JP3420709B2 - Ｌｏｃタイプのリードフレーム及びその製造方法 - Google Patents
Ｌｏｃタイプのリードフレーム及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3420709B2 JP3420709B2 JP31743698A JP31743698A JP3420709B2 JP 3420709 B2 JP3420709 B2 JP 3420709B2 JP 31743698 A JP31743698 A JP 31743698A JP 31743698 A JP31743698 A JP 31743698A JP 3420709 B2 JP3420709 B2 JP 3420709B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- leads
- bent
- frame material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム及び
その製造方法に関し、より詳細にはＬＯＣ（Leadon chi
p）タイプのリードフレーム及びその製造方法に関す
る。
その製造方法に関し、より詳細にはＬＯＣ（Leadon chi
p）タイプのリードフレーム及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３はＬＯＣタイプのリードフレームの
一例を示す。ＬＯＣタイプのリードフレームは図のよう
に、複数のインナーリード１０を相互に平行になるよう
に配列し、フレームの長手方向と平行に配列したアウタ
ーリード１２との間を屈曲リード１４によって連結する
構造となっている。屈曲リード１４がインナーリード１
０とアウターリード１２との間で屈曲するように配置す
るのは、インナーリード１２が密に配置されるのに対し
て、アウターリード１２のリード間隔を広げるようにす
るためである。
一例を示す。ＬＯＣタイプのリードフレームは図のよう
に、複数のインナーリード１０を相互に平行になるよう
に配列し、フレームの長手方向と平行に配列したアウタ
ーリード１２との間を屈曲リード１４によって連結する
構造となっている。屈曲リード１４がインナーリード１
０とアウターリード１２との間で屈曲するように配置す
るのは、インナーリード１２が密に配置されるのに対し
て、アウターリード１２のリード間隔を広げるようにす
るためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
屈曲リード１４によってインナーリード１０とアウター
リード１２とを連結する構造のＬＯＣタイプのリードフ
レームでは、屈曲リード１４が相互に接近してくるとい
う問題がある。図４はクワッドタイプのリードフレーム
でのインナーリードの配置を示すものである。クワッド
タイプのリードフレームではインナーリードの先端側で
リード間隔がもっとも狭くなり、外方に向かうにしたが
ってリード間隔が広がるのに対して、ＬＯＣタイプのリ
ードフレームでは図５に示すように、その配置上、屈曲
リード１４部分でのリード間隔がインナーリード１０で
のリード間隔よりも狭くなる。
屈曲リード１４によってインナーリード１０とアウター
リード１２とを連結する構造のＬＯＣタイプのリードフ
レームでは、屈曲リード１４が相互に接近してくるとい
う問題がある。図４はクワッドタイプのリードフレーム
でのインナーリードの配置を示すものである。クワッド
タイプのリードフレームではインナーリードの先端側で
リード間隔がもっとも狭くなり、外方に向かうにしたが
ってリード間隔が広がるのに対して、ＬＯＣタイプのリ
ードフレームでは図５に示すように、その配置上、屈曲
リード１４部分でのリード間隔がインナーリード１０で
のリード間隔よりも狭くなる。
【０００４】リードフレームのインナーリード１０は半
導体素子の高密度化とともに、リード間隔がより狭くな
る傾向にある。この場合、ＬＯＣタイプのリードフレー
ムでは屈曲リード１４のリード間隔がインナーリード１
０のリード間隔よりもさらに狭くなるから、リードフレ
ームの微細ピッチ化の要請に対して、とくに屈曲リード
１４部分でのパターニングが困難になるという問題が生
じてきた。エッチング方法あるいはプレス加工方法によ
ってリードフレームを製造する場合、リードパターンを
微細に形成できる程度は一般にリードフレーム材の厚さ
に依存するから、インナーリード１０を成形できてもよ
り微細なパターンとなる屈曲リード１４が形成できない
という問題が生じる。
導体素子の高密度化とともに、リード間隔がより狭くな
る傾向にある。この場合、ＬＯＣタイプのリードフレー
ムでは屈曲リード１４のリード間隔がインナーリード１
０のリード間隔よりもさらに狭くなるから、リードフレ
ームの微細ピッチ化の要請に対して、とくに屈曲リード
１４部分でのパターニングが困難になるという問題が生
じてきた。エッチング方法あるいはプレス加工方法によ
ってリードフレームを製造する場合、リードパターンを
