裏電極６は絶縁基板２の表面側の表電極３と対応する位置に形成されている。

端面電極７は、絶縁基板２の端面にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより形成されている。この端面電極７により、絶縁基板２の表面においてＹ方向に２分割された表電極３が導通されると共に、絶縁基板２の表裏両面で対応する表電極３と裏電極６とが橋絡される。なお、図示は省略するが、この端面電極７と裏電極６および保護コート層８から露出する表電極３の表面は、Ｎｉ－Ｓｎメッキ層からなる外部電極によって被覆されている。

保護コート層８はエポキシやポリイミド等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものであり、この保護コート層８によってトリミング溝９を有する２つの抵抗体４は湿度や腐食ガス等の外部環境から保護される。

次に、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１の製造工程について、図４に示すフローチャートと図５に示す平面図を用いて説明する。

まず、格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝が設けられた大判基板２Ａを準備する。これら１次分割溝と２次分割溝によって大判基板２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、これらチップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。図５には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

次に、図４のステップＳ１において、この大判基板２Ａの表面に銀系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図５（ａ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極３を形成する。これら表電極３はチップ形成領域の短手方向中央部でスリット３ａを介して２分割されており、このスリット３ａは半円状の切欠き部３ｂに繋がっている。また、これと同時あるいは前後して、大判基板２Ａの裏面に銀系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極（図２参照）を形成する（電極形成工程）。

次に、図４のステップＳ２において、大判基板２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、両端部を表電極３に重ね合わせた略長方形状の抵抗体４Ａを形成する（抵抗体形成工程）。この抵抗体４Ａは短手方向中央部に半円状の切欠き部４ａを有し、この切欠き部４ａと表電極３の切欠き部３ｂとが連続することにより、チップ形成領域の短手方向中央部に略円形状の切欠き部１０が形成される。

次に、図４のステップＳ３において、抵抗体４Ａの上にガラスペーストをスクリーン印刷した後、このガラスペーストを乾燥・焼成することにより、図５（ｃ）に示すように、抵抗体４Ａの全体を覆うプリコート層５を形成する（プリコート層形成工程）。

次に、図４のステップＳ４において、プリコート層５の上からレーザー光を照射して分割スリット５ａを形成することにより、図５（ｄ）に示すように、抵抗体４Ａを２つの抵抗体４に分割する（抵抗体分割工程）。その際、表電極３の中央部にスリット３ａが形成されているため、このスリット３ａ上に沿ってレーザー光を照射することにより、抵抗体４Ａを簡単かつ確実に２つの抵抗体４に分割することができる。

次に、図４のステップＳ５において、プリコート層５から露出する表電極３に測定用のプローブ（不図示）を接触させ、この状態で抵抗体４の抵抗値を測定しながらプリコート層５の上からレーザー光を照射することにより、図５（ｅ）に示すように、２つの抵抗体４にトリミング溝９を形成して目標抵抗値となるように抵抗値調整する（トリミング工程）。その際、レーザー光は一方の切欠き部１０を始点として他方の切欠き部１０に向かって直線状に走査するように照射されるため、トリミング溝９は、抵抗体４における両切欠き部１０で挟まれた部分（図３の領域Ｗｂ－１）に形成される。抵抗体４の当該部分は、トリミング溝９の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が小さい部分であるため、トリミング溝９の切込み量をＸ方向に延ばすことで抵抗値を高精度に微調整することができる。

なお、抵抗体４Ａを分割スリット５ａに沿って２分割した時点で２つの抵抗体４の初期抵抗値が決定されるため、予め印刷時の抵抗体４Ａの大きさを決めておけば、分割後の抵抗体４の初期抵抗値を目標抵抗値よりも幾分低い値に設定することがでる。したがって、その後にトリミング溝９を形成することにより、各抵抗体４の抵抗値を目標抵抗値となるように抵抗値調整すれば良い。ただし、分割スリット５ａの幅を増減して抵抗体４の幅寸法（Ｙ方向の長さ）を調整するようにしても良く、その場合、印刷時の抵抗体４Ａの大きさや膜厚にばらつきがあったとしても、分割後の抵抗体４の初期抵抗値を目標抵抗値よりも低い値に調整（粗調整）することができる。

次に、図４のステップＳ６において、プリコート層５の上からエポキシやポリイミド等の樹脂ペーストをスクリーン印刷し、この樹脂ペーストを加熱硬化することにより、図５（ｆ）に示すように、分割スリット５ａを含めたプリコート層５の全体と表電極３の一部を覆う保護コート層８を形成する（保護コート層形成工程）。

これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次に、図４のステップＳ７において、大判基板２Ａを１次分割溝に沿って一次分割（ブレイク）することにより、大判基板２Ａから複数の短冊状基板２Ｂを得る（一次分割工程）。

