JPH05129493A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH05129493A JPH05129493A JP31756291A JP31756291A JPH05129493A JP H05129493 A JPH05129493 A JP H05129493A JP 31756291 A JP31756291 A JP 31756291A JP 31756291 A JP31756291 A JP 31756291A JP H05129493 A JPH05129493 A JP H05129493A
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- lead
- lead frame
- etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング加工に不可避の不安定性にかかわ
らず、インナーリードの先端部のワイヤボンディングを
行う面の幅と最小限のリード間隔を保って、リードピッ
チを小さくしたリードフレームを製造する。 【構成】 金属板をエッチングして、ワイヤボンディン
グに必要な所定の幅より小さい幅をワイヤボンディング
面１ａに有したインナーリード１を形成し、エッチング
工程で形成させたインナーリード１をプレスして、イン
ナーリード１のワイヤボンディング面１ａの幅を所定の
幅に等しく又はそれより大にする。
らず、インナーリードの先端部のワイヤボンディングを
行う面の幅と最小限のリード間隔を保って、リードピッ
チを小さくしたリードフレームを製造する。 【構成】 金属板をエッチングして、ワイヤボンディン
グに必要な所定の幅より小さい幅をワイヤボンディング
面１ａに有したインナーリード１を形成し、エッチング
工程で形成させたインナーリード１をプレスして、イン
ナーリード１のワイヤボンディング面１ａの幅を所定の
幅に等しく又はそれより大にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームの製造方
法に関し、特にインナーリードの必要な幅と間隔を保っ
てピッチを微細化した多ピンリードフレームの製造方法
に関する。
法に関し、特にインナーリードの必要な幅と間隔を保っ
てピッチを微細化した多ピンリードフレームの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームのインナーリードは、ワ
イヤボンディングを行う側の平坦面の幅が少なくともワ
イヤボンディングに必要な大きさを、またリード間隔が
少なくとも電気的短絡の恐れがない大きさを、有しなけ
ればならない。
イヤボンディングを行う側の平坦面の幅が少なくともワ
イヤボンディングに必要な大きさを、またリード間隔が
少なくとも電気的短絡の恐れがない大きさを、有しなけ
ればならない。
【０００３】多ピンリードフレームは一般にエッチング
加工により作られ、そのインナーリード先端部の断面は
通常、図２に示す形状をしている。図示されるように、
隣接するインナーリード１，１の側面の間隔は、厚さ方
向の中央部で最も狭くなっている。この部分の間隙をＳ
とし、インナーリードのワイヤボンディングを行う側の
面１ａの幅をＷとすると、それらの和Ｗ＋ＳはピッチＰ
より小さい。従って、ピッチＰを小さくしようとすると
き、Ｐ−Ｗを理論上の最小限度まで小さくすると、Ｓは
最小限度を下回り、短絡の危険性が生ずる。例えば、Ｗ
が0.１２ｍｍ以上、Ｓが0.０６ｍｍ以上必要とすると、
ピッチＰは0.２０ｍｍ程度にしかできない（後述のよう
に、実際にはエッチング加工の寸法精度の関係でＳを0.
１１ｍｍ以上とすることが必要とされ、最小のピッチＰ
は0.２５ｍｍ程度である）。
加工により作られ、そのインナーリード先端部の断面は
通常、図２に示す形状をしている。図示されるように、
隣接するインナーリード１，１の側面の間隔は、厚さ方
向の中央部で最も狭くなっている。この部分の間隙をＳ
とし、インナーリードのワイヤボンディングを行う側の
面１ａの幅をＷとすると、それらの和Ｗ＋ＳはピッチＰ
より小さい。従って、ピッチＰを小さくしようとすると
き、Ｐ−Ｗを理論上の最小限度まで小さくすると、Ｓは
最小限度を下回り、短絡の危険性が生ずる。例えば、Ｗ
が0.１２ｍｍ以上、Ｓが0.０６ｍｍ以上必要とすると、
ピッチＰは0.２０ｍｍ程度にしかできない（後述のよう
に、実際にはエッチング加工の寸法精度の関係でＳを0.