微細に形成できる程度は一般にリードフレーム材の厚さ
に依存するから、インナーリード１０を成形できてもよ
り微細なパターンとなる屈曲リード１４が形成できない
という問題が生じる。
【０００５】本発明はこのようなＬＯＣタイプのリード
フレームにおいて、より高密度にリードを形成すること
を可能にするリードフレーム及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
フレームにおいて、より高密度にリードを形成すること
を可能にするリードフレーム及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、それぞれが
ワイヤボンディング面と、該ワイヤボンディング面と反
対側に半導体素子を搭載する接着テープが貼着される面
とを有して、相互に平行に延在する複数のインナーリー
ドと、該インナーリードとアウターリードとの間に屈曲
する複数の屈曲リードとを有し、該屈曲リードのリード
間隔に前記インナーリードのリード間隔より狭い部分を
有するＬＯＣタイプのリードフレームにおいて、前記屈
曲リードの厚さが、リードフレームを形成するリードフ
レーム材の厚さより薄厚に形成されていると共に、前記
アウターリード及びインナーリードの厚さが、リードフ
レーム材の厚さと略同厚に形成されていることを特徴と
する。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、それぞれが
ワイヤボンディング面と、該ワイヤボンディング面と反
対側に半導体素子を搭載する接着テープが貼着される面
とを有して、相互に平行に延在する複数のインナーリー
ドと、該インナーリードとアウターリードとの間に屈曲
する複数の屈曲リードとを有し、該屈曲リードのリード
間隔に前記インナーリードのリード間隔より狭い部分を
有するＬＯＣタイプのリードフレームにおいて、前記屈
曲リードの厚さが、リードフレームを形成するリードフ
レーム材の厚さより薄厚に形成されていると共に、前記
アウターリード及びインナーリードの厚さが、リードフ
レーム材の厚さと略同厚に形成されていることを特徴と
する。
【０００７】また、それぞれがワイヤボンディング面
と、該ワイヤボンディング面と反対側に半導体素子を搭
載する接着テープが貼着される面とを有して、相互に平
行に延在する複数のインナーリードと、該インナーリー
ドとアウターリードとの間に屈曲する複数の屈曲リード
とを有し、該屈曲リードのリード間隔に前記インナーリ
ードのリード間隔より狭い部分を有するＬＯＣタイプの
リードフレームの製造方法において、リードフレーム材
の両面に感光性のレジストを用いて、前記インナーリー
ド及びアウターリードを形成する部位については、該イ
ンナーリード及びアウターリードのパターンにしたがっ
てリードフレーム材の両面にレジストパターンを形成
し、前記屈曲リードを形成する部位については、リード
フレーム材の一方の面にのみ屈曲リードのパターンにし
たがってレジストパターンを形成し、前記レジストパタ
ーンをマスクとしてリードフレーム材を両面からエッチ
ングして、前記屈曲リードの厚さを、リードフレームを
形成するリードフレーム材の厚さより薄厚に形成すると
共に、前記アウターリード及びインナーリードの厚さ
を、リードフレーム材の厚さと略同厚に形成することを
特徴とする。
と、該ワイヤボンディング面と反対側に半導体素子を搭
載する接着テープが貼着される面とを有して、相互に平
行に延在する複数のインナーリードと、該インナーリー
ドとアウターリードとの間に屈曲する複数の屈曲リード
とを有し、該屈曲リードのリード間隔に前記インナーリ
ードのリード間隔より狭い部分を有するＬＯＣタイプの
リードフレームの製造方法において、リードフレーム材
の両面に感光性のレジストを用いて、前記インナーリー
ド及びアウターリードを形成する部位については、該イ
ンナーリード及びアウターリードのパターンにしたがっ
てリードフレーム材の両面にレジストパターンを形成
し、前記屈曲リードを形成する部位については、リード
フレーム材の一方の面にのみ屈曲リードのパターンにし
たがってレジストパターンを形成し、前記レジストパタ
ーンをマスクとしてリードフレーム材を両面からエッチ
ングして、前記屈曲リードの厚さを、リードフレームを
形成するリードフレーム材の厚さより薄厚に形成すると
共に、前記アウターリード及びインナーリードの厚さ
を、リードフレーム材の厚さと略同厚に形成することを
特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームの一実施形態の断面図を示す。同図で１０がインナ
ーリード、１２がアウターリード、１４が屈曲リードで
ある。なお、図１では半導体素子１６をリードフレーム
に搭載し、インナーリード１０と半導体素子１６とをワ
イヤボンディングした状態を示している。インナーリー
ド１０のボンディング面とは反対側の下面には複数のイ
ンナーリード１０にわたってインナーリード１０に半導
体素子１６を搭載する接着テープ１８が貼着される。２
