JPS59148115A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ビデオ信号などの情報信号の記録再生に好適
な薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、非磁性保護基板と金
属磁性膜とを接合する接合層に関する。

〔従来技術〕

近年、ビデオテープレコーダの磁気テープとしてメタル
テープが普及してきており、このメタルテープに対する
磁気ヘッドとして、センダストなどの高飽和磁束密度金
属磁性体の薄膜をコア材とする薄膜磁気ヘッドが注目さ
れている。

かかる金属磁性体の薄膜（以下、金属磁性膜という）は
、フェライトなどからなる２つの非磁性の基板によって
サンドイッチ状に挟さまわてヘッドコアが形成さねてい
る。こわら基板（以下、非磁性保護基板という）は、金
属磁性膜を保護するとともに、その一方は、ヘッドコア
？製造するに際しての金属磁性体を蒸着などして金属磁
性膜を形成する場合の基板にもなる。また、他方の非磁
性保護基板は、形成された金属磁性膜上に接合される。

金属磁性膜と非磁性保護基板とを接合するためＶｒ、は
、一般に、接合材として低融点ガラスが用いられ、熱圧
着によって両者を接合している。

しかし、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜
と非磁性保護基板との接合強度が充分でなく、非磁性保
護基板が剥離し易いという欠点があった。

以下、この欠点について説明するが、その前に、まず、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。

第１図（ａ）〜（ｇ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を示す工程図であって、１，２は非磁性保護基板、３
は金属磁性膜、４は巻線窓用溝、５はヘッドギャップで
ある。

まず、表面が平坦なフェライトからなる２つの非磁性保
護基板１，２を得、その一方の非磁性保護基板１上に、
スパッタリング法や蒸着法などにより、センダストから
なる金属磁性膜３を形成する（第１図（ａ））。そして
、金属磁性膜３上および非磁性保護基板２上ｖｃ簗１の
低融点鉛ガラスをスパッタリング法、蒸着法などによっ
て被着し、こねら低融点鉛ガラス層を突き合わせ、加圧
治具を用いて熱圧着し、金属磁性膜３と非磁性保護基板
２とを接合する。この結果、金属磁性膜３が非磁性保護
基板１．　２ＶＣよって挟まわたコアブロックが得られ
ろ（第１図（ｂ））。

次に、このコアブロックケグイシングソーにより切断し
て２つの分割ブロックな得（第１図（Ｃ））、夫々の切
断面を研磨してギャップ突き合わせ面とするとともに、
一方の分割ブロックの研磨面を加工して巻線窓用溝４′
ｆ／形成する（第１図（ｄ））。夫々の分割ブロックの
研磨面に、第２の低融点鉛ガラスをスパッタリングによ
って所要ギアツブ長となるような厚さに被着させ（第１
図（ｅ））、こわら第２の低融点鉛ガラス層を互いに突
き合わせて、２つの分割ブロックを熱圧着する。この場
合、第２の低融点鉛ガラスにより、ヘッドギャップ５が
形成される（第１図げ））、次に、ダイシングソー［Ｊ
ｌ、す、ヘッドチップが切り出さね、このヘッドチップ
が成形加工される（第１図（ｇ））。なお、第１図は、
１つのブロックから６チツプ取り出される場合ケ示して
いる。

以上のよウニ、金属磁性膜と非磁性保護基板とは、低融
点ガラスを接合材とし、熱圧着されて接合されるもので
あるが、このような加熱圧着処理は、ヘッドギャップを
形成するための分割コアの接合工程においても行なわわ
、かかる分割コアの接合工程における熱圧着処理が、金
属磁性膜と非磁性保護基板との接合を劣化させることに
なる。

