JPH04253418A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH04253418A
JPH04253418A JP3028075A JP2807591A JPH04253418A JP H04253418 A JPH04253418 A JP H04253418A JP 3028075 A JP3028075 A JP 3028075A JP 2807591 A JP2807591 A JP 2807591A JP H04253418 A JPH04253418 A JP H04253418A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output transistor
transistor
gate
output
turned
Prior art date
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Pending
Application number
JP3028075A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Kukimoto
佳博 久木元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3028075A priority Critical patent/JPH04253418A/ja
Publication of JPH04253418A publication Critical patent/JPH04253418A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
、MOSトランジスタを使用したプッシュプル出力回路
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の出力回路は、図3に示すよ
うに、出力トランジスタ1,出力トランジスタ2が電源
VDDと接地との間に直列に接続され、これらの出力し
た1,2を操作するゲートドライブ回路5,6が、出力
トランジスタ1,2のゲートに直接接続されている。し
たがってゲートドライブ回路5,6のコントロール信号
G1,G2のみが出力トランジスタ1,2のゲートを操
作していた。
【0003】実際に使用する際には、トランジスタ7,
8が電源VDDと接地との間に接続され、H型ブリッジ
として使用される。その際、トランジスタ1,2を流れ
る電流I1,I2は、図4に示される波形となり、トラ
ンジスタ1がオフからオン、トランジスタ2かオンから
オフの状態の時に貫通電流が流れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の出力回
路では、出力トランジスタ1と出力トランジスタ2が出
力トランジスタ1,2の切換時にオンしているので電源
VDDから接地へ貫通電流が流れるという欠点があった
【0005】
【課題を解決するための手段】本願第1発明の要旨は、
電源と接地との間に接続されたNチャンネル型第1出力
トランジスタとNチャンネル型第2出力トランジスタと
の直列回路と、第1出力トランジスタをオン/オフ制御
する第1ゲートドライブ回路と、第2出力トランジスタ
を第1出力トランジスタに対して相補的にオン/オフ制
御する第2ゲートドライブ回路とを備えた半導体装置に
おいて、上記第1出力トランジスタのゲートと接地との
間に設けられゲートを第2出力トランジスタのゲートに
接続されたNチャンネル型第1ゲート操作トランジスタ
と、上記第2出力トランジスタのゲートと接地との間に
設けられゲートを第1出力トランジスタのゲートに接続
されたNチャンネル型第2ゲート操作トランジスタとを
備えたことであり、第2発明の要旨は、電源と接地との
間に接続されたNチャンネル型第1出力トランジスタと
Nチャンネル型第2出力トランジスタとの直列回路と、
第1出力トランジスタをオン/オフ制御する第1ゲート
ドライブ回路と、第2出力トランジスタを第1出力トラ
ンジスタに対して相補的にオン/オフ制御する第2ゲー
トドライブ回路とを備えた半導体装置において、上記第
2出力トランジスタのゲートと接地との間に設けられゲ
ートを第1出力トランジスタのゲートに接続されたNチ
ャンネル型ゲート操作トランジスタを備えたことである
【0006】
【発明の作用】上記構成に係る半導体装置は、第1出力
トランジスタがオフ、第2出力トランジスタがオンの状
態から相補的にオン,オフを切り換えると、第2出力ト
ランジスタ及び第2ゲート操作トランジスタ1(請求項
1記載の半導体装置、請求項2記載の半導体装置では、
ゲート操作トランジスタ)がオフするまで第1ゲート操
作トランジスタが第1出力トランジスタをオフ状態にと
どめる。
【0007】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図1は本発明の第1実施例を示す回路図であ
る。1,2はN型の出力トランジスタ、3,4はゲート
操作用のN型トランジスタ、5,6はゲートドライブ回
路である。
【0008】ゲートドライブ回路5とトランジスタ3の
ドレイン、ゲートドライブ回路6とトランジスタ4のド
レインがそれぞれ接続されており、トランジスタ3,4
によりゲートのコントロール信号G1,G2を操作する
【0009】ゲートドライブ回路5のコントロール信号
G1が“0”、ゲートドライブ回路6のコントロール信
号G2が“1”に初期設定されたとすると、出力トラン
ジスタ1はオフ、出力トランジスタ2はオン、トランジ
スタ3はオン、トランジスタ4はオフとなっている。
【0010】次に、ゲートドライブ回路5のコントロー
ル信号G1が“0”から“1”に、ゲートドライブ回路
6の信号G2が“1”から“0”に変化するとき、コン