次に、図４のステップＳ８において、複数の短冊状基板２Ｂを上下方向に重ね合わせた後、この状態で各短冊状基板２Ｂの分割面にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図５（ｇ）に示すように、表電極３と不図示の裏電極とを橋絡する端面電極７を形成する（端面電極形成工程）。この端面電極７により、絶縁基板２の表面においてスリット３ａを介して２分割されている表電極３が導通される。

次に、図４のステップＳ９において、短冊状基板２Ｂを２次分割溝に沿って二次分割（ブレイク）することにより、チップ抵抗器１と同等の大きさの個片（チップ単体）を得る（二次分割工程）。

最後に、図４のステップＳ１０において、個片化されたチップ単体に対して電解メッキを施すことにより、表電極３と裏電極６および端面電極７を覆うＮｉ－Ｓｎメッキ層からなる外部電極を形成することにより、図１，２に示すチップ抵抗器１が完成する。

以上説明したように、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１では、表電極３と抵抗体４との接続箇所に切欠き部１０が形成されており、この切欠き部１０を始点としてトリミング溝（トリミング痕）９が電極間方向へ直線状に延びるように形成されているため、トリミング溝９の先端部への電流集中を緩和して電力向上を図ることができる。

また、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１では、抵抗体４の長手方向両端部に切欠き部１０が形成されており、抵抗体４が、切欠き部１０によって短手方向の寸法が狭められた一対の幅狭部Ｗａと、これら幅狭部Ｗａの間に位置して切欠き部１０の存しない幅広部Ｗｂとを有している。そして、このような抵抗体４に対してレーザー光を一方の切欠き部１０から他方の切欠き部１０に向かう走査線に沿って照射することにより、抵抗体４の幅広部Ｗｂにおける一対の切欠き部１０で挟まれた領域Ｗｂ－１にトリミング溝９が形成されるが、この領域Ｗｂ－１は、トリミング溝９の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が小さい部分であるため、トリミング溝９の切込み量をＸ方向に延ばすことで抵抗値を高精度に微調整することができる。

また、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１では、一対の表電極３間に２つの抵抗体４が並列接続されており、これら２つの抵抗体４が電極間方向へ直線状に延びる分割スリット５ａを介して分割されていると共に、２つの抵抗体４の両端部に形成された切欠き部１０がそれぞれ分割スリット５ａに連通しているため、抵抗体４を２つの素子に分割することでホットスポットが分散され、１素子当たりの電力負荷を軽減することができる。

しかも、２つの抵抗体４間に存する分割スリット５ａはレーザー光の照射によって形成されたものであるため、２つの抵抗体４間に必要とされる隙間を極力狭くすることができ、その分、絶縁基板２の有効エリアに占める抵抗体４全体の面積を広く確保することができ、この点からも電力負荷を軽減することができる。

また、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１では、表電極３の中央部にスリット３ａが形成されているため、印刷形成後の抵抗体４Ａを２つの抵抗体４に２分割する際に、表電極３のスリット３ａを位置基準としてレーザー光を照射することにより、分割スリット５ａを容易に形成することができる。ただし、表電極３をスリット３ａのない形状とすることも可能であり、その場合は、分割スリット５ａを形成する前に、抵抗体４Ａを画像認識する等してレーザー光の照射位置を決定すれば良い。

なお、第１の実施形態に係るチップ抵抗器１においては、表電極３と抵抗体４との接続箇所に切欠き部１０が形成され、この切欠き部１０を始点としてトリミング溝（トリミング痕）９が電極間方向へ直線状に延びるように形成されていれば、種々の変形例が可能である。例えば、切欠き部１０を分割スリット５ａと接する抵抗体４の内側部位に形成する代わりに、分割スリット５ａと反対側に位置する抵抗体４の外側部位に形成し、このような切欠き部１０を始点としてトリミング溝９を形成するようにしても良い。また、切欠き部１０の形状は円弧状に特定されず、矩形状など他の形状であっても良い。

また、図６に示す変形例のように、抵抗体４の全体形状を幅寸法が一定の矩形状（長方形）に形成すると共に、切欠き部１０を抵抗体４との接続箇所における表電極３側に形成し、このような形状の抵抗体４に対してトリミング溝９を形成するようにしても良い。この場合、抵抗体４は幅寸法の狭い幅狭部を有していないが、抵抗体４におけるトリミング溝９が形成される領域（一対の切欠き部１０で挟まれた領域）は、トリミング溝９の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が小さい部分であるため、トリミング溝９の切込み量を電極間方向に延ばすことで抵抗値を高精度に微調整することができる。