１１ｍｍ以上とすることが必要とされ、最小のピッチＰ
は0.２５ｍｍ程度である）。
【０００４】エッチング条件を調節することにより、イ
ンナーリード先端部の断面を図３に示す形状にすること
ができれば、平坦面１ａの間隙が、隣接するリード間の
最も狭い部分となり、その幅Ｓとボンディング側の面１
ａの幅Ｗとの和がピッチＰに等しくなる。例えば、Ｗと
Ｓの最小限度を前述の値とすれば、最小ピッチＰをＷと
Ｓの和0.１８ｍｍにすることができる筈である。
ンナーリード先端部の断面を図３に示す形状にすること
ができれば、平坦面１ａの間隙が、隣接するリード間の
最も狭い部分となり、その幅Ｓとボンディング側の面１
ａの幅Ｗとの和がピッチＰに等しくなる。例えば、Ｗと
Ｓの最小限度を前述の値とすれば、最小ピッチＰをＷと
Ｓの和0.１８ｍｍにすることができる筈である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチング加
工は安定に行われないので、実際には、確実に図３のよ
うな断面にエッチングすることは困難である。例えば、
ワイヤボンディングを行う面の最小幅が0.１２ｍｍであ
る場合、その間隔が0.１１ｍｍ以上になるようにエッチ
ング条件を設定しないと、短絡のおそれがあり、ピッチ
は0.２３ｍｍが限度である。
工は安定に行われないので、実際には、確実に図３のよ
うな断面にエッチングすることは困難である。例えば、
ワイヤボンディングを行う面の最小幅が0.１２ｍｍであ
る場合、その間隔が0.１１ｍｍ以上になるようにエッチ
ング条件を設定しないと、短絡のおそれがあり、ピッチ
は0.２３ｍｍが限度である。
【０００６】本発明の目的は、エッチング加工に不可避
の不安定性にかかわらず、インナーリードの先端部のワ
イヤボンディングを行う面の幅と最小限のリード間隔を
保って、リードピッチを小さくした、リードフレームの
製造方法を実現することにある。
の不安定性にかかわらず、インナーリードの先端部のワ
イヤボンディングを行う面の幅と最小限のリード間隔を
保って、リードピッチを小さくした、リードフレームの
製造方法を実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、エッチング
加工に不可避の不安定性にかかわらず、インナーリード
の先端部のワイヤボンディングを行う面の幅と最小限の
リード間隔を保って、リードピッチを小さくしたリード
フレームを製造するため、金属板をエッチングして、ワ
イヤボンディングに必要な所定の幅より小さい幅をワイ
ヤボンディング面に有したインナーリードを形成し（エ
ッチング工程）、エッチング工程で形成させたインナー
リードをプレスして、インナーリードのワイヤボンディ
ング面の幅を所定の幅に等しく又はそれより大にする
（プレス工程）。
加工に不可避の不安定性にかかわらず、インナーリード
の先端部のワイヤボンディングを行う面の幅と最小限の
リード間隔を保って、リードピッチを小さくしたリード
フレームを製造するため、金属板をエッチングして、ワ
イヤボンディングに必要な所定の幅より小さい幅をワイ
ヤボンディング面に有したインナーリードを形成し（エ
ッチング工程）、エッチング工程で形成させたインナー
リードをプレスして、インナーリードのワイヤボンディ
ング面の幅を所定の幅に等しく又はそれより大にする
（プレス工程）。
【０００８】金属板としては、通常の金属から成るもの
を用いることができる。また、金属板の両面からのエッ
チングは、通常の方法で行うことができる。
を用いることができる。また、金属板の両面からのエッ
チングは、通常の方法で行うことができる。
【０００９】金属板のエッチングは、隣接するインナー
リードの先端部の厚さ方向での最小の間隔が、インナー
リードの一方の面の間隔とほぼ等しくなるように行うこ
とが好ましい。このようなエッチングを行うには、例え
ば、裏面（ボンディングを行う側と反対側）からのエッ
チングの際のスプレー圧力をボンディングを行う側より
大きくして、エッチングを深く行い、裏面のエッチング
部の幅を広くする。あるいは、スプレー圧力は両面同じ
とし、裏面のフォトエッチングに用いるフォトマスク
の、エッチング部（ネガ型レジストなら非透過部、ポジ
型レジストなら透過部）の幅を広くする。裏面からのエ
ッチングの際の液温を、ワイヤボンディング側より高く
してもよい。
リードの先端部の厚さ方向での最小の間隔が、インナー
リードの一方の面の間隔とほぼ等しくなるように行うこ
とが好ましい。このようなエッチングを行うには、例え
ば、裏面（ボンディングを行う側と反対側）からのエッ
チングの際のスプレー圧力をボンディングを行う側より
大きくして、エッチングを深く行い、裏面のエッチング
部の幅を広くする。あるいは、スプレー圧力は両面同じ
とし、裏面のフォトエッチングに用いるフォトマスク
の、エッチング部（ネガ型レジストなら非透過部、ポジ
型レジストなら透過部）の幅を広くする。裏面からのエ
ッチングの際の液温を、ワイヤボンディング側より高く
してもよい。
【００１０】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明のさらに具体的
な説明とする。厚さ0.１５ｍｍの４２アロイ（ニッケル
４２重量％を含む鉄合金）の板を、塩化第二鉄を含むエ
ッチング液で、インナーリード先端部の表側ではエッチ
される部分の幅が0.１１ｍｍ、間隔が0.１１ｍｍになる
ように、裏側ではエッチされる部分の幅が0.１５ｍｍ、
間隔が0.０７ｍｍになるように、スプレー圧力を変えて
エッチングを行った。エッチングにより形成されたリー
ドフレームのインナーリード先端部１は、図１（Ａ）に
示すように、ワイヤボンディング側の面１ａの幅Ｗが0.