０は半導体素子１６のボンディングパッドとインナーリ
ード１０とを電気的に接続するボンディングワイヤであ
る。２２は樹脂封止範囲を示す。
ついて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ームの一実施形態の断面図を示す。同図で１０がインナ
ーリード、１２がアウターリード、１４が屈曲リードで
ある。なお、図１では半導体素子１６をリードフレーム
に搭載し、インナーリード１０と半導体素子１６とをワ
イヤボンディングした状態を示している。インナーリー
ド１０のボンディング面とは反対側の下面には複数のイ
ンナーリード１０にわたってインナーリード１０に半導
体素子１６を搭載する接着テープ１８が貼着される。２
０は半導体素子１６のボンディングパッドとインナーリ
ード１０とを電気的に接続するボンディングワイヤであ
る。２２は樹脂封止範囲を示す。
【０００９】本実施形態のリードフレームで特徴とする
構成は、屈曲リード１４に対応するリード部分の下面に
凹部１４ａが形成され屈曲リード１４の厚さがインナー
リード１０及びアウターリード１２よりも薄厚に設けら
れたことにある。インナーリード１０及びアウターリー
ド１２の厚さはリードフレーム材と同じ厚さに形成する
のに対して、屈曲リード１４についてはリードフレーム
材の材厚よりも薄くして屈曲リード１４を微細に形成し
たものである。エッチング方法あるいはプレス加工方法
によってリードフレームを形成する場合、リード間隔は
リードフレーム材の材厚によって規制されるから屈曲リ
ード１４を形成する部位の材厚を薄厚にすることによっ
て屈曲リード１４をインナーリード１０よりも微細ピッ
チに形成することが可能となる。
構成は、屈曲リード１４に対応するリード部分の下面に
凹部１４ａが形成され屈曲リード１４の厚さがインナー
リード１０及びアウターリード１２よりも薄厚に設けら
れたことにある。インナーリード１０及びアウターリー
ド１２の厚さはリードフレーム材と同じ厚さに形成する
のに対して、屈曲リード１４についてはリードフレーム
材の材厚よりも薄くして屈曲リード１４を微細に形成し
たものである。エッチング方法あるいはプレス加工方法
によってリードフレームを形成する場合、リード間隔は
リードフレーム材の材厚によって規制されるから屈曲リ
ード１４を形成する部位の材厚を薄厚にすることによっ
て屈曲リード１４をインナーリード１０よりも微細ピッ
チに形成することが可能となる。
【００１０】一方、インナーリード１０についてはリー
ドフレーム材と同厚に形成することによって、リードフ
レームの製造工程で接着テープ１８を貼る操作も従来の
装置をそのまま使用することができ、半導体素子１６を
リードフレームに搭載してワイヤボンディングする工程
も従来とまったく同様に行うことができる。また、アウ
ターリード１２についてはリードフレーム材と同厚に形
成することにより所要の強度を得ることができる。この
ように、実施形態のリードフレームはリードフレームの
製造工程やワイヤボンディング等の従来のアセンブリ工
程を変えることなく製造することができ、微細なピッチ
間隔で屈曲リード１４を形成することができることか
ら、半導体素子の高密度化に対応したリードフレームと
して提供することができる。
ドフレーム材と同厚に形成することによって、リードフ
レームの製造工程で接着テープ１８を貼る操作も従来の
装置をそのまま使用することができ、半導体素子１６を
リードフレームに搭載してワイヤボンディングする工程
も従来とまったく同様に行うことができる。また、アウ
ターリード１２についてはリードフレーム材と同厚に形
成することにより所要の強度を得ることができる。この
ように、実施形態のリードフレームはリードフレームの
製造工程やワイヤボンディング等の従来のアセンブリ工
程を変えることなく製造することができ、微細なピッチ
間隔で屈曲リード１４を形成することができることか
ら、半導体素子の高密度化に対応したリードフレームと
して提供することができる。
【００１１】なお、図１に示す実施形態では、屈曲リー
ド１４の下面に凹部１４ａを形成して屈曲リード１４を
パターニングしたが、凹部１４ａはリードフレーム材の
材厚を薄くしてより微細なパターニングを可能にするこ
とを目的とするから、屈曲リードフレーム１４の上面に
凹部１４ａを形成してパターニングすることももちろん
可能である。また、屈曲リード１４に設ける凹部１４ａ
の深さも屈曲リード１４のリード間隔に応じて適宜設定
される。屈曲リード１４のリード間隔がより狭くなる場
合には凹部１４ａがより深くなる。
ド１４の下面に凹部１４ａを形成して屈曲リード１４を
パターニングしたが、凹部１４ａはリードフレーム材の
材厚を薄くしてより微細なパターニングを可能にするこ
とを目的とするから、屈曲リードフレーム１４の上面に
凹部１４ａを形成してパターニングすることももちろん
可能である。また、屈曲リード１４に設ける凹部１４ａ
の深さも屈曲リード１４のリード間隔に応じて適宜設定
される。屈曲リード１４のリード間隔がより狭くなる場
