JPS60125906A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60125906A JPS60125906A JP23317183A JP23317183A JPS60125906A JP S60125906 A JPS60125906 A JP S60125906A JP 23317183 A JP23317183 A JP 23317183A JP 23317183 A JP23317183 A JP 23317183A JP S60125906 A JPS60125906 A JP S60125906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- melting point
- gap
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産朶−1−の利用分野〕
本発明は、ギャップスペーサを介して接合される磁気コ
ア半体対の以合強度を高めた磁気ヘッドに関する。
ア半体対の以合強度を高めた磁気ヘッドに関する。
たとえばVTRCビデオテープレコーダ)の磁気テープ
に磁気記録する信号が高密度化されるにイl′Lい、(
磁気テープとして高い抗磁力Hcを有するメタルテープ
等が使用されるようになってきている。この記録信号の
高密度化に伴い、VTRに用いられる磁気ヘッドの磁気
ギャップが狭ギャップ化されており、寸だ、メタルテー
プ対応とするために、強磁性酸化物であるフェライトと
高飽和(戯束密夏を有する強磁性金属材料との複合磁性
材料で磁気コア半体力」を形成し、このコア半休対を非
磁性材のギャップスペーサを介して接合するようにして
磁気ヘッドを構成している。
に磁気記録する信号が高密度化されるにイl′Lい、(
磁気テープとして高い抗磁力Hcを有するメタルテープ
等が使用されるようになってきている。この記録信号の
高密度化に伴い、VTRに用いられる磁気ヘッドの磁気
ギャップが狭ギャップ化されており、寸だ、メタルテー
プ対応とするために、強磁性酸化物であるフェライトと
高飽和(戯束密夏を有する強磁性金属材料との複合磁性
材料で磁気コア半体力」を形成し、このコア半休対を非
磁性材のギャップスペーサを介して接合するようにして
磁気ヘッドを構成している。
どころで、磁気ヘットのギャップ間隔を狭ギャップ化す
るに従い、ギャップ精度を1呆証することが難しくなる
。そこで、従来よりギャップ精度を高める試みが柚々提
案されており、上記ギャップスペーサとして、SiC、
T iCy Ti0h ? A4203やS 1+ O
r + T1、およびその酸化物等の高硬度利料薄膜を
用いることが知られている。第1図は、この高硬度拐料
薄膜のみを用いてギャップスペーサとした磁気ヘッドの
例を示しており、たとえばフェライトからなる磁気コア
半体1,2の突き合わせ面全体、すなわち磁気テープ摺
接面1間である磁気ギヤツブ形成面のフロントギャップ
面と、磁気ヘッドの後部側であるバンクギャップ面との
全体に、尚硬度月利薄膜3がスパックリングや蒸着によ
り被着形成されている。そして、このコア半体1,2の
接合は、巻線穴4およびガラス充填穴5にガラス6を溶
融充填することで行なわせており、ギャップ接合強度は
溶融充填されたガラス6のみで維持されている。このよ
うな磁気ヘッドでQ」°、第2図に示すように、磁気へ
ノドの磁気テープ仙l接面を矢印、Nに示す方向に円筒
研摩する加工四に、ギャップ底部に集中した応力によっ
て、突き合わされているが接着接合されていないギャッ
プ部がクラック状に割れたり破壊したりする。
るに従い、ギャップ精度を1呆証することが難しくなる
。そこで、従来よりギャップ精度を高める試みが柚々提
案されており、上記ギャップスペーサとして、SiC、
T iCy Ti0h ? A4203やS 1+ O
r + T1、およびその酸化物等の高硬度利料薄膜を
用いることが知られている。第1図は、この高硬度拐料
薄膜のみを用いてギャップスペーサとした磁気ヘッドの
例を示しており、たとえばフェライトからなる磁気コア
半体1,2の突き合わせ面全体、すなわち磁気テープ摺
接面1間である磁気ギヤツブ形成面のフロントギャップ
面と、磁気ヘッドの後部側であるバンクギャップ面との
全体に、尚硬度月利薄膜3がスパックリングや蒸着によ
り被着形成されている。そして、このコア半体1,2の
接合は、巻線穴4およびガラス充填穴5にガラス6を溶
融充填することで行なわせており、ギャップ接合強度は
溶融充填されたガラス6のみで維持されている。このよ
うな磁気ヘッドでQ」°、第2図に示すように、磁気へ
ノドの磁気テープ仙l接面を矢印、Nに示す方向に円筒
研摩する加工四に、ギャップ底部に集中した応力によっ
て、突き合わされているが接着接合されていないギャッ
プ部がクラック状に割れたり破壊したりする。
そこで、磁気コア半休対の接合強度を高めるだめに、低
融点ガラスの薄膜を高硬度材料薄膜で挾みイ」けるよう
にしてギャップスペーサを形成し、加熱圧着してコア半
休対を接合した磁気ヘッドが知られている。このような
磁気ヘッドにおいて、たとえばギヤノブ間隔を0.5μ
m得るために、両脇の高硬度月利Ml模の膜厚を0.1
μmずつとし、ガラス薄膜の膜厚を帆3μmとすると、
ギャソフ用コ央が軟いことでギャップカブリを生じる。
