JPH02113411A - 磁気ヘツド - Google Patents

磁気ヘツド

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Publication number
JPH02113411A
JPH02113411A JP26737688A JP26737688A JPH02113411A JP H02113411 A JPH02113411 A JP H02113411A JP 26737688 A JP26737688 A JP 26737688A JP 26737688 A JP26737688 A JP 26737688A JP H02113411 A JPH02113411 A JP H02113411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laminate
glass
magnetic
block
substrates
Prior art date
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Pending
Application number
JP26737688A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Ura
匡史 裏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH02113411A publication Critical patent/JPH02113411A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/147Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はVTRや磁気ディスク装置などの磁気ヘッド
に関するものである。
〔従来の技術〕
第13図は例えば日本応用磁気学会の昭和62年12月
の応用磁気セミナで発表された金属積層体を用いたビデ
オヘッドである。(9)は非磁性基板で、この上に、絶
縁層をはさんで金属膜を積層(4)し、この上から結晶
化ガラス(5)によってもう−枚の非磁性基板(9)を
つけ、コア半休を作る。この半体に巻線窓(6)、ガラ
ス溝(10)を加工して、二つのコア半休をギャップ材
を介して低融点ガラス(11)で溶着する。
このようにして作られたヘッドは、ヘッド材料に高飽和
磁束密度の金属膜を使っているため、強力な磁界をヘッ
ドから発生でき、メタルテープなとの高保磁力媒体にも
、十分記録できる。その上、金属膜を絶縁層を介して積
層しているため、高周波数帯域で使用しても渦電流損失
が小さく、広帯域での使用が可能である。
[発明が解決しようとする課題] しかし、従来の金属積層体ヘッドは以上のように構成さ
れているので、ギャップ形成のための溶着用のガラス溝
(10)を加工しなければならず、又、ガラス溶着の強
度は低く、ヘッドにしてからは、このギャップ部から割
れたりする例も多くあった。そして溶着ガラスと非磁性
基板、金属膜の熱膨張係数が異なるためガラスにより残
留応力が生じ、金属積層体の磁気特性が劣化するなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ガラス溶着のためのガラス溝加工の工程を省
くことができるとともに、溶着ガラスを使用したための
ヘッド特性および強度への悪影響をすべて解消できる磁
気ヘッドを得ることを目的とする。さらに、非磁性基板
(9)と積層体(4)とを接着している結晶化ガラス(
5)もなくしてガラスレスの磁気ヘッドを作ることを目
的とする。
[課題を解決するための手段] この発明に係る磁気ヘッドは、低融点ガラスによる溶着
をなくして、ギャップ溶着な非磁性基板同志の固相反応
結合で行うようにしたものであるまたさらに、非磁性基
板と積層体を接着している結晶化ガラスも、2枚の基板
を固相反応接合させるようにして、ガラスの全くない磁
気ヘッドを可能にしたものである。
〔作用] この発明における磁気ヘッドは、ギャップ部が固相反応
で接合されるため、非常に強固な接合となるため、ヘッ
ドの割れがほとんど存在しなくなる。また、ガラスの悪
影響をとり去ることができる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)は例えば非磁性単結晶フェライトな
どの、非磁性の単結晶セラミック基板、(2)は例久ば
非磁性多結晶フェライトなどの非磁性の多結晶セラミッ
ク基板、(3)はギャップ接合の時の固相接合部、(4
)はセラミック基板(例えば2)上に金属磁性膜とSi
O□などの絶縁層とを交互に積んだ積層体、(5)は積
層体(4)の上にもう一枚のセラミック基板(例えば1
)を接合するための結晶化ガラス、(6)は巻線窓であ
る。
第1図のヘッドの製造工程を第2図乃至第6図に示す、
まず、第2図の非磁性のセラミック基板(1)または(
2)の上に、金属磁性膜と絶縁膜とを交互にスパッタな
どの方法でつけ、積層体(4)を第3図のように形成す
る。この積層体(4)の上に更に結晶化ガラス膜(5)
をつける。これを第4図のように、単結晶セラミック基
板(1)と多結晶セラミック基板(2)とを交互に積ん
でいく、そして熱処理をして結晶化ガラス(5)によっ
て溶着する。この大きなブロックを第4図の一点鎖線に
従って短冊状に切断し、細長いブロックを得る。できた
ブロックの半数に第5図のような巻線溝(6)を加工す
る。次にこのブロックのギャップ面を研磨し、絶縁物の
ギャップ材をつけるのだが、このギャップ材はギャップ
面の積層体の部分にのみ形成するようにし、セラミック
基板にはつかないようにする。そして巻線窓(6)を加
工したブロックと、加工しないブロックとをギャップ面
で突合せる。その際第6図のようにたがいに向き合う基
板が単結晶セラミック基板(1)と多結晶セラミック基
板(2)というように異種の基板になるようにする。そ
して、加圧、加熱してセラミックの界面な固相接合させ
る。それからこの接合ブロックを薄切りしてチップとし
、第1図のような形とするのである。なお、第6図のよ
うにギャップ接合した場合は、両端で1チップ分無駄に
なるが、第4図での積み方で、下から(1)、  (2
)、(1)、(2)−−−−−というブロックと、下か
ら(2)、(1)、(2)、(1)−−−−−というブ
ロックをつくれば、さらに歩留りはよくなる。
以上のようにギャップ接合な固相接合により達成したの
で、ギャップ溶着のための低融点ガラスと、ガラス溝加
工が不要である。また、固相接合なので、ギャップ接合
が強固にでき、この部分での割れはほとんど発生しない
。また、溶着ガラスによる、コア部への残留応力も発生
しない。
次に別の一実施例として、ガラスの全くない磁気ヘッド
を第7図乃至第12図について説明する、第7図におい
て、(7)は非磁性の単結晶セラミック基板、(8)は
非磁性の多結晶セラミック基板、(3)は単結晶セラミ
ック基板(7)と多結晶セラミック基板(8)との固相
接合部、(4)は積層体である。第7図のように積層体
(4)はセラミック基板(7)、(8)で囲まれた形に
なっている。第7図の磁気ヘッドの製造工程を第8図乃
至第12図に示す。まず、片方のセラミック基板(8)
の上に積層体(4)を第8図のように付ける。もう−枚
のセラミック基板(7)は、第9図のような形状をして
いて、第8図での積層体(4)の幅と、第9図でのセラ
ミック基板(7)の溝幅とは一致するものである。それ
でセラミック基板(7)の溝にセラミック基板(8)の
積層体(4)が入るように基板(7)、(8)をいくつ
か重ねて第1O図のようにする。そして加圧(P)し、
加熱してセラミック基板(7)と(8)とを固相反応さ
せて結合させる。その後で図中の一点鎖線に沿って切断
し、細長いブロックにする。このブロックの片方に、第
11図のように、巻線窓を加工する。次にこのブロック
のギャップ面を研磨し、そこへ絶縁物のギャップ材を形
成する。なおギャップ材はギャップ面の積層体の部分に
のみ形成するようにし、基板にはつかないようにする。
その後巻線窓を加工したブロックとしていないブロック
とを、ギャップ面側に積層体が来るように、またギャッ
プ面で突き合う基板が異なるようにして第12図の如く
突き合わせる。その後4方向から荷重を加えて加熱、ギ
ャップ部を固相接合する。その後、チップに切断して磁
気ヘッドとするのである。
なお、以上の二つの実施例では、多結晶セラミックと、
単結晶セラミックとを固相接合するようにしているが、
この材料は固相反応により接合するものであれば何でも
よく、単結晶セラミックと単結晶セラミックでも、多結
晶セラミックと多結晶セラミックでもよい。
また、ギャップ接合の際に、ギャップ材は積層体部のみ
に付けたが、このためギャップの部分に凸起となり、接
合時に応力がかかり積層体の特性が悪くなる場合は、ギ
ャップ材をフロントギャップ面には全面に付け、バック
コア側にはギャップ材をつまないようにして、バックコ
アのみ固相接合させてもその強度は十分であり、問題な
い。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、ガラス溶着をせずに固
相反応接合を使用するので、加工工程数が省かれ磁気ヘ
ッドが安価にでき、強度が大きく、特性のよいものが得
られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による磁気ヘッドを示す斜
視図、第2図乃至第6図は第1図の磁気ヘッドの製造方
法を説明するための図、第7図はこの発明の他の一実施
例の磁気ヘッドを示す斜視図、第8図乃至第12図は第
7図に示す磁気ヘッドの製造方法を説明するための図、
第13図は従来の積層ヘッドを示す斜視図である。 図において、(1)は非磁性の単結晶セラミック基板、
(2)は非磁性の多結晶セラミック基板(3)は固相接
合部、(4)は積層体、(5)は結晶化ガラス、(6)
は巻線窓、(7)は非磁性の単結晶セラミック基板、(
8)は非磁性の多結晶セラミック基板、(9)は非磁性
基板、(10)はガラス溝、(11)は低融点ガラス。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。 代理人 弁理士  大  岩  増  雄第2図 第 1O図 第 図 第 13図 11:他所1巨力”ラス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非磁性基板上に磁性膜を積層し、これを磁気コア
    として使用する磁気ヘッドにおいて、非磁性基板同士を
    固相接合させたことを特徴とする磁気ヘッド。
JP26737688A 1988-10-24 1988-10-24 磁気ヘツド Pending JPH02113411A (ja)

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JP26737688A JPH02113411A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 磁気ヘツド

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JP26737688A JPH02113411A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 磁気ヘツド

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JPH02113411A true JPH02113411A (ja) 1990-04-25

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JP26737688A Pending JPH02113411A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 磁気ヘツド

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