JPH044644B2 - - Google Patents
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- JPH044644B2 JPH044644B2 JP58021635A JP2163583A JPH044644B2 JP H044644 B2 JPH044644 B2 JP H044644B2 JP 58021635 A JP58021635 A JP 58021635A JP 2163583 A JP2163583 A JP 2163583A JP H044644 B2 JPH044644 B2 JP H044644B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Control Of Metal Rolling (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ビデオ信号などの情報信号の記録再
生に好適な薄膜磁気ヘツドに係わり、特に、非磁
性保護基板と金属磁性膜とを接合する接合層に関
する。
生に好適な薄膜磁気ヘツドに係わり、特に、非磁
性保護基板と金属磁性膜とを接合する接合層に関
する。
〔従来技術〕
近年、ビデオテープレコーダの磁気テープとし
てメタルテープが普及してきており、このメタル
テープに対する磁気ヘツドとして、センダストな
どの高飽和磁束密度金属磁性体の薄膜をコア材と
する薄膜磁気ヘツドが注目されている。
てメタルテープが普及してきており、このメタル
テープに対する磁気ヘツドとして、センダストな
どの高飽和磁束密度金属磁性体の薄膜をコア材と
する薄膜磁気ヘツドが注目されている。
かかる金属磁性体の薄膜（以下、金属磁性膜と
いう）は、フエライトなどからなる２つの非磁性
の基板によつてサンドイツチ状に挟さまれてヘツ
ドコアが形成されている。これら基板（以下、非
磁性保護基板という）は、金属磁性膜を保護する
とともに、その一方は、ヘツドコアを製造するに
際しては金属磁性膜を蒸着などして金属磁性膜を
形成する場合の基板にもなる。また、他方の非磁
性保護基板は、形成された金属磁性膜上に接合さ
れる。
いう）は、フエライトなどからなる２つの非磁性
の基板によつてサンドイツチ状に挟さまれてヘツ
ドコアが形成されている。これら基板（以下、非
磁性保護基板という）は、金属磁性膜を保護する
とともに、その一方は、ヘツドコアを製造するに
際しては金属磁性膜を蒸着などして金属磁性膜を
形成する場合の基板にもなる。また、他方の非磁
性保護基板は、形成された金属磁性膜上に接合さ
れる。
金属磁性膜と非磁性保護基板とを接合するため
には、一般に、接合材として低融点ガラスが用い
られ、熱圧着によつて両者を接合している。
には、一般に、接合材として低融点ガラスが用い
られ、熱圧着によつて両者を接合している。
しかし、従来の薄膜磁気ヘツドにおいては、金
属磁性膜と非磁性保護基板との接合強度が充分で
なく、非磁性保護基板が剥離し易いという欠点が
あつた。
属磁性膜と非磁性保護基板との接合強度が充分で
なく、非磁性保護基板が剥離し易いという欠点が
あつた。
以下、この欠点について説明するが、その前
に、まず、従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法につ
いて説明する。
に、まず、従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法につ
いて説明する。
第１図ａ〜ｇは従来の薄膜磁気ヘツドの製造方
法を示す工程図であつて、１，２は非磁性保護基
板、３は金属磁性膜、４は巻線窓用溝、５はヘツ
ドギヤツプである。
法を示す工程図であつて、１，２は非磁性保護基
板、３は金属磁性膜、４は巻線窓用溝、５はヘツ
ドギヤツプである。
まず、表面が平坦なフエライトからなる２つの
非磁性保護基板１，２を得、その一方の非磁性保
護基板１上に、スパツタリング法や蒸着法などに
より、センダストからなる金属磁性膜３を形成す
る（第１図ａ）。そして、金属磁性膜３上および
非磁性保護基板２上に第１の低融点鉛ガラスをス
パツタリング法、蒸着法などによつて被着し、こ
れら低融点鉛ガラス層を突き合わせ、加圧治具を
用いて熱圧着し、金属磁性膜３と非磁性保護基板
２とを接合する。この結果、金属磁性膜３が非磁
性保護基板１，２によつて挟まれたコアブロツク
が得られる（第１図ｂ）。
非磁性保護基板１，２を得、その一方の非磁性保
護基板１上に、スパツタリング法や蒸着法などに
