JP2874787B2 - 合金磁性薄膜積層体の製造方法 - Google Patents
合金磁性薄膜積層体の製造方法Info
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- JP2874787B2 JP2874787B2 JP16773490A JP16773490A JP2874787B2 JP 2874787 B2 JP2874787 B2 JP 2874787B2 JP 16773490 A JP16773490 A JP 16773490A JP 16773490 A JP16773490 A JP 16773490A JP 2874787 B2 JP2874787 B2 JP 2874787B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はVTR等に使用される磁気ヘッドコアの製造工
程に関し、特に合金薄膜積層型ヘッドの特性向上に関す
る。
程に関し、特に合金薄膜積層型ヘッドの特性向上に関す
る。
従来の合金薄膜積層型ヘッドの製造工程を第４図
（Ａ）〜（Ｍ）によって説明する。以下、この項で記す
（Ａ）〜（Ｍ）は第４図（Ａ）〜（Ｍ）の意味である。
（Ａ）〜（Ｍ）によって説明する。以下、この項で記す
（Ａ）〜（Ｍ）は第４図（Ａ）〜（Ｍ）の意味である。
まず、非磁性基板１を用意する。（Ａ）．次に非磁性
基板１の片面に合金磁性薄膜（例えばセンダスト合金）
２をスパッタリング等の方法によって形成する。
（Ｂ）．このとき高周波特性をよくするために、絶縁層
３を介した多層構造にする。つぎに、この上にさらに低
融点ガラスA4をスパッタリング等の方法で被着させる。
（Ｃ）．こうしてつくられた基板10,10,10,……を重ね
合わせた状態で溶着治具（図示せず）により基板の厚さ
方向に加圧したまま熱処理炉中で加熱し、低融点ガラス
Ａによって接合された合金磁性薄膜積層体12を得る。
（Ｄ）．この合金磁性薄膜積層体12を線分20,20,20…お
よび線分21,21,21…で示す位置で切断し（Ｅ）積層バー
13A,13B,を得る。（Ｆ）．積層バー13A,13Bに溝14,15を
形成し（Ｇ）．ギャップ形成面16A,16Bを研磨する。
（Ｈ）．つぎに、研磨面にギャップスペーサとしてSiO2
膜（図示せず）をスパッタリングで成膜する。この積層
バー13A,13Bの成膜面を突き合わせて合金磁性薄膜の位
置を合わせて、溶着治具（図示せず）により固定し、低
融点ガラスB6を載せて（Ｉ）．熱処理炉中で加熱接合し
ヘッドバー17を得る。（Ｊ）．続いて、ヘッドバーの先
端部分18を曲面に研磨（Ｋ）．した後、22,22,22,…で
示す位置でスライスして（Ｌ）．ヘッドチップ19が完成
する。（Ｍ）． 〔発明が解決しようとする問題点〕 合金磁性薄膜は単に成膜しただけでは良好な磁気特性
を示さず、一般的には所定の条件で熱処理を行うこと
で、特性が発揮される。基板の積層接合には、上記の様
に低融点ガラスを用いる方法があり、接合時にはガラス
が軟化する温度まで加熱を行う。この加熱条件はガラス
を適切に選択することで、合金磁性薄膜の熱処理条件と
合わせることができ、一度の加熱で接合と膜の熱処理を
同時に済ませることができる。このとき膜の体積は収縮
する傾向にあり、その結果基板には反りが生ずる。
基板１の片面に合金磁性薄膜（例えばセンダスト合金）
２をスパッタリング等の方法によって形成する。
（Ｂ）．このとき高周波特性をよくするために、絶縁層
３を介した多層構造にする。つぎに、この上にさらに低
融点ガラスA4をスパッタリング等の方法で被着させる。
（Ｃ）．こうしてつくられた基板10,10,10,……を重ね
合わせた状態で溶着治具（図示せず）により基板の厚さ
方向に加圧したまま熱処理炉中で加熱し、低融点ガラス
Ａによって接合された合金磁性薄膜積層体12を得る。
（Ｄ）．この合金磁性薄膜積層体12を線分20,20,20…お
よび線分21,21,21…で示す位置で切断し（Ｅ）積層バー
13A,13B,を得る。（Ｆ）．積層バー13A,13Bに溝14,15を
形成し（Ｇ）．ギャップ形成面16A,16Bを研磨する。
（Ｈ）．つぎに、研磨面にギャップスペーサとしてSiO2
膜（図示せず）をスパッタリングで成膜する。この積層
バー13A,13Bの成膜面を突き合わせて合金磁性薄膜の位
置を合わせて、溶着治具（図示せず）により固定し、低
融点ガラスB6を載せて（Ｉ）．熱処理炉中で加熱接合し