第２図、第３図は、金属磁性膜をセンダスト膜とした場
合の熱処理温度ＴＶｒ、対するセンダスト膜の初透磁率
μｍ、膜の内部応力σの関係を示すものであるが、６０
０℃以上の熱処理のもとでは、接合部の剥離の原因とな
る内部応力σが増加するとともに、初透磁率μｍも劣化
してくる。したがって、こわらを避けるためには、処理
温度Ｔの上限を６００℃とじたけわばならない。また、
処理温度Ｔの下限については、さらに低融点のガラスを
用いることにより、より低くすることも考えらねるが、
ガラスの融点な下げるためには、鉛の含有率を増すこと
が必要であり、この結果、ガラスの強度が低下すること
になる。実験的に求めた結果によると、所要強度を得る
ことのできる鉛ガラスの軟化点は最低限３５０℃であり
、熱圧着温度Ｔとしては、５００℃である必要がある。

結局、従来の薄膜磁気ヘッドに関しては、熱圧着するた
めの処理温度Ｔとしては、５００℃〜６００℃の範囲に
限定さね、２つの熱圧着処理工程では、互いに近い処理
温度をとらざるを得なくなる。したがって、第１図にお
いて、金属磁性膜３と非磁性保護膜２とを接合するため
の処理温度を上限の６００℃とし、２つの分割ブロック
を接合してヘッドギャップを形成するための処理温度＝
ｒ下限の５００℃としても、２つの分割ブロックの接合
時の加熱により、金属磁性膜と非磁性保護基板との接合
部の低融点ガラスが軟化し、剥離を生じてしまうことに
なる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、金属磁性
膜と非磁性基板との接合強度が改善さね、該非磁性保護
基板の剥離が生ずることなく、かつ、磁気特性が優わた
薄膜磁気ヘッドを提供するにある。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために、本発明は、金属磁性膜と保
護基板とを接合する接合材として、軟化点の異なる複数
の低融点ガラス層をもってなることを特徴とする特 すなわち、かかる複数の低融点ガラス層を接合材として
熱圧着処理を行なうと、より低い融点の低融点ガラスは
接合面でぬわ性を示しながらより高い融点の低融点ガラ
ス層中に拡散し、このために、接合境界面のガラスの軟
化点が上昇し、その結果、接合が強固になる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面πついて説明する。

第４図は本発明＆ｆ：Ｊ：る薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す斜視図であって、６は接合面であり、第１図に対
応する部分Ｉ’ｍは同一符号なつけている。

第５図は第４図におけろテープ摺動面のへラドギャップ
近傍ＡＶ拡大して示した部分拡大図であって、７．７’
は第１の低融点ガラス層、８．８’は第２の低融点ガラ
ス層であり、第４図に対応する部分Ｖｒは同一符号をつ
けている。

第４図は外見上第１図（ｇ）と変わりないものであるか
ら、本発明の特徴が現わねでいろ第５図について説明す
る。

非磁性保護基板１上に、ｊｌ！１図（ａ）で説明したの
と同様の方法で形成されたセンダストの金属磁性膜２と
非磁性保護基板１とは、低融点ガラスを接合材として接
合さねている。この接合材は、金属磁性膜３側から軟化
点Ｔ１の第１の低融点ガラス層７、軟化点Ｔ２の第２の
低融点ガラス層８、軟化点Ｔ２の低融点ガラス層８′、
軟化点Ｔ１の第１の低融点ガラス層７′からなり、Ｔ、
）Ｔ、である。

−例として、第１の低融点ガラス層７．７’Ｔｔ’！軟
化点Ｔ１が５００℃の鉛ガラスからなり、また、第２の
低融点ガラス８，８′は軟化点Ｔ２が３５０℃の鉛ガラ
スからなる。第１の低融点ガラス層７、第２の低融点ガ
ラス層８は、金属磁性膜３上にスパッタリング法などに
より夫々、たとえば、２５００Ｘ、１０００Ｘの厚さで
形成されたものであり、また、第１の低融点ガラス層７
′、第２の低融点ガラス層８′は、非磁性保護基板２上
に、同様にして夫々上記の厚さで形成されたものであり
、第２の低融点ガラス層８．８’ヲ突き合わせ、６００
℃に加熱して圧着することにより、金属磁性膜３と非磁
性保護基板２とが接合されている。

この熱圧着処理においては、６ｏｏ℃の加熱中、軟化点
が３５０℃の第２の低融点ガラス層８，８′の粘度が低
下し、第２の低融点ガラス層８．８′の突き合わせ面か
らなる接合面６での充分なぬわ性が得られ、第２の低融
点ガラス層８，８′が隙間なく全面にわたって接合され
る。したがって、第５図において、第２の低融点ガラス
層８，８′は一体となり、また、同一ガラス材であるか
ら、接合面６というものは明確ＶＣは存在しないが、説
明の便宜上印しているものである。

また、上記のように、第２の低融点ガラス層８゜８′は
、粘度が低下すると、軟化点５ｏｏ℃の第１の低融点ガ
ラス層７，７′中に夫々拡散し、接合面６でのガラスの
軟化が第２の低融点ガラス層８゜ぎの軟化点よりも上昇
する。

かかる金属磁性膜３と非磁性保護基板２との接合工程以
外の工程については、第１図で示した従来の工程と同様
である。したがって、２つの分割ブロックを接合してヘ
ッドギャップな形成する工程において、その接合材を軟
化点が３５０’ＩＣの低融点ガラスを用い、処理温度％
−５００’Ｃとしても、金属磁性層３と非磁性保護基板
２との間の接合強度は劣化せず、非磁性保護基板２の接
合面６からの剥離は生じない。

第６図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示
す部分拡大図であり、第５図に対応するＳ分には同一符
号をつけている。

この実施例は、接合材として、軟化点Ｔ１の第１の低融
点ガラス層７とＴ、より低い軟化点Ｔ。

の１ｇ２の低融点ガラス層８との２層の低融点ガラスか
らなるものであって、第２の低融点ガラス層８と非磁性
保護基板２との境界面が接合面６となる。すなわち、金
属磁性層３上Ｖｔ第１の低融点ガラス層７、第２の低融
点ガラス層８が形成され、８ｇ２の低融点ガラス層８と
非磁性保護基板２とを突き合わせ、処理温度が６００℃
の熱圧着処理によって両者？接合したものであって、第
５図に示した実施例の場合と同様の効果が得られる。

上記夫々の実施例では、接合材として、軟化点が異なる
２種類の低融点ガラスを用いたが、そわ以上の種類の低
融点ガラスを用いることができ、その場合、接合面側か
ら順次軟化点が順次高くなるように、低融点のガラス層
を形成することが必〔発明の効果〕 以上説明したように１本発明によりば、金属磁性層と非
磁性保護基板との接合が強固であって該非磁性保護基板
の剥離がなく、また、良好な磁気特性も有しており、上
記従来技術の欠点を除いて優ねた機能の薄膜磁気ヘッド
ヶ提供することができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｇ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法の一例を示す工程図、第２図は第１図の熱圧着処理工
程における処理温度に対するセンダスト膜の初透磁率の
関係を示す曲線図、第３図はｗｃ１図の熱圧着処理工程
における処理温度に対するセンダスト膜の内部応力の関
係を示す曲線図、！４図は本発明による薄膜磁気ヘッド
の一実施例を示す斜視図、第５図は第４図の部分Ａの拡
大図、第５図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施
例な示す部分拡大図である。 １．２・・・・−非磁性保護基板、３・・・・・・金属
磁性膜、５・・・・・・ヘッドギャップ、６・・・・・
・接合面、７，７’・・・・・・第１の低融点ガラス層
、８．８’・・・・・・第２の低融点ガラス層。 １− （Ｇ）　　　　　　　　　　　　　（ｅ）（ｂ）　　　
　　　　　　　　　　（ｆ）（ｃ）　　　　　　　　　
　　　　（（Ｊ）（ｄ） ｌＩ２１！１ＩＩ３１！ Ｔ（’Ｃ）　　　　　　　　　　　　　Ｔ（’（：）第
４ｍ！１ １１５　ＩＩ　　　　　ＩＩ６腸 ７′６ 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内 ７３−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ヘッドコアを形成する一方の非磁性保護基板と金属磁性
   膜とが接合されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、軟化点
   が異なる複数の低融点ガラス層からなる接合層を設け、
   該接合層ｉｃより、前記非磁性保護基板と前記金属磁性
   膜とを接合してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。