図７は本発明の第２の実施形態例に係るチップ抵抗器２０の平面図、図８は該チップ抵抗器２０に備えられる抵抗体の説明図である。

図７に示すように、第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０は、直方体形状の絶縁基板２１と、絶縁基板２１の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表電極２２と、これら一対の表電極２２間に接続された抵抗体２３と、抵抗体２３上に形成されたプリコート層２４と、プリコート層２４を覆うように形成された保護コート層２５と、絶縁基板２１の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏電極（図示せず）と、絶縁基板２１の長手方向両端面に設けられた一対の端面電極２６等によって主に構成されている。

抵抗体２３は酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成したものであり、図８に示すように、印刷時における抵抗体２３の四隅には切欠き部２７が形成されている。これら切欠き部２７により、抵抗体２３は、幅方向（Ｙ方向）の寸法が狭められた一対の幅狭部Ｗａと、これら幅狭部Ｗａの間に位置して切欠き部２７の存しない幅広部Ｗｂとを有している。

ここで、抵抗体２３の幅広部Ｗｂにおける幅方向（Ｙ方向）の両端部は調整部２３ａとなっており、これら調整部２３ａにレーザー光を電極間方向（Ｘ方向）に照射してトリミング溝を形成することにより、調整部２３ａをスキャンカットして抵抗体２３の抵抗値が所定値になるように調整されている。すなわち、図８中にハッチングが施された調整部２３ａは、スキャンカット時にトリミング溝が形成される抵抗体２３の除去部分であり、図７に示すように、スキャンカット後の抵抗体２３はトリミング溝の形成に伴う調整部２３ａの除去相当分だけ幅寸法が短くなる。

次に、第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０の製造工程について、図９に示すフローチャートと図１０に示す平面図を用いて説明する。

まず、格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝が設けられた大判基板２１Ａを準備したなら、図９のステップＳ３０において、この大判基板２１Ａの表面に銀系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図１０（ａ）に示すように、大判基板２１Ａの各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極２２を形成する。また、これと同時あるいは前後して、大判基板２１Ａの裏面に銀系ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極（図示せず）を形成する（電極形成工程）。

次に、図９のステップＳ３１において、大判基板２１Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、両端部を表電極２２に重ね合わせた抵抗体２３を形成する（抵抗体形成工程）。この抵抗体２３の四隅には切欠き部２７が形成されており、抵抗体２３は、左右の切欠き部２７で挟まれた幅方向の両端部に調整部２３ａを有している（図８参照）。

次に、図９のステップＳ３２において、抵抗体２３の上にガラスペーストをスクリーン印刷した後、このガラスペーストを乾燥・焼成することにより、図１０（ｃ）に示すように、抵抗体２３の全体を覆うプリコート層２４を形成する（プリコート層形成工程）。

次に、図９のステップＳ３３において、プリコート層２４から露出する表電極２２に測定用のプローブ（不図示）を接触させ、この状態で抵抗体２３の抵抗値を測定しながらプリコート層２４の上から抵抗体２３の調整部２３ａにレーザー光を照射することにより、図１０（ｄ）に示すように、抵抗体２３の調整部２３ａにスキャンカットを施して目標抵抗値となるように抵抗値調整する（トリミング工程）。このスキャンカットでは、レーザー光が調整部２３ａに対して左右いずれか一方の切欠き部２７から他方の切欠き部２７に至る範囲に照射され、レーザー光の照射によって形成されるトリミング溝の始端部と終端部はいずれも切欠き部２７内に位置するため、トリミング溝（トリミング痕）の先端部が抵抗体２３上に残らなくなって電流集中を回避することができる。しかも、抵抗体２３の調整部２３ａはトリミング溝の切込み量増分に対する抵抗値増分の割合が小さい部分であり、このような調整部２３ａの全範囲に亘ってスキャンカットが行えるため、抵抗体２３の抵抗値を高精度に調整することができる。

次に、図９のステップＳ３４において、プリコート層２４の上からエポキシやポリイミド等の樹脂ペーストをスクリーン印刷し、この樹脂ペーストを加熱硬化することにより、図１０（ｅ）に示すように、プリコート層２４の全体と表電極２２の一部を覆う保護コート層２５を形成する（保護コート層形成工程）。

これまでの工程は大判基板２１Ａに対する一括処理であるが、次に、図９のステップＳ３５において、大判基板２１Ａを１次分割溝に沿って一次分割（ブレイク）することにより、大判基板２１Ａから複数の短冊状基板２１Ｂを得る（一次分割工程）。

次に、図９のステップＳ３６において、複数の短冊状基板２１Ｂを上下方向に重ね合わせた後、この状態で各短冊状基板２１Ｂの分割面にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図１０（ｆ）に示すように、表電極２２と不図示の裏電極とを橋絡する端面電極２６を形成する（端面電極形成工程）。

次に、図９のステップＳ３７において、短冊状基板２１Ｂを２次分割溝に沿って二次分割（ブレイク）することにより、チップ抵抗器２０と同等の大きさの個片（チップ単体）を得る（二次分割工程）。