ヘッドバー17を得る。（Ｊ）．続いて、ヘッドバーの先
端部分18を曲面に研磨（Ｋ）．した後、22,22,22,…で
示す位置でスライスして（Ｌ）．ヘッドチップ19が完成
する。（Ｍ）． 〔発明が解決しようとする問題点〕 合金磁性薄膜は単に成膜しただけでは良好な磁気特性
を示さず、一般的には所定の条件で熱処理を行うこと
で、特性が発揮される。基板の積層接合には、上記の様
に低融点ガラスを用いる方法があり、接合時にはガラス
が軟化する温度まで加熱を行う。この加熱条件はガラス
を適切に選択することで、合金磁性薄膜の熱処理条件と
合わせることができ、一度の加熱で接合と膜の熱処理を
同時に済ませることができる。このとき膜の体積は収縮
する傾向にあり、その結果基板には反りが生ずる。
ところが、合金磁性薄膜積層体を作る工程において
は、治具等によって磁性膜が拘束された状態で熱処理さ
れることになる。すなわち、合金磁性薄膜を形成し低融
点ガラスを表裏に被着させた基板を重ね合わせて、溶着
治具によって基板の厚さ方向に圧力をかけそれぞれの基
板を密着させ、その状態で熱処理を行なう。一方、非磁
性基板と磁性薄膜の熱膨張差および、磁性薄膜の体積収
縮は基板の反りとなって現われる。このため、これらを
治具で加圧することは磁性膜の変形を拘束することにな
る。この状態では加圧力に加えて非磁性基板と磁性膜の
熱膨張差による熱応力、さらには磁性膜の体積収縮に伴
う応力変化が同時に加わった状態で加熱されるために、
磁性膜の良好な磁気特性が発揮されず、結果としてヘッ
ドの特性が悪くなるという問題があった。
は、治具等によって磁性膜が拘束された状態で熱処理さ
れることになる。すなわち、合金磁性薄膜を形成し低融
点ガラスを表裏に被着させた基板を重ね合わせて、溶着
治具によって基板の厚さ方向に圧力をかけそれぞれの基
板を密着させ、その状態で熱処理を行なう。一方、非磁
性基板と磁性薄膜の熱膨張差および、磁性薄膜の体積収
縮は基板の反りとなって現われる。このため、これらを
治具で加圧することは磁性膜の変形を拘束することにな
る。この状態では加圧力に加えて非磁性基板と磁性膜の
熱膨張差による熱応力、さらには磁性膜の体積収縮に伴
う応力変化が同時に加わった状態で加熱されるために、
磁性膜の良好な磁気特性が発揮されず、結果としてヘッ
ドの特性が悪くなるという問題があった。
そこで、本発明では非磁性基板上に合金磁性薄膜を形
成した後、外部から応力のかからない状態で熱処理し所
望の磁気特性を得た後に、低融点ガラス等によって接合
する。
成した後、外部から応力のかからない状態で熱処理し所
望の磁気特性を得た後に、低融点ガラス等によって接合
する。
予め、外部からの例えば、溶着治具による加圧という
拘束ない状態で熱処理を行っているために、良好な磁気
特性を得ることができその後の接合処理においても特性
の劣化が少ない。従って、本発明の製造方法を用いれば
従来よりも磁気ヘッドの特性向上が実現できる。
拘束ない状態で熱処理を行っているために、良好な磁気
特性を得ることができその後の接合処理においても特性
の劣化が少ない。従って、本発明の製造方法を用いれば
従来よりも磁気ヘッドの特性向上が実現できる。
以下、工程図である第１図を参照しながら本発明の一
実施例を説明する。従来との比較を容易にするため従来
例の工程図を第３図に示す。
実施例を説明する。従来との比較を容易にするため従来
例の工程図を第３図に示す。
非磁性基板上にFe−Al−Siを主成分とする合金磁性薄
膜と絶縁体膜を交互にをスパッタリングにより形成す
る。（Ｉ）．その後、熱処理炉中で加熱し合金磁性薄膜
の特性を出すための熱処理を行う。（II）．そして、ス
パッタリングによって低融点ガラスを成膜（（II
I）．）した基板を積層して溶着治具で固定し、熱処理
炉で加熱することでガラスを溶融させ接合する。（I
V）． また、別の実施例として合金磁性薄膜を形成した後、
スパッタリング装置内でそのまま加熱を行い熱処理を行
い、続いて低融点ガラスをスパッタリングする方法も可
能である。この場合には基板の積層接合直前まで真空状
態を破ることなく作業ができるために、基板へのゴミの
付着、汚染がきわめて少ない状態を保つことができる。
膜と絶縁体膜を交互にをスパッタリングにより形成す
る。（Ｉ）．その後、熱処理炉中で加熱し合金磁性薄膜
の特性を出すための熱処理を行う。（II）．そして、ス
パッタリングによって低融点ガラスを成膜（（II