より、センダストからなる金属磁性膜３を形成す
る（第１図ａ）。そして、金属磁性膜３上および
非磁性保護基板２上に第１の低融点鉛ガラスをス
パツタリング法、蒸着法などによつて被着し、こ
れら低融点鉛ガラス層を突き合わせ、加圧治具を
用いて熱圧着し、金属磁性膜３と非磁性保護基板
２とを接合する。この結果、金属磁性膜３が非磁
性保護基板１，２によつて挟まれたコアブロツク
が得られる（第１図ｂ）。
次に、このコアブロツクをダイシングソーによ
り切断して２つの分割ブロツクを得（第１図ｃ）、
夫々の切断面を研磨してギヤツプ突き合わせ面と
するとともに、一方の分割ブロツクの研磨面を加
工して巻線窓用溝４を形成する（第１図ｄ）。
夫々の分割ブロツクの研磨面に、第２の低融点鉛
ガラスをスパツタリングによつて所要ギアツプ長
となるような厚さに被着させ（第１図ｅ）、これ
ら第２の低融点鉛ガラス層を互いに突き合わせ
て、２つの分割ブロツクを熱圧着する。この場
合、第２の低融点鉛ガラスにより、ヘツドギヤツ
プ５が形成される（第１図ｆ）。次に、ダイシン
グソーにより、ヘツドチツプが切り出され、この
ヘツドチツプが成形加工される（第１図ｇ）。な
お、第１図は、１つのブロツクから６チツプ取り
出される場合を示している。
り切断して２つの分割ブロツクを得（第１図ｃ）、
夫々の切断面を研磨してギヤツプ突き合わせ面と
するとともに、一方の分割ブロツクの研磨面を加
工して巻線窓用溝４を形成する（第１図ｄ）。
夫々の分割ブロツクの研磨面に、第２の低融点鉛
ガラスをスパツタリングによつて所要ギアツプ長
となるような厚さに被着させ（第１図ｅ）、これ
ら第２の低融点鉛ガラス層を互いに突き合わせ
て、２つの分割ブロツクを熱圧着する。この場
合、第２の低融点鉛ガラスにより、ヘツドギヤツ
プ５が形成される（第１図ｆ）。次に、ダイシン
グソーにより、ヘツドチツプが切り出され、この
ヘツドチツプが成形加工される（第１図ｇ）。な
お、第１図は、１つのブロツクから６チツプ取り
出される場合を示している。
以上のように、金属磁性膜と非磁性保護基板と
は、低融点ガラスを接合材とし、熱圧着されて接
合されるものであるが、このような加熱圧着処理
は、ヘツドギヤツプを形成するための分割コアの
接合工程においても行なわれ、かかる分割コアの
接合工程における熱圧着処理が、金属磁性膜と非
磁性保護基板との接合を劣化させることになる。
は、低融点ガラスを接合材とし、熱圧着されて接
合されるものであるが、このような加熱圧着処理
は、ヘツドギヤツプを形成するための分割コアの
接合工程においても行なわれ、かかる分割コアの
接合工程における熱圧着処理が、金属磁性膜と非
磁性保護基板との接合を劣化させることになる。
第２図、第３図は、金属磁性膜をセンダスト膜
とした場合の熱処理温度Ｔに対するセンダスト膜
の初透磁率μi、膜の内部応力σの関係を示すもの
であるが、600℃以上の熱処理のもとでは、接合
部の剥離の原因となる内部応力σが増加するとと
もに、初透磁率μiも劣化してくる。したがつて、
これらを避けるためには、処理温度Ｔの上限を
600℃としなければならない。また、処理温度Ｔ
の下限についてては、さらに低融点のガラスを用
いることにより、より低くすることも考えられる
が、ガラスの融点を下げるためには、鉛の含有率
を増すことが必要であり、この結果、ガラスの強
度が低下することになる。実験的に求めた結果に
よると、所要強度を得ることのできる鉛ガラスの
軟化点は最低限350℃であり、熱圧着温度Ｔとし
ては、500℃である必要がある。
とした場合の熱処理温度Ｔに対するセンダスト膜
の初透磁率μi、膜の内部応力σの関係を示すもの
であるが、600℃以上の熱処理のもとでは、接合
部の剥離の原因となる内部応力σが増加するとと
もに、初透磁率μiも劣化してくる。したがつて、
これらを避けるためには、処理温度Ｔの上限を
600℃としなければならない。また、処理温度Ｔ
の下限についてては、さらに低融点のガラスを用
いることにより、より低くすることも考えられる
が、ガラスの融点を下げるためには、鉛の含有率
を増すことが必要であり、この結果、ガラスの強
度が低下することになる。実験的に求めた結果に
よると、所要強度を得ることのできる鉛ガラスの
軟化点は最低限350℃であり、熱圧着温度Ｔとし
ては、500℃である必要がある。
結局、従来の薄膜磁気ヘツドに関しては、熱圧
着するための処理温度Ｔとしては、500℃〜600℃
の範囲に限定され、２つの熱圧着処理工程では、
互いに近い処理温度をとらざるを得なくなる。し
たがつて、第１図において、金属磁性膜３と非磁
性保護膜２とを接合するための処理温度を上限の
600℃とし、２つの分割ブロツクを接合してヘツ
ドギヤツプを形成するための処理温度を下限の
500℃としても、２つの分割ブロツクの接合時の
加熱により、金属磁性膜と非磁性保護基板との接
合部の低融点ガラスが軟化し、剥離を生じてしま
うことになる。
着するための処理温度Ｔとしては、500℃〜600℃
の範囲に限定され、２つの熱圧着処理工程では、
互いに近い処理温度をとらざるを得なくなる。し
たがつて、第１図において、金属磁性膜３と非磁
性保護膜２とを接合するための処理温度を上限の
600℃とし、２つの分割ブロツクを接合してヘツ
ドギヤツプを形成するための処理温度を下限の
500℃としても、２つの分割ブロツクの接合時の
加熱により、金属磁性膜と非磁性保護基板との接
合部の低融点ガラスが軟化し、剥離を生じてしま
うことになる。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、
金属磁性膜と非磁性基板との接合強度が改善さ
れ、該非磁性保護基板の剥離が生ずることなく、
かつ、磁気特性が優れた薄膜磁気ヘツドを提供す
るにある。
金属磁性膜と非磁性基板との接合強度が改善さ
れ、該非磁性保護基板の剥離が生ずることなく、
かつ、磁気特性が優れた薄膜磁気ヘツドを提供す
るにある。
この目的を達成するために、本発明は、金属磁
性膜と保護基板とを接合する接合材として、軟化
点の異なる複数の低融点ガラス層をもつてなるこ
とを特徴とする。
性膜と保護基板とを接合する接合材として、軟化
点の異なる複数の低融点ガラス層をもつてなるこ
とを特徴とする。
すなわち、かかる複数の低融点ガラス層を接合
材として熱圧着処理を行なうと、より低い融点の
低融点ガラスは接合面でぬれ性を示しながらより
高い融点の低融点ガラス層中に拡散し、このため
に、接合境界面のガラスの軟化点が上昇し、その
結果、接合が強固になる。
材として熱圧着処理を行なうと、より低い融点の
低融点ガラスは接合面でぬれ性を示しながらより
高い融点の低融点ガラス層中に拡散し、このため
に、接合境界面のガラスの軟化点が上昇し、その
結果、接合が強固になる。
以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。
る。
第４図は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施
例を示す斜視図であつて、６は接合面であり、第
１図に対応する部分には同一符号をつけている。
例を示す斜視図であつて、６は接合面であり、第
１図に対応する部分には同一符号をつけている。
第５図は第４図におけるテープ摺動面のヘツド
ギヤツプ近傍Ａを拡大して示した部分拡大図であ
つて、７，７′は第１の低融点ガラス層、８，
８′は第２の低融点ガラス層であり、第４図に対
応する部分には同一符号をつけている。
ギヤツプ近傍Ａを拡大して示した部分拡大図であ
つて、７，７′は第１の低融点ガラス層、８，
８′は第２の低融点ガラス層であり、第４図に対
応する部分には同一符号をつけている。
第４図は外見上第１図ｇと変わりないものであ
るから、本発明の特徴が現われている第５図につ
いて説明する。
るから、本発明の特徴が現われている第５図につ
いて説明する。
非磁性保護基板１上に、第１図ａで説明したの
と同様の方法で形成されたセンダストの金属磁性
膜２と非磁性保護基板１とは、低融点ガラスを接
合材として接合されている。この接合材は、金属
磁性膜３側から軟化点T1の第１の低融点ガラス
層７、軟化点T2の第２の低融点ガラス層８、軟
化点T2の低融点ガラス層８′、軟化点T1の第１の
低融点ガラス層７′からなり、T1＞T2である。
と同様の方法で形成されたセンダストの金属磁性
膜２と非磁性保護基板１とは、低融点ガラスを接
合材として接合されている。この接合材は、金属
磁性膜３側から軟化点T1の第１の低融点ガラス
層７、軟化点T2の第２の低融点ガラス層８、軟
化点T2の低融点ガラス層８′、軟化点T1の第１の
低融点ガラス層７′からなり、T1＞T2である。
一例として、第１の低融点ガラス層７，７′は
軟化点T1が500℃の鉛ガラスからなり、また、第
２の低融点ガラス層８，８′は軟化点T2が350℃
の鉛ガラスからなる。第１の低融点ガラス層７、
第２の低融点ガラス層８は、金属磁性膜３上にス
パツタリング法などにより夫々、たとえば、2500
Å、1000Åの厚さで形成されたものであり、ま
た、第１の低融点ガラス層７′、第２の低融点ガ
ラス層８′は、非磁性保護基板２上に、同様にし
て夫々上記の厚さで形成されたものであり、第２
の低融点ガラス層８，８′を突き合わせ、600℃に
加熱して圧着することにより、金属磁性膜３と非
磁性保護基板２とが接合されている。
軟化点T1が500℃の鉛ガラスからなり、また、第
２の低融点ガラス層８，８′は軟化点T2が350℃
の鉛ガラスからなる。第１の低融点ガラス層７、
第２の低融点ガラス層８は、金属磁性膜３上にス
パツタリング法などにより夫々、たとえば、2500
Å、1000Åの厚さで形成されたものであり、ま
た、第１の低融点ガラス層７′、第２の低融点ガ
ラス層８′は、非磁性保護基板２上に、同様にし
て夫々上記の厚さで形成されたものであり、第２
の低融点ガラス層８，８′を突き合わせ、600℃に
加熱して圧着することにより、金属磁性膜３と非
磁性保護基板２とが接合されている。
この熱圧着処理においては、600℃の加熱中、
軟化点が50℃の第２の低融点ガラス層８，８′の
粘度が低下し、第２の低融点ガラス層８，８′の
突き合わせ面からなる接合面６での充分なぬれ性
が得られ、第２の低融点ガラス層８，８′が隙間
なく全面にわたつて接合される。したがつて、第
５図において、第２の低融点ガラス層８，８′は
一体となり、また、同一ガラス材であるから、接
合面６というものは明確には存在しないが、説明
の便宜上印しているものである。
軟化点が50℃の第２の低融点ガラス層８，８′の
粘度が低下し、第２の低融点ガラス層８，８′の
突き合わせ面からなる接合面６での充分なぬれ性
が得られ、第２の低融点ガラス層８，８′が隙間
なく全面にわたつて接合される。したがつて、第
５図において、第２の低融点ガラス層８，８′は
一体となり、また、同一ガラス材であるから、接
合面６というものは明確には存在しないが、説明
の便宜上印しているものである。
また、上記のように、第２の低融点ガラス層
８，８′は、粘度が低下すると、軟化点500℃の第
１の低融点ガラス層７，７′中に夫々拡散し、接
合面６でのガラスの軟化が第２の低融点ガラス層
８，８′の軟化点よりも上昇する。
８，８′は、粘度が低下すると、軟化点500℃の第
１の低融点ガラス層７，７′中に夫々拡散し、接
合面６でのガラスの軟化が第２の低融点ガラス層
８，８′の軟化点よりも上昇する。
かかる金属磁性膜３と非磁性保護基板２との接
合工程以外の工程については、第１図で示した従
来の工程と同様である。したがつて、２つの分割
ブロツクを接合してヘツドギヤツプを形成する工
程において、その接合材を軟化点が350℃の低融
点ガラスを用い、処理温度を500℃としても、金
属磁性膜３と非磁性保護基板２との間の接合強度
は劣化せず、非磁性保護基板２の接合面６からの
剥離は生じない。
合工程以外の工程については、第１図で示した従
来の工程と同様である。したがつて、２つの分割
ブロツクを接合してヘツドギヤツプを形成する工
程において、その接合材を軟化点が350℃の低融
点ガラスを用い、処理温度を500℃としても、金
属磁性膜３と非磁性保護基板２との間の接合強度
は劣化せず、非磁性保護基板２の接合面６からの
剥離は生じない。
第６図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の実
施例を示す部分拡大図であり、第５図に対応する
部分には同一符号をつけている。
施例を示す部分拡大図であり、第５図に対応する
部分には同一符号をつけている。
この実施例は、接合材として、軟化点T1の第
１の低融点ガラス層７とT1より低い軟化点T2の
第２の低融点ガラス層８との２層の低融点ガラス
からなるものであつて、第２の低融点ガラス層８
と非磁性保護基板２との境界面が接合面６とな
る。すなわち、金属磁性膜３上に第１の低融点ガ
ラス層７、第２の低融点ガラス層８が形成され、
第２の低融点ガラス層８と非磁性保護基板２とを
突き合わせ、処理温度が600℃の熱圧着処理によ
つて両者を接合したものであつて、第５図に示し
た実施例の場合と同様の効果が得られる。
１の低融点ガラス層７とT1より低い軟化点T2の
第２の低融点ガラス層８との２層の低融点ガラス
からなるものであつて、第２の低融点ガラス層８
と非磁性保護基板２との境界面が接合面６とな
る。すなわち、金属磁性膜３上に第１の低融点ガ
ラス層７、第２の低融点ガラス層８が形成され、
第２の低融点ガラス層８と非磁性保護基板２とを
突き合わせ、処理温度が600℃の熱圧着処理によ
つて両者を接合したものであつて、第５図に示し
た実施例の場合と同様の効果が得られる。
上記夫々の実施例では、接合材として、軟化点
が異なる２種類の低融点ガラスを用いたが、それ
以上の種類の低融点ガラスを用いることができ、
その場合、接合面側から順次軟化点が順次高くな
るように、低融点のガラス層を形成することが必
要である。また、上記実施例で示した特定の軟化
点の低融点ガラスに限られるものではなく、任意
の軟化点の低融点ガラスを用いることができる。
が異なる２種類の低融点ガラスを用いたが、それ
以上の種類の低融点ガラスを用いることができ、
その場合、接合面側から順次軟化点が順次高くな
るように、低融点のガラス層を形成することが必
要である。また、上記実施例で示した特定の軟化
点の低融点ガラスに限られるものではなく、任意
の軟化点の低融点ガラスを用いることができる。
以上説明したように、本発明によれば、金属磁
性膜と非磁性保護基板との接合が強固であつて該
非磁性保護基板の剥離がなく、また、良好な磁気
特性も有しており、上記従来技術の欠点を除いて
優れた機能の薄膜磁気ヘツドを提供することがで
きる。
性膜と非磁性保護基板との接合が強固であつて該
非磁性保護基板の剥離がなく、また、良好な磁気
特性も有しており、上記従来技術の欠点を除いて
優れた機能の薄膜磁気ヘツドを提供することがで
きる。
第１図ａ〜ｇは従来の薄膜磁気ヘツドの製造方
法の一例を示す工程図、第２図は第１図の熱圧着
処理工程における処理温度に対するセンダスト膜
の初透磁率の関係を示す曲線図、第３図は第１図
の熱圧着処理工程における処理温度に対するセン
ダスト膜の内部応力の関係を示す曲線図、第４図
は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施例を示す
斜視図、第５図は第４図の部分Ａの拡大図、第６
図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の実施例を
示す部分拡大図である。 １，２……非磁性保護基板、３……金属磁性
膜、５……ヘツドギヤツプ、６……接合面、７，
７′……第１の低融点ガラス層、８，８′……第２
の低融点ガラス層。
法の一例を示す工程図、第２図は第１図の熱圧着
処理工程における処理温度に対するセンダスト膜
の初透磁率の関係を示す曲線図、第３図は第１図
の熱圧着処理工程における処理温度に対するセン
ダスト膜の内部応力の関係を示す曲線図、第４図
は本発明による薄膜磁気ヘツドの一実施例を示す
斜視図、第５図は第４図の部分Ａの拡大図、第６
図は本発明による薄膜磁気ヘツドの他の実施例を
示す部分拡大図である。 １，２……非磁性保護基板、３……金属磁性
膜、５……ヘツドギヤツプ、６……接合面、７，
７′……第１の低融点ガラス層、８，８′……第２
の低融点ガラス層。
Claims (1)
- １ ヘツドコアを形成する一方の非磁性保護基板
と金属磁性膜とが接合されてなる薄膜磁気ヘツド
において、軟化点が異なる複数の低融点ガラス層
からなる接合層を設け、該接合層により、前記非
磁性保護基板と前記金属磁性膜とを接合してなる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021635A JPS59148115A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021635A JPS59148115A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148115A JPS59148115A (ja) | 1984-08-24 |
| JPH044644B2 true JPH044644B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=12060525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58021635A Granted JPS59148115A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148115A (ja) |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP58021635A patent/JPS59148115A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59148115A (ja) | 1984-08-24 |
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