トロール信号G1は、トランジスタ3がオンしているた
め“1”に変化できず、出力トランジスタ1はオフ状態
を保つ。出力トランジスタ2はコントロール信号が“1
”から“0”に変化するので、オフとなり、同時にトラ
ンジスタ3はコントロール信号G2が“0”になった時
点でオフし、出力トランジスタ1は“0”から“1”に
変化しオンとなる。
【0011】このように、出力トランジスタ1がオンす
る前に必ず出力トランジスタ2がオフするため、出力ト
ランジスタ1,2が同時にオン状態になることがなく、
貫通電流を防ぐことが可能となる。
【0012】また、コントロール信号G1が“1”から
“0”に、コントロール信号G2が“0”から“1”に
変化する時も同様である。
【0013】図2は本発明の第2実施例を示す回路図で
ある。第2実施例の場合、第1実施例の構成からトラン
ジスタ3を削除した構成である。
【0014】トランジスタ1のソースは出力に接続され
ているが、トランジスタ2のソースは接地に接続されて
いるため、トランジスタ2はトランジスタ1に比べオフ
スピードが遅くなる。したがって、トランジスタ2のみ
のオンスピードを遅くすることにより、貫通電流を防ぐ
ことができ、トランジスタ3を削除しても実質的に貫通
電流を防止した出力回路を実現できる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、出力トラ
ンジスタのゲートにゲート信号を操作するためのトラン
ジスタを接続することでソース側とシンク側のトランジ
スタの同時的なオン状態を防止できるので、電源から接
地に流れる貫通電流を防ぐことができるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示す回路図である。
【図2】本発明の第2実施例を示す回路図である。
【図3】従来例を示す回路図である。
【図4】従来例の動作を説明するための電流波形図であ
る。
【符号の説明】
1  出力トランジスタ 2  出力トランジスタ 7  出力トランジスタ 8  出力トランジスタ 3  ゲート操作用トランジスタ 4  ゲート操作用トランジスタ 5  ゲートドライブ回路 6  ゲートドライブ回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電源と接地との間に接続されたNチャ
    ンネル型第1出力トランジスタとNチャンネル型第2出
    力トランジスタとの直列回路と、第1出力トランジスタ
    をオン/オフ制御する第1ゲートドライブ回路と、第2
    出力トランジスタを第1出力トランジスタに対して相補
    的にオン/オフ制御する第2ゲートドライブ回路とを備
    えた半導体装置において、上記第1出力トランジスタの
    ゲートと接地との間に設けられゲートを第2出力トラン
    ジスタのゲートに接続されたNチャンネル型第1ゲート
    操作トランジスタと、上記第2出力トランジスタのゲー
    トと接地との間に設けられゲートを第1出力トランジス
    タのゲートに接続されたNチャンネル型第2ゲート操作
    トランジスタとを備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】  電源と接地との間に接続されたNチャ
    ンネル型第1出力トランジスタとNチャンネル型第2出
    力トランジスタとの直列回路と、第1出力トランジスタ
    をオン/オフ制御する第1ゲートドライブ回路と、第2
    出力トランジスタを第1出力トランジスタに対して相補
    的にオン/オフ制御する第2ゲートドライブ回路とを備
    えた半導体装置において、上記第2出力トランジスタの
    ゲートと接地との間に設けられゲートを第1出力トラン
    ジスタのゲートに接続されたNチャンネル型ゲート操作
    トランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
JP3028075A 1991-01-29 1991-01-29 半導体装置 Pending JPH04253418A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0634838A1 (en) * 1993-06-15 1995-01-18 Texas Instruments Deutschland Gmbh Circuit assembly for controlling a MOS field effect transistor push-pull stage
JPH09121151A (ja) * 1995-08-18 1997-05-06 Samsung Electron Co Ltd データ出力バッファ
JP2003283260A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Kenwood Corp 増幅回路
JP2004215002A (ja) * 2003-01-06 2004-07-29 Toyoda Mach Works Ltd 負荷駆動回路
JP2006197276A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Yazaki Corp リレー駆動装置における同時オン防止回路
JP2006276541A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2018106902A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 株式会社デンソー 負荷駆動装置

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