合には凹部１４ａがより深くなる。
【００１２】次に、エッチング方法により上述したリー
ドフレームを製造する方法について説明する。図２はイ
ンナーリード１０を形成する部位（図５のＡ−Ａ線断
面）と屈曲リード１４を形成する部位（図５のＢ−Ｂ線
断面）について各々リードが形成される様子を示す。図
２(a) はリードフレーム材３０の表面にインナーリード
１０、アウターリード１２、屈曲リード１４のリードパ
ターンにしたがってレジストパターン３２を設けた状態
である。レジストパターン３２はリードフレーム材の両
面に感光性のレジスト膜を形成し、形成すべきリードの
パターンにしたがって露光、現像することによって形成
する。
ドフレームを製造する方法について説明する。図２はイ
ンナーリード１０を形成する部位（図５のＡ−Ａ線断
面）と屈曲リード１４を形成する部位（図５のＢ−Ｂ線
断面）について各々リードが形成される様子を示す。図
２(a) はリードフレーム材３０の表面にインナーリード
１０、アウターリード１２、屈曲リード１４のリードパ
ターンにしたがってレジストパターン３２を設けた状態
である。レジストパターン３２はリードフレーム材の両
面に感光性のレジスト膜を形成し、形成すべきリードの
パターンにしたがって露光、現像することによって形成
する。
【００１３】図２(a) に示すように、レジストパターン
３２を形成する場合、インナーリード１０とアウターリ
ード１２を形成する部位についてはリードフレーム材３
０の両面に各々リードのパターンにしたがってレジスト
パターン３２を設ける一方、屈曲リード１４を形成する
部位についてはリードフレーム材３０の一方の面にのみ
屈曲リード１４のリードのパターンにしたがってレジス
トパターン３２を形成する。リードフレーム材３０はレ
ジストパターン３２をマスクとして両面からエッチング
液を放射し、リードフレーム材３０の両面からエッチン
グを進めるようにする。
３２を形成する場合、インナーリード１０とアウターリ
ード１２を形成する部位についてはリードフレーム材３
０の両面に各々リードのパターンにしたがってレジスト
パターン３２を設ける一方、屈曲リード１４を形成する
部位についてはリードフレーム材３０の一方の面にのみ
屈曲リード１４のリードのパターンにしたがってレジス
トパターン３２を形成する。リードフレーム材３０はレ
ジストパターン３２をマスクとして両面からエッチング
液を放射し、リードフレーム材３０の両面からエッチン
グを進めるようにする。
【００１４】図２(b) はエッチング液によってリードフ
レーム材３０がややエッチングされた状態を示す。リー
ドフレーム材３０はレジストパターン３２によって被覆
されず露出している部位が浸食されて徐々に薄厚になっ
ていく。図２(b) のＡ−Ａ部分を示す図では、リードフ
レーム材３０の両面にレジストパターン３２を設けてい
るから、レジストパターン３２によって挟まれた中間部
分が両面から浸食されていく。これに対して、図２(b)
のＢ−Ｂ部分を示す図では、リードフレーム材３０の上
面についてはレジストパターン３２によって挟まれた部
位が浸食される一方、リードフレーム材３０の下面につ
いてはリードフレーム材３０がレジストパターン３２に
よって被覆されずに全面が露出しているから、リードフ
レーム材３０全体の厚さが薄くなるようにエッチングさ
れていく。
レーム材３０がややエッチングされた状態を示す。リー
ドフレーム材３０はレジストパターン３２によって被覆
されず露出している部位が浸食されて徐々に薄厚になっ
ていく。図２(b) のＡ−Ａ部分を示す図では、リードフ
レーム材３０の両面にレジストパターン３２を設けてい
るから、レジストパターン３２によって挟まれた中間部
分が両面から浸食されていく。これに対して、図２(b)
のＢ−Ｂ部分を示す図では、リードフレーム材３０の上
面についてはレジストパターン３２によって挟まれた部
位が浸食される一方、リードフレーム材３０の下面につ
いてはリードフレーム材３０がレジストパターン３２に
よって被覆されずに全面が露出しているから、リードフ
レーム材３０全体の厚さが薄くなるようにエッチングさ
れていく。
【００１５】図２(c) はさらにリードフレーム材３０の
エッチングが進んだ状態で、リードフレーム材３０のイ
ンナーリード１０を形成する部分では、レジストパター
ン３２によって挟まれた部位がほぼ貫通する状態になっ
ている。一方、屈曲リード１４を形成する部位ではリー
ドフレーム材３０がさらに薄厚になり、レジストパター
ン３２によって挟まれた中間部分がほぼ貫通する状態に
なっている。
エッチングが進んだ状態で、リードフレーム材３０のイ
ンナーリード１０を形成する部分では、レジストパター
ン３２によって挟まれた部位がほぼ貫通する状態になっ
ている。一方、屈曲リード１４を形成する部位ではリー
ドフレーム材３０がさらに薄厚になり、レジストパター
ン３２によって挟まれた中間部分がほぼ貫通する状態に
なっている。
【００１６】図２(d) はさらにリードフレーム材３０を
エッチングし、エッチングを最終的に停止した状態であ