最後に、図９のステップＳ３８において、個片化されたチップ単体に対して電解メッキを施すことにより、表電極２２と裏電極および端面電極２６を覆うＮｉ－Ｓｎメッキ層からなる外部電極を形成することにより、図７に示すチップ抵抗器２０が完成する。

このように構成された第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０では、表電極２２との接続箇所となる抵抗体２３の四隅に切欠き部２７が形成されており、左右の両切欠き部２７で挟まれた抵抗体２３の調整部２３ａをスキャンカットして抵抗値を調整するようにしたので、トリミング溝（トリミング痕）の先端部が抵抗体２３上に残らなくなって電流集中を回避できると共に、スキャンカットを行える範囲が広いため、高精度に抵抗値を調整することができる。

なお、第２の実施形態に係るチップ抵抗器２０では、表電極２２と抵抗体２３との接続箇所のうち、抵抗体２３側の四隅に切欠き部２７が形成されているが、このような切欠き部２７を抵抗体２３の代わりに表電極２２側に形成したり、表電極２２と抵抗体２３の両方に形成しても良い。また、切欠き部２７の形状も円弧状に特定されず、矩形状など他の形状であっても良い。

１ チップ抵抗器
２ 絶縁基板
２Ａ 大判基板
２Ｂ 短冊状基板
３ 表電極（電極）
３ａ スリット
３ｂ 切欠き部
４，４Ａ 抵抗体
４ａ 切欠き部
５ プリコート層
５ａ 分割スリット
６ 裏電極
７ 端面電極
８ 保護コート層
９ トリミング溝（トリミング痕）
１０ 切欠き部
２０ チップ抵抗器
２１ 絶縁基板
２１Ａ 大判基板
２１Ｂ 短冊状基板
２２ 表電極（電極）
２３ 抵抗体
２３ａ 調整部
２４ プリコート層
２５ 保護コート層
２６ 端面電極
２７ 切欠き部
Ｗａ 幅狭部
Ｗｂ 幅広部

Claims (9)

1. 直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の相対向する両辺部に設けられた一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザー光を照射することにより抵抗値調整用のトリミング痕が形成されているチップ抵抗器において、
   前記電極と前記抵抗体の接続箇所に切欠き部が形成されており、
   前記トリミング痕は前記切欠き部を始点として電極間方向へ直線状に延びていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. 前記切欠き部は前記抵抗体における前記電極との接続端部に形成されており、
   前記抵抗体は、前記切欠き部によって狭められた幅狭部と、前記切欠き部の存しない幅広部と、を有していることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記切欠き部は、一対の前記電極に接続する前記抵抗体の両端部に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記トリミング痕は、一方の前記切欠き部を始点として前記幅広部の途中まで延びていることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
5. 前記トリミング痕は、一方の前記切欠き部を始点として他方の前記切欠き部を終点とする範囲に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
6. 一対の電極間に少なくとも２つの前記抵抗体が並列に接続されており、これら２つの抵抗体が電極間方向へ直線状に延びる分割スリットを介して分割されていると共に、前記２つの抵抗体の両端部に形成された前記切欠き部がそれぞれ前記分割スリットに連通していることを特徴とする請求項３に記載のチップ抵抗器。
7. 前記２つの抵抗体に形成された前記トリミング痕は、前記スリットの長手方向に沿って逆向きに延びていることを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器。
8. 絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザー光を照射してトリミングカットすることで抵抗値が調整されるチップ抵抗器の製造方法において、
   一対の前記電極に接続する両端部をそれぞれ幅狭部とし、これら幅狭部で挟まれた領域を幅広部とする形状の抵抗体を印刷形成する工程と、
   一方の前記幅狭部から前記幅広部を通って他方の前記幅狭部に至る範囲にレーザー光を電極間方向に沿って直線状に照射することにより、前記幅広部をスキャンカットして前記抵抗体の抵抗値を調整する工程と、
   を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
9. 絶縁基板と、この絶縁基板上に所定間隔を存して対向配置された一対の電極と、これら一対の電極間を橋絡する抵抗体とを備え、前記抵抗体にレーザー光を照射してトリミングカットすることで抵抗値が調整されるチップ抵抗器の製造方法において、
   一対の前記電極に接続する両端部の幅方向中央にそれぞれ切欠き部を有する矩形状の抵抗体を印刷形成する工程と、
   一方の前記切欠き部から他方の前記切欠き部に至る範囲にレーザー光を照射して前記抵抗体を２分割する工程と、
   ２分割された個々の前記抵抗体に対して、一方の前記切欠き部を始点として電極間方向へ直線状に走査するようにレーザー光を照射して抵抗値を調整する工程と、
   を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。

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