I）．）した基板を積層して溶着治具で固定し、熱処理
炉で加熱することでガラスを溶融させ接合する。（I
V）． また、別の実施例として合金磁性薄膜を形成した後、
スパッタリング装置内でそのまま加熱を行い熱処理を行
い、続いて低融点ガラスをスパッタリングする方法も可
能である。この場合には基板の積層接合直前まで真空状
態を破ることなく作業ができるために、基板へのゴミの
付着、汚染がきわめて少ない状態を保つことができる。
本発明の工程により製造した合金磁性薄膜積層体の透
磁率の周波数特性を従来の工程で製造した場合と比較し
て第２図に示す。
磁率の周波数特性を従来の工程で製造した場合と比較し
て第２図に示す。
以上の説明およびデータから明らかなように、本発明
の製造方法によれば、磁性膜の特性が従来に比べて向上
するためにVTR用磁気ヘッド、高密度ディスク装置用ヘ
ッド等に応用することで電磁変換特性の向上が期待でき
る。また接合後の合金磁性膜および基板の残留応力が低
減されるために、特に、合金磁性膜の膜厚が厚い場合に
問題であった、接合後の基板のクラックも低減されるた
めに歩留の向上にも貢献する。
の製造方法によれば、磁性膜の特性が従来に比べて向上
するためにVTR用磁気ヘッド、高密度ディスク装置用ヘ
ッド等に応用することで電磁変換特性の向上が期待でき
る。また接合後の合金磁性膜および基板の残留応力が低
減されるために、特に、合金磁性膜の膜厚が厚い場合に
問題であった、接合後の基板のクラックも低減されるた
めに歩留の向上にも貢献する。
第１図、は本発明による工程図、第２図は本発明と従来
例による合金磁性薄膜積層体の透磁率の周波数特性を示
すグラフ、第３図は従来例による工程図、第４図は合金
薄膜積層型ヘッドの製造工程を説明するための斜視図で
ある。 １……非磁性基板、 ２……合金磁性薄膜、 ４……低融点ガラスＡ、 12……合金磁性薄膜積層体、 13A,B……積層バー、 17……ヘッドバー。
例による合金磁性薄膜積層体の透磁率の周波数特性を示
すグラフ、第３図は従来例による工程図、第４図は合金
薄膜積層型ヘッドの製造工程を説明するための斜視図で
ある。 １……非磁性基板、 ２……合金磁性薄膜、 ４……低融点ガラスＡ、 12……合金磁性薄膜積層体、 13A,B……積層バー、 17……ヘッドバー。
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基板上にFe−Al−Siを主成分とする
合金磁性薄膜と、絶縁体膜を交互に積層形成し、500℃
〜800℃の熱処理によって所望する軟磁気特性を得た後
に、上記熱処理温度よりも低い温度で低融点ガラスによ
り積層接合することを特徴とする、合金磁性薄膜積層体
の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16773490A JP2874787B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16773490A JP2874787B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0460908A JPH0460908A (ja) | 1992-02-26 |
| JP2874787B2 true JP2874787B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15855152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16773490A Expired - Lifetime JP2874787B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 合金磁性薄膜積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874787B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP16773490A patent/JP2874787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460908A (ja) | 1992-02-26 |
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