る。Ａ−Ａ部分ではインナーリード１０が独立したパタ
ーンに形成され、Ｂ−Ｂ部分では屈曲リード１４が独立
したパターンに形成されている。この後、レジストパタ
ーン３２をリードの表面から除去することによって、所
定のリードパターンを有するリードフレームが得られ
る。図２(d) からわかるように、インナーリード１０及
びアウターリード１２はリードフレーム材３０の厚さと
同じ厚さに形成されるのに対して、屈曲リード１４は下
面側からリードフレーム材３０がエッチングされること
によってリードフレーム材３０の厚さよりも薄くなる。
エッチングし、エッチングを最終的に停止した状態であ
る。Ａ−Ａ部分ではインナーリード１０が独立したパタ
ーンに形成され、Ｂ−Ｂ部分では屈曲リード１４が独立
したパターンに形成されている。この後、レジストパタ
ーン３２をリードの表面から除去することによって、所
定のリードパターンを有するリードフレームが得られ
る。図２(d) からわかるように、インナーリード１０及
びアウターリード１２はリードフレーム材３０の厚さと
同じ厚さに形成されるのに対して、屈曲リード１４は下
面側からリードフレーム材３０がエッチングされること
によってリードフレーム材３０の厚さよりも薄くなる。
【００１７】このように、屈曲リード１４を形成する部
位についてリードフレーム材３０の下面の全面をエッチ
ングすることにより、図１に示すように、屈曲リード１
４とインナーリード１０及びアウターリード１２との境
界部分が段差状になり、屈曲リード１４を形成した部位
の厚さがインナーリード１０、アウターリード１２より
も薄くなって、凹部１４ａが形成される。この後、イン
ナーリード１０の下面に接着テープ１８を貼着してＬＯ
Ｃタイプのリードフレームとして提供する。
位についてリードフレーム材３０の下面の全面をエッチ
ングすることにより、図１に示すように、屈曲リード１
４とインナーリード１０及びアウターリード１２との境
界部分が段差状になり、屈曲リード１４を形成した部位
の厚さがインナーリード１０、アウターリード１２より
も薄くなって、凹部１４ａが形成される。この後、イン
ナーリード１０の下面に接着テープ１８を貼着してＬＯ
Ｃタイプのリードフレームとして提供する。
【００１８】上記製造方法で説明したように、屈曲リー
ド１４を形成する部位について、リードフレーム材３０
の一方の面にレジストパターン３２を形成し他方の面を
露出させてエッチングする方法によれば、屈曲リード１
４を形成する部位については実質的にリードフレーム材
３０の材厚が薄くなったと同様に作用するから、屈曲リ
ード１４を容易に微細間隔で形成することができる。リ
ードフレーム材３０をエッチングする方向は上下を問わ
ないから、屈曲リード１４を形成する部位についてリー
ドフレーム材３０の下面にレジストパターン３２を設
け、リードフレーム材３０の上面を露出させてエッチン
グしても同様である。
ド１４を形成する部位について、リードフレーム材３０
の一方の面にレジストパターン３２を形成し他方の面を
露出させてエッチングする方法によれば、屈曲リード１
４を形成する部位については実質的にリードフレーム材
３０の材厚が薄くなったと同様に作用するから、屈曲リ
ード１４を容易に微細間隔で形成することができる。リ
ードフレーム材３０をエッチングする方向は上下を問わ
ないから、屈曲リード１４を形成する部位についてリー
ドフレーム材３０の下面にレジストパターン３２を設
け、リードフレーム材３０の上面を露出させてエッチン
グしても同様である。
【００１９】このようにリードフレーム材３０の片面を
露出させてエッチングする方法は屈曲リード１４でピッ
チ間隔がきわめて狭くなる部位に適用すればよく、屈曲
リード１４のうち比較的ピッチ間隔が広い部位について
はリードフレーム材３０の両面にレジストパターン３２
を設けてもよい。
露出させてエッチングする方法は屈曲リード１４でピッ
チ間隔がきわめて狭くなる部位に適用すればよく、屈曲
リード１４のうち比較的ピッチ間隔が広い部位について
はリードフレーム材３０の両面にレジストパターン３２
を設けてもよい。
【００２０】また、上記実施形態ではリードフレーム材
３０をエッチングして所要のインナーリード１０、アウ
ターリード１２、屈曲リード１４を形成したが、プレス
加工によってリードフレームを形成する場合に、屈曲リ
ード１４を形成する部位について、あらかじめエッチン
グ方法やプレスによる押圧によってリードフレーム材３
０を薄厚に形成しておいて、プレス抜き加工することも
可能である。
３０をエッチングして所要のインナーリード１０、アウ
ターリード１２、屈曲リード１４を形成したが、プレス
加工によってリードフレームを形成する場合に、屈曲リ
ード１４を形成する部位について、あらかじめエッチン
グ方法やプレスによる押圧によってリードフレーム材３
０を薄厚に形成しておいて、プレス抜き加工することも
可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係るリードフレームは、上述し