１１ｍｍ、間隔Ｓが0.１１ｍｍで、反対側の面１ｂの幅
ＷL は0.０７ｍｍである。
な説明とする。厚さ0.１５ｍｍの４２アロイ（ニッケル
４２重量％を含む鉄合金）の板を、塩化第二鉄を含むエ
ッチング液で、インナーリード先端部の表側ではエッチ
される部分の幅が0.１１ｍｍ、間隔が0.１１ｍｍになる
ように、裏側ではエッチされる部分の幅が0.１５ｍｍ、
間隔が0.０７ｍｍになるように、スプレー圧力を変えて
エッチングを行った。エッチングにより形成されたリー
ドフレームのインナーリード先端部１は、図１（Ａ）に
示すように、ワイヤボンディング側の面１ａの幅Ｗが0.
１１ｍｍ、間隔Ｓが0.１１ｍｍで、反対側の面１ｂの幅
ＷL は0.０７ｍｍである。
【００１１】形成されたインナーリードの先端部を厚さ
0.１２ｍｍになるようにプレス加工（コイニング）し、
断面を図１（Ｂ）に示すような形状にした。プレス加工
により、面１ａの幅Ｗは0.１３ｍｍ、間隔Ｓは0.０９ｍ
ｍ、反対側の面１ｂの幅ＷL は0.０８ｍｍとなる。この
ようにして、ワイヤボンディング側の面１ａの幅Ｗが0.
１３ｍｍ、リード間隔Ｓが0.０９ｍｍ、ピッチ0.２２ｍ
ｍの多ピンリードフレームを製作することができた。
0.１２ｍｍになるようにプレス加工（コイニング）し、
断面を図１（Ｂ）に示すような形状にした。プレス加工
により、面１ａの幅Ｗは0.１３ｍｍ、間隔Ｓは0.０９ｍ
ｍ、反対側の面１ｂの幅ＷL は0.０８ｍｍとなる。この
ようにして、ワイヤボンディング側の面１ａの幅Ｗが0.
１３ｍｍ、リード間隔Ｓが0.０９ｍｍ、ピッチ0.２２ｍ
ｍの多ピンリードフレームを製作することができた。
【００１２】
【発明の効果】本発明の方法によりリードフレームを製
造すると、エッチング加工に不可避の寸法精度の不安定
さにかかわらず、インナーリードの先端部のワイヤボン
ディングを行う面の幅およびリード間隔の必要最小限の
広さを保って、リードピッチを小さくすることができ、
ピン数の増加が可能となる。
造すると、エッチング加工に不可避の寸法精度の不安定
さにかかわらず、インナーリードの先端部のワイヤボン
ディングを行う面の幅およびリード間隔の必要最小限の
広さを保って、リードピッチを小さくすることができ、
ピン数の増加が可能となる。
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施例における、リー
ドフレームのプレス加工前の断面図、図１（Ｂ）は本発
明の一実施例において製造されるリードフレームの断面
図である。
ドフレームのプレス加工前の断面図、図１（Ｂ）は本発
明の一実施例において製造されるリードフレームの断面
図である。
【図２】従来の一方法で製造されるリードフレームの断
面図。
面図。
【図３】従来の他の方法で製造されるリードフレームの
断面図。
断面図。
１ インナーリード（先端部） １ａ ワイヤボンディングを行う側の面 １ｂ ワイヤボンディングを行わない面
Claims (1)
- 【請求項１】 ワイヤボンディングに必要な所定の幅を
ワイヤボンディング面に有するインナーリードを具えた
リードフレームの製造方法において、 金属板をエッチングして前記所定の幅より小さい幅を前
記ワイヤボンディング面に有したインナーリードを形成
するエッチング工程と、 前記エッチング工程で形成させたインナーリードをプレ
スして、前記ワイヤボンディング面の幅を前記所定の幅
に等しく又はそれより大にするプレス工程から成ること
を特徴とする、リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3317562A JP2862106B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3317562A JP2862106B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129493A true JPH05129493A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2862106B2 JP2862106B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=18089647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3317562A Expired - Fee Related JP2862106B2 (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862106B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08274230A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | リードフレームとその製造方法 |
| CN103745968A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-23 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 封装结构及其制备方法 |
| JP2014165262A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
| JP2016136648A (ja) * | 2016-04-12 | 2016-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144349A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
| JPH02118948U (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-25 | ||
| JPH0314263A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Nec Corp | リードフレームの製造方法 |
| JPH03187252A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH03230556A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置用リードフレーム |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3317562A patent/JP2862106B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144349A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 |
| JPH02118948U (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-25 | ||
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| JP2014165262A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
| CN103745968A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-23 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 封装结构及其制备方法 |
| CN103745968B (zh) * | 2014-01-26 | 2016-06-01 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 封装结构及其制备方法 |
| JP2016136648A (ja) * | 2016-04-12 | 2016-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2862106B2 (ja) | 1999-02-24 |
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