融点ガラスの薄膜を高硬度材料薄膜で挾みイ」けるよう
にしてギャップスペーサを形成し、加熱圧着してコア半
休対を接合した磁気ヘッドが知られている。このような
磁気ヘッドにおいて、たとえばギヤノブ間隔を0.5μ
m得るために、両脇の高硬度月利Ml模の膜厚を0.1
μmずつとし、ガラス薄膜の膜厚を帆3μmとすると、
ギャソフ用コ央が軟いことでギャップカブリを生じる。
これは、ギャップ中に存在する低硬度のガラス領域が渾
みとなり、この凹部にヘッド描成部材の塑性変形後の分
離物や磁気テープの磁性粉が付着してギヤ〉プカブリと
なるものである。このギャップカブリによって、磁気ヘ
ッドからの再生電圧か不規則に減少するようになる。ま
た、ギャップカブリが生じないように、」二記ガラス薄
膜の膜厚を薄くすると、ギャップ接合強度が不足すると
いう問題点が生じてくる。
みとなり、この凹部にヘッド描成部材の塑性変形後の分
離物や磁気テープの磁性粉が付着してギヤ〉プカブリと
なるものである。このギャップカブリによって、磁気ヘ
ッドからの再生電圧か不規則に減少するようになる。ま
た、ギャップカブリが生じないように、」二記ガラス薄
膜の膜厚を薄くすると、ギャップ接合強度が不足すると
いう問題点が生じてくる。
ところで、強磁性酸化物と強磁性金属桐科との複合磁性
材料からなる磁気ヘットにおいては、たとえはフェライ
トの熱膨張係数が100〜110X 10’−7/℃
でありセンダストが150〜160X 10−”7℃で
あることから、これら熱膨張係数の相異なる材料とさら
に非磁性ガード材等を同時に接合することになるため、
できるたけ低温で接合することが必要である。これは、
加熱時の熱膨張差による歪によって、割れ、はがれ、ひ
びが発生するのを防止したり、強磁性金属月相としてア
モルファス合金を使用する場合、このアモルファス合金
が結晶化するのを切土するためである。そこで、従来は
、各々の複合磁性月相にマツチングする範囲の熱膨張係
数を持つ低融点ガラスを、巻線溝等に溶融充填していた
が、学体材料からなる磁気ヘッドとは異なり、複合材料
の磁気ヘッドでは溶融充填時の残留二1の発生の仕方が
複雑となり、第2図に示すような割れを招きやすいとい
う問題点がある。
材料からなる磁気ヘットにおいては、たとえはフェライ
トの熱膨張係数が100〜110X 10’−7/℃
でありセンダストが150〜160X 10−”7℃で
あることから、これら熱膨張係数の相異なる材料とさら
に非磁性ガード材等を同時に接合することになるため、
できるたけ低温で接合することが必要である。これは、
加熱時の熱膨張差による歪によって、割れ、はがれ、ひ
びが発生するのを防止したり、強磁性金属月相としてア
モルファス合金を使用する場合、このアモルファス合金
が結晶化するのを切土するためである。そこで、従来は
、各々の複合磁性月相にマツチングする範囲の熱膨張係
数を持つ低融点ガラスを、巻線溝等に溶融充填していた
が、学体材料からなる磁気ヘッドとは異なり、複合材料
の磁気ヘッドでは溶融充填時の残留二1の発生の仕方が
複雑となり、第2図に示すような割れを招きやすいとい
う問題点がある。
このように、従来の磁気ヘットでは、ヘッドのギャップ
間隔が0.2〜0.8μm という狭ギャップの場合に
充分な接合強度を得ることができず、捷だギャップカブ
リか発生してし甘うという欠点を翁し雪いた。
間隔が0.2〜0.8μm という狭ギャップの場合に
充分な接合強度を得ることができず、捷だギャップカブ
リか発生してし甘うという欠点を翁し雪いた。
そこで、本発明はこのような実情に鑑み提案されたもの
であシ、磁気コア半休対を接合するにあたり充分な接合
強度が得られ、磁気テープ摺接面のイ111+=加工時
にコアの割れや破壊が起こらず、またギャップカフつり
が発生しない磁気ヘッドを提供することを特徴とする特
に、本発明の磁気ヘッドば、低温接合の必要な複合磁性
材料からなるヘッドに適する。
であシ、磁気コア半休対を接合するにあたり充分な接合
強度が得られ、磁気テープ摺接面のイ111+=加工時
にコアの割れや破壊が起こらず、またギャップカフつり
が発生しない磁気ヘッドを提供することを特徴とする特
に、本発明の磁気ヘッドば、低温接合の必要な複合磁性
材料からなるヘッドに適する。
この目的を達成するために本発明の磁気ヘットは、フロ
ントギャップ形成面に高硬度・高融点非磁性月利薄膜お
よO・低融点ガラス薄j模がこの朧に形成され、かつパ
ックギャップ形成面に低融点ガラス薄膜が形成された磁
気コア半休対を接合したことを%像とする。
ントギャップ形成面に高硬度・高融点非磁性月利薄膜お
よO・低融点ガラス薄j模がこの朧に形成され、かつパ
ックギャップ形成面に低融点ガラス薄膜が形成された磁
気コア半休対を接合したことを%像とする。
層下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第3図は、本発明に係る磁気ヘットの斜視図である。こ
の磁気へノドは、強磁性酸化物と強磁性金属材料との複
合磁性4′)J料で禍成されており、磁気コア半休10
.11が、センダスト薄膜12とこのiWI漠12を挾
み付けたフェライト13とで形成され、ヘッドの厚み方
向の中央部にトラック幅に相当するセンダスト薄膜12
が設けられた状態となっている。また、コア半体10.