たように、インナーリードとアウターリードとを連結す
る屈曲リードが微細ピッチで形成され、半導体素子の高
集積化に好適に対応できるリードフレームとして提供す
ることができる。また、本発明に係るリードフレームの
製造方法によれば、インナーリードとアウターリードと
を連結する屈曲リードをきわめて微細ピッチに形成する
ことができ、高集積化された半導体装置を搭載するリー
ドフレームとして好適に提供することが可能になる。
たように、インナーリードとアウターリードとを連結す
る屈曲リードが微細ピッチで形成され、半導体素子の高
集積化に好適に対応できるリードフレームとして提供す
ることができる。また、本発明に係るリードフレームの
製造方法によれば、インナーリードとアウターリードと
を連結する屈曲リードをきわめて微細ピッチに形成する
ことができ、高集積化された半導体装置を搭載するリー
ドフレームとして好適に提供することが可能になる。
【図１】本発明に係るリードフレームの一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明に係るリードフレームの製造方法を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】ＬＯＣタイプのリードフレームの平面図であ
る。
る。
【図４】クワッドタイプのリードフレームのリードパタ
ーンを示す説明図である。
ーンを示す説明図である。
【図５】ＬＯＣタイプのリードフレームのリードパター
ンを示す説明図である。
ンを示す説明図である。
１０ インナーリード
１２ アウターリード
１４ 屈曲リード
１６ 半導体素子
１８ 接着テープ
２０ ボンディングワイヤ
３０ リードフレーム材
３２ レジストパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 それぞれがワイヤボンディング面と、該
ワイヤボンディング面と反対側に半導体素子を搭載する
接着テープが貼着される面とを有して、相互に平行に延
在する複数のインナーリードと、 該インナーリードとアウターリードとの間に屈曲する複
数の屈曲リードとを有し、 該屈曲リードのリード間隔に前記インナーリードのリー
ド間隔より狭い部分を有するＬＯＣタイプの リードフレ
ームにおいて、 前記屈曲リードの厚さが、リードフレームを形成するリ
ードフレーム材の厚さより薄厚に形成されていると共
に、前記アウターリード及びインナーリードの厚さが、
リードフレーム材の厚さと略同厚に形成されていること
を特徴とするＬＯＣタイプのリードフレーム。 - 【請求項２】 それぞれがワイヤボンディング面と、該
ワイヤボンディング面と反対側に半導体素子を搭載する
接着テープが貼着される面とを有して、相互に平行に延
在する複数のインナーリードと、 該インナーリードとアウターリードとの間に屈曲する複
数の屈曲リードとを有し、 該屈曲リードのリード間隔に前記インナーリードのリー
ド間隔より狭い部分を有するＬＯＣタイプの リードフレ
ームの製造方法において、 リードフレーム材の両面に感光性のレジストを用いて、
前記インナーリード及びアウターリードを形成する部位
については、該インナーリード及びアウターリードのパ
ターンにしたがってリードフレーム材の両面にレジスト
パターンを形成し、前記屈曲リードを形成する部位につ
いては、リードフレーム材の一方の面にのみ屈曲リード
のパターンにしたがってレジストパターンを形成し、 前記レジストパターンをマスクとしてリードフレーム材
を両面からエッチングして、前記屈曲リードの厚さを、
リードフレームを形成するリードフレーム材の厚さより
薄厚に形成すると共に、前記アウターリード及びインナ
ーリードの厚さを、リードフレーム材の厚さと略同厚に
形成することを特徴とするＬＯＣタイプのリードフレー
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31743698A JP3420709B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | Ｌｏｃタイプのリードフレーム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31743698A JP3420709B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | Ｌｏｃタイプのリードフレーム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150757A JP2000150757A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3420709B2 true JP3420709B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=18088206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31743698A Expired - Fee Related JP3420709B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | Ｌｏｃタイプのリードフレーム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3420709B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7807498B2 (en) * | 2007-07-31 | 2010-10-05 | Seiko Epson Corporation | Substrate, substrate fabrication, semiconductor device, and semiconductor device fabrication |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP31743698A patent/JP3420709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000150757A (ja) | 2000-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4711700A (en) | Method for densifying leadframe conductor spacing | |
| US7102210B2 (en) | Lead frame, manufacturing method of the same, and semiconductor device using the same | |
| US6225146B1 (en) | Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| US5230144A (en) | Method of producing lead frame | |
| KR19980069861A (ko) | 배선부재 및 이를 소유하는 리드 프래임 | |
| EP0701280B1 (en) | Lead frame and process of producing it | |
| KR20050043514A (ko) | 리드 프레임 및 이를 적용한 반도체 패키지 제조방법 | |
| KR101169686B1 (ko) | 반도체 패키지용 기판 및 이의 제조 방법 | |
| JP3420709B2 (ja) | Ｌｏｃタイプのリードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH04299851A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2632456B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS61170053A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| US5492233A (en) | Manufacturing method for lead frame | |
| JP2524645B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 | |
| JP2816757B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3637730B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPS62144349A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 | |
| JPH0766350A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2635722B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP3595176B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0834275B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2000315763A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JPH01133340A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPS5824020B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001210774A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |