JPH047008B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録再生装置に用いられる録再
兼用の磁気ヘツドに係わる。

従来、高抗磁力テープを記録、再生する磁気ヘ
ツドとしては、例えば第１図に示すように、固有
抵抗ρの大きいフエライト材（Mn−Zn系、Ni−
Zn系等）により主たるコア半体１及び２を形成
すると共に、磁気飽和しやすい作動ギヤツプｇの
附近のみを飽和磁束密度Bsの大きい合金磁性材
料、例えばセンダスト膜３にて構成したものがあ
る。４は巻線孔である。その他、第２図で示すよ
うに、作動ギヤツプｇの部分を含んで両コア半体
１及び２のつき合せ面の全面にセンダスト膜３を
被着形成した磁気ヘツド、或は第３図に示すよう
に対のコア半体のうち巻線孔４の設けられた側の
コア半体２のつき合せ面にのみセンダスト膜３を
被着形成した磁気ヘツド等が提案されている。

これらの複合コアによる磁気ヘツドは、いずれ
も高抗磁力テープの記録に適している。しかし乍
ら、再生時においてはフエライトコア１，２とセ
ンダスト膜３の界面での磁気抵抗が大きく、又セ
ンダスト膜３のうず電流損失が大きい為に再生効
率が劣化する欠点があつた。因みに、上記磁気ヘ
ツドはフエライト単体ヘツドと比較して−3dBの
劣化であり、従つて高抗磁力テープ用の録再兼用
としては難点があつた。

本発明は、上述の点に鑑み、ヘツドコアの磁気
飽和状態を生じ難くすると共に、再生効率を向上
せしめ、例えば高抗磁力テープ用の録再兼用ヘツ
ドに適用して好適ならしめた磁気ヘツトを提供す
るものである。

以下、実施例を用いて本発明の磁気ヘツドを説
明する。

本発明においては、例えば第４図に示すよう
に、一対のコア半体１１及び１２をフエライト材
（例えばMn−Zn系、Ni−Zn系等）にて形成し、
そのコア半体１１及び１２のうち、矢印ａ方向に
走行する磁気テープ１３の逃げ側のコア半体１２
の他コア半体１１とつき合される面に合金の高飽
和磁束密度材料層である例えばセンダスト膜１４
を形成し、このセンダスト膜１４と他のコア半体
１１との間に作動ギヤツプｇを形成する。センダ
スト膜１４は、コア半体１１，１２を構成するフ
エライト材に比して飽和磁束密度Bsが高いもの
である。この場合、センダスト膜１４は、テープ
対接面より膜線孔１５を越えて後部ギヤツプ部１
６に到るように、少なくとも距離ｌにわたつて連
続的に、本例ではコア半体１２の全長に亘つて連
続的に形成する。センダスト膜１４の膜厚ｄは
3μ〜10μ、好ましくは5μ〜7μとする。膜厚ｄが3μ
より薄いと磁気飽和の改善の効果がなく、10μを
越えるとうず電流損失が大きく出力が落ちる。

かかる構成の磁気ヘツドによれば、片方（磁気
テープの逃げ側）のコア半体１２にのみ連続一様
のセンダスト膜１４を形成したので、再生時にお
いてはセンダスト膜１４のうず電流損失が少な
く、且つ再生磁束１７が連続した一様なセンダス
ト膜１４内を通過し、センダスト・フエライト界
面の磁気抵抗の大きなところの影響が少なくな
り、従来ヘツドに比して再生効率が向上する。
又、記録は磁力テープ１３に対して最後に与えら
れる磁場で決まる。従つて、磁気テープ１３の逃
げ側のコア半体１２にセンダスト膜１４が形成さ
れるので、ここにおける磁気飽和がなく従来と同
様の記録が行える。

第５図は本発明及び従来の磁気ヘツドの記録特
性、第６図は本発明及び従来の磁気ヘツドの自己
録再特性を示すもので、夫々合金テープに周波数
5MHzから30MHzまでの信号を記録のみしたとき
及び自己録再したときの結果である。同図中、曲
線、，′は本発明の磁気ヘツド（第４図の構
成）、曲線，′は従来の第２図の磁気ヘツド、
曲線，′は従来の第３図の磁気ヘツド、曲線
，′はフエライト単体の磁気ヘツドである。
この第５図及び第６図から本発明の磁気ヘツドは
高抗磁力テープに対して記録でき、且つ再生もフ
エライト単体と同じ効率であることが認められ
る。従つて本発明の磁気ヘツドな高抗磁力テープ
用の録再兼用ヘツドに用いて好適である。

第７図Ａ〜Ｄは、第４図の磁気ヘツドの製法の
一例である。先ず第７図Ａに示すようにフエライ
ト材より成る一対のコア半体ブロツク１１′及び
１２′を設け、その一方のコア半体ブロツク１
１′に機械（砥石）加工にて巻線溝１５′及びガラ
ス挿入用のバツク溝１８を形成する。次に、他方
のコア半体ブロツク１２′の突き合される面１２
a′をメカノケミカルボリツシングによつて鏡面仕
上げして後、第７図Ｂに示すスパツタリング装置
１９内に配して、そのコア半体ブロツク１２′の
鏡面仕上げした面１２a′にセンダスト膜１４を被
着形成する。２０はセンダスト源である。次に、
両コア半体ブロツク１１及び１２をギヤツプスペ
ーサを介して突き合せ、例えば巻線溝１５及びバ
ツク溝１８に低融点ガラス２１を挿入して加熱処
理し、ガラス融着で接合し、しかる後所定の巾で
切断し、鎖線５０，５１で示す位置までテープ対
接面を研摩し且つ後部を切除してヘツドチツプ即
ち目的の磁気ヘツドを得る。

ここで、両コア半体ブロツク１１′及び１２′の
ガラス融着としては、従来、巻線溝１５′及びバ
ツク溝１８内に夫々同一融点のガラス２１を入れ
て同時融着を行つている。この場合フロント部
（作動ギヤツプ側）もバツク部（後部ギヤツプ側）
と同様に十分なガラス反応を起すために、コア接
合の信頼性は良いが、ガラス２１がフエライトコ
ア即ちブロツク１２′とセンダスト膜１４間にに
じみ出し、凝似ギヤツプが生じてクロストーク量
が悪くなる。融着温度を低く抑えることにより凝
似ギヤツプは若干改善されるが、接合の信頼性が
劣化しチツプ剥れを生じる。

そこで、本発明においては、巻線溝１５′とバ
ツク溝１８に入れるガラスを夫々軟化点の違うガ
ラスを入れてガラス融着することにより上記の問
題が改善される。

即ち、第８図に示すように巻線溝１５′及びバ
ツク溝１８を有したフエライトコア半体ブロツク
１１′と、センダスト膜１４が被着されたフエラ
イトコア半体ブロツク１２′を互に突き合せて後、
巻線溝１５′内に軟化点の高い例えば軟化点385℃
のガラス２２を、バツク溝１８内に軟化点の低い
例えば軟化点370℃のガラス２３を夫々挿入し、
同時融着を行う。斯くすると、フロント部のガラ
ス２２の流れは軟化点が高い為に第９図及び第１
０図に示すように若干の変形程度の濡れで接合が
行われ、反応や拡散にいたらない状態で冷却され
る。即ちフロント部ではガラス２２はトラツク巾
規制用の溝２４内に入り込まない。一方、バツク
部のガラス２４は軟化点が低いため液状に溶融し
第１１図及び第１２図に示すように反応拡散を起
し強固にガラス接合される。尚、ガラス２２及び
２３の軟化点の差は５℃〜50℃の範囲を可能とす
る。このようにして完成されたブロツクをヘツド
チツプとして切り出す際の信頼性は十分高く、歩
留りも向上する。

第１３図は従来のガラス融着で得た磁気ヘツド
の凝似ギヤツプの状態、第１４図は上記本発明に
よるガラス融着で得た磁気ヘツドの凝似ギヤツプ
の状態を夫々示す。この第１３図で示すように従
来のガラス融着法では、作動ギヤツプでの出力レ
ベルを0dBとすると、−20dB程度の凝似ギヤツプ
出力３０が生じるが本発明のガラス融着法によれ
ば第１４図で示すように凝似ギヤツプ出力は−
30dB以下に落ち、大巾に改善される。なお、両
フエライトコアの突き合せ面に夫々センダスト膜
を被着した例えば第２図の磁気ヘツドの場合に於
ても、従来のガラス融着では第１３図の左側のす
そに更に−14dB〜−15dBの凝似ギヤツプ出力が
生じるが、本発明のガラス溶着を用いれば−
30dB以下に落ち15dB程度の改善が認められる。

尚、本発明は上例の他に、例えば第１５図に示
すように一対のコア半体１１及び１２のうち、テ
ープ逃げ側のコア半体１２に巻線孔１５を形成す
ると共に、この巻線孔１５内面を含むようにコア
半体１２のつき合せ面に連続した一様のセンダス
ト膜１４を形成して構成することもできる。

さらには、第１６図に示すように作動ギヤツプ
ｇを形成するテープ対接面を単結晶フエライト３
１で形成し、その他の主磁路を構成する部分を多
結晶フエライト３２で形成したヘツドコアにおい
て、そのテープ逃け側のコア半体１２のつき合せ
面に上例と同様のセンダスト膜１４を形成して構
成することができる。この構成においては、上例
と同様に、高抗磁力テープでの録再が可能である
と同時に、特にテープ対接面が単結晶フエライト
３１のゆえに摩耗が少なく且つ結晶面を選べるの
で均一特性になり、又主磁路が多結晶フエライト
３２のゆえに摺動ノイズが少なく高出力の磁気ヘ
ツが得られる。

上述せる如く本発明によればヘツドコアの磁気
飽和を生じ難くすると共に、再生効率を向上せし
め得るものであり、従つて例えば高抗磁力テープ
用の録再兼用ヘツドに適用して好適ならしめるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は夫々従来の磁気ヘツドの例
を示す断面図、第４図は本発明による磁気ヘツド
の一実施例を示す断面図、第５図及び第６図は本
発明の説明に供する記録特性図及び自己録再特性
図、第７図Ａ〜Ｄは第４図の磁気ヘツドの製法例
を示す工程図、第８図は本発明に適用し得るガラ
ス融着法の例を示す断面図、第９図及び第１０図
はそのフロント部のガラス融着状態を示す側面図
及びそのＡ−Ａ線上の断面図、第１１図及び第１
２図はバツク部のガラス融着状態を示す側面図及
びそのＢ−Ｂ線上の断面図、第１３図及び第１４
図は夫々従来のガラス融着法で得た磁気ヘツドの
凝似ギヤツプの状態を表わす特性図及び本発明の
ガラス融着法で得た磁気ヘツドの凝似ギヤツプの
状態を表わす特性図、第１５図及び第１６図は夫
本発明による磁気ヘツドの他の実施例を示す断面
図である。 １１，１２はコア半体、１４はセンダスト膜、
１５は巻線孔である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 互いに突き合される一対のコア半体を有し、
   該一対のコア半体のうち磁気テープの逃げ側のコ
   ア半体の他コア半体と突き合される面に、テープ
   対接面から後部ギヤツプ部に到る連続した合金の
   高飽和磁束密度材料層が形成され、該材料層と上
   記他コア半体の間に作動ギヤツプが形成されて成
   る磁気ヘツド。