Tlの磁気ギャップ近傍部には、非磁性月利である高融
点ガラス14か溶融充填されている。そして、上記磁気
ヘッドのフロントギャップ形成面、すなわち磁気テープ
が摺接する前面側に所定のギャップ保さて形成される磁
気ギャップ形成mE Kは、低融点ガラス薄膜15を高
硬度・高融点非磁性相別薄膜16.17で挾み付けて成
るギャップスペーサカ祐己されている。また、」二記磁
気ヘッドのバックギャップ形成面、すなわちコア半休i
o、i1の突き合わせ曲でヘッドの後部側であり、かつ
ヘッドに設けられた巻線穴1Bの底部18Aからヘッド
の底部19に至る突き合ぜ而には、低融点ガラス薄膜2
0かギャップスペーサとして配されている。
の磁気へノドは、強磁性酸化物と強磁性金属材料との複
合磁性4′)J料で禍成されており、磁気コア半休10
.11が、センダスト薄膜12とこのiWI漠12を挾
み付けたフェライト13とで形成され、ヘッドの厚み方
向の中央部にトラック幅に相当するセンダスト薄膜12
が設けられた状態となっている。また、コア半体10.
Tlの磁気ギャップ近傍部には、非磁性月利である高融
点ガラス14か溶融充填されている。そして、上記磁気
ヘッドのフロントギャップ形成面、すなわち磁気テープ
が摺接する前面側に所定のギャップ保さて形成される磁
気ギャップ形成mE Kは、低融点ガラス薄膜15を高
硬度・高融点非磁性相別薄膜16.17で挾み付けて成
るギャップスペーサカ祐己されている。また、」二記磁
気ヘッドのバックギャップ形成面、すなわちコア半休i
o、i1の突き合わせ曲でヘッドの後部側であり、かつ
ヘッドに設けられた巻線穴1Bの底部18Aからヘッド
の底部19に至る突き合ぜ而には、低融点ガラス薄膜2
0かギャップスペーサとして配されている。
/8
寸だ、巻線穴4−Aには低融点ガラス21が7d融充填
されコア半休10.11を接合している。
されコア半休10.11を接合している。
このように、上記磁気ヘッドは、ガラス21がコア半休
io、i1を接合するとともに、フロントギャップ形成
而側の低融点ガラス満腹15およびハックギャップ形成
面側の低融点ガラス薄膜20がコア半体10.Iiの接
合に寄与しており、接合強度か高められている。
io、i1を接合するとともに、フロントギャップ形成
而側の低融点ガラス満腹15およびハックギャップ形成
面側の低融点ガラス薄膜20がコア半体10.Iiの接
合に寄与しており、接合強度か高められている。
つぎに、このように構成される」二記磁気ヘッドの形成
過程を第4図乃至第6図に基づき説明する。
過程を第4図乃至第6図に基づき説明する。
第4図は、」二記磁気コア半休10.11の突き合わせ
面にギヤングスペーサとなるN膜が被着されていない状
態を示している。
面にギヤングスペーサとなるN膜が被着されていない状
態を示している。
第5図はギャップスペーサが被着された状態を示してお
p1磁気コア半体10のフロントギャップ形成面である
磁気ギャップ形成面、すなわち磁気テープ摺接面位置か
ら巻線穴18位置に至る捷での突き合わせ而には、5i
Ch 、 OrアT1027T2L205等の高硬度・
高融点非(磁性(オ料薄膜16がスパッタリングまたは
蒸着により被着形成さオtており、またこの薄膜16上
に低融点ガラス薄膜22がスパッタリング等で被着形成
されている。また、コア半休10のバンクギャップ形成
面には、低融点ガラス薄膜23がスパッタリング等で被
着形成されている。寸だ、他方のコア半体11の磁気ギ
ャップ形成面をカバーするフロントギャップ形成面には
、上記コア半休10と同様に、高硬度・基m11点非磁
性41刺7帽俣11が形成され、さらに該薄膜17上に
低融点ガラス薄+g24か形成されている。捷た、コア
半体11のバックギャップ形成面には、上N(2コア半
体70と同様に、低融点ガラス薄膜25のみが形成され
ている。ところで、」二記低融点ガラス博膜22,24
のそれぞれの膜厚は、」二記非磁性月利瀕膜1G、7γ
の膜厚以下、好ましくはフル、下とするのがよい。
p1磁気コア半体10のフロントギャップ形成面である
磁気ギャップ形成面、すなわち磁気テープ摺接面位置か
ら巻線穴18位置に至る捷での突き合わせ而には、5i
Ch 、 OrアT1027T2L205等の高硬度・
高融点非(磁性(オ料薄膜16がスパッタリングまたは
蒸着により被着形成さオtており、またこの薄膜16上
に低融点ガラス薄膜22がスパッタリング等で被着形成
されている。また、コア半休10のバンクギャップ形成
面には、低融点ガラス薄膜23がスパッタリング等で被
着形成されている。寸だ、他方のコア半体11の磁気ギ
ャップ形成面をカバーするフロントギャップ形成面には
、上記コア半休10と同様に、高硬度・基m11点非磁
性41刺7帽俣11が形成され、さらに該薄膜17上に
低融点ガラス薄+g24か形成されている。捷た、コア
半体11のバックギャップ形成面には、上N(2コア半
体70と同様に、低融点ガラス薄膜25のみが形成され
ている。ところで、」二記低融点ガラス博膜22,24
のそれぞれの膜厚は、」二記非磁性月利瀕膜1G、7γ
の膜厚以下、好ましくはフル、下とするのがよい。
つぎに、ギャップスペーサとなる薄膜が被着形成された
コア半休10.11を第6図に示すように突き合わせて
加熱圧看すると同時に、巻線穴18に装填した低融点ガ
ラス棒26を溶融することで充填し、コア半休10.1
1を融着接合する。
コア半休10.11を第6図に示すように突き合わせて
加熱圧看すると同時に、巻線穴18に装填した低融点ガ
ラス棒26を溶融することで充填し、コア半休10.1
1を融着接合する。
このようにして、第3図に示す磁気ヘッドを得ることか
できる。第3図の磁気ヘッドで、低融点ガラス薄膜15
は上記ガラス薄j換22.24に相当し、低融点ガラス
薄膜20は上記ガラス薄膜23.25にA目当している
。
できる。第3図の磁気ヘッドで、低融点ガラス薄膜15
は上記ガラス薄j換22.24に相当し、低融点ガラス
薄膜20は上記ガラス薄膜23.25にA目当している
。
ここで、−l:H己コア半体io、i 1の融着接合時
には、フロントギャップ形成面に配されたガラス薄膜2
2.24およびバックギャップ形成面に配されたガラス
薄膜23.25は550〜650℃程度の温度において
、ギャップ間隙を流れ間隙に浸透するような流動状態と
ならなくとも、両コア半休io、iiどうしに濡れ合っ
て融着か達成される。捷だ、巻線穴18に装填したガラ
ス棒26が溶融したガラス21は、ギャップ間隙へ浸透
するほどの流動性を持つ必要はなく、巻線穴18になじ
む程度に軟化するたけで、コア半体10,11の融着接
合の間約は達せられる。このように、融着温度か550
〜650℃の低温で充分な接合強度を得られることから
、本発明は、強磁性酸化物、強磁性金種材料、高融点ガ
ラス等の複合月利で構成される磁気ヘッドの接合に好適
である。
には、フロントギャップ形成面に配されたガラス薄膜2
2.24およびバックギャップ形成面に配されたガラス
薄膜23.25は550〜650℃程度の温度において
、ギャップ間隙を流れ間隙に浸透するような流動状態と
ならなくとも、両コア半休io、iiどうしに濡れ合っ
て融着か達成される。捷だ、巻線穴18に装填したガラ
ス棒26が溶融したガラス21は、ギャップ間隙へ浸透
するほどの流動性を持つ必要はなく、巻線穴18になじ
む程度に軟化するたけで、コア半体10,11の融着接
合の間約は達せられる。このように、融着温度か550
〜650℃の低温で充分な接合強度を得られることから
、本発明は、強磁性酸化物、強磁性金種材料、高融点ガ
ラス等の複合月利で構成される磁気ヘッドの接合に好適
である。
また、上記磁気ヘッドは、フロントギャップにおいて、
高硬度の上記非磁性相料薄膜16,1γどうしをガラス
薄膜15で接合し、バンクギャップの突き合わせ面をガ
ラス薄膜20で接合しており、巻線穴18に充填された
ガラス21による接合とで、充分な接合強度を得ること
ができ、たとえば磁気テープ摺接面を円筒(す1摩する
ような加工時に、ヘッドの割れや破壊が発生するような
ことはない。また、従来、高硬度材料薄膜によりガラス
illを挾み伺けたギャップスペーサを、コア半休の突
き合せ面の全長に配した磁気ヘッドにおいて、該ガラス
薄膜の膜厚を薄くした場合に接合強度の低下が生じてい
たが、本発明の磁気ヘッドでは、バンクギャップ形成面
に配されたガラス薄膜20の効果でヘッドの接合強度を
高くすることができる。
高硬度の上記非磁性相料薄膜16,1γどうしをガラス
薄膜15で接合し、バンクギャップの突き合わせ面をガ
ラス薄膜20で接合しており、巻線穴18に充填された
ガラス21による接合とで、充分な接合強度を得ること
ができ、たとえば磁気テープ摺接面を円筒(す1摩する
ような加工時に、ヘッドの割れや破壊が発生するような
ことはない。また、従来、高硬度材料薄膜によりガラス
illを挾み伺けたギャップスペーサを、コア半休の突
き合せ面の全長に配した磁気ヘッドにおいて、該ガラス
薄膜の膜厚を薄くした場合に接合強度の低下が生じてい
たが、本発明の磁気ヘッドでは、バンクギャップ形成面
に配されたガラス薄膜20の効果でヘッドの接合強度を
高くすることができる。
また、本発明の上記磁気ヘッドは、手記非磁性相1’を
薄膜16.17に挾寸れている上記ガラス薄膜15の膜
厚を、薄膜16.17を合計した膜厚のNu、下として
形成することでギャップカプリの発生を防止することが
できる。
薄膜16.17に挾寸れている上記ガラス薄膜15の膜
厚を、薄膜16.17を合計した膜厚のNu、下として
形成することでギャップカプリの発生を防止することが
できる。
第1表は、高硬度の上記非磁性材料薄膜16゜1γとし
て、たとえばOr + Ta2Q5を用いたときの、こ
の薄膜16,1γのコア半休に被着される片側の膜厚(
表中、高硬度薄膜の膜厚a)を変化させ、また、薄膜1
6.17に挾み付けられる上記ガラス薄膜15の膜厚(
表中、ガラス薄膜の膜厚b)を変化させたときの、ギャ
ップカプリの発生の有無を実験した実験データを示して
いる。この実験では、Orを用いたときのギャップ間隔
を0゜4μmとし、Ta2O2を用いたときのギャップ
間隔を0.3μmとしている。また、表中、b//2a
は、ガラスレqj換15の膜厚(1))を両側の上記非
磁性材料薄膜16.1γの膜厚の和(2a)で割った値
を示している。
て、たとえばOr + Ta2Q5を用いたときの、こ
の薄膜16,1γのコア半休に被着される片側の膜厚(
表中、高硬度薄膜の膜厚a)を変化させ、また、薄膜1
6.17に挾み付けられる上記ガラス薄膜15の膜厚(
表中、ガラス薄膜の膜厚b)を変化させたときの、ギャ
ップカプリの発生の有無を実験した実験データを示して
いる。この実験では、Orを用いたときのギャップ間隔
を0゜4μmとし、Ta2O2を用いたときのギャップ
間隔を0.3μmとしている。また、表中、b//2a
は、ガラスレqj換15の膜厚(1))を両側の上記非
磁性材料薄膜16.1γの膜厚の和(2a)で割った値
を示している。
第1表
この第1表から明らかなように、ガラス薄膜15の膜厚
が、高硬度の」二記非磁性材旧薄膜16゜1γの膜厚の
和の百9下である場合に、ギャップカプリの発生が認め
られなくなる。
が、高硬度の」二記非磁性材旧薄膜16゜1γの膜厚の
和の百9下である場合に、ギャップカプリの発生が認め
られなくなる。
つぎに、複合磁性材料によシ溝成される他の磁気ヘッド
に本発明を適用した場合の実施例を説明する。第7図は
、本発明の適用された磁気ヘッドを示しており、この磁
気ヘッドは、強磁性酸化物のフェライトからなる磁気コ
ア半休30.31を突き合わせて形成される磁気ギヤソ
ゲ形成面とは所要角度で′1114剰するように、セン
ダスト等の積層された強磁性金属薄膜32がコア半体3
0,31の接合面部に形成されている。捷だ、コア半体
30.31の接合部には、高融点ガラス33および低1
iN!l1点ガラス34が溶融充填されている。ところ
で、第8図は上記磁気ヘッドの磁気ギーヤソプ部の磁気
テープ摺接面を拡大して示しており、また第9図は磁気
ヘッド底部のギャップ部を拡大して示している。この第
8図、第9図に示すように、上記7]祢′ノ電ヘツドの
フロントギャソブフ杉1j丈面知ば、イ氏融点ガラス薄
膜35を高硬度・高融点非磁性材料薄膜36,3γで挾
み付けて成るギャップスペーサが配されている。また、
」二記磁気へツー・のバンクギャップ形成面には、低融
点ガラス41.S38がギャップスペーサとして配され
ている。さらに説明すると、上記コア半休30のフロン
トギャップ形成面側である高融点ガラス33上および金
属薄膜32上には、上記非磁性材料薄膜36か形成され
、該薄膜36上に低融点ガラス薄膜39が薄膜36の膜
厚のたとえはヲ以下(lζ形成されている。
に本発明を適用した場合の実施例を説明する。第7図は
、本発明の適用された磁気ヘッドを示しており、この磁
気ヘッドは、強磁性酸化物のフェライトからなる磁気コ
ア半休30.31を突き合わせて形成される磁気ギヤソ
ゲ形成面とは所要角度で′1114剰するように、セン
ダスト等の積層された強磁性金属薄膜32がコア半体3
0,31の接合面部に形成されている。捷だ、コア半体
30.31の接合部には、高融点ガラス33および低1
iN!l1点ガラス34が溶融充填されている。ところ
で、第8図は上記磁気ヘッドの磁気ギーヤソプ部の磁気
テープ摺接面を拡大して示しており、また第9図は磁気
ヘッド底部のギャップ部を拡大して示している。この第
8図、第9図に示すように、上記7]祢′ノ電ヘツドの
フロントギャソブフ杉1j丈面知ば、イ氏融点ガラス薄
膜35を高硬度・高融点非磁性材料薄膜36,3γで挾
み付けて成るギャップスペーサが配されている。また、
」二記磁気へツー・のバンクギャップ形成面には、低融
点ガラス41.S38がギャップスペーサとして配され
ている。さらに説明すると、上記コア半休30のフロン
トギャップ形成面側である高融点ガラス33上および金
属薄膜32上には、上記非磁性材料薄膜36か形成され
、該薄膜36上に低融点ガラス薄膜39が薄膜36の膜
厚のたとえはヲ以下(lζ形成されている。
また、コア半休30のバンクギャップ形成面10すの高
融点ガラス33上および上記金属薄膜32上に低融点ガ
ラス薄膜40が形成されている。寸だ、コア半体31に
ついても、コア半休30と同じ条件でフロントギャップ
形成面側に高硬度の非磁性材料薄膜漠37を形成したの
ち低融点ガラス薄膜」1がたとえば1以下の膜厚で形成
されて2す、バツクギャップ形成面側には低融点ガラス
薄膜42が形成されている。そして、これらコア半休3
0゜31が接合される時に、上記低融点ガラス34が流
し込まれる。コア半休30.31のこの融着接合時に、
上記ガラス薄1139.41が融着してガラス薄膜35
となバ上記ガラス薄膜40.42が融増しガラス薄膜3
8となる。このようにして、上記磁気ヘッドのフロント
ギャップ形成iJすなわち磁気ギヤング形成面には、上
記非磁性材料薄膜36.37によって上記ガラス薄膜3
5が挾み刊けられたギャップスペーサが形成された状態
となる。
融点ガラス33上および上記金属薄膜32上に低融点ガ
ラス薄膜40が形成されている。寸だ、コア半体31に
ついても、コア半休30と同じ条件でフロントギャップ
形成面側に高硬度の非磁性材料薄膜漠37を形成したの
ち低融点ガラス薄膜」1がたとえば1以下の膜厚で形成
されて2す、バツクギャップ形成面側には低融点ガラス
薄膜42が形成されている。そして、これらコア半休3
0゜31が接合される時に、上記低融点ガラス34が流
し込まれる。コア半休30.31のこの融着接合時に、
上記ガラス薄1139.41が融着してガラス薄膜35
となバ上記ガラス薄膜40.42が融増しガラス薄膜3
8となる。このようにして、上記磁気ヘッドのフロント
ギャップ形成iJすなわち磁気ギヤング形成面には、上
記非磁性材料薄膜36.37によって上記ガラス薄膜3
5が挾み刊けられたギャップスペーサが形成された状態
となる。
このように構成された上記磁気ヘッドは、上記低融点ガ
ラス34が溶融充填されてコア半休30゜31を接合す
ると同時に、上記低融点ガラス薄膜35.38が接合に
富力することで、充分な接合強度を有する磁気ヘッドと
なる。
ラス34が溶融充填されてコア半休30゜31を接合す
ると同時に、上記低融点ガラス薄膜35.38が接合に
富力することで、充分な接合強度を有する磁気ヘッドと
なる。
つきに、第10図乃至第12図に基づき、上記磁気ヘッ
ドの形成過程を説明する。
ドの形成過程を説明する。
ここで、第10図は、上記コア半休3oの母料となるフ
ェライト基板50に、断面V字状の溝51.52を隣接
して複数形成し、溝51にセンダスト等の強磁性金属薄
膜53を積層形成し、溝52に高融点ガラス54を溶融
充填した状態を示している。また、第11図は、第10
図のように加工されたフェライト基板55に巻線溝56
およびガラス充填溝5γを形成した状態を示している。
ェライト基板50に、断面V字状の溝51.52を隣接
して複数形成し、溝51にセンダスト等の強磁性金属薄
膜53を積層形成し、溝52に高融点ガラス54を溶融
充填した状態を示している。また、第11図は、第10
図のように加工されたフェライト基板55に巻線溝56
およびガラス充填溝5γを形成した状態を示している。
このフェライト基板55は、上記コア半体31の母材で
ある。ここで、金属薄膜53は上記金属薄膜32に対応
し、高融点ガラス54は上記高融点ガラス33に対応し
ている。
ある。ここで、金属薄膜53は上記金属薄膜32に対応
し、高融点ガラス54は上記高融点ガラス33に対応し
ている。
つぎに、第12図に示すように、このように加工された
上記フェライト基板55の上面で巻線溝56からガラス
充填溝57までの区間を除いた全面に、5in2.Or
+ TiO2r Ta205等の高硬度・高融点非磁
性月利薄膜58.59をスパッタリング等で形成する。
上記フェライト基板55の上面で巻線溝56からガラス
充填溝57までの区間を除いた全面に、5in2.Or
+ TiO2r Ta205等の高硬度・高融点非磁
性月利薄膜58.59をスパッタリング等で形成する。
その後、このFU莫58 、59上に、該薄膜5B 、
59の膜厚のたとえば一以下の膜厚となるよう低融点ガ
ラス薄膜60.61をスパッタリング等で形成する。そ
の後、フェライト基板55の残りの上面に、低融点ガラ
ス薄膜62をスパッタリング等で形成する。これにより
、フェライト基板55のフロントギャップ形成面にズ1
応した面に上記非磁性材料薄膜58およびこの薄膜58
上に」−記ガラス薄膜60が形成され、また、パンクギ
ャップ形成面に対応した面に上記ガラス薄膜62が形成
されるようになる。
59の膜厚のたとえば一以下の膜厚となるよう低融点ガ
ラス薄膜60.61をスパッタリング等で形成する。そ
の後、フェライト基板55の残りの上面に、低融点ガラ
ス薄膜62をスパッタリング等で形成する。これにより
、フェライト基板55のフロントギャップ形成面にズ1
応した面に上記非磁性材料薄膜58およびこの薄膜58
上に」−記ガラス薄膜60が形成され、また、パンクギ
ャップ形成面に対応した面に上記ガラス薄膜62が形成
されるようになる。
また、上記フェライト基板50には、形成された上記非
磁性材料薄膜58.59と対応した位置に高硬1隻・高
融点非磁性月利薄膜63.64が形成され、この薄膜6
3.64上に薄膜63.64の膜厚のたとえば!−リ、
下の膜厚で低融点ガラス薄膜65.66が形成される。
磁性材料薄膜58.59と対応した位置に高硬1隻・高
融点非磁性月利薄膜63.64が形成され、この薄膜6
3.64上に薄膜63.64の膜厚のたとえば!−リ、
下の膜厚で低融点ガラス薄膜65.66が形成される。
さらに、上記基板50には、上記ガラス薄膜62が形成
された位置に対応した而に、低融点ガラス薄膜67が形
成される。
された位置に対応した而に、低融点ガラス薄膜67が形
成される。
このようにそれぞれ薄膜が被着形成された上記基板50
.55は、薄膜形成面が向かい合うように突き合わされ
、基板55の巻線溝56およびガラス充填溝57に低融
点ガラス棒6B 、69が装填されたのち、加熱圧着さ
れることで、基板50゜55が合体してブロックとなる
。その後、ブロックからガラス充填溝57部分を切断し
、ブロックをスライノング刀ロエすることで、ヘントチ
ノブを得ることができる。そして、このヘントチノブの
磁気テープ摺接面を円筒研摩することで、菓7図に示す
磁気ヘッドが得られる。
.55は、薄膜形成面が向かい合うように突き合わされ
、基板55の巻線溝56およびガラス充填溝57に低融
点ガラス棒6B 、69が装填されたのち、加熱圧着さ
れることで、基板50゜55が合体してブロックとなる
。その後、ブロックからガラス充填溝57部分を切断し
、ブロックをスライノング刀ロエすることで、ヘントチ
ノブを得ることができる。そして、このヘントチノブの
磁気テープ摺接面を円筒研摩することで、菓7図に示す
磁気ヘッドが得られる。
第7図の磁気ヘットで非磁性材料薄膜36,3γは上記
非磁性拐科薄j換63,5Bに対応し、ガラス薄膜39
.41は−に記ガラス薄膜65.60に対応している。
非磁性拐科薄j換63,5Bに対応し、ガラス薄膜39
.41は−に記ガラス薄膜65.60に対応している。
また、ガラス薄膜40.42は」−記ガラス薄膜6γ、
62に対応している。また、磁気ヘッドの低融点ガラス
34は、基板5o、51の融着接合時に浴融して流れ込
んだガラス棒68.69に対応している。
62に対応している。また、磁気ヘッドの低融点ガラス
34は、基板5o、51の融着接合時に浴融して流れ込
んだガラス棒68.69に対応している。
」ツ上説明したように、本発明の磁気ヘット低(晶接合
が可能であり、複合磁性材料で構成される狭ギャップ化
の磁気ヘッドに好適であり、また、充分な接合強度か得
られ、ヘッドの加工時に割れや破壊が起こるようなこと
はなく、ギャップカブリも発生しない。
が可能であり、複合磁性材料で構成される狭ギャップ化
の磁気ヘッドに好適であり、また、充分な接合強度か得
られ、ヘッドの加工時に割れや破壊が起こるようなこと
はなく、ギャップカブリも発生しない。
ところで、上述した実施例の説明では、コア半休対のそ
れぞれのフロントギャップ形成面に高硬度利料の薄膜お
よびガラスN膜を形成し、七ノtぞれのパンクギャップ
形成面にガラス薄膜を形成するようにしている。しかし
、このようにするのではなく、−力のコア半休のフロン
トギャップ形成面に高硬度・高融点非磁性材料薄膜およ
び低融点ガラス薄膜を形成し、他方のコア半休のフロン
トギャップ形−成面には高硬度・高融点非磁性材料薄膜
模のみを形成するようにしてもよい。この時、非磁性材
料薄膜に挾与付けられるガラス薄膜の膜厚は、両方の非
磁性(3料薄膜の膜厚の和のたとえば↓す、下とするの
がよい。寸だ、バンクギャップ形1戊而に形成される低
融点ガラス薄膜をどちらか一方のコア半休に形成するよ
うにしてもよい。
れぞれのフロントギャップ形成面に高硬度利料の薄膜お
よびガラスN膜を形成し、七ノtぞれのパンクギャップ
形成面にガラス薄膜を形成するようにしている。しかし
、このようにするのではなく、−力のコア半休のフロン
トギャップ形成面に高硬度・高融点非磁性材料薄膜およ
び低融点ガラス薄膜を形成し、他方のコア半休のフロン
トギャップ形−成面には高硬度・高融点非磁性材料薄膜
模のみを形成するようにしてもよい。この時、非磁性材
料薄膜に挾与付けられるガラス薄膜の膜厚は、両方の非
磁性(3料薄膜の膜厚の和のたとえば↓す、下とするの
がよい。寸だ、バンクギャップ形1戊而に形成される低
融点ガラス薄膜をどちらか一方のコア半休に形成するよ
うにしてもよい。
以」二の説明から明らかなように、本発明によれば、磁
気コア半休のフロントギャップ形成面に高硬度・高融点
非磁性材料薄)換を形成したのちとの薄j俣上に低融点
ガラス薄膜を形成し、′!、たバックギャップ形成面に
低融点ガラス薄膜を形成するようにし、この磁気コア半
休対を加熱圧着接合する。
気コア半休のフロントギャップ形成面に高硬度・高融点
非磁性材料薄)換を形成したのちとの薄j俣上に低融点
ガラス薄膜を形成し、′!、たバックギャップ形成面に
低融点ガラス薄膜を形成するようにし、この磁気コア半
休対を加熱圧着接合する。
このため、磁気ヘッドの巻線穴に溶融充填された低融点
ガラスと上記非磁性材、14薄膜に挾まれたガラス薄膜
、パンクギャップ形成面側のガラス薄膜との接合効果で
、充分な接合強度を持つ磁気ヘッドとなる。特に、本発
明の磁気ヘットは、低温接合が可能であることから、複
合磁性利料からなる磁気ヘッドに好適であシ、捷た、接
合強り現が高いことから、研摩加工時に生じるヘットの
割れ1、破壊が防止される。また、ギャップカブ1ノの
発生を防止できるため、磁気テープからの良好な信号呵
生が可能である。
ガラスと上記非磁性材、14薄膜に挾まれたガラス薄膜
、パンクギャップ形成面側のガラス薄膜との接合効果で
、充分な接合強度を持つ磁気ヘッドとなる。特に、本発
明の磁気ヘットは、低温接合が可能であることから、複
合磁性利料からなる磁気ヘッドに好適であシ、捷た、接
合強り現が高いことから、研摩加工時に生じるヘットの
割れ1、破壊が防止される。また、ギャップカブ1ノの
発生を防止できるため、磁気テープからの良好な信号呵
生が可能である。
第1図は従来の磁気ヘッドの円筒研摩前の状、四を示す
正面図、第2図は第1図の磁気へノドに研摩加工を施し
た時に発生したヘッドの割れを示す正面図、第3図は本
発明の一実施例としての磁気へノドの斜視図、第4図乃
至第6図は第3図の磁気ヘッドの形成過程を示す斜視図
、第7図は本発明の他の実施例となる磁気ヘッドの斜視
図、第8図は第7図の磁気ヘッドの磁気テープ摺接面の
磁気ギャップ61jを拡大して示す平面(2)、第9図
は第7図の磁気ヘッド底部の磁気ギャップ部を拡大して
示す底面図、第10図乃至第12図は第7図の磁気ヘッ
ドの形成過程を示す斜視図である。 TO,11,30,31・・・磁気コア半休16.17
,36.37・・・高硬度・高融点非磁性材料薄膜 15.35・・・低融点ガラス薄膜 20.38・・・低融点ガラス薄膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 児 同 1) 杓 榮 − 第3図 第6図 第1頁の続き ■Int、C1,’ 識別記号 庁内整理番号G 11
B 5/235 6647−5D@発 明 者 窪
1) 光 東京部品川区北品川クツ株式会社内 0発 明 者 斎 藤 潤 −東京部品川区北品川クツ
株式会社内 6丁目5番6号 ソニーマグネプログ 6丁目5番6号 ソニーマグネプロタ
正面図、第2図は第1図の磁気へノドに研摩加工を施し
た時に発生したヘッドの割れを示す正面図、第3図は本
発明の一実施例としての磁気へノドの斜視図、第4図乃
至第6図は第3図の磁気ヘッドの形成過程を示す斜視図
、第7図は本発明の他の実施例となる磁気ヘッドの斜視
図、第8図は第7図の磁気ヘッドの磁気テープ摺接面の
磁気ギャップ61jを拡大して示す平面(2)、第9図
は第7図の磁気ヘッド底部の磁気ギャップ部を拡大して
示す底面図、第10図乃至第12図は第7図の磁気ヘッ
ドの形成過程を示す斜視図である。 TO,11,30,31・・・磁気コア半休16.17
,36.37・・・高硬度・高融点非磁性材料薄膜 15.35・・・低融点ガラス薄膜 20.38・・・低融点ガラス薄膜 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 児 同 1) 杓 榮 − 第3図 第6図 第1頁の続き ■Int、C1,’ 識別記号 庁内整理番号G 11
B 5/235 6647−5D@発 明 者 窪
1) 光 東京部品川区北品川クツ株式会社内 0発 明 者 斎 藤 潤 −東京部品川区北品川クツ
株式会社内 6丁目5番6号 ソニーマグネプログ 6丁目5番6号 ソニーマグネプロタ
Claims (1)
- フロントギャップ形成而に高硬度・高融点非磁性祠料薄
膜および低融点ガラス薄膜がこの順に形成され、かつバ
ックギャップ形成面に低融点ガラス薄膜が形成された磁
気コア半体対を接合したことを特命とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23317183A JPS60125906A (ja) | 1983-12-10 | 1983-12-10 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23317183A JPS60125906A (ja) | 1983-12-10 | 1983-12-10 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60125906A true JPS60125906A (ja) | 1985-07-05 |
Family
ID=16950837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23317183A Pending JPS60125906A (ja) | 1983-12-10 | 1983-12-10 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60125906A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62209713A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Akai Electric Co Ltd | コンポジツト型磁気ヘツドコアスライダ− |
JPS62209714A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Akai Electric Co Ltd | コンポジツト型磁気ヘツドコアスライダ− |
JPS63146203A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツドコア |
JPH01260608A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 |
US4888658A (en) * | 1985-04-30 | 1989-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head for magnetic recording and reproducing unit |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS519807A (en) * | 1974-07-16 | 1976-01-26 | Ngk Insulators Ltd | Jikihetsudono seizoho |
JPS5129404A (en) * | 1974-09-03 | 1976-03-12 | Central Glass Co Ltd | 1* 1* 11 kurorujifuruoruetan no seizohoho |
JPS58175119A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-14 | Tokyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-12-10 JP JP23317183A patent/JPS60125906A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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JPS62209713A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Akai Electric Co Ltd | コンポジツト型磁気ヘツドコアスライダ− |
JPS62209714A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Akai Electric Co Ltd | コンポジツト型磁気ヘツドコアスライダ− |
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JPH0727612B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1995-03-29 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘツドコア |
JPH01260